JPH0198010A - 自動力率制御装置 - Google Patents

自動力率制御装置

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JPH0198010A
JPH0198010A JP25458587A JP25458587A JPH0198010A JP H0198010 A JPH0198010 A JP H0198010A JP 25458587 A JP25458587 A JP 25458587A JP 25458587 A JP25458587 A JP 25458587A JP H0198010 A JPH0198010 A JP H0198010A
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Takeshi Hatanaka
武史 畑中
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ARETSUKUSU DENSHI KOGYO KK
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ARETSUKUSU DENSHI KOGYO KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の対象〕 本発明は力率制御装置に関し、とくに、交流インダクシ
ョンモータの自動力率制御装置に関する。
〔従来技術〕
従来、交流インダクションモータ、その他の誘導負荷の
省エネルギーを目的として、米国特許第4,052,6
48号および同4,337,640号において、インダ
クションモータの入力電圧を位相制御により変えて力率
を改善することが提案されている。
これら力率制御装置では、サイリスタにより負荷に供給
される交流電圧を直接位相制御するため、負荷電流が多
くの高調波成分を含み、この高調波電流が力率制御装置
の電力用コンデンサとリニア・リアクトルに流入して、
これら素子に異常音、振動の発生および過熱、損傷等の
障害をひき起こしていた。しかも、高調波電流によって
受電電源電圧の波形に歪みが発生して、コンピュータ等
の情報機器やその他の制御装置に多大な障害を与えてい
た。サイリスタは毎サイクルにおいて電圧に同期して点
弧されているが、サイリスタの点弧のための同期信号は
電源電圧からとっているので。
同期信号はこの波形歪みのために変動してしまうことが
あった。このため負荷の状態によっては制御が不安定に
なったり、場合によっては制御不能となってしまい、安
全性ならびに信頼性において問題があった。これを解決
することを目的として、米国特許第4,602,200
号には高調波フィルターを設けることが提案されている
が、この装置では多数の大容量のコンデンサ、リアクト
ル、ならびに抵抗を必要とし、装置全体が大形化すると
ともに製造コストが極めて高くついていた。つぎにイン
ダクションモータや誘導コイルの始動時にはモータの定
格電流の6倍以上の大きい始動電流が流れるために、電
力用半導体素子の容量を誘導負荷の定格容量の2〜4倍
に相当するものを選択しなければならず、このため、半
導体素子が高価となり、しかもそのための制御回路も必
然的に大形複雑化し、応答性も悪かった。
さらに半導体素子としてサイリスタも用いた制御装置で
は主回路部分に大きな内部発生損失が生じて、主回路部
分の電力消費が大きくなるという欠点があった。とくに
、主回路部分には転流リアクトル、転流コンデンサで構
成される強制転流回路を必要とし、転流回路内で転流の
たびに移動するエネルギーに伴う損失が発生していた。
さらにこのほか、主回路スナバ回路における損失(抵抗
、ダイオード等)、平滑リアクトル、交流リアクトル等
の損失(鉄損、銅損等)、コンデンサー内部損失の発生
等による電力消費が大きかった。
〔発明の目的〕
そこで、本発明の目的は上記問題を解決した自動力率制
御装置を提供することを目的とする。
本発明の他の目的は小形軽量にして安価な自動力率制御
装置を提供することを目的とする。
本発明の他の目的は交流インダクションモータの負荷変
動に高速に応答可能な自動力率制御装置を提供すること
を目的とする。
本発明の他の目的は正弦波交流波形への歪みを防止した
自動力率制御装置を提供することを目的とする。
本発明の他の目的は交流インダクションモータの負荷状
態に応答して自動的に最高力率にて誘導負荷を駆動する
ことができる自動力率制御装置を提供することを目的と
する。
本発明の他の目的は小形、軽量、低コストの自動力率制
御装置を提供することを目的とする。
本発明の他の目的は過負荷耐量が大きく、安定性や信頼
性が高く、シかも保守点検が不要な自動力率制御装置を
提供することを目的とする6〔発明の構成〕 本発明の自動力率制御装置は交流11*と誘導負荷との
間に接続され、第1直列巻線と、この第1直列巻線に直
列接続された分路巻線と、前記分路巻線と逆極性で差動
接続された第2直列巻線からなる出力巻線と、前記出力
巻線の出力電圧を調整するための制御巻線とを備えた単
巻変圧器形電圧調整器と、前記誘導負荷の入力側に接続
された整流器を備え、前記制御巻線に直流励磁電流を供
給する直流励磁電源と、前記制御巻線と前記直流励磁電
源との間に接続され、前記制御巻線に供給される前記直
流励磁電流を制御する半導体スイッチと、前記誘導負荷
の力率に比例した出力信号を発生する力率検出回路と、
前記出力信号に応答して、前記誘導負荷の力率が1とな
るように前記半導体スイッチの通流率を制御する制御回
略とを備えたことを特徴とする。
〔実施例〕
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図において、本発明の望ましい実施例による自動カ
率制御装mi。
は交流電源12に接続される入力端14.16と、誘導
負荷18に接続される出力端20.22と、誘導負荷1
8に供給される出方電圧を誘導負荷の力率負荷状態に応
じて可変w4整する制御巻線26を備えた単巻変圧器形
電圧ggI器24と、制御巻線26に直流励磁電流を供
給する直流励磁電源28と、制御巻線26と直流励磁電
@28との間に接続され、制御巻線26に供給される直
流励磁電流を可変する半導体スイッチ回路3oと、誘導
負荷の力率に比例した出力信号を発生する力率検出回路
32と、出方信号に応答して半導体スイッチ回路30の
通流率を制御して出方電圧を力率に応答して調整する制
御回路34とを備える。
第1〜5図において、単巻変圧器形電圧調整器24は主
磁束ループ路を構成する第1可飽和鉄心と、主磁束ルー
プ略の1部をバイパスさせるための磁気分路鉄心44と
を有し、第1可飽和鉄心42は巻鉄心からなる。第1可
飽和鉄心42は第1直列巻線46と1分路巻線48と、
第2直列巻線50からなる出力巻線を備える。第1直列
巻線46は出力端2oに接続された高圧端子と入力端1
4に接続された中圧端子との間に接続され、分路巻線4
8は第1直列巻線46に同一極性で直列接続される0分
路巻線48の下端部は入力端16に接続された中性点に
接続される。第2直列巻線50は分路巻線48の下端部
と出力端22との間において第1直列巻線46とは逆極
性で接続さ九る。主磁束ループ略の少くとも一部の磁気
飽和状態を変えて、磁気分路鉄心44の磁束密度を制御
するために巻鉄心からなる第2可飽和鉄心52が制御巻
線26により後述の如く制御される。
第2〜3図において、第1可飽和鉄心42は主磁束ルー
プ路を構成するセンター・レッ、グ54とアウター・レ
ッグ56,58を備える。センター・レッグ54は磁気
分路鉄心44により区分された第1コア部54aと第2
コア部54bを備える。さらに、センター・レッグ54
はアウター・レッグ56,58の外側に延びる延長部、
すなわち、第3コア部54cを備える、センター・レッ
グ54は第1可飽和鉄心42の上に配置されて、固定具
60.62で互いに固定されて一体化される。第2.3
.5図より明らかなように、磁気分路鉄心44は多枚数
のケイ素鋼板を積層した断面C形状の鉄心からなる。磁
気分路鉄心44の溝44aはセンター・レッグ54と磁
気的に結合するように配置しである。磁気分路鉄心44
の端部44b。
44cは第1直列巻線46および分路者648の第1コ
イルブロツクと第2直列巻線50の第2コイルブロツク
との間で一定のエアギャップに相当する所要の厚みの間
装物64,66を挾んで第1可飽和鉄心42のアウター
・レッグ56,58上に配置され、固定具68.70に
よってアウター・レッグ56,58に固定されて、各鉄
心は一体化される。磁気分路鉄心64は主磁束ループ略
の磁束の一部を高リラクタンスをなすギャップ(間装物
64,66により形成される)を介してアウター・レッ
グ56,58に分路させて出力電圧を調整するとともに
、高調波を減衰させ、出力電圧の波形歪みを少なくする
ように機能する。第2可飽和鉄心52は磁気分路鉄心5
4の下側において、すなわち、第1直列巻線46および
分路巻線48の第1コイルブロツクと第2直列巻線50
の第2コイルブロツクとのの下端部の上に配置されて、
固定具72.74によって各鉄心は一体化されて磁気的
に結合される。このように、第2可飽和鉄心52は第1
可飽和鉄心42の下半部とオーバーラツプするように配
置され、第1可飽和鉄心の一部を磁気飽和させて第2直
列巻線50の磁束が第1直列巻線46と分路巻線48の
磁束に作用しないようにするとともに、第1直列巻線4
6と分路巻線48の磁束を磁気分路鉄心44にシフトさ
せるように機能する。
第1直列巻線46および分路巻線48.第2直列巻線5
0ならびに制御巻線26はそれぞれセンター・レッグ5
4の第1〜第3コア部54a、54b、54c上に巻か
れて、はぼ同一平面内に配置される。さらに、各巻線の
上面と下面は第2可飽和鉄心52の上面と第1可飽和鉄
心42の下面とにそれぞれ整列するように配置される。
すなわち、第1直列巻線46と分路巻線48みコイル・
ブロックと第2直列巻線50からなる第2コイル・ブロ
ックと、制御巻線26の第3コイル・ブロックはセンタ
ー・レッグ54、第1.第2可飽和鉄心42.52の厚
み内にほぼ配置される。センター・レッグ54の第3コ
ア部54cは第1可飽和鉄心42の外側に延びていて、
制御巻線26はセンター・レッグ54の下端部54c上
に巻かれている。第2可飽和鉄心52は第2直列巻線5
0の第2コイル・ブロックと制御巻線26の第3コイル
・ブロックを囲んでいる。第2,3図において第2可飽
和鉄心52の上部と下部はそれぞれ固定具72.74に
よりセンター・レッグ54とともに補助磁束ループ路を
構成し、制御巻線26に直流励磁電流が供給されたとき
に制御巻線26の磁束の通路として機能する。すなわち
、制御巻線26の磁束はセンター・レッグ54の第2コ
ア部54bを部分的に磁気飽和させ、もって第1直列巻
線46および分路巻線48の磁束を主磁束ループから磁
気分路鉄心44を介してアウター・レッグ56,58に
シフトさせる。
第1直列巻線46と分路巻線48はセンター・レッグ5
4の第1コア部54a上に巻かれて単巻変圧器を構成し
、第2直列巻線50が第2コア54b上に第1直列巻線
46とは逆極性で巻かれて、いわゆる、差動結合される
上記構成において、入力端14.16が交流電源12に
接続されて、出力端20.22が誘導負荷18に接続さ
れると、第1、第2直列巻線46゜50に大電流が流れ
、分路者#lA48には入力電流と出力電流との差電流
が流れる。
第1,2図において、制御巻線26に直流励磁電流が供
給されないときは、第1直列巻線46と分路巻線48お
よびこの分路巻線48に差動結合された第2直列巻線5
0により生じた磁束がセンター・レッグ54からアウタ
ー・レッグ56,58を通過して、センター・レッグ5
4に循還する。
このとき、第1直列巻線46と分路巻線48の生ずる磁
束と第2直列巻線5oの生ずる磁束とは逆方向になって
いるから、相互磁束全体としては。
差になって作用する。したがって、このときの出力電圧
は最少となる。
つぎに、制御巻線26に直流励磁電流が供給されると、
第2可飽和鉄心52はセンター・レッグ54の第2、第
3コア部54b、54cとともに磁気飽和されるため、
第1直列巻線46と分路巻線48の生ずる磁束は磁気分
路鉄心44〈シフトされる。このとき、磁束は第1コア
部54a、アウター・レッグ56,58および磁気分路
鉄心44を介して11還し、出力端20.22の出力電
圧は最大となる。制御巻線26に供給される直流励磁電
流を少なくすると、それに応じて出力巻線の出力端出力
電圧は低下する、このように、センター・レッグ54の
第2.第3コア部54b、54Cの磁気飽和状態を可変
制御することにより、第1直列巻線46と分路巻線48
からなる出力巻線に対する第2直列巻線50の差動結合
状態を変化させて磁気分路鉄心44にシフトされる第1
直列巻線46および分路巻線48の磁束を制御し、出力
端の出力電圧を可変制御できる。
第1図にもどって、直流励磁型wX28は単巻変圧器形
電圧調整器24の出力側に接続された変流器80と、変
圧器81を介して接続された交流リアクトル82とを備
える。変流器80は誘導負荷18の電流に依存した成分
をとり出すための電流成分回路として機能する。交流リ
アクトル82は変圧器81を介して高圧から低圧に変圧
された電圧を電圧調整器24の出力電圧に依存した成分
をとり出すための電圧成分回路として機能する0両成分
は整流器84の交流入力側でベクトル合成される。lI
流器84の直流出力電流は両成分の合成電流を整流した
ものに相当し、コンデンサ86によって平滑され、制御
巻線26の直流励磁電流工として用いられる。!I流器
84の直流出力電流に含まれる電流依存成分と電圧依存
成分とにより、負荷の投入、遮断、あるいは負荷の急激
な変動時に直流出力電流の変化によって高速応答でその
負荷変動を補償させることができる。
半導体スイッチ回路30は半導体スイッチ88を備え、
この半導体スイッチ88は!1流器84の直流出力端子
間に直流励磁電流Iを制御するために接続される。半導
体スイッチ88としてはトランジスタやサイリスタを使
用することができる。
第1図において、半導体スイッチ88はインバーテツド
ダーリントン回路を形成する第1と第2の制御用トラン
ジスタ88a、88bを備える。
ここで、インバーテツドダーリントン回路とは、PNP
型トランジスタとNPN型トランジスタを相補的に接続
した回路を云う、すなわち、第1の制御用トランジスタ
88aのベース電流を制御するために第2の制御用トラ
ンジスタ88bがインバーテツドダーリントン接続され
、インバーテツドダーリントン回路を形成している。直
流励磁電流工を供給される制御巻線26には電流吸収回
路90が並列接続されている。電流吸収回路90として
はコンデンサが用いられる。この電流吸収回路90は半
導体スイッチ88がオフ時に整流器84の直流出力電流
と直流励磁電流との左型流分を吸収する作用をする。電
流吸収回路88と並列に電圧制限素子92が接続される
。この電圧制御素子92は励磁電圧が電圧制限素子92
により制限される電圧に達すると導通し、半導体スイッ
チ88と電流吸収回路90に過電圧が加わらないように
するために設けられる。電圧制限素子92として定電圧
ダイオードを用いた場合の実施例が第1図に示されてい
る。第1図において、電流吸収回路9oとしてのコンデ
ンサと半導体スイッチ88との間に逆流防止用ダイオー
ド94が挿入されている。ダイオード94は半導体スイ
ッチ88のオン時にコンデンサ90からの放電電流がこ
の半導体スイッチ88を介して流れるのを阻止する。こ
れにより半導体スイッチ88として用いられる例えば図
示の如きトランジスタなどの素子の破壊の危険性を防止
する。
第6,7図において、力率検出回路32において、変圧
器(図示せず)からの正弦波の電圧信号(a)は演算増
幅器により成る増幅器100に供給され、同様に変流器
(図示せず)からの正弦波の電流信号(b)は同様に演
算増幅器より成る増幅器102に供給される。増幅器1
00゜102は、大きな増幅率を有し、信号(a)およ
び(b)をそれぞれ矩形波に変換して信号(Q)および
(d)を出力する。ついで、信号(Q)および(d)は
NOR@略104に供給され、信号CQ)および(d)
の位相差(θ)と等しいパルス(e)を出力する。この
パルス(e)は抵抗とコンデンサからなるローパス・フ
ィルタ106を介して直流信号(f)に変換される。こ
の直流信号(f)は制御回路34に供給される。
第1図において制御回路34はトランジスタ108と、
三角波発振器110と、力率検出回路32の出力信号(
f)と三角波発振器11oの三角波形出力gとを比較し
て、トランジスタ108のベースにパルス巾の異なる駆
動パルスを出力する作動増幅器112を備える。トラン
ジスタ108のコレクターは抵抗R1,R2を介してト
ランジスタ88aのコレクタ側に接続され、トランジス
タ88bのオン・オフによって半導体スイッチ80の通
流率を制御する。これにより制御巻線26の励磁電流が
調整される。この場合に通流率制御は負荷電圧と負荷電
流との位相差をなくすように、すなわち、最高力率とな
るように制御回路34により制御される。
つぎに、第8図に示す各部の電圧電流波形例を参照しな
がら動作を説明する。
整流器84の直流出力1流工はいかなる場合でも制御巻
線26の励磁電流工′の所要値よりも大きくなるように
回路定数が選ばれる。半導体スイッチ88がオンのとき
には整流器84の直流出力電流工はこの半導体スイッチ
88によって分路され、励磁電流工′は減少してゆく、
つぎに、半導体スイッチ88がオフすると、整流器出力
電流工は増加してゆきながら制御巻線26に流入する。
制御巻線26のインダクタンスのために励磁電流1′は
徐々にしか増大できないため、左型流分I−I’は電流
吸収コンデンサ90に流入する。このようにして、励磁
電流工″は半導体スイッチ88のベース信号によって目
標値に保たれるように瞬時値制御される。
増幅器112のプラス入力端に加えられた負荷電圧と負
荷電流との位相差で表わされた力率に比例した出力信号
fとマイナス入力端に加えられた三角波形信号gとが比
較されて、出力パルスhが生ずる0時間t、のとき。
増幅器112は“1”信号を出力し、時間t3のとき1
″0”信号を出力する。増幅器112から“1n信号が
出力されると、トランジスタ108がオンとなり、トラ
ンジスタ88a、88bがオンとなる。
ある瞬時での半導体スイッチ88の通流率αはオン時間
をTon、周期をTとすると。
α=  □ と表わすことができ、励磁電流工′の平均値I’ av
は、整流器量カニの平均値Iavとすると r’ av=α・Iav なる関係にある。すなわち、平均値としてみると、整流
器出力電流Iのうち励磁にはαIavだけ流れ、半導体
スイッチ88には残りの(1−α)Iavが分流してい
ることが分かる。このように半導体スイッチ88は負荷
検出回路32により検出された負荷状態に応答してオン
・オフされて、負荷電圧と負荷電流の位相差が常にゼロ
レベルすなわち、力率が1に近づくように制御回路34
により制御される。すなわち、負荷電圧と負荷fI!流
との位相差θが大きいときは、誘導負荷の力率が極めて
低く、力率検出回路32の出力fは高くなる。このとき
、第8図より明らかなように、トランジスタ108の出
力jのパルス巾が大きくなるため、半導体スイッチ88
の通流率が大きくなって励磁電流の分流量が大きくなる
。したがって、制御巻線26に供給される制御電流I′
が少なくなって、単巻変圧器形電圧調整器24のセンタ
ー・レッグ54の第2コア部54bの磁気飽和度が少な
くなる。このとき、第2図における第1直列巻線46お
よび分路巻線48の磁束は第2直列巻線50による逆極
性の磁束により打ち消されて電圧調整器24の出力電圧
が低下する。つぎに誘導負荷が増大して、負荷電圧と負
荷電流との位相差が小さくなると、力率検出回路32の
出力fは低くなる。このとき、増幅器112の出力りの
パルス幅が小さくなるため。
半導体スイッチ88の通流率が小さくなって励磁電流工
′が増加して電圧調整器24の出力電圧が増加する。こ
のように、制御回路34は力率検出回路32の出力信号
fに応答して、半導体スイッチ88の通流率を制御する
ことにより励磁電流工′を制御し、もって、電圧調Il
l器24から誘導負荷18に供給される出力電圧を力率
が1になるように調整する。
以上、本発明について単相用の実施例を説明したが、上
述の単巻変圧器形電圧調整器を3相結線して3相交流電
源に接続することもできる。力率検出回路は米国特許第
3,588,710号および同第4,480,219に
開示された位相検出回路により構成しても良い。
〔発明の効果〕
以上より明らかなように1本発明による自動力率制御装
置はつぎのような効果をもたらす。
(1)力率に比例した出力信号に速溶して負荷電圧が最
適レベルまで調整されるため、誘導負荷が常に最高力率
で駆動され、大幅な省エネルギー効果が得られる。
(2)負荷電圧の制御が単巻変圧器形電圧調整器の制御
巻線に流れる励磁電流の制御により行なわれ、電源ライ
ンにおける交流電圧を直接位相制御することがないため
、負荷電流が高調波成分を含まず、交流電圧波形に歪み
を与えない、したがって、コンピュータ等の情報機器や
その他の制御装置に障害を与えない。
(3)負荷電流が高調波成分を含まないため、大形で高
価な大容量の高調波フィルタを省略でき、信頼性と安全
性の向上を図れるとともに、大幅な小形軽量化が図れる
(4)半導体スイッチは直接に電源ラインの交流電圧を
制御せず、単巻変圧優形電圧g整器の制御巻線の低電圧
、低電流の励磁電流を制御するため。
半導体スイッチと制御回略の著しい小容量化と大幅な低
コスト化が図れる。
また回路設計も容易となる。
(5)大きな負荷容量の自動力率制御装置が100分の
1以下の自己容量の単巻変圧器形電圧調整器で制御でき
るため、装置全体が小形軽量化されるとともに大きな電
磁波ノイズを発生させず、信頼性が高いため、シャトル
等の宇宙船での使用が可能である。
(6)低電圧、小容量の半導体スイッチと単巻変圧器形
電圧調整器の制御巻線と組み合わせて高電圧、大容量の
力率制御が可能なため、安全で信頼性が高く、シかも、
極めて安価な電子部品で従来不可能であった大容量の誘
導負荷の力率制御が可能となるため、実用上の効果が大
きい。
(7)大きな負荷容量に対して小さな自己容量の単巻変
圧器形電圧調整器と小電力の制御回略の採用を可能とし
て、エネルギー損失を最小としたため、大幅な高効率化
が図れる。
第1図は本発明による自動力率制御装置の望ましい実施
例の結線図、第2図は第1図の単巻変圧器形電圧調整器
の平面図、第3図は第2図の電圧調整器の側面図、第4
図は第2図の電圧調整器の底面図、第5図は第2図のv
−v線の断面図、第6図は第1図の負荷検出回略の1例
を示す回路図。
第7図は第6図の回略の波形図、第8図は第1図の電流
電圧波形図をそれぞれ示す。
24・・・・・・・・・単巻変圧器形電圧調整器28・
・・・・・・・・直流励磁電源 30・・・・・・・・・半導体スイッチ回路32・・・
・・・・・・力率検出回路 34・・・・・・・・・制御回路 特許出願人 アレックス電子工業株式会社集4凹 秦5(21 本乙図 ノ J 本7コ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、(a)交流電源と誘導負荷との間に接続され、第1
    直列巻線と、この第1直列巻線に直列接続された分路巻
    線と、前記分路巻線と逆極性で差動接続された第2直列
    巻線からなる出力巻線と、前記出力巻線の出力電圧を調
    整するための制御巻線とを備えた単巻変圧器形電圧調整
    器と、(b)前記誘導負荷の入力側に接続された整流器
    を備え、前記制御巻線に直流励磁電流を供給する直流励
    磁電源と、(c)前記制御巻線と前記直流励磁電源との
    間に接続され、前記制御巻線に供給される前記直流励磁
    電流を制御する半導体スイッチと、(d)前記誘導負荷
    の力率に比例した出力信号を発生する力率検出回路と、
    (e)前記出力信号に応答して、前記誘導負荷の力率が
    1となるように前記半導体スイッチの通流率を制御する
    制御回路と、を備えた自動力率制御装置。 2、前記直流励磁電源が前記誘導負荷の入力側に接続さ
    れて前記誘導負荷の電流に依存した成分を取り出す変流
    器を備え、前記変流器が前記整流器の入力側に接続され
    たことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の自動力
    率制御装置。 3、前記直流励磁電源が前記誘導負荷の入力側に接続さ
    れて前記出力電圧に依存した成分を取り出す交流リアク
    トルと、前記誘導負荷の電流に依存した成分を取り出す
    変流器とを備え、前記整流器が前記両成分をベクトル合
    成した電流を整流して前記直流励磁電流となすことを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載の自動力率制御装置
    。 4、前記半導体スイッチが前記直流励磁電源の直流出力
    端子に接続されて、前記直流励磁電流の一部を前記半導
    体スイッチに分流させたことを特徴とする特許請求の範
    囲第1項または第2項記載の自動力率制御装置。 5、前記半導体スイッチに並列に電流吸収回路が接続さ
    れたことを特徴とする特許請求の範囲第4項記載の自動
    力率制御装置。 6、前記半導体スイッチに並列に電圧制限素子が接続さ
    れたことを特徴とする特許請求の範囲第5項記載の自動
    力率制御装置。 7、前記力率検出回路が負荷電圧と負荷電流の位相差を
    検出する位相差検出回路を備えたことを特徴とする特許
    請求の範囲第1項または第2項記載の自動力率制御装置
    。 8、前記制御回路が前記出力信号に応答したパルス巾の
    出力パルスを発生する増幅器と、前記増幅器の出力に応
    答して前記半導体スイッチの通流率を制御するトランジ
    スタとを備えたことを特徴とする特許請求の範囲第1項
    または第2項記載の自動力率制御装置。 9、前記単巻変圧器形電圧調整器が前記第1直列巻線と
    、前記分路巻線と前記第2直列巻線とを有する第1可飽
    和鉄心を備えた主磁束ループ略と、前記分路巻線と前記
    第2直列巻線との間に配置されて前記主磁束ループ略の
    一部をバイパスさせるためのエアギャップを備えた少く
    とも1つの磁気分路鉄心と、前記磁気分路鉄心と前記第
    2直列巻線との間の前記第1可飽和鉄心の一部に磁気的
    に結合された第2可飽和鉄心からなる補助磁束ループ略
    とを備え、前記制御巻線が前記第2可飽和鉄心を介して
    前記第1可飽和鉄心の前記一部を磁気飽和させて前記第
    1直列巻線と前記分路巻線の磁磁束を前記磁気分路鉄心
    にシフトさせることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    または第2項記載の自動力率制御装置。 10、前記第1可飽和鉄心がセンター・レッグとアウタ
    ー・レッグを有する第1巻鉄心を備え、前記補助磁束ル
    ープ路が前記センター・レッグ上に前記第2直列巻線と
    前記制御巻線を囲むように配置された第2巻鉄心とを備
    え、前記センター・レッグが前記第1巻鉄心の外方に延
    びる延長部を備え、前記制御巻線が前記延長部に巻装さ
    れたことを特徴とする特許請求の範囲第9項記載の自動
    力率制御装置。 11、前記第1巻鉄心と前記センター・レッグとを固定
    する第1の固定具と、前記第2巻鉄心と前記センター・
    レッグとを固定する第2の固定具とをさらに備えたこと
    を特徴とする特許請求の範囲第10項記載の自動力率制
    御装置。 12、前記センター・レッグの一方の側に前記第1巻鉄
    心が配置され、前記センター・レッグの他方側に前記第
    2巻鉄心が配置されたことを特徴とする特許請求の範囲
    第10項ないし第11項記載の自動力率制御装置。 13、前記第1直列巻線および前記分路巻線と、前記第
    2直列巻線と、前記制御巻線とがほぼ同一平面内に配置
    されたことを特徴とする特許請求の範囲第12項記載の
    自動力率制御装置。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS471942U (ja) * 1971-01-19 1972-08-22
JPS6077697A (ja) * 1983-09-30 1985-05-02 Mitsubishi Electric Corp 交流電動機の速度制御装置
JPS62181674A (ja) * 1986-02-05 1987-08-10 Mitsubishi Electric Corp パルス幅変調形インバ−タ装置
JPS62254584A (ja) * 1986-04-28 1987-11-06 Hiroshi Ono テレビ電話機

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