JPH0198142A - 光ディスクマスタリング装置 - Google Patents
光ディスクマスタリング装置Info
- Publication number
- JPH0198142A JPH0198142A JP62256546A JP25654687A JPH0198142A JP H0198142 A JPH0198142 A JP H0198142A JP 62256546 A JP62256546 A JP 62256546A JP 25654687 A JP25654687 A JP 25654687A JP H0198142 A JPH0198142 A JP H0198142A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- wavelength
- optical disc
- intensity
- photoresist
- Prior art date
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光ディスク原盤の作製装置に関する。
従来の技術
光ディスク原盤は、一般に、表面を研摩したガラス基板
の上にフォトレジストを塗布した後、このフォトレジス
トを記録すべき信号に応じて強度変調されたレーザー光
で照射し、現像して照射された部分のみを残すことによ
って作製される。
の上にフォトレジストを塗布した後、このフォトレジス
トを記録すべき信号に応じて強度変調されたレーザー光
で照射し、現像して照射された部分のみを残すことによ
って作製される。
フォトレジストに強度変調されたレーザー光を照射する
には、第4図に示すようなマスタリング装置が用いられ
る。フォトレジストを塗布されたガラス基板1は、スピ
ンドル2によって回されるとともに、−軸径送台3によ
って径方向に移送される。アルゴンレーザー4から出た
光は、E−0変調器6によって記録すべき信号に応じて
強度変調され、レンズアクチュエーター9によって絞ら
れてガラス基板1に照射される。
には、第4図に示すようなマスタリング装置が用いられ
る。フォトレジストを塗布されたガラス基板1は、スピ
ンドル2によって回されるとともに、−軸径送台3によ
って径方向に移送される。アルゴンレーザー4から出た
光は、E−0変調器6によって記録すべき信号に応じて
強度変調され、レンズアクチュエーター9によって絞ら
れてガラス基板1に照射される。
ヘリウムネオンレーザ−1oの光は、ガラス基板1に照
射され、度射されて戻ってきた光を光検出器13で受け
る。これにより、レンズアクチュエータ−9のレンズと
ガラス基板1との距離全測定する。この距離の信号を用
いて、アルゴンレーザーの光が常にガラス基板1に焦点
が合うようにレンズアクチュエーター9は制御されてい
る。
射され、度射されて戻ってきた光を光検出器13で受け
る。これにより、レンズアクチュエータ−9のレンズと
ガラス基板1との距離全測定する。この距離の信号を用
いて、アルゴンレーザーの光が常にガラス基板1に焦点
が合うようにレンズアクチュエーター9は制御されてい
る。
ガラス基板1に塗布されたフォトレジストは、アルゴン
レーザーの波長では感光するが、ヘリウムネオンレーザ
−の波長では感光しないものが用いられる。
レーザーの波長では感光するが、ヘリウムネオンレーザ
−の波長では感光しないものが用いられる。
発明が解決しようとする問題点
光ディスクの記録密度を高め、同じ面積により多くの情
報を記録したいという要請が強まりつつある。光は波長
が短いほど小さな点に絞り込むことができる。より小さ
な点に信号を記録するために、従来よりも短い波長の光
を用いた光ディスクマスタリング装置の開発が望まれて
いる。しかし、短い波長の光を記録すべき信号に応じて
強度変調することは困難であシ、従来用いられていたE
−0変調器を用いることはできないという問題がある。
報を記録したいという要請が強まりつつある。光は波長
が短いほど小さな点に絞り込むことができる。より小さ
な点に信号を記録するために、従来よりも短い波長の光
を用いた光ディスクマスタリング装置の開発が望まれて
いる。しかし、短い波長の光を記録すべき信号に応じて
強度変調することは困難であシ、従来用いられていたE
−0変調器を用いることはできないという問題がある。
問題点を解決するための手段
光を記録すべき信号に応じて強度変調した後、非線形光
学素子によって波長を短くする。
学素子によって波長を短くする。
作 用
光を記録すべき信号に応じて強度変調するときには、光
の波長はまだ短くないので、従来と同じ変調器を用いる
ことができる。
の波長はまだ短くないので、従来と同じ変調器を用いる
ことができる。
また、フォトレジストを塗布した基板に絞り込むときに
は、波長が短いので小さな点へ絞り込むことができ、記
録密度を高くすることができる。
は、波長が短いので小さな点へ絞り込むことができ、記
録密度を高くすることができる。
実施例
以下本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
第1図は、本発明による光ディスクマスタリング装置の
一例である。アルゴンレーザー4の光は、E−0変調器
6によって記録すべき信号に応じ、て強度変調され、更
に非線形光学素子14によって波長が短くされた後、レ
ンズアクチュエーター9でフォトレジストを塗布された
ガラス基板1に絞られて照射され、フォトレジストを感
光させて信号を記録する。
一例である。アルゴンレーザー4の光は、E−0変調器
6によって記録すべき信号に応じ、て強度変調され、更
に非線形光学素子14によって波長が短くされた後、レ
ンズアクチュエーター9でフォトレジストを塗布された
ガラス基板1に絞られて照射され、フォトレジストを感
光させて信号を記録する。
ヘリウムネオンレーザ−1oの光は、レンズアクチュエ
ーター9を通してフォトレジストを塗布されたガラス基
板1に照射され、反射されて戻ってきた光を光検出器1
3で受ける。光検出器13の出力信号は、レンズアクチ
ュエーター9のレンズとガラス基板1との距離に応じて
その大きさが変化するようになっている。この光検出器
13の出力信号を用いて、アルゴンレーザーからの光が
、常にガラス基板1に焦点が合うようにレンズアクチュ
エーター9は制御されている。
ーター9を通してフォトレジストを塗布されたガラス基
板1に照射され、反射されて戻ってきた光を光検出器1
3で受ける。光検出器13の出力信号は、レンズアクチ
ュエーター9のレンズとガラス基板1との距離に応じて
その大きさが変化するようになっている。この光検出器
13の出力信号を用いて、アルゴンレーザーからの光が
、常にガラス基板1に焦点が合うようにレンズアクチュ
エーター9は制御されている。
フォトレジストを塗布されたガラス基板1は、スピンド
ル2によって回される。また、−軸径送台3によって半
径方向に移送される。
ル2によって回される。また、−軸径送台3によって半
径方向に移送される。
非線形光学素子としては、KDP(KH2PO4)。
K T P (K T 10P O) 、 L 1Nb
O3−βB a B204等の無機材料や、MNA(2
,メチル・4・ニトロアニリン)、MNT(メチルニト
ロトラン)等の有機材料を用いることができる。
O3−βB a B204等の無機材料や、MNA(2
,メチル・4・ニトロアニリン)、MNT(メチルニト
ロトラン)等の有機材料を用いることができる。
非線形光学素子を用いて波長を短くする方法としては、
5HG(第2高調波発生)、THG(第3高調波発生)
、光パラメトリツク発振等がある。
5HG(第2高調波発生)、THG(第3高調波発生)
、光パラメトリツク発振等がある。
また、これらの方法のうちの二つ以上を組み合わせて用
いてもよい。例えば、アルゴンレーザーの488、On
mの光のSHGを用いれば、244.0nmの光を得る
ことができる。
いてもよい。例えば、アルゴンレーザーの488、On
mの光のSHGを用いれば、244.0nmの光を得る
ことができる。
フィルターミラー11は、非線形光学素子を用いて波長
を短くされた強度変調された光と、それ以外の光(波長
が短くならなかった強度変調された光やヘリウムネオン
レーザ−の光)とを波長によって分離するだめのもので
ある。
を短くされた強度変調された光と、それ以外の光(波長
が短くならなかった強度変調された光やヘリウムネオン
レーザ−の光)とを波長によって分離するだめのもので
ある。
第1図ではアルゴンレーザーを用いた例を示しているが
、フォトレジストを感光させるための光源としては、他
のガスレーザーや固体レーザー等を用いることもできる
。また、Nd:YAGレーザーをSHGによって可視光
に変換した。ものや、エキシマレーザ−を光パラメトリ
ツク発振によって可視光に変換したもの等、非線形光学
素子を用いて波長を変換したレーザーも用いる事もでき
る。
、フォトレジストを感光させるための光源としては、他
のガスレーザーや固体レーザー等を用いることもできる
。また、Nd:YAGレーザーをSHGによって可視光
に変換した。ものや、エキシマレーザ−を光パラメトリ
ツク発振によって可視光に変換したもの等、非線形光学
素子を用いて波長を変換したレーザーも用いる事もでき
る。
フォトレジストとしては、非線形光学素子を用いて波長
を短くされた強度変調された光には感度が高く、その他
の光に対しては感度が低いかもしくは感度が無いものを
選んで用いればよい。
を短くされた強度変調された光には感度が高く、その他
の光に対しては感度が低いかもしくは感度が無いものを
選んで用いればよい。
フォトレジストは、光を照射された部分のみが残るタイ
プのものでも、光を照射された部分のみが除かれるタイ
プのものでも良い。
プのものでも、光を照射された部分のみが除かれるタイ
プのものでも良い。
フォトレジストを塗布する基板としては、一般には表面
を研摩したガラス板が用いられるが、基板の材質はガラ
スに限るものではなく、銅板等の金属やその他のもので
もよい。
を研摩したガラス板が用いられるが、基板の材質はガラ
スに限るものではなく、銅板等の金属やその他のもので
もよい。
本実施例の装置は、光を記録すべき信号に応じて強度変
調した後、非線形光学素子によって波長を短くし、フォ
トレジストを塗布した基板に絞り込む。このため、変調
器は従来の物を用いることができるにもかかわらず、波
長が短いので小さな点へ絞υ込むことができ、記録密度
を高くすることができる。
調した後、非線形光学素子によって波長を短くし、フォ
トレジストを塗布した基板に絞り込む。このため、変調
器は従来の物を用いることができるにもかかわらず、波
長が短いので小さな点へ絞υ込むことができ、記録密度
を高くすることができる。
第1図に示した実施例では、アルゴンレーザーからの光
が常に基板1に焦点が合うようにヘリウムネオンレーザ
−の光を用いて制御していたが、第2図に示したように
ヘリウムネオンレーザ−の代わシに部分反射ミラー16
で分けられた波長を短くする前のアルゴンレーザーの光
を用いることもできる。第2図のフィルターミラー15
ば、非線形光学素子で波長を短くされた光は反射し、も
との波長の光は透過する。
が常に基板1に焦点が合うようにヘリウムネオンレーザ
−の光を用いて制御していたが、第2図に示したように
ヘリウムネオンレーザ−の代わシに部分反射ミラー16
で分けられた波長を短くする前のアルゴンレーザーの光
を用いることもできる。第2図のフィルターミラー15
ば、非線形光学素子で波長を短くされた光は反射し、も
との波長の光は透過する。
また、第3図に示したように、波長を短くされずに非線
形光学素子を通ってきた光をヘリウムネオンレーザ−の
代わシに用いることもできる。波長を短くされずに非線
形光学素子を通ってきた光は、E−0変調器で強度変調
されている。しかし、一般に変調周波数は焦点制御の周
波数より遥かに高いため、光検出器の信号を周波数フィ
ルターに通し、低周波成分だけを取り出すことにより、
焦点制御に用いることができる。第3図のフィルターミ
ラー17は、非線形光学素子で波長を短くされた光は透
過し、もとの波長の光は一部は反射し残シは透過する。
形光学素子を通ってきた光をヘリウムネオンレーザ−の
代わシに用いることもできる。波長を短くされずに非線
形光学素子を通ってきた光は、E−0変調器で強度変調
されている。しかし、一般に変調周波数は焦点制御の周
波数より遥かに高いため、光検出器の信号を周波数フィ
ルターに通し、低周波成分だけを取り出すことにより、
焦点制御に用いることができる。第3図のフィルターミ
ラー17は、非線形光学素子で波長を短くされた光は透
過し、もとの波長の光は一部は反射し残シは透過する。
第2図・第3図に示しだ実施例の装置は、第1図に示し
た実施例の装置と同様に、記録密度を高くすることがで
きるとともに、レーザーが一つですむという利点がある
。
た実施例の装置と同様に、記録密度を高くすることがで
きるとともに、レーザーが一つですむという利点がある
。
発明の効果
光を記録すべき信号に応じて強度変調した後、非線形光
学素子によって波長を短くすることにより、光を小さな
点に絞り込むことができ、記録密度を高くすることがで
きる。まだ、光を記録すべき信号に応じて強度変調する
ときには、光の波長はまだ短くないので、従来と同じ変
調器を用いることができる。
学素子によって波長を短くすることにより、光を小さな
点に絞り込むことができ、記録密度を高くすることがで
きる。まだ、光を記録すべき信号に応じて強度変調する
ときには、光の波長はまだ短くないので、従来と同じ変
調器を用いることができる。
第1図・第2図・第3図は本発明の光ディスクマスタリ
ング装置の実施例の概略図、第4図は従来ノ光ディスク
マスタリング装置の概略図である。 4・・・・・・アルゴンレーザー、6・・・・・・E−
0変調器、9・・・・・・レンズアクチュエーター、1
o・・・・・・ヘリウムネオンレーザ−114・・・・
・・非線形光学素子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名1ト
ー゛フイルターくラー 第4図
ング装置の実施例の概略図、第4図は従来ノ光ディスク
マスタリング装置の概略図である。 4・・・・・・アルゴンレーザー、6・・・・・・E−
0変調器、9・・・・・・レンズアクチュエーター、1
o・・・・・・ヘリウムネオンレーザ−114・・・・
・・非線形光学素子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名1ト
ー゛フイルターくラー 第4図
Claims (3)
- (1)フォトレジストを塗布した基板に、記録しようと
する信号に応じて強度変調した光を絞り込んで照射し、
前記フォトレジストを感光させることによって信号を記
録する光ディスク原盤のマスタリング装置であって、強
度変調された光の波長を非線形光学素子によって短くし
てから前記基板に絞り込んで照射することを特徴とする
光ディスクマスタリング装置。 - (2)強度変調する前の光の一部をフォーカス等の制御
用に用いることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の光ディスクマスタリング装置。 - (3)波長が短くならずに非線形光学素子を通った強度
変調された光をフォーカス等の制御用に用いることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の光ディスクマスタ
リング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62256546A JP2723524B2 (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 光ディスクマスタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62256546A JP2723524B2 (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 光ディスクマスタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0198142A true JPH0198142A (ja) | 1989-04-17 |
| JP2723524B2 JP2723524B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=17294139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62256546A Expired - Fee Related JP2723524B2 (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 光ディスクマスタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2723524B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5315573A (en) * | 1991-08-08 | 1994-05-24 | Hitachi, Ltd. | Non-linear optical saturable absorber layer in an optical disk to discriminate wavelength above or below a threshold level of intensity |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60179949A (ja) * | 1984-02-25 | 1985-09-13 | Sony Corp | 光デイスク再生装置 |
| JPS61249017A (ja) * | 1985-04-27 | 1986-11-06 | Sony Corp | 光制御装置 |
| JPS62128034A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気デイスク用光学ヘツド |
-
1987
- 1987-10-12 JP JP62256546A patent/JP2723524B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60179949A (ja) * | 1984-02-25 | 1985-09-13 | Sony Corp | 光デイスク再生装置 |
| JPS61249017A (ja) * | 1985-04-27 | 1986-11-06 | Sony Corp | 光制御装置 |
| JPS62128034A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気デイスク用光学ヘツド |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5315573A (en) * | 1991-08-08 | 1994-05-24 | Hitachi, Ltd. | Non-linear optical saturable absorber layer in an optical disk to discriminate wavelength above or below a threshold level of intensity |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2723524B2 (ja) | 1998-03-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |