JPH0198236A - Ｉｃチップボンディング用ビームリードの形成用積層物 - Google Patents
Ｉｃチップボンディング用ビームリードの形成用積層物Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、集積回路（Ｉ（ｃ）チップに接合した金属ビ
ームリードのフレームを、好ましくは自動化装置により
製造するために適合した積層物に関する。
ームリードのフレームを、好ましくは自動化装置により
製造するために適合した積層物に関する。
ＩＣ技術の最もコストのかかる面の一つは、回路パッケ
ージの台上（ｒｅｓｔ）へＩＣチップを接合することで
ある。この問題に対する提案された解決は、ＩＣチップ
への金属ビームリードの自動ポンディングからなり、そ
の結、牝として手動ワイヤーボンディングを回避せんと
するものである。このような技術は、そのそれぞれが多
くの一般に平らで極微細で蜘蛛形状（ｓｐｉｄｅｒ−ｓ
ｈａｐｅｄ）金属フィンガーを有する、ビームリードと
して知られている複数のフレームを、接合位置に運ぶ積
層物のロールを使用する。接合位置に於て、ビームリー
ドの内側部分は整列されており、同時にＩＣチップの接
合サイトに接続している。ビームリードの外側部分は回
路パッケージの残りの部分に結合するために利用できる
。
ージの台上（ｒｅｓｔ）へＩＣチップを接合することで
ある。この問題に対する提案された解決は、ＩＣチップ
への金属ビームリードの自動ポンディングからなり、そ
の結、牝として手動ワイヤーボンディングを回避せんと
するものである。このような技術は、そのそれぞれが多
くの一般に平らで極微細で蜘蛛形状（ｓｐｉｄｅｒ−ｓ
ｈａｐｅｄ）金属フィンガーを有する、ビームリードと
して知られている複数のフレームを、接合位置に運ぶ積
層物のロールを使用する。接合位置に於て、ビームリー
ドの内側部分は整列されており、同時にＩＣチップの接
合サイトに接続している。ビームリードの外側部分は回
路パッケージの残りの部分に結合するために利用できる
。
このようなビームリードは、フォトレジストプロセスに
より製造できる。米国特許第４，２４７．６２３号には
、このような方法及びその方法で使用するための、導電
性金属の可撓性の片（ストリップ）、該金属片の一つの
表面に接着されたポジ型レジストの層、及び該金属片の
反対側表面に接着されたネガ型レジストの層から成る構
造を有するブランク又は積層物が開示されている。この
プロセスには、像状露光並びにポジ型レジスト及びネガ
型レジストの現像工程が含まれる。現像されたポジ型レ
ジストは、金属層のビームリード部分上に保護被覆を形
成する。露光された金属層を、ついでエッチしてビーム
リードを形成する。現像されたネガ型レジストは、所望
の配置にビームリードを保持する窓付き支持体スペーサ
を形成する。ビームリードはネガ型レジストから形成さ
れたスペーサによって、接合の前及び間に適切な配置に
保持される。
より製造できる。米国特許第４，２４７．６２３号には
、このような方法及びその方法で使用するための、導電
性金属の可撓性の片（ストリップ）、該金属片の一つの
表面に接着されたポジ型レジストの層、及び該金属片の
反対側表面に接着されたネガ型レジストの層から成る構
造を有するブランク又は積層物が開示されている。この
プロセスには、像状露光並びにポジ型レジスト及びネガ
型レジストの現像工程が含まれる。現像されたポジ型レ
ジストは、金属層のビームリード部分上に保護被覆を形
成する。露光された金属層を、ついでエッチしてビーム
リードを形成する。現像されたネガ型レジストは、所望
の配置にビームリードを保持する窓付き支持体スペーサ
を形成する。ビームリードはネガ型レジストから形成さ
れたスペーサによって、接合の前及び間に適切な配置に
保持される。
電子的信顛性の観点から、ネガ型レジスト及びそれから
形成された支持体スペーサは、２００℃及びそれより高
い温度で優れた寸法安定性と硬度とを示すことが望まし
い。この理由は、ＩＣチップの接合の前、その間及びそ
の後に、リードを支持するネガ型レジストの機能が、寸
法安定性の不良及び／又は軟度によって無効にされるた
めである。
形成された支持体スペーサは、２００℃及びそれより高
い温度で優れた寸法安定性と硬度とを示すことが望まし
い。この理由は、ＩＣチップの接合の前、その間及びそ
の後に、リードを支持するネガ型レジストの機能が、寸
法安定性の不良及び／又は軟度によって無効にされるた
めである。
少なくとも２００℃の温度での処理が、例えば、第２レ
ジストを硬化してその重合を完結させ、内部及び外部リ
ード部分を接合させる工程の間、しばしば行なわれる。
ジストを硬化してその重合を完結させ、内部及び外部リ
ード部分を接合させる工程の間、しばしば行なわれる。
米国特許第４．２４７．６２３号に記載された積層物は
、多くの条件・下で、優れたビームリードを与えるけれ
ども、２００℃及びそれより高い処理温度で実施すると
き、寸法安定性の不良及び／又は軟度のために全く満足
されるものではない。かくして、本発明によって解決さ
れるべき課題は、米国特許第４．２４７．６２３号に記
載された積層物の利点、即ちミ優れた接着性と可撓性を
有し、且つ、２００℃及びそれより高い処理温度で改良
された寸法安定性と硬度とを示す積層物を提供すること
である。
、多くの条件・下で、優れたビームリードを与えるけれ
ども、２００℃及びそれより高い処理温度で実施すると
き、寸法安定性の不良及び／又は軟度のために全く満足
されるものではない。かくして、本発明によって解決さ
れるべき課題は、米国特許第４．２４７．６２３号に記
載された積層物の利点、即ちミ優れた接着性と可撓性を
有し、且つ、２００℃及びそれより高い処理温度で改良
された寸法安定性と硬度とを示す積層物を提供すること
である。
本発明者らは、少なくとも１５０℃のガラス転移温度を
有するポリマー結合剤、構造式（■）：＼、／ を有するモノマー及び構造式（■）： ”＼、／ を有するモノマーからなる光重合性モノマー混合物 （式中、ｑは１，２．３または４であり、ｂは１又は２
であり、ｍ及びｐは１〜１０の整数であり、そして、Ｒ
及びＲ１は個々にＨ又はＣＩ、である）並びに光開始剤
組成物を含んで成る、ネガ型レジストである第２レジス
トを提供することによって、前記課題を解決した。
有するポリマー結合剤、構造式（■）：＼、／ を有するモノマー及び構造式（■）： ”＼、／ を有するモノマーからなる光重合性モノマー混合物 （式中、ｑは１，２．３または４であり、ｂは１又は２
であり、ｍ及びｐは１〜１０の整数であり、そして、Ｒ
及びＲ１は個々にＨ又はＣＩ、である）並びに光開始剤
組成物を含んで成る、ネガ型レジストである第２レジス
トを提供することによって、前記課題を解決した。
本発明は、ある種の光重合性モノマーが少なくとも１５
０℃のガラス転移温度を有するポリマー結合剤及び光開
始剤と混合したとき、２００℃及びそれより高い処理温
度で、優れた接着性及び可撓性並びに優れた寸法安定性
と硬度によって特徴づけられるネガ型フォトレジスト組
成物を生成するという知見に部分的に基づくものである
。
０℃のガラス転移温度を有するポリマー結合剤及び光開
始剤と混合したとき、２００℃及びそれより高い処理温
度で、優れた接着性及び可撓性並びに優れた寸法安定性
と硬度によって特徴づけられるネガ型フォトレジスト組
成物を生成するという知見に部分的に基づくものである
。
本発明の積層物について、最初に、ＩＣチップに接合し
ている金属ビームリードのフレームを製造する方法に関
して記載する。更に、本発明は加工物の反対側に現像し
たレジストを使用する他のフォトファブリケーションシ
ステム（ｐｈｏｔｏｆａｂｒｉ−ｃａｔｉｏｎ ｓｙｓ
ｔｅｍ）に於ても有用である。
ている金属ビームリードのフレームを製造する方法に関
して記載する。更に、本発明は加工物の反対側に現像し
たレジストを使用する他のフォトファブリケーションシ
ステム（ｐｈｏｔｏｆａｂｒｉ−ｃａｔｉｏｎ ｓｙｓ
ｔｅｍ）に於ても有用である。
前記したように、本発明の積層物は可撓性金属片からな
る。本発明に於て全ての導、電性金属層が使用できる。
る。本発明に於て全ての導、電性金属層が使用できる。
ＩＣチップに接合したビームリードとして使用するのに
好ましいのは、銅、アルミニウム及び他の同様な金属で
ある。
好ましいのは、銅、アルミニウム及び他の同様な金属で
ある。
第２レジスト組成物については、選定された金属層に接
着性の全てのネガ型又はポジ型レジストが使用できる。
着性の全てのネガ型又はポジ型レジストが使用できる。
この選択は限定的ではなく、公知の処決が受は入れられ
る。適当なポジ型レジストは、一般に、露光されたとき
選択された現像剤中に除去できるようになる、任意の不
溶性で感光性の物質、及び任意の充填剤又はポリ （ア
クリル酸）又はアクリル酸エチルとメタクリル酸とのコ
ポリマーのような結合剤を含む。特に有用なポジ型感光
性物質は、キノンジアジドで縮合したクレゾール−ホル
ムアルデヒド樹脂である。１９７９年２月２７日発行の
米国特許第４．１４１，７３３号並びに同一の特許保有
者である１９８７年８月４日発行の米国特許第４．６８
４．５７９号には、追加の例が挙げられている。
る。適当なポジ型レジストは、一般に、露光されたとき
選択された現像剤中に除去できるようになる、任意の不
溶性で感光性の物質、及び任意の充填剤又はポリ （ア
クリル酸）又はアクリル酸エチルとメタクリル酸とのコ
ポリマーのような結合剤を含む。特に有用なポジ型感光
性物質は、キノンジアジドで縮合したクレゾール−ホル
ムアルデヒド樹脂である。１９７９年２月２７日発行の
米国特許第４．１４１，７３３号並びに同一の特許保有
者である１９８７年８月４日発行の米国特許第４．６８
４．５７９号には、追加の例が挙げられている。
適当なネガ型組成物には、ビスアジド／環化ポリイソプ
レン及びフェノール樹脂のような公知のネガ型フォトレ
ジストが含まれる。
レン及びフェノール樹脂のような公知のネガ型フォトレ
ジストが含まれる。
本発明の実施に有用な第２のレジストは、少な（とも１
５０℃のガラス転移温度を有するポリマー結合剤、光重
合性モノマー混合物及び光開始剤組成物を含むネガ型レ
ジストである。
５０℃のガラス転移温度を有するポリマー結合剤、光重
合性モノマー混合物及び光開始剤組成物を含むネガ型レ
ジストである。
本発明の実施に有用な光重合性モノマー混合物は、少な
くとも１種の前記構造式（りを有するモノマーと、少な
くとも１種の前記構造式（ｎ）を有するモノマーを含む
。
くとも１種の前記構造式（りを有するモノマーと、少な
くとも１種の前記構造式（ｎ）を有するモノマーを含む
。
前記構造式（１）を有するモノマーは、アクリル又はメ
タクリル酸、多塩基性芳香族酸及び多価アルコールを公
知の方法により反応させることによって製造することが
できる。例えば、以下の実施例１の成分（ｃ）は、アク
リル酸、トリメリチン酸及びエチレングリコールの反応
によって製造された生成物である。更に詳細には、米国
特許第４．１５７．２６１号に記載されている。式（Ｉ
）を有するモノマーの好適な例には、 ベンゾイルオキシエチルアクリレート、ベンゾイルオキ
シプロビルアクリレート、ベンゾイルオキシへキシルア
クリレート、トリス（アクリロイルオキシエチル）−１
，３゜５−ベンゼントリカルボキシレート、 トリス（アクリロイルオキシプロピル）−１，３゜５−
ベンゼントリカルボキシレート、 トリス（アクリロイルオキシヘキシル）−１，３゜５−
ベンゼントリカルボキシレート、 トリス（アクリロイルオキシエチル）−１，２゜４−ベ
ンゼントリカルボキシレート、 トリス（アクリロイルオキシプロピル）−１，２゜４−
ベンゼントリカルボキシレート及びトリス（アクリロイ
ルオキシヘキシル）、−１、２゜４−ベンゼントリカル
ボキシレートが含まれる。
タクリル酸、多塩基性芳香族酸及び多価アルコールを公
知の方法により反応させることによって製造することが
できる。例えば、以下の実施例１の成分（ｃ）は、アク
リル酸、トリメリチン酸及びエチレングリコールの反応
によって製造された生成物である。更に詳細には、米国
特許第４．１５７．２６１号に記載されている。式（Ｉ
）を有するモノマーの好適な例には、 ベンゾイルオキシエチルアクリレート、ベンゾイルオキ
シプロビルアクリレート、ベンゾイルオキシへキシルア
クリレート、トリス（アクリロイルオキシエチル）−１
，３゜５−ベンゼントリカルボキシレート、 トリス（アクリロイルオキシプロピル）−１，３゜５−
ベンゼントリカルボキシレート、 トリス（アクリロイルオキシヘキシル）−１，３゜５−
ベンゼントリカルボキシレート、 トリス（アクリロイルオキシエチル）−１，２゜４−ベ
ンゼントリカルボキシレート、 トリス（アクリロイルオキシプロピル）−１，２゜４−
ベンゼントリカルボキシレート及びトリス（アクリロイ
ルオキシヘキシル）、−１、２゜４−ベンゼントリカル
ボキシレートが含まれる。
構造式（ＩＩ）を有するモノマーには、１．４−シクロ
ヘキシレンビス（オキシエチル）ジアクリレート、 １．４−シクロヘキシレンビス（オキシエチル）ジメタ
クリレート、 １．４−シクロヘキシレンビス（オキシプロピル）ジア
クリレート、 １．４−シクロヘキシレンビス（オキシプロピル）ジメ
タクリレート、 シクロヘキシレンオキシエチルアクリレート及びシクロ
ヘキシレンオキシエチルメタクリレートなどが含まれる
。
ヘキシレンビス（オキシエチル）ジアクリレート、 １．４−シクロヘキシレンビス（オキシエチル）ジメタ
クリレート、 １．４−シクロヘキシレンビス（オキシプロピル）ジア
クリレート、 １．４−シクロヘキシレンビス（オキシプロピル）ジメ
タクリレート、 シクロヘキシレンオキシエチルアクリレート及びシクロ
ヘキシレンオキシエチルメタクリレートなどが含まれる
。
このようなモノマーは、アクリロイルクロライド又はメ
タクリロイルクロライドを、それ自体ヒドロキシアルコ
キシベンゼンを水素化することによって製造できるヒド
ロキシアルコキシシクロヘキサンと反応させることによ
って製造することができる。
タクリロイルクロライドを、それ自体ヒドロキシアルコ
キシベンゼンを水素化することによって製造できるヒド
ロキシアルコキシシクロヘキサンと反応させることによ
って製造することができる。
米国特許第４．６１９，８９０号には、重合し、架橋し
たホモポリマー平滑化層（ｓｍｏｏｔｈｉｎｇ １ａｙ
ｅｒ） （架橋単位は重合性モノマーから誘導される）
を有する光記録要素（又は素子）が記載されている。こ
の特許には１．４−シクロヘキシレンビス（オキシエチ
ル）ジアクリレートが開示されている（第１表、実施例
８）が、本発明の積層物は教示も示唆もされていない。
たホモポリマー平滑化層（ｓｍｏｏｔｈｉｎｇ １ａｙ
ｅｒ） （架橋単位は重合性モノマーから誘導される）
を有する光記録要素（又は素子）が記載されている。こ
の特許には１．４−シクロヘキシレンビス（オキシエチ
ル）ジアクリレートが開示されている（第１表、実施例
８）が、本発明の積層物は教示も示唆もされていない。
第２レジストのための有用な結合剤には、少なくとも１
５０℃のガラス転移温度を有する相溶性のポリマー結合
剤が含まれる。ここで「相溶性」とは、結合剤がレジス
ト組成物及び被覆に対して望ましいレオロジー又はフィ
ルム性質を与えることを意味する。被覆されたフィルム
は相分離を起こさないのが好ましい。更に、結合剤は、
耐高温性を有し、所望の可撓性及び接着性に悪影響を与
えないものでな（ではならない。耐高温性を有すること
が知られている有用なポリマー結合剤の例には、ポリア
クリレート、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリエス
テル、ポリエステルアミド、ポリイミド及び特に米国特
許第４，３２２，４９０号に記載されたものが含まれる
。
５０℃のガラス転移温度を有する相溶性のポリマー結合
剤が含まれる。ここで「相溶性」とは、結合剤がレジス
ト組成物及び被覆に対して望ましいレオロジー又はフィ
ルム性質を与えることを意味する。被覆されたフィルム
は相分離を起こさないのが好ましい。更に、結合剤は、
耐高温性を有し、所望の可撓性及び接着性に悪影響を与
えないものでな（ではならない。耐高温性を有すること
が知られている有用なポリマー結合剤の例には、ポリア
クリレート、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリエス
テル、ポリエステルアミド、ポリイミド及び特に米国特
許第４，３２２，４９０号に記載されたものが含まれる
。
特に有用な結合剤には、種々のジ酸とジオールとから製
造されたポリエステルが含まれる。好ましいポリエステ
ルは、下記の構造式を有する。
造されたポリエステルが含まれる。好ましいポリエステ
ルは、下記の構造式を有する。
（式中、ｔ−０〜１００モル％、ｕ−０〜１００モル％
、Ｘ−０〜１００モル％、ｙ−０−１００モル％、ｚ＝
０〜１００モル％、ｔ ＋ ｕ ＝ １００ 、Ｘ ＋
７ ＋２’＝ｌ□σ、ｎ＝３〜８、Ｑｌ及びＱｔはメチ
ル若しくはエチルであるか、又は−緒になってＱ Ｉ
Ｑ Ｚ ＝を示す。） ポリエステルは、メチルのような低級アルキル又はクロ
ロのようなハロゲンで置換されていてもよい。このよう
なポリエステルは公知の方法によって製造できる。例え
ば、実施例１で使用した結合剤は、米国特許第４．３２
２．４９０号に記載された製造と同様の方法で、溶液縮
重合によって製造した。
、Ｘ−０〜１００モル％、ｙ−０−１００モル％、ｚ＝
０〜１００モル％、ｔ ＋ ｕ ＝ １００ 、Ｘ ＋
７ ＋２’＝ｌ□σ、ｎ＝３〜８、Ｑｌ及びＱｔはメチ
ル若しくはエチルであるか、又は−緒になってＱ Ｉ
Ｑ Ｚ ＝を示す。） ポリエステルは、メチルのような低級アルキル又はクロ
ロのようなハロゲンで置換されていてもよい。このよう
なポリエステルは公知の方法によって製造できる。例え
ば、実施例１で使用した結合剤は、米国特許第４．３２
２．４９０号に記載された製造と同様の方法で、溶液縮
重合によって製造した。
光重合性モノマー混合物は、前記構造式を有するモノマ
ーを含む。混合物中で有用なこのようなモノマーの好ま
しい例には、式中、ｑ＝３、ｍ＝２〜５、ｐ＝２〜５、
Ｒ及びＲ１がＨであるものが含まれる。
ーを含む。混合物中で有用なこのようなモノマーの好ま
しい例には、式中、ｑ＝３、ｍ＝２〜５、ｐ＝２〜５、
Ｒ及びＲ１がＨであるものが含まれる。
第２レジストの光開始剤については、重合性モノマーの
重合を開始させるが、ついで重合を停止させることのな
いような任意の遊離ラジカル発生光開始剤系を使用でき
る。遊離ラジカル発生光開始剤系は、放射線により活性
化されたとき遊離ラジカルを直接与える１種又は２種以
上の化合物を含む。これはまた、複数の化合物から成り
、その一つは、放射線により活性化される感光剤によっ
てラジカルを生ずるようにされた後に遊離ラジカルを発
生する。
重合を開始させるが、ついで重合を停止させることのな
いような任意の遊離ラジカル発生光開始剤系を使用でき
る。遊離ラジカル発生光開始剤系は、放射線により活性
化されたとき遊離ラジカルを直接与える１種又は２種以
上の化合物を含む。これはまた、複数の化合物から成り
、その一つは、放射線により活性化される感光剤によっ
てラジカルを生ずるようにされた後に遊離ラジカルを発
生する。
このような光開始剤の代表的に有用な例には、特にミヒ
ラーケトン（Ｍｉｃｈｌｅｒ’ｓ ｋｅｔｏｎｅ）のよ
うな置換ベンゾフェノンとの混合物で使用されるとき、
例えば、ベンゾフェノン、アセトフェノン、エチルメチ
ルケトン、シクロペンタノン、ベンジル、カプロン、ベ
ンゾイルシクロブタノン及びジオクチルアセトンを含む
、英国特許節１，５０７．７０４号に記載されたものが
含まれる。
ラーケトン（Ｍｉｃｈｌｅｒ’ｓ ｋｅｔｏｎｅ）のよ
うな置換ベンゾフェノンとの混合物で使用されるとき、
例えば、ベンゾフェノン、アセトフェノン、エチルメチ
ルケトン、シクロペンタノン、ベンジル、カプロン、ベ
ンゾイルシクロブタノン及びジオクチルアセトンを含む
、英国特許節１，５０７．７０４号に記載されたものが
含まれる。
光開始剤として特に好ましいものは、３−ケトクマリン
と米国特許第４．２８９．８４４号に記載されたような
アミンとの混合物である。
と米国特許第４．２８９．８４４号に記載されたような
アミンとの混合物である。
代表的なアミンには、エチル−ｐ−ジメチルアミノベン
ゾエート；ｐ−ジメチルアミノ安息香酸の他のエステル
、例えば、ｎ−ブチル−ｐ−ジメチルアミノベンゾエー
ト、フェネチル−ｐ−ジメチルアミノベンゾエート、２
−フタルイミドエチル−ｐ−ジメチルアミノベンゾエー
ト、２−メタクリロイルエチル−ｐ−ジメチルアミノベ
ンゾエート、１，５−ペンチルジー（ｐ−ジメチルアミ
ノ）ベンゾエート；４，４’−ビス（ジメチルアミノ）
ベンゾフェノン：ｍ−ジメチルアミノ安息香酸のフェネ
チル及び１．５−ペンチルエステル；ｐ−ジメチルアミ
ノベンズアルデヒド；２−クロロ−４−ジメチルアミノ
ベンズアルデヒド；ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン
：ｐ−ジメチルアミノベンジルアルコール；エチル−（
ｐ−ジメチルアミノ）ベンゾイルアセテート；ｐ−Ｎ−
ピペリジノアセトフェノン；４−ジメチルアミノヘンジ
イン；Ｎ、Ｎ−ジメチル−ｐ−）ルイジン；Ｎ。
ゾエート；ｐ−ジメチルアミノ安息香酸の他のエステル
、例えば、ｎ−ブチル−ｐ−ジメチルアミノベンゾエー
ト、フェネチル−ｐ−ジメチルアミノベンゾエート、２
−フタルイミドエチル−ｐ−ジメチルアミノベンゾエー
ト、２−メタクリロイルエチル−ｐ−ジメチルアミノベ
ンゾエート、１，５−ペンチルジー（ｐ−ジメチルアミ
ノ）ベンゾエート；４，４’−ビス（ジメチルアミノ）
ベンゾフェノン：ｍ−ジメチルアミノ安息香酸のフェネ
チル及び１．５−ペンチルエステル；ｐ−ジメチルアミ
ノベンズアルデヒド；２−クロロ−４−ジメチルアミノ
ベンズアルデヒド；ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン
：ｐ−ジメチルアミノベンジルアルコール；エチル−（
ｐ−ジメチルアミノ）ベンゾイルアセテート；ｐ−Ｎ−
ピペリジノアセトフェノン；４−ジメチルアミノヘンジ
イン；Ｎ、Ｎ−ジメチル−ｐ−）ルイジン；Ｎ。
Ｎ−ジエチル−ｍ−フェネチジン；トリヘンシルアミン
；ジベンジルフェニルアミン；Ｎ−メチル−Ｎ−フェニ
ルベンジルアミン；Ｉ）−７’ロモーＮ。
；ジベンジルフェニルアミン；Ｎ−メチル−Ｎ−フェニ
ルベンジルアミン；Ｉ）−７’ロモーＮ。
Ｎ−ジメチルアニリン；トリドデシルアミン；４゜４１
．４Ｎ−メチリジン（Ｎ 、 Ｎ−ジメチルアニリン）
（クリスタル紫、ロイコ塩基）；３〜インドール酢酸；
及びＮ−フェニルグリシンが含まれる。
．４Ｎ−メチリジン（Ｎ 、 Ｎ−ジメチルアニリン）
（クリスタル紫、ロイコ塩基）；３〜インドール酢酸；
及びＮ−フェニルグリシンが含まれる。
アミンと一緒に使用されるクマリンは、例えば、下記の
ものの１種又は２種以上である。
ものの１種又は２種以上である。
３−（２−ベンゾフロイル）−７−ジエチルアミノクマ
リン： ３−（２−ベンゾフロイル’）−７−（１−ピロリジニ
ル）クマリン； ７−シメチルアミノー３−テノイルクマリン：３−ベン
ゾイル−７−シエチルアミノクマリン；３−（０−メト
キシベンゾイル）−ジエチルアミノクマリン； ３−（ｍ−フルオロスルホニル）ベンゾイル−ジエチル
アミノクマリン： ３−（ｐ−ジメチルアミノベンゾイル）−ジエチルアミ
ノクマリン； ３．３′−カルボニルビス（５，７−ジーｎ−プロポキ
シクマリン）； ３．３′−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリ
ン）； ３−ベンゾイル−７−メドキシクマリン；３−（２−フ
ロイル）−７−ジエチルアミノクマリン； ３−（ｐ−ジメチルアミノベンゾイル）−７−ジエチル
アミノクマリン； ３−（ｐ−ジエチルアミノスチリルカルボニル）−ジエ
チルアミノクマリン； ３−（ｐ−モルホリノスヂリルカルボニル）−ジエチル
アミノクマリン； 下記構造式 を有する９−（７−ジエチルアミノ−３−クマリノイル
）−１，２，４，５−テトラヒドロ−３Ｈ。
リン： ３−（２−ベンゾフロイル’）−７−（１−ピロリジニ
ル）クマリン； ７−シメチルアミノー３−テノイルクマリン：３−ベン
ゾイル−７−シエチルアミノクマリン；３−（０−メト
キシベンゾイル）−ジエチルアミノクマリン； ３−（ｍ−フルオロスルホニル）ベンゾイル−ジエチル
アミノクマリン： ３−（ｐ−ジメチルアミノベンゾイル）−ジエチルアミ
ノクマリン； ３．３′−カルボニルビス（５，７−ジーｎ−プロポキ
シクマリン）； ３．３′−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリ
ン）； ３−ベンゾイル−７−メドキシクマリン；３−（２−フ
ロイル）−７−ジエチルアミノクマリン； ３−（ｐ−ジメチルアミノベンゾイル）−７−ジエチル
アミノクマリン； ３−（ｐ−ジエチルアミノスチリルカルボニル）−ジエ
チルアミノクマリン； ３−（ｐ−モルホリノスヂリルカルボニル）−ジエチル
アミノクマリン； 下記構造式 を有する９−（７−ジエチルアミノ−３−クマリノイル
）−１，２，４，５−テトラヒドロ−３Ｈ。
６Ｈ，１０Ｈ［１］ベンゾピラノ ［９，９ａ、１−ｇ
ｈ］キノラジン−１０−オン；及び、９−（７−ｎ−プ
ロピルアミノ−３−クマリノイル”） −１，２，４，
５−テトラヒドロ−３Ｈ。
ｈ］キノラジン−１０−オン；及び、９−（７−ｎ−プ
ロピルアミノ−３−クマリノイル”） −１，２，４，
５−テトラヒドロ−３Ｈ。
６Ｈ，１０Ｈ［１］ ベンゾピラノ ［９，９２，１−
ｇｈｌキノラジン−１０−オン。
ｇｈｌキノラジン−１０−オン。
： 光開始剤組成物は、０．０５〜約１０重量％、好ま
しくは、０，１０〜５重量％の■で存在する。
しくは、０，１０〜５重量％の■で存在する。
本発明の第２レジスト組成物は、任意に種々の公知の添
加剤を含有することができ、その例は文献から容易に得
られる。例えば、充填剤は、低コスト、硬化中の最小の
収縮量、改良された平坦性、改良された熱伝導性、減少
した粘着性、高い弾性率及び／又は望ましい誘電定数の
ような、第２レジスト組成物に対する種々の望ましい性
質の１種又は２種以上を与えるために選択される。好ま
しい充填剤には、二酸化珪素、ガラスピーズ（中実及び
中空）、アルミナ、窒化アルミニウム及びホウケイ酸ア
ルミニウムが含まれる。充填剤はレジストの被覆性に悪
い影古を与えてはならず、従って、サイズが約１００ミ
クロン未満、好ましくは約１０ミクロン未満の粒子で存
在する。充填剤は溶剤を含まない第２レジストの全重量
の８０重四％までの量で存在する。もちろん最適の充填
剤量は、選択された特定の充填剤及び用途に依存し、当
業者により容易に決定できる。
加剤を含有することができ、その例は文献から容易に得
られる。例えば、充填剤は、低コスト、硬化中の最小の
収縮量、改良された平坦性、改良された熱伝導性、減少
した粘着性、高い弾性率及び／又は望ましい誘電定数の
ような、第２レジスト組成物に対する種々の望ましい性
質の１種又は２種以上を与えるために選択される。好ま
しい充填剤には、二酸化珪素、ガラスピーズ（中実及び
中空）、アルミナ、窒化アルミニウム及びホウケイ酸ア
ルミニウムが含まれる。充填剤はレジストの被覆性に悪
い影古を与えてはならず、従って、サイズが約１００ミ
クロン未満、好ましくは約１０ミクロン未満の粒子で存
在する。充填剤は溶剤を含まない第２レジストの全重量
の８０重四％までの量で存在する。もちろん最適の充填
剤量は、選択された特定の充填剤及び用途に依存し、当
業者により容易に決定できる。
第２レジストの成分の溶剤を含まない組成物の全重量基
準の重量％は、広範囲に変えられる。上記七ツマ−は、
それぞれ約０．１〜約９０重量％、好ましくは、０．５
〜６５重量％の量で存在する。
準の重量％は、広範囲に変えられる。上記七ツマ−は、
それぞれ約０．１〜約９０重量％、好ましくは、０．５
〜６５重量％の量で存在する。
光禁止剤を七ツマ−と使用することがしばしば望ましい
。光禁止剤の有用な例には、ヒドロキノン、３−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニルサルファイ
ド、ｔ−ブチルピロカテコール及びチオビス−４，４’
−（２−ｔ−ブチル−６−メチルフェノール）が含まれ
る。
。光禁止剤の有用な例には、ヒドロキノン、３−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニルサルファイ
ド、ｔ−ブチルピロカテコール及びチオビス−４，４’
−（２−ｔ−ブチル−６−メチルフェノール）が含まれ
る。
所望なら、安定剤、例えば、ベンゾトリアゾールも添加
できる。
できる。
乾燥ネガ型レジスト層は、所望のスペーサー支持体機能
を与えるために充分な厚み、好ましくは、１０〜約２５
０ミクロンを有する。乾燥筒ルジストは好ましくは約１
．０〜約１００ミクロン厚みであり、金属層は約５〜約
１００ミクロン厚みであるが、これらの範囲外の他の厚
みも、特定の用途には有用である。
を与えるために充分な厚み、好ましくは、１０〜約２５
０ミクロンを有する。乾燥筒ルジストは好ましくは約１
．０〜約１００ミクロン厚みであり、金属層は約５〜約
１００ミクロン厚みであるが、これらの範囲外の他の厚
みも、特定の用途には有用である。
本発明のフォトレジストは、スプレーコーティング、旋
回（ｗｈｉｒｌ）コーティング、カーテンコーティング
及び類似の公知のものを含む、広範囲の種々の技術によ
り金属層に適用できる。
回（ｗｈｉｒｌ）コーティング、カーテンコーティング
及び類似の公知のものを含む、広範囲の種々の技術によ
り金属層に適用できる。
金属層上にレジストの被覆を形成するために、適当な溶
剤が選択できる。典型的な例には、ジクロロメタン、ア
セトン、ベンゼン、アセテート、アルコール、エーテル
、トルエン、１，１．１−トリクロロエタン、エチル３
−エトキシプロピオネート、エチル３−メトキシプロピ
オネート、１−メトキシ−２−プロピルプロピオネート
、１−メトキシ−３−プロピルアセテート、１−エトキ
シ−２−プロピルアセテート、２−エトキシエチルアセ
テート、２〜メトキシエタノール、２−エトキシエタノ
ール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート、２−メトキシエチルアセテート及び類似物が含ま
れる。この選択は、レジストのために選択された組成物
に依存する。
剤が選択できる。典型的な例には、ジクロロメタン、ア
セトン、ベンゼン、アセテート、アルコール、エーテル
、トルエン、１，１．１−トリクロロエタン、エチル３
−エトキシプロピオネート、エチル３−メトキシプロピ
オネート、１−メトキシ−２−プロピルプロピオネート
、１−メトキシ−３−プロピルアセテート、１−エトキ
シ−２−プロピルアセテート、２−エトキシエチルアセ
テート、２〜メトキシエタノール、２−エトキシエタノ
ール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート、２−メトキシエチルアセテート及び類似物が含ま
れる。この選択は、レジストのために選択された組成物
に依存する。
本発明の積層物は、上記金属片とレジスト層とから成る
。第２レジストは任意に除去可能なカバーシートを含む
。このようなシートは、°やや粘着性又は酸素感受性で
ある処方にとって特に有用である。このカバーは、前成
形してレジスト層に積層するか、又は水溶性ポリマーか
らのフィルムとしてその場で成形できる。前者の例には
、セルローストリアセテートのようなセルロースエステ
ル、ポリアミド、ポリオレフィン、ビニルポリマー及び
ポリエステルが含まれる。後者の例には、ポリ（ビニル
アルコール）又はアルキル部分の炭素原子が１〜２個で
あるヒドロキシアルキルセルロースが含まれる。
。第２レジストは任意に除去可能なカバーシートを含む
。このようなシートは、°やや粘着性又は酸素感受性で
ある処方にとって特に有用である。このカバーは、前成
形してレジスト層に積層するか、又は水溶性ポリマーか
らのフィルムとしてその場で成形できる。前者の例には
、セルローストリアセテートのようなセルロースエステ
ル、ポリアミド、ポリオレフィン、ビニルポリマー及び
ポリエステルが含まれる。後者の例には、ポリ（ビニル
アルコール）又はアルキル部分の炭素原子が１〜２個で
あるヒドロキシアルキルセルロースが含まれる。
このようなカバーシートの厚みは限定されない。
しかしながら、厚すぎると除去し難くなる。例えば、１
２〜約５０ミクロンの厚みが使用できる。
２〜約５０ミクロンの厚みが使用できる。
好ましい厚みは、約１５〜約２５ミクロンである。
本発明の積層物を貯蔵する好ましい方法は、片（ストリ
ップ）状で、適当なスプール又はマンドレルに巻き付け
てロールにすることである。このような場合に、このカ
バーシートはこの片の次の隣接する部分にモノマーが移
動することを防ぐ役目をする。このような性質を有する
有用な物質には、ポリエステルフィルムが含まれる。
ップ）状で、適当なスプール又はマンドレルに巻き付け
てロールにすることである。このような場合に、このカ
バーシートはこの片の次の隣接する部分にモノマーが移
動することを防ぐ役目をする。このような性質を有する
有用な物質には、ポリエステルフィルムが含まれる。
上記のように、本発明の積層物は、ＩＣチップニ接合し
た金属ビームリードのフレームを製造するために特に適
合している。フレームを形成し、このようなフレームを
ＩＣチップに接合する方法 ゛は、前記米国特許第４，
２４７．６２３号に記載されている。このような方法は
、好ましくは連続式で行なわれる。レジストの部分を除
去するために使用される洗浄液には、塩基水溶液、緩衝
塩基水溶液、１．１．１−）＋Ｊクロロエタン、ジクロ
ロメタン、アセトン、ベンゼン、アルコール、エーテル
、トルエン、ＫＴＩ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃ、か
ら入手できるＫＭＰＲ−８０９現像剤、及び類似物のよ
うな公知のレジスト現像剤が含まれる。金属ビームリー
ドを製造するために積層物が使用されるとき、第２レジ
ストは好ましくは第２レジストを実質的に溶解しない現
像剤中で現像される。この理由は、金属片をエツチング
してビームリードを形成させる間に、第２レジストが好
ましくはそめ°ままの状態であるようにするためである
。
た金属ビームリードのフレームを製造するために特に適
合している。フレームを形成し、このようなフレームを
ＩＣチップに接合する方法 ゛は、前記米国特許第４，
２４７．６２３号に記載されている。このような方法は
、好ましくは連続式で行なわれる。レジストの部分を除
去するために使用される洗浄液には、塩基水溶液、緩衝
塩基水溶液、１．１．１−）＋Ｊクロロエタン、ジクロ
ロメタン、アセトン、ベンゼン、アルコール、エーテル
、トルエン、ＫＴＩ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃ、か
ら入手できるＫＭＰＲ−８０９現像剤、及び類似物のよ
うな公知のレジスト現像剤が含まれる。金属ビームリー
ドを製造するために積層物が使用されるとき、第２レジ
ストは好ましくは第２レジストを実質的に溶解しない現
像剤中で現像される。この理由は、金属片をエツチング
してビームリードを形成させる間に、第２レジストが好
ましくはそめ°ままの状態であるようにするためである
。
現像した第２レジストは、例えば、２００℃で２〜３０
分間オーブン中でベーキングしてモノマーの重合を増大
させることによって、溶剤を除去するために架橋させる
。
分間オーブン中でベーキングしてモノマーの重合を増大
させることによって、溶剤を除去するために架橋させる
。
次の実施例により本発明を更に詳しく説明する。
２流■土二主
一方の側に第■表に記載した組成を有するポジ型レジス
トが５ミクロンの厚みで被覆された３５ミクロン厚みの
銅箔上に、下記第１表のネガ型レジスト配合物を４０ミ
クロン乾燥厚みで被覆して、連続フィルム片を形成した
。
トが５ミクロンの厚みで被覆された３５ミクロン厚みの
銅箔上に、下記第１表のネガ型レジスト配合物を４０ミ
クロン乾燥厚みで被覆して、連続フィルム片を形成した
。
重量％
２２．５
（Ｄ）光開始剤組成物
エチル−ｐ−ジメチルアミノベンゾエート １．５
０３−（４−シアノベンゾイル）−５，７−ジプロポキ
シクマリン ０．１９（Ｅ）
光禁止剤 チオビス−４，４’−（２−ｔ−ブチル−６−メチルフ
ェノール） ０．２３表
−（−犬 ６−ジアゾ−５，６−シヒドロー５−オキソ−１−ナフ
タレンスルホニルクロライドでエステル化された クレゾール−ホルムアルデヒド樹脂 ６
９．’３ポリ （エチルアクリレート−共−メタクリル
酸）（９０： １０モル比）
２９．７酢酸 １・
０ この試料を次のようにして処理した。
０３−（４−シアノベンゾイル）−５，７−ジプロポキ
シクマリン ０．１９（Ｅ）
光禁止剤 チオビス−４，４’−（２−ｔ−ブチル−６−メチルフ
ェノール） ０．２３表
−（−犬 ６−ジアゾ−５，６−シヒドロー５−オキソ−１−ナフ
タレンスルホニルクロライドでエステル化された クレゾール−ホルムアルデヒド樹脂 ６
９．’３ポリ （エチルアクリレート−共−メタクリル
酸）（９０： １０モル比）
２９．７酢酸 １・
０ この試料を次のようにして処理した。
（１）この試料片を、Ｋｏｄａｋ Ｔ−１４（０，１５
）ニュートラルデンシティステップタブレット（ｎｅｕ
ｔｒａ １ｄｅｎｓｌＬｙ ５ｔｅｐ ｔａｂｌｅｔ
）を使用してＣＯ目ｇｈｔ Ｍ−２１８露光ユニツト（
４００ワツト水銀ランプ）で露光した。
）ニュートラルデンシティステップタブレット（ｎｅｕ
ｔｒａ １ｄｅｎｓｌＬｙ ５ｔｅｐ ｔａｂｌｅｔ
）を使用してＣＯ目ｇｈｔ Ｍ−２１８露光ユニツト（
４００ワツト水銀ランプ）で露光した。
（２）露光したポジ型レジストを水性希釈ＫＭＰＲ−８
０９現像剤（１：４）中で９０秒間浸漬現像して露光し
た領域を完全に除去し、ステップタブレフトｐＪｌ域で
３つのシャープなステップを生じさせた。
０９現像剤（１：４）中で９０秒間浸漬現像して露光し
た領域を完全に除去し、ステップタブレフトｐＪｌ域で
３つのシャープなステップを生じさせた。
１１ｆ＆に水リンスを使用して、全ての現像剤の痕跡を
除去した。
除去した。
（３）保護されていない銅箔（露光領域）を、ＨＣＩ
ＣｕＣ１ｚスプレーエツチ液を使用して化学的に除去
した。
ＣｕＣ１ｚスプレーエツチ液を使用して化学的に除去
した。
（４）次いで保護ポジ型レジストを、ＫＭＰＲ−８０９
現像剤とイソプロパツールとのストリッパー中で除去し
た。
現像剤とイソプロパツールとのストリッパー中で除去し
た。
（５）次いで露光したネガ型レジストフィルムを、１
、１ 、１−）リクロロエタンでスプレー現像して、未
露光領域を除去し、ステップタブレ−ｚ）ｉＩ域で８つ
のシャープなステップを生じさせた。最後に水リンスを
使用して、全ての現像剤の痕跡を除去した。
、１ 、１−）リクロロエタンでスプレー現像して、未
露光領域を除去し、ステップタブレ−ｚ）ｉＩ域で８つ
のシャープなステップを生じさせた。最後に水リンスを
使用して、全ての現像剤の痕跡を除去した。
（６）次いでこの片をオーブン中で２００℃で５分間ベ
ークして溶剤を除去し、モノマーの重合を増大させた。
ークして溶剤を除去し、モノマーの重合を増大させた。
（７）処理したテープを、Ｊａｄｅ ＪＥＭＳ／ＬＡＢ
ｂｏｎｄｅｒを使用して、金バンプ（ｂｕｍｐ） シ
たＩＣチップに熱圧縮接合した。接合サイクルは約４０
０℃で約２秒間であった。
ｂｏｎｄｅｒを使用して、金バンプ（ｂｕｍｐ） シ
たＩＣチップに熱圧縮接合した。接合サイクルは約４０
０℃で約２秒間であった。
実施例１は、銅によく接着し、工程７まで処理したとき
クランクが入ったり壊れたりする傾向が小さいスペーサ
ー層の形成を示す。更に、このスペーサーは、このよう
な処理温度で優れた寸法安定性と硬さとを示した。
クランクが入ったり壊れたりする傾向が小さいスペーサ
ー層の形成を示す。更に、このスペーサーは、このよう
な処理温度で優れた寸法安定性と硬さとを示した。
成分（（ｃ）に対する成分（Ｂ）の重量比を３＝１及び
１：３にした他は、実施例１を繰り返した。
１：３にした他は、実施例１を繰り返した。
同様の結果が得られた。
” １−Ａ、１−Ｂ、 び１−Ｃ
ネガ型レジストの組成を米国特許第４．２４７．６２３
号の実施例１〜３に記載されたようにした他は、実施例
１を繰り返した。これらの各比較例は、処理の間寸法安
定性が不良で軟らかく、そのため接合の前、その間及び
その後にビームリードを所望の配置に保持するネガ型レ
ジストの機能的有効性を無効にした。これはＩＣパッケ
ージの信頼性を減少させる。
号の実施例１〜３に記載されたようにした他は、実施例
１を繰り返した。これらの各比較例は、処理の間寸法安
定性が不良で軟らかく、そのため接合の前、その間及び
その後にビームリードを所望の配置に保持するネガ型レ
ジストの機能的有効性を無効にした。これはＩＣパッケ
ージの信頼性を減少させる。
此ｔ」［Ｌ１以
モノマー混合物の代わりに上記モノマー（（ｃ）を使用
した他は実施例１を繰り返した。この組成物は劣った写
真スピードを示し、脆く、上記工程（７）まで処理した
ときクラックが入ったり壊れたりする傾向を示した。
した他は実施例１を繰り返した。この組成物は劣った写
真スピードを示し、脆く、上記工程（７）まで処理した
ときクラックが入ったり壊れたりする傾向を示した。
１４〜ＬＬ（ｉｌｌのポリマー′人
第２レジストのポリマー結合剤（成分（Ａ））を第■表
に記載したものにした他は、実施例１を繰り返した。
に記載したものにした他は、実施例１を繰り返した。
４ ポリ ［４，４’−（４，７−メタノヘキサヒド
ロインダン−５−イリデン）ジフェニレンテレフタレー
ト〕 ５ ポリ ［４、４’−イソプロピリデンジフェニレ
ン−共−４，４’−（４，７−メタノヘキサヒドロイン
ダン−５−イリデン）ジフェニレン（５０： ５０）イ
ソフタレート−共−テレフタレート（５０： ５０）
］Ｃ６ポリ ［４，４’−（４，７−メタノヘキサヒド
ロインダン−５−イリデン）ジフェニレン１ 、１ 、
３−トリメチル−３−フェニルインダン−５，４′−ジ
カルボキシレート−共−テレフタレート（３０ニア０）
］ ７ ポリ （４，４’−イソプロピリデンジフェニレ
ン１．１．３−）ジメチル−３−フェニルインダン−５
，４′−ジカルボキシレート） ８ ポリ ［４，４’−（フルオレン−９−イリデン
）ジフェニレン１，１．３−）ジメチル−３−フェニル
インダン−５，４′−ジカルボキシレート］ これらの各ネガ型レジスト配合物は、優れた可撓性と金
属への接着性と、高温処理の間ビームリードのための支
持体として効果的に機能する停れた実行性を示した。
ロインダン−５−イリデン）ジフェニレンテレフタレー
ト〕 ５ ポリ ［４、４’−イソプロピリデンジフェニレ
ン−共−４，４’−（４，７−メタノヘキサヒドロイン
ダン−５−イリデン）ジフェニレン（５０： ５０）イ
ソフタレート−共−テレフタレート（５０： ５０）
］Ｃ６ポリ ［４，４’−（４，７−メタノヘキサヒド
ロインダン−５−イリデン）ジフェニレン１ 、１ 、
３−トリメチル−３−フェニルインダン−５，４′−ジ
カルボキシレート−共−テレフタレート（３０ニア０）
］ ７ ポリ （４，４’−イソプロピリデンジフェニレ
ン１．１．３−）ジメチル−３−フェニルインダン−５
，４′−ジカルボキシレート） ８ ポリ ［４，４’−（フルオレン−９−イリデン
）ジフェニレン１，１．３−）ジメチル−３−フェニル
インダン−５，４′−ジカルボキシレート］ これらの各ネガ型レジスト配合物は、優れた可撓性と金
属への接着性と、高温処理の間ビームリードのための支
持体として効果的に機能する停れた実行性を示した。
本発明の積層物は、集積回路チップに自動的に接合でき
る優れた金属ビームリードを提供する。
る優れた金属ビームリードを提供する。
ネガ型第２レジスト配合物は、２００°Ｃ及びそれより
高い処理温度で優れた接着性と可撓性を提供する。
高い処理温度で優れた接着性と可撓性を提供する。
第２レジストが２００℃の温度で処理できることと、そ
れから形成されたスペーサーがこのような処理温度で、
リードの内部と外部とを結合するために要求される苛酷
な条件下で、優れた寸法安定性と硬度とを示すことは、
本発明の特に有利な特徴である。
れから形成されたスペーサーがこのような処理温度で、
リードの内部と外部とを結合するために要求される苛酷
な条件下で、優れた寸法安定性と硬度とを示すことは、
本発明の特に有利な特徴である。
積層物がこのような積層物の処理の特徴である多数回の
曲げ及び屈曲に耐えるに充分な可撓性を有することは、
本発明の他の有利な特徴である。
曲げ及び屈曲に耐えるに充分な可撓性を有することは、
本発明の他の有利な特徴である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（ａ）可撓性金属片、 （ｂ）該金属片の一つの表面に接着された第１レジスト
層並びに （ｃ）該金属片の反対側の表面に接着された第２レジス
ト層を含んでなり、該第２レジストが、（１）少なくと
も１５０℃のガラス転移温度を有するポリマー結合剤、 （２）構造式（Ｉ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｉ） を有するモノマー及び構造式（II）： ▲数式、化学式、表等があります▼（II） を有するモノマーを含む光重合性モノマー混合物（式中
、ｑは１、２、３または４であり、ｂは１又は２であり
、ｍ及びｐは１〜１０の整数であり、そして、Ｒ及びＲ
＾１は個々にＨ又はＣＨ＿３である）並びに （３）光開始剤組成物 を含んで成るネガ型レジストであることを特徴とする、
集積回路チップに接合した金属ビームリードのフレーム
を製造するために適合した積層物。 ２、光重合性モノマー混合物が下記モノマー（III）及
び（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼（III）及び ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） を含む請求項１記載の積層物。 ３、前記各モノマーが、ネガ型支持レジストの全重量基
準で５〜４０重量％の量で存在する請求項２記載の積層
物。 ４、光開始剤組成物が、アミンと３−ケトクマリンとの
混合物を含む請求項２記載の積層物。 ５、結合剤がポリエステルである請求項１記載の積層物
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US077714 | 1987-07-24 | ||
| US07/077,714 US4792517A (en) | 1987-07-24 | 1987-07-24 | Luminate for the formation of beam leads for IC chip bonding |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0198236A true JPH0198236A (ja) | 1989-04-17 |
Family
ID=22139646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63182842A Pending JPH0198236A (ja) | 1987-07-24 | 1988-07-23 | Ｉｃチップボンディング用ビームリードの形成用積層物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4792517A (ja) |
| EP (1) | EP0300226A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0198236A (ja) |
| CA (1) | CA1301522C (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03206452A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-09-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
| KR100376006B1 (ko) * | 2000-08-30 | 2003-03-15 | 홍지기술산업주식회사 | 오실레이터를 이용한 강관압입용 수평굴착기 |
| JP2013538249A (ja) * | 2010-07-22 | 2013-10-10 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ポリマー安定化液晶媒体およびディスプレイ |
Families Citing this family (9)
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| US5354645A (en) * | 1988-08-23 | 1994-10-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for the production of flexographic printing reliefs |
| EP0355789A3 (en) * | 1988-08-23 | 1990-06-20 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Process for the production of flexographic printing reliefs |
| US5098814A (en) * | 1990-04-26 | 1992-03-24 | Eastman Kodak Company | Laminate for the formation of beam leads for IC chip bonding |
| JP2966891B2 (ja) * | 1990-06-06 | 1999-10-25 | セイコー化成株式会社 | スエード調表面仕上用処理剤 |
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| US7247419B2 (en) * | 2005-04-11 | 2007-07-24 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Nanocomposite photosensitive composition and use thereof |
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Family Cites Families (4)
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| US4322490A (en) * | 1980-11-17 | 1982-03-30 | Eastman Kodak Company | Photopolymerizable compositions featuring improved monomers |
| US4533445A (en) * | 1983-07-06 | 1985-08-06 | Shipley Company Inc. | U.V. Curable composition |
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-
1987
- 1987-07-24 US US07/077,714 patent/US4792517A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-06-15 CA CA000569493A patent/CA1301522C/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-06-25 EP EP88110165A patent/EP0300226A3/en not_active Withdrawn
- 1988-07-23 JP JP63182842A patent/JPH0198236A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03206452A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-09-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
| KR100376006B1 (ko) * | 2000-08-30 | 2003-03-15 | 홍지기술산업주식회사 | 오실레이터를 이용한 강관압입용 수평굴착기 |
| JP2013538249A (ja) * | 2010-07-22 | 2013-10-10 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ポリマー安定化液晶媒体およびディスプレイ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1301522C (en) | 1992-05-26 |
| EP0300226A3 (en) | 1990-05-16 |
| EP0300226A2 (en) | 1989-01-25 |
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