JPH0198285A - モニタ付半導体発光素子 - Google Patents
モニタ付半導体発光素子Info
- Publication number
- JPH0198285A JPH0198285A JP62255706A JP25570687A JPH0198285A JP H0198285 A JPH0198285 A JP H0198285A JP 62255706 A JP62255706 A JP 62255706A JP 25570687 A JP25570687 A JP 25570687A JP H0198285 A JPH0198285 A JP H0198285A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip carrier
- light emitting
- semiconductor light
- emitting element
- face
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光通信、光情報処理、光応用計測など各種の
光応用システムで使用され為モニタ付半導体発光素子に
関するものである。
光応用システムで使用され為モニタ付半導体発光素子に
関するものである。
（従来の技術）
光通信システムなどの光応用システムでは、半導体レー
ザなどの発光素子にフォトダイオードなどの受光素子を
組合せることによりモニタ機能を付加したモニタ付半導
体発光素子が使用されている。
ザなどの発光素子にフォトダイオードなどの受光素子を
組合せることによりモニタ機能を付加したモニタ付半導
体発光素子が使用されている。
従来、上述のモニタ付半導体発光素子のうちフラット型
のものでは、発光素子を搭載したチップキャリアと受光
素子を搭載したチップキャリアとを共通の基板上に接近
させて搭載することによって画素子の組合せを実現して
いる。
のものでは、発光素子を搭載したチップキャリアと受光
素子を搭載したチップキャリアとを共通の基板上に接近
させて搭載することによって画素子の組合せを実現して
いる。
（発明が解決しようとする問題点）
上記フラット型のモニタ付半導体発光素子では、発光素
子を搭載したチップキャリアと受光素子を搭載したチッ
プキャリアとを共通の基板上に接近させて搭載すること
によって画素子の組合せを実現しているので、組立に手
間がかかると共に最終的な構造も複雑で大型になるとい
う問題がある。
子を搭載したチップキャリアと受光素子を搭載したチッ
プキャリアとを共通の基板上に接近させて搭載すること
によって画素子の組合せを実現しているので、組立に手
間がかかると共に最終的な構造も複雑で大型になるとい
う問題がある。
また、画素子への配線がそれぞれのチップキャリア上に
形成されるため、配線構造が複雑になって配線の自動化
が困難になるという問題もある。
形成されるため、配線構造が複雑になって配線の自動化
が困難になるという問題もある。
（問題点を解決するための手段）
本発明のモニタ付半導体発光素子は、第１のチップキャ
リアと、この第１のチップキャリアの上面の前端部分に
装着される半導体発光素子と、左右の端面及び傾斜した
前端面によって前記半導体発光素子を左右及び後方の三
方から囲む凹部を形成しつつ上記第１のチップキャリア
の上面に装着される第２のチップキャリアと、この第２
のチップキャリアの上記傾斜した前端面上に装着され上
記半導体発光素子の後方出力光をモニタする半導体受光
素子とを備え、各チップキャリアを共通の基板を用いる
ことなく直接組合せて一体化することにより組立作業の
容易化と構造の簡易・小型化を実現するように構成され
ている。゛ また、本発明の一実施例によれば、上記第２のチップキ
ャリアは電気絶縁性の素材で形成されると共にその上面
に半導体発光素子と半導体受光素子に接続される配線パ
ターンが形成されることにより、配線構造を簡略化し配
線の自動化を容易にするように構成されている。
リアと、この第１のチップキャリアの上面の前端部分に
装着される半導体発光素子と、左右の端面及び傾斜した
前端面によって前記半導体発光素子を左右及び後方の三
方から囲む凹部を形成しつつ上記第１のチップキャリア
の上面に装着される第２のチップキャリアと、この第２
のチップキャリアの上記傾斜した前端面上に装着され上
記半導体発光素子の後方出力光をモニタする半導体受光
素子とを備え、各チップキャリアを共通の基板を用いる
ことなく直接組合せて一体化することにより組立作業の
容易化と構造の簡易・小型化を実現するように構成され
ている。゛ また、本発明の一実施例によれば、上記第２のチップキ
ャリアは電気絶縁性の素材で形成されると共にその上面
に半導体発光素子と半導体受光素子に接続される配線パ
ターンが形成されることにより、配線構造を簡略化し配
線の自動化を容易にするように構成されている。
以下、本発明の作用を実施例と共に詳細に説明する。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例に係わるモニタ付半導体発光
素子の構成を示す斜視図、第２図はその分解斜視図であ
る。
素子の構成を示す斜視図、第２図はその分解斜視図であ
る。
第１のチップキャリア１１は、銅製の平板で形成される
と共にその平坦な上面１１ａの前端部分には平坦な上面
を有する台部１１ｂが形成されている。この台部１１ｂ
の平坦な上面に放熱性の良好なダイヤモンド・ヒートシ
ンク１２を介在させつつフラット型の半４体レーザ１が
装着される。
と共にその平坦な上面１１ａの前端部分には平坦な上面
を有する台部１１ｂが形成されている。この台部１１ｂ
の平坦な上面に放熱性の良好なダイヤモンド・ヒートシ
ンク１２を介在させつつフラット型の半４体レーザ１が
装着される。
ダイヤモンド・ヒートシンク１２の厚みは３００μｍ程
度であり、その底面にはチタニュウム（ＴＩ）、白金（
Ｐｔ）、金（Ａｕ）の蒸着膜がそれぞれ１５００人、１
０００人、２０００人程度０厚みで積層されている。ま
た、ダイヤモンド・ヒートシンク１２の上面と側面には
チタニュウムと白金の蒸着膜がそれぞれ１５００人と１
０００人の厚みで形成されて底面と上面間が電気的に導
通せしめられると共に、上面にはさらに厚み４μｍ程度
の金錫（ＡｕＳｎ）の蒸着膜が形成される。
度であり、その底面にはチタニュウム（ＴＩ）、白金（
Ｐｔ）、金（Ａｕ）の蒸着膜がそれぞれ１５００人、１
０００人、２０００人程度０厚みで積層されている。ま
た、ダイヤモンド・ヒートシンク１２の上面と側面には
チタニュウムと白金の蒸着膜がそれぞれ１５００人と１
０００人の厚みで形成されて底面と上面間が電気的に導
通せしめられると共に、上面にはさらに厚み４μｍ程度
の金錫（ＡｕＳｎ）の蒸着膜が形成される。
ダイヤモンド・ヒートシンク１２上に搭載される半導体
レーザ１の上下の電極面には金の蒸着膜が形成され、こ
の半導体レーザｌの下面、ダイヤモンド・ヒートシンク
１２の上下の面及び銅製の台部１１ｂの上面は上述の蒸
着膜によって相互に熱融着される。
レーザ１の上下の電極面には金の蒸着膜が形成され、こ
の半導体レーザｌの下面、ダイヤモンド・ヒートシンク
１２の上下の面及び銅製の台部１１ｂの上面は上述の蒸
着膜によって相互に熱融着される。
第２のチップキャリア２１は、セラミックなどの電気絶
縁性の平板で構成されると共に、第１のチップキャリア
１１上への装着時に半導体レーザｌを左右と後方の三方
から囲むように左右の端面と傾斜した前端面２１ｂによ
って凹部２１Ｃが形成されている。第２のチップキャリ
アの上面２１ａには、フォトダイオードへの配線パター
ン２２ａ、２２ｂと、半導体レーザ１への配線パターン
２３ａ、２３ｂが金メツキなどによって形成されている
。また、第２のチップキャリア２１の底面には、金の蒸
着膜が形成されている。
縁性の平板で構成されると共に、第１のチップキャリア
１１上への装着時に半導体レーザｌを左右と後方の三方
から囲むように左右の端面と傾斜した前端面２１ｂによ
って凹部２１Ｃが形成されている。第２のチップキャリ
アの上面２１ａには、フォトダイオードへの配線パター
ン２２ａ、２２ｂと、半導体レーザ１への配線パターン
２３ａ、２３ｂが金メツキなどによって形成されている
。また、第２のチップキャリア２１の底面には、金の蒸
着膜が形成されている。
配線パターン２２ｂは、第２のチップキャリアの上面２
１ａからその前端部分の凹部２１を画成する傾斜した前
端面２１ｂ上に延長され、この延長部分にフォトダイオ
ード２がその一方の電極を介して装着される。フォトダ
イオード２の他方の電極と配線パターン２２ａとはボン
ディングワイヤ２２ｃを介して接続される。また、配線
パターン２３ｂは、第２のチップキャリア上面２１ａか
ら凹部２１ｃを画成する左方の端面上を通って底面まで
延長され、この底面に形成されている金の蒸着膜と電気
的に接続される。
１ａからその前端部分の凹部２１を画成する傾斜した前
端面２１ｂ上に延長され、この延長部分にフォトダイオ
ード２がその一方の電極を介して装着される。フォトダ
イオード２の他方の電極と配線パターン２２ａとはボン
ディングワイヤ２２ｃを介して接続される。また、配線
パターン２３ｂは、第２のチップキャリア上面２１ａか
ら凹部２１ｃを画成する左方の端面上を通って底面まで
延長され、この底面に形成されている金の蒸着膜と電気
的に接続される。
フォトダイオード２が装着される前端面２１ｂの傾斜は
、半導体レーザ１の後方出力光がこれをモニタするため
のフォトダイオード２の表面で反射され、戻り光として
半導体レーザ１に帰還されてその動作を不安定にするの
を防止するためのものである。このように前端面２１ｂ
の傾斜によって戻り光の悪影響が防止されるので、フォ
トダイオード２を半導体レーザ■に必要なだけ接近させ
て配置することによりモニタ感度を十分に高めることが
できる。
、半導体レーザ１の後方出力光がこれをモニタするため
のフォトダイオード２の表面で反射され、戻り光として
半導体レーザ１に帰還されてその動作を不安定にするの
を防止するためのものである。このように前端面２１ｂ
の傾斜によって戻り光の悪影響が防止されるので、フォ
トダイオード２を半導体レーザ■に必要なだけ接近させ
て配置することによりモニタ感度を十分に高めることが
できる。
上述した第１のチップキャリアｌｌ上への半導体レーザ
１の装着と、第２のチップキャリア２１上へのフォトダ
イオード２の装着は個別の作業として行われる。これら
の装着作業の終了後に、第２のチップキャリア２１がそ
の底面の蒸着膜による熱融着やはんだ付けによって第１
のチップキャリアの上面１１ａ上に結合される。このチ
ップキャリア相互の結合による一体化が終了すると、半
導体レーザ１の上部電極と配線パターン２３ａの間がボ
ンディングワイヤ２３ｃで接続され、組立が完成する。
１の装着と、第２のチップキャリア２１上へのフォトダ
イオード２の装着は個別の作業として行われる。これら
の装着作業の終了後に、第２のチップキャリア２１がそ
の底面の蒸着膜による熱融着やはんだ付けによって第１
のチップキャリアの上面１１ａ上に結合される。このチ
ップキャリア相互の結合による一体化が終了すると、半
導体レーザ１の上部電極と配線パターン２３ａの間がボ
ンディングワイヤ２３ｃで接続され、組立が完成する。
なお、第２のチップキャリア２１を構成する電気絶縁性
の平板の厚みは、その前端部分の側面２１ｂ上にフォト
ダイオード２の実装スペースを確保したり、このチップ
キャリア自体の強度を確保したりする必要上、あまり小
さくできない。本実施例では、上記電気絶縁性の平板の
厚みをを約２ｍｍにすると共に第１のチップキャリア１
１の上面１１ａに台部１１ｂを形成することにより、半
導体レーザ１とフォトダイオード２の高さを調整してい
る。
の平板の厚みは、その前端部分の側面２１ｂ上にフォト
ダイオード２の実装スペースを確保したり、このチップ
キャリア自体の強度を確保したりする必要上、あまり小
さくできない。本実施例では、上記電気絶縁性の平板の
厚みをを約２ｍｍにすると共に第１のチップキャリア１
１の上面１１ａに台部１１ｂを形成することにより、半
導体レーザ１とフォトダイオード２の高さを調整してい
る。
また、第２のチップキャリア２１の前端部分の傾斜した
側面２１ｂの横幅は約３ｍｍであり、フォトダイオード
２へのボンディングワイヤ２２ｃを前後方向に延在する
ことにより、ワイヤボンディングの作業を容易にしてい
る。
側面２１ｂの横幅は約３ｍｍであり、フォトダイオード
２へのボンディングワイヤ２２ｃを前後方向に延在する
ことにより、ワイヤボンディングの作業を容易にしてい
る。
以上、寸法や素材などに関し具体的な例を挙げて説明し
たが、これらは−例にすぎず本発明の技術的範囲を限定
するものではない。
たが、これらは−例にすぎず本発明の技術的範囲を限定
するものではない。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明のモニタ付半導体発
光素子は、第１のチップキャリアの上面の前端部分に装
着される半導体発光素子と、この半導体発光素子を左右
及び後方の三方から囲む凹部を形成しつつ第１のチップ
キャリア上に装着される第２のチップキャリアと、この
第２のチップキャリアの′前端面上に装着されるモニタ
用半導体受光素子とを備える構成であるから、各チップ
キャリアを共通の基板を用いることなく直接組合せて一
体化できる。
光素子は、第１のチップキャリアの上面の前端部分に装
着される半導体発光素子と、この半導体発光素子を左右
及び後方の三方から囲む凹部を形成しつつ第１のチップ
キャリア上に装着される第２のチップキャリアと、この
第２のチップキャリアの′前端面上に装着されるモニタ
用半導体受光素子とを備える構成であるから、各チップ
キャリアを共通の基板を用いることなく直接組合せて一
体化できる。
この結果、工数の低減などに伴い組立作業が容易になり
、最終的な組立構造も簡易、小型になるという効果があ
る。
、最終的な組立構造も簡易、小型になるという効果があ
る。
また、上記半導体受光素子が搭載される第２のチップキ
ャリアの前端面の傾斜により、半導体発光素子に対する
戻り光の悪影響を有効に防止される。
ャリアの前端面の傾斜により、半導体発光素子に対する
戻り光の悪影響を有効に防止される。
さらに、本発明の一実施例によれば、第２のチップキャ
リアが電気絶縁性の素材で形成されると共にその上面に
半導体発光素子と半導体受光素子に接続される配線パタ
ーンが形成される構成であるから、配線構造が簡易化さ
れ自動配線が容易になるという効果がある。
リアが電気絶縁性の素材で形成されると共にその上面に
半導体発光素子と半導体受光素子に接続される配線パタ
ーンが形成される構成であるから、配線構造が簡易化さ
れ自動配線が容易になるという効果がある。
また、上記配線パターンをマイクロストリップ線路など
で構成することにより、外部電気回路とのインピーダン
ス整合の好な信号線を実現できるという効果もある。
で構成することにより、外部電気回路とのインピーダン
ス整合の好な信号線を実現できるという効果もある。
第１図と第２図は本発明の一実施例のモニタ付半導体発
光素子の構成を示す斜視図と分解斜視図である。 １・・・半導体レーザ、２・・・フォトダイオード、１
１・・・第１のチップキャリア、ｌｌｂ・・・第１のチ
ップキャリアの前端部分に形成された台部、１２・・・
ダイヤモンド・ヒートシンク、２１・・・第２のチップ
キャリア、２１ｂ・・・傾斜した前端面、２１Ｃ・・・
第２のチップキャリアの前端部分に形成される凹部、２
２ａ。 ２２ｂ、２３ａ、２３ｂ−・−第２のチップキャリアの
上面に形成される配線パターン、２２ｃ。 ２３ｃ・・・ボンディングワイヤ。
光素子の構成を示す斜視図と分解斜視図である。 １・・・半導体レーザ、２・・・フォトダイオード、１
１・・・第１のチップキャリア、ｌｌｂ・・・第１のチ
ップキャリアの前端部分に形成された台部、１２・・・
ダイヤモンド・ヒートシンク、２１・・・第２のチップ
キャリア、２１ｂ・・・傾斜した前端面、２１Ｃ・・・
第２のチップキャリアの前端部分に形成される凹部、２
２ａ。 ２２ｂ、２３ａ、２３ｂ−・−第２のチップキャリアの
上面に形成される配線パターン、２２ｃ。 ２３ｃ・・・ボンディングワイヤ。
Claims (2)
- （１）第１のチップキャリアと、 この第１のチップキャリアの上面の前端部分に装着され
る半導体発光素子と、 左右の端面及び傾斜した前端面によって前記半導体発光
素子を左右及び後方の三方から囲む凹部を形成しつつ前
記第１のチップキャリアの上面に装着される第２のチッ
プキャリアと、この第２のチップキャリアの前記傾斜し
た前端面上に装着され前記半導体発光素子の後方出力光
をモニタする半導体受光素子とを備えたことを特徴とす
るモニタ付半導体発光素子。 - （２）前記第２のチップキャリアは、電気絶縁性の素材
で構成されると共にその上面に前記半導体発光素子及び
半導体受光素子に接続される配線パターンが形成された
ことを特徴とするモニタ付半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62255706A JPH0198285A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | モニタ付半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62255706A JPH0198285A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | モニタ付半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0198285A true JPH0198285A (ja) | 1989-04-17 |
Family
ID=17282504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62255706A Pending JPH0198285A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | モニタ付半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0198285A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0579440A3 (en) * | 1992-07-15 | 1994-02-09 | AT&T Corp. | Method of making an assembly including patterned film submount with self-aligned electronic device |
| EP0571907A3 (ja) * | 1992-05-29 | 1994-02-16 | Eastman Kodak Co | |
| KR100515765B1 (ko) * | 2002-11-18 | 2005-09-23 | 김학연 | 하수구 천공기 |
-
1987
- 1987-10-09 JP JP62255706A patent/JPH0198285A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0571907A3 (ja) * | 1992-05-29 | 1994-02-16 | Eastman Kodak Co | |
| EP0579440A3 (en) * | 1992-07-15 | 1994-02-09 | AT&T Corp. | Method of making an assembly including patterned film submount with self-aligned electronic device |
| KR100515765B1 (ko) * | 2002-11-18 | 2005-09-23 | 김학연 | 하수구 천공기 |
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