JPH04369873A - 光電子ｉｃモジュール - Google Patents
光電子ｉｃモジュールInfo
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- JPH04369873A JPH04369873A JP3147174A JP14717491A JPH04369873A JP H04369873 A JPH04369873 A JP H04369873A JP 3147174 A JP3147174 A JP 3147174A JP 14717491 A JP14717491 A JP 14717491A JP H04369873 A JPH04369873 A JP H04369873A
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- optoelectronic
- photoelectronic
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
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- Led Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ基板に対して概ね
垂直方向より信号光を入力あるいは出力する受光素子お
よび発光素子を含む光電子ＩＣの実装技術に関するもの
である。
垂直方向より信号光を入力あるいは出力する受光素子お
よび発光素子を含む光電子ＩＣの実装技術に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ基板に対して概ね垂直方向より信号
光を入力あるいは出力する受光素子および発光素子を含
む光電子ＩＣとしては、例えば特願昭６０−１８４０４
７号公報に示されている画像記憶装置がある。本装置は
図４に示すように光双安定素子１をＩＣ基板２上に２次
元アレイ状に並べたものであり、入力光３によって入力
された２次元光情報を記憶して出力光４として出力する
光入出力記憶装置として機能する。光双安定素子１は、
発光素子と発光素子からの発光を受光可能なフォトトラ
ンジスタ（受光素子）とが直列に接続されたもので、（
１）オン状態をとることが可能なバイアス電圧（保持電
圧）を印加してもフォトトランジスタに電流は流れず発
光素子は非発光（オフ状態）、（２）印加電圧を保持電
圧としたままで、フォトトランジスタに入力光を入射す
ると電流が流れ、発光素子が発光（オン状態）、（３）
印加電圧を保持電圧としたままで、入力光の入射を止め
ても発光素子からの発光をフォトトランジスタが受光す
るのでオン状態を維持、（４）印加電圧をオン状態を維
持できない電圧（消去電圧）にまで低下させるとオフ状
態にもどるという動作を行う。
光を入力あるいは出力する受光素子および発光素子を含
む光電子ＩＣとしては、例えば特願昭６０−１８４０４
７号公報に示されている画像記憶装置がある。本装置は
図４に示すように光双安定素子１をＩＣ基板２上に２次
元アレイ状に並べたものであり、入力光３によって入力
された２次元光情報を記憶して出力光４として出力する
光入出力記憶装置として機能する。光双安定素子１は、
発光素子と発光素子からの発光を受光可能なフォトトラ
ンジスタ（受光素子）とが直列に接続されたもので、（
１）オン状態をとることが可能なバイアス電圧（保持電
圧）を印加してもフォトトランジスタに電流は流れず発
光素子は非発光（オフ状態）、（２）印加電圧を保持電
圧としたままで、フォトトランジスタに入力光を入射す
ると電流が流れ、発光素子が発光（オン状態）、（３）
印加電圧を保持電圧としたままで、入力光の入射を止め
ても発光素子からの発光をフォトトランジスタが受光す
るのでオン状態を維持、（４）印加電圧をオン状態を維
持できない電圧（消去電圧）にまで低下させるとオフ状
態にもどるという動作を行う。
【０００３】本画像記憶装置においては、入力光３はＩ
Ｃ基板２の裏面から入射され、出力光４はＩＣ基板２か
ら上方に向かって出射されるため、両面から光が入出力
可能なＩＣパッケージが必要となる。しかし、従来のパ
ッケージでは、例えば紫外光によって消去を行う書換え
可能読出し専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）や電荷結合素子（
ＣＣＤ）のパッケージとして上面から光を入力可能なも
のはあるが、両面から信号光を入出力可能なものはない
。すなわち、従来のパッケージを用いて本画像記憶装置
をモジュール化することは不可能である。
Ｃ基板２の裏面から入射され、出力光４はＩＣ基板２か
ら上方に向かって出射されるため、両面から光が入出力
可能なＩＣパッケージが必要となる。しかし、従来のパ
ッケージでは、例えば紫外光によって消去を行う書換え
可能読出し専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）や電荷結合素子（
ＣＣＤ）のパッケージとして上面から光を入力可能なも
のはあるが、両面から信号光を入出力可能なものはない
。すなわち、従来のパッケージを用いて本画像記憶装置
をモジュール化することは不可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】特願昭６０−１８４０
４７号公報に示されている画像記憶装置は、従来のＩＣ
パッケージを用いてモジュール化することは不可能であ
るが、より一般的に言えば、ＩＣ基板に対して概ね垂直
方向より信号光を入力あるいは出力する受光素子および
発光素子を含む光電子ＩＣをモジュール化する場合には
、両面から信号光を入出力可能なＩＣパッケージを用い
ることが望ましい。これは、入力光と出力光を共に上面
から入出力する場合には、入力光と出力光を分離するた
めのハーフミラーあるいは偏光ビームスプリッタ等の光
学部品が必要となり、光学的アライメントの工数が増加
する上に、装置全体の小型化が困難になるためである。
４７号公報に示されている画像記憶装置は、従来のＩＣ
パッケージを用いてモジュール化することは不可能であ
るが、より一般的に言えば、ＩＣ基板に対して概ね垂直
方向より信号光を入力あるいは出力する受光素子および
発光素子を含む光電子ＩＣをモジュール化する場合には
、両面から信号光を入出力可能なＩＣパッケージを用い
ることが望ましい。これは、入力光と出力光を共に上面
から入出力する場合には、入力光と出力光を分離するた
めのハーフミラーあるいは偏光ビームスプリッタ等の光
学部品が必要となり、光学的アライメントの工数が増加
する上に、装置全体の小型化が困難になるためである。
【０００５】そこで、本発明の第１の目的は、両面から
信号光を入出力可能なＩＣパッケージおよびこれを用い
た光電子ＩＣモジュールの構造を提供することにある。 また、本発明の第２の目的は、両面から信号光を入出力
する光電子ＩＣを高密度実装する新規な構造を提供する
ことにある。
信号光を入出力可能なＩＣパッケージおよびこれを用い
た光電子ＩＣモジュールの構造を提供することにある。 また、本発明の第２の目的は、両面から信号光を入出力
する光電子ＩＣを高密度実装する新規な構造を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、ＩＣ基板に対して概ね垂直方向より信号
光を入力あるいは出力する受光素子および発光素子を含
む光電子ＩＣと、貫通孔を有する台座および前記台座と
電気的に絶縁されたリードを含むパッケージとを具備し
、前記ＩＣ基板の周辺部の全部もしくは一部が前記貫通
孔の周辺部の全部もしくは一部に接着するように前記光
電子ＩＣが前記パッケージにマウントされた構造とする
ものである。
決するために、ＩＣ基板に対して概ね垂直方向より信号
光を入力あるいは出力する受光素子および発光素子を含
む光電子ＩＣと、貫通孔を有する台座および前記台座と
電気的に絶縁されたリードを含むパッケージとを具備し
、前記ＩＣ基板の周辺部の全部もしくは一部が前記貫通
孔の周辺部の全部もしくは一部に接着するように前記光
電子ＩＣが前記パッケージにマウントされた構造とする
ものである。
【０００７】ＩＣ基板に対して概ね垂直方向より信号光
を入力あるいは出力する受光素子および発光素子を含む
光電子ＩＣと、前記信号光に対する窓を有する配線金属
が被着された前記信号光に対して透明なパッケージ基板
とを具備し、前記受光素子もしくは前記発光素子と前記
窓とを位置合せして前記光電子ＩＣが前記パッケージに
マウントされた構造とするものである。
を入力あるいは出力する受光素子および発光素子を含む
光電子ＩＣと、前記信号光に対する窓を有する配線金属
が被着された前記信号光に対して透明なパッケージ基板
とを具備し、前記受光素子もしくは前記発光素子と前記
窓とを位置合せして前記光電子ＩＣが前記パッケージに
マウントされた構造とするものである。
【０００８】あるいは、ＩＣ基板に対して概ね垂直方向
より信号光を入力あるいは出力する受光素子および発光
素子を含む光電子ＩＣが少なくとも２個積み重ねられ、
前記ＩＣ基板は前記信号光に対して透明であり、前記光
電子ＩＣの前記発光素子もしくは前記受光素子はメサ形
状を有しており、前記メサの頂上部に形成された電極が
隣接して積み重ねられた光電子ＩＣの裏面に接着された
構造で光電子ＩＣモジュールを構成とするものである。
より信号光を入力あるいは出力する受光素子および発光
素子を含む光電子ＩＣが少なくとも２個積み重ねられ、
前記ＩＣ基板は前記信号光に対して透明であり、前記光
電子ＩＣの前記発光素子もしくは前記受光素子はメサ形
状を有しており、前記メサの頂上部に形成された電極が
隣接して積み重ねられた光電子ＩＣの裏面に接着された
構造で光電子ＩＣモジュールを構成とするものである。
【０００９】
【作用】本発明の光電子ＩＣモジュールの第１の構成で
は、ＩＣパッケージの台座に貫通孔を開け、この上に光
電子ＩＣをマウントする。この際、光電子ＩＣのチップ
サイズよりも貫通孔の面積を若干小さくしておき、貫通
孔の周辺部に光電子ＩＣをはめ込むガイドを設ける。例
えば、貫通孔の周囲に光電子ＩＣと同じ大きさの貫通し
ないガイド穴を開け、ここに光電子ＩＣをはめ込む。こ
の際、光電子ＩＣ中の受光素子あるいは発光素子は貫通
孔の上に位置するようにすればパッケージの裏側から信
号光を入出力することが可能である。また、ワイヤボン
ディング用パッドは貫通孔からはずれたガイド穴の上に
位置するようにすれば、通常のＩＣと同じくワイヤボン
ディングすることができる。
は、ＩＣパッケージの台座に貫通孔を開け、この上に光
電子ＩＣをマウントする。この際、光電子ＩＣのチップ
サイズよりも貫通孔の面積を若干小さくしておき、貫通
孔の周辺部に光電子ＩＣをはめ込むガイドを設ける。例
えば、貫通孔の周囲に光電子ＩＣと同じ大きさの貫通し
ないガイド穴を開け、ここに光電子ＩＣをはめ込む。こ
の際、光電子ＩＣ中の受光素子あるいは発光素子は貫通
孔の上に位置するようにすればパッケージの裏側から信
号光を入出力することが可能である。また、ワイヤボン
ディング用パッドは貫通孔からはずれたガイド穴の上に
位置するようにすれば、通常のＩＣと同じくワイヤボン
ディングすることができる。
【００１０】本発明の第２の構成では、例えばガラス、
プラスチック等の透明なパッケージ基板に配線金属を被
着してパッケージとする。この配線金属には信号光に対
する窓を開けておき、受光素子あるいは発光素子とこの
窓を位置合せして光電子ＩＣをマウントする。これによ
って、パッケージの裏側からも信号光を入出力すること
ができる。光電子ＩＣは受光素子および発光素子が形成
された面を上にして接着し、光電子ＩＣのボンディング
パッドとパッケージの配線金属間をワイヤボンディング
で接続してもよいが、発光素子もしくは受光素子がメサ
形状を有する場合には、この面を下にしてメサの頂上部
に形成された電極を直接パッケージの配線金属に接着し
てもよい。後者の構造には、光電子ＩＣ内の電気配線が
不要になる、素子からの発熱が効率よく放熱されるなど
の利点もある。
プラスチック等の透明なパッケージ基板に配線金属を被
着してパッケージとする。この配線金属には信号光に対
する窓を開けておき、受光素子あるいは発光素子とこの
窓を位置合せして光電子ＩＣをマウントする。これによ
って、パッケージの裏側からも信号光を入出力すること
ができる。光電子ＩＣは受光素子および発光素子が形成
された面を上にして接着し、光電子ＩＣのボンディング
パッドとパッケージの配線金属間をワイヤボンディング
で接続してもよいが、発光素子もしくは受光素子がメサ
形状を有する場合には、この面を下にしてメサの頂上部
に形成された電極を直接パッケージの配線金属に接着し
てもよい。後者の構造には、光電子ＩＣ内の電気配線が
不要になる、素子からの発熱が効率よく放熱されるなど
の利点もある。
【００１１】本発明の第３の構成は、２個以上の光電子
ＩＣを積み重ねて同一パッケージに実装するものである
。この際、ＩＣ基板としては信号光に対して透明な半導
体基板を用いる。光電子ＩＣ内の発光素子もしくは受光
素子はメサ形状とし、メサの頂上部に形成された電極を
隣接して積み重ねられた光電子ＩＣの裏面に接着する。 ここで、ＩＣ基板が半絶縁性半導体層が２つの導電性半
導体層によって挟まれた構造としておけば、ＩＣ基板裏
面の導電性半導体層はその下の光電子ＩＣの配線として
機能し、かつＩＣ基板表面に形成された素子とは半絶縁
性半導体層によって電気的に絶縁される。また、ＩＣ基
板は信号光に対して透明なので、上下の光電子ＩＣ内の
発光素子から受光素子へ信号光を伝達できる。
ＩＣを積み重ねて同一パッケージに実装するものである
。この際、ＩＣ基板としては信号光に対して透明な半導
体基板を用いる。光電子ＩＣ内の発光素子もしくは受光
素子はメサ形状とし、メサの頂上部に形成された電極を
隣接して積み重ねられた光電子ＩＣの裏面に接着する。 ここで、ＩＣ基板が半絶縁性半導体層が２つの導電性半
導体層によって挟まれた構造としておけば、ＩＣ基板裏
面の導電性半導体層はその下の光電子ＩＣの配線として
機能し、かつＩＣ基板表面に形成された素子とは半絶縁
性半導体層によって電気的に絶縁される。また、ＩＣ基
板は信号光に対して透明なので、上下の光電子ＩＣ内の
発光素子から受光素子へ信号光を伝達できる。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の一実施例の光電子ＩＣモジュ
ールの要部断面斜視図である。例えばコバール等の金属
よりなる台座５、セラミック等の絶縁フレーム６および
金属のリード７によってパッケージが構成されている。 台座５にはに貫通孔８があり、この上に光電子ＩＣ９が
マウントされている。この光電子ＩＣ９は、ＩＣ基板に
対して概ね垂直方向より信号光を入力あるいは出力する
受光素子および発光素子を含む例えば特願昭６０−１８
４０４７号公報に示されている画像記憶装置のようなＩ
Ｃである。貫通孔８の大きさは光電子ＩＣ９のチップサ
イズよりも小さく、貫通孔８の周辺部に設けられた光電
子ＩＣ９と同じ大きさの貫通しないガイド穴１０に光電
子ＩＣ９がはめ込まれている。この際、光電子ＩＣ９中
の受光素子あるいは発光素子が集積された活性領域１１
は貫通孔８の上に位置するようにする。また、ワイヤボ
ンディング用のパッド１２は貫通孔８からはずれたガイ
ド穴１０の上に位置するようにし、ワイヤ１３によって
パッド１２とリード７の間をワイヤボンディングする。 光電子ＩＣ９が上記画像記憶装置である場合には、入力
光１４はパッケージの裏面から入射され、出力光１５は
光電子ＩＣ９から上方に向かって出射される。
ールの要部断面斜視図である。例えばコバール等の金属
よりなる台座５、セラミック等の絶縁フレーム６および
金属のリード７によってパッケージが構成されている。 台座５にはに貫通孔８があり、この上に光電子ＩＣ９が
マウントされている。この光電子ＩＣ９は、ＩＣ基板に
対して概ね垂直方向より信号光を入力あるいは出力する
受光素子および発光素子を含む例えば特願昭６０−１８
４０４７号公報に示されている画像記憶装置のようなＩ
Ｃである。貫通孔８の大きさは光電子ＩＣ９のチップサ
イズよりも小さく、貫通孔８の周辺部に設けられた光電
子ＩＣ９と同じ大きさの貫通しないガイド穴１０に光電
子ＩＣ９がはめ込まれている。この際、光電子ＩＣ９中
の受光素子あるいは発光素子が集積された活性領域１１
は貫通孔８の上に位置するようにする。また、ワイヤボ
ンディング用のパッド１２は貫通孔８からはずれたガイ
ド穴１０の上に位置するようにし、ワイヤ１３によって
パッド１２とリード７の間をワイヤボンディングする。 光電子ＩＣ９が上記画像記憶装置である場合には、入力
光１４はパッケージの裏面から入射され、出力光１５は
光電子ＩＣ９から上方に向かって出射される。
【００１３】図２（Ａ）は本発明の第２の実施例の光電
子ＩＣモジュールの断面図であり、（Ｂ）はその構成要
素であるパッケージの平面図である。パッケージは、例
えばガラス、プラスチック等の透明なパッケージ基板１
６に第１および第２の配線金属１７、１８を被着したも
のであり、第１の配線金属１７には信号光に対する窓１
９が設けられている。一方、このパッケージにマウント
される光電子ＩＣはＩＣ基板２０に対して概ね垂直方向
より信号光を入力あるいは出力する受光素子および発光
素子を含んでおり、発光素子もしくは受光素子はメサ形
状を有している。このメサ２１の頂上部には電極２２が
蒸着されており、この電極２２と第１の配線金属１７が
接着されている。電極２２と第１の配線金属１７を接着
するためには、例えば電極２２の表面にＩｎ等よりなる
バンプを形成し、これとＡｕ等よりなる第１の配線金属
１７を加熱融着する。この接着に際しては、メサ２１の
頂上部の電極２２が蒸着されていない部分と第１の配線
金属１７の窓１９の位置合せがなされ、信号光が窓１９
を通してメサ２１に入出力できるようになっている。ま
た、ＩＣ基板２０の裏面電極２３と第２の配線金属１８
の間はワイヤ２４によって接続されている。光電子ＩＣ
が特願昭６０−１８４０４７号公報に示されている画像
記憶装置である場合には、入力光２５はＩＣ基板２０の
裏面から入射され、出力光２６はメサ２１からパッケー
ジ基板１６を通して出射される。本構造によれば、光電
子ＩＣ内の電気配線は不要となり、また発光素子からの
発熱がパッケージ基板に効率よく放熱される。
子ＩＣモジュールの断面図であり、（Ｂ）はその構成要
素であるパッケージの平面図である。パッケージは、例
えばガラス、プラスチック等の透明なパッケージ基板１
６に第１および第２の配線金属１７、１８を被着したも
のであり、第１の配線金属１７には信号光に対する窓１
９が設けられている。一方、このパッケージにマウント
される光電子ＩＣはＩＣ基板２０に対して概ね垂直方向
より信号光を入力あるいは出力する受光素子および発光
素子を含んでおり、発光素子もしくは受光素子はメサ形
状を有している。このメサ２１の頂上部には電極２２が
蒸着されており、この電極２２と第１の配線金属１７が
接着されている。電極２２と第１の配線金属１７を接着
するためには、例えば電極２２の表面にＩｎ等よりなる
バンプを形成し、これとＡｕ等よりなる第１の配線金属
１７を加熱融着する。この接着に際しては、メサ２１の
頂上部の電極２２が蒸着されていない部分と第１の配線
金属１７の窓１９の位置合せがなされ、信号光が窓１９
を通してメサ２１に入出力できるようになっている。ま
た、ＩＣ基板２０の裏面電極２３と第２の配線金属１８
の間はワイヤ２４によって接続されている。光電子ＩＣ
が特願昭６０−１８４０４７号公報に示されている画像
記憶装置である場合には、入力光２５はＩＣ基板２０の
裏面から入射され、出力光２６はメサ２１からパッケー
ジ基板１６を通して出射される。本構造によれば、光電
子ＩＣ内の電気配線は不要となり、また発光素子からの
発熱がパッケージ基板に効率よく放熱される。
【００１４】図３は本発明の第３の実施例の光電子ＩＣ
モジュールの断面図である。これは２個以上の光電子Ｉ
Ｃを積み重ねて同一パッケージに実装するものであり、
図３は２個の光電子ＩＣに対する例を示している。図３
にはパッケージが示されていないが、本発明の第１もし
くは第２の実施例に示したパッケージを用いれば、本構
造に対してもパッケージへの実装を行うことは容易であ
る。第１および第２の光電子ＩＣ２７、２８は同じ構造
を有しており、３個以上の光電子ＩＣも同様の構造で積
み重ねることができる。第１および第２の光電子ＩＣ２
７、２８のＩＣ基板２９は信号光に対して透明であり、
第１の導電性半導体層３０、半絶縁性半導体層３１およ
び第２の導電性半導体層３２の３層よりなっている。信
号光に対してＩＣ基板２９を透明とするためには、例え
ばＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系よりなる受光素子および発
光素子をＩｎＰ基板上に形成すればよい。また、光電子
ＩＣ内の発光素子もしくは受光素子はメサ形状となって
おり、メサ３３の頂上部に形成された電極３４は隣接し
て積み重ねられた光電子ＩＣのＩＣ基板２９裏面に接着
されている。電極３４とＩＣ基板２９を接着するために
は、例えば電極３４の表面にＩｎ等よりなるバンプを形
成し、これとＩｎＰ等よりなるＩＣ基板２９を加熱融着
する。
モジュールの断面図である。これは２個以上の光電子Ｉ
Ｃを積み重ねて同一パッケージに実装するものであり、
図３は２個の光電子ＩＣに対する例を示している。図３
にはパッケージが示されていないが、本発明の第１もし
くは第２の実施例に示したパッケージを用いれば、本構
造に対してもパッケージへの実装を行うことは容易であ
る。第１および第２の光電子ＩＣ２７、２８は同じ構造
を有しており、３個以上の光電子ＩＣも同様の構造で積
み重ねることができる。第１および第２の光電子ＩＣ２
７、２８のＩＣ基板２９は信号光に対して透明であり、
第１の導電性半導体層３０、半絶縁性半導体層３１およ
び第２の導電性半導体層３２の３層よりなっている。信
号光に対してＩＣ基板２９を透明とするためには、例え
ばＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系よりなる受光素子および発
光素子をＩｎＰ基板上に形成すればよい。また、光電子
ＩＣ内の発光素子もしくは受光素子はメサ形状となって
おり、メサ３３の頂上部に形成された電極３４は隣接し
て積み重ねられた光電子ＩＣのＩＣ基板２９裏面に接着
されている。電極３４とＩＣ基板２９を接着するために
は、例えば電極３４の表面にＩｎ等よりなるバンプを形
成し、これとＩｎＰ等よりなるＩＣ基板２９を加熱融着
する。
【００１５】第１および第２の光電子ＩＣ２７、２８の
接地配線に相当する第２の導電性半導体層３２は第１お
よび第２のパッド３５、３６を介してパッケージのリー
ドと接続される。また、第２の光電子ＩＣ２８の第１の
導電性半導体層３０は第１の光電子ＩＣ２７の電源配線
として機能し、第３のパッド３７を介してパッケージの
リードと接続される。ここで、第１の光電子ＩＣ２７の
電源配線と第２の光電子ＩＣ２８の接地配線が絶縁され
るように、第１の導電性半導体層３０と第２の導電性半
導体層３２の間に半絶縁性半導体層３１が設けられてい
る。第２の光電子ＩＣ２８の電源配線は、ＩＣ上に配線
を形成してもよいが、本発明の第２の実施例に示した実
装構造を用いれば、パッケージ基板上の配線を電源配線
とすることができる。ＩＣ基板２９は信号光に対して透
明なので、第１の光電子ＩＣ２７内の発光素子からの第
１の出力光３８を第２の光電子ＩＣ２７のＩＣ基板２９
を通して、第２の光電子ＩＣ２８内の受光素子へ入力で
きる。第１の光電子ＩＣ２７内の受光素子への入力光３
９は第１の光電子ＩＣ２７のＩＣ基板２９を通して入力
され、第２の光電子ＩＣ２８内の発光素子からの第２の
出力光４０は第２の光電子ＩＣ２８から上方に向かって
出力される。
接地配線に相当する第２の導電性半導体層３２は第１お
よび第２のパッド３５、３６を介してパッケージのリー
ドと接続される。また、第２の光電子ＩＣ２８の第１の
導電性半導体層３０は第１の光電子ＩＣ２７の電源配線
として機能し、第３のパッド３７を介してパッケージの
リードと接続される。ここで、第１の光電子ＩＣ２７の
電源配線と第２の光電子ＩＣ２８の接地配線が絶縁され
るように、第１の導電性半導体層３０と第２の導電性半
導体層３２の間に半絶縁性半導体層３１が設けられてい
る。第２の光電子ＩＣ２８の電源配線は、ＩＣ上に配線
を形成してもよいが、本発明の第２の実施例に示した実
装構造を用いれば、パッケージ基板上の配線を電源配線
とすることができる。ＩＣ基板２９は信号光に対して透
明なので、第１の光電子ＩＣ２７内の発光素子からの第
１の出力光３８を第２の光電子ＩＣ２７のＩＣ基板２９
を通して、第２の光電子ＩＣ２８内の受光素子へ入力で
きる。第１の光電子ＩＣ２７内の受光素子への入力光３
９は第１の光電子ＩＣ２７のＩＣ基板２９を通して入力
され、第２の光電子ＩＣ２８内の発光素子からの第２の
出力光４０は第２の光電子ＩＣ２８から上方に向かって
出力される。
【００１６】
【発明の効果】本発明の第１もしくは第２の構成によれ
ば、上下両面から信号光を入出力可能なＩＣパッケージ
およびこれを用いた光電子ＩＣモジュールが実現できる
。これによって、ＩＣ基板に対して概ね垂直方向より信
号光を入力あるいは出力する受光素子および発光素子を
含む光電子ＩＣをモジュール化する場合に、入力光と出
力光を分離するためのハーフミラーあるいは偏光ビーム
スプリッタ等の光学部品が不要となり、光学的アライメ
ントの工数が削減できるとともに、装置全体の小型化が
可能になる。また、本発明の第３の構成によれば、両面
から信号光を入出力する光電子ＩＣを２個以上積み重ね
た高密度実装が実現される。さらに、本発明の第２もし
くは第３の構成によれば、光電子ＩＣ内の電源配線が不
要になり、光電子ＩＣの高密度集積化が容易になる。
ば、上下両面から信号光を入出力可能なＩＣパッケージ
およびこれを用いた光電子ＩＣモジュールが実現できる
。これによって、ＩＣ基板に対して概ね垂直方向より信
号光を入力あるいは出力する受光素子および発光素子を
含む光電子ＩＣをモジュール化する場合に、入力光と出
力光を分離するためのハーフミラーあるいは偏光ビーム
スプリッタ等の光学部品が不要となり、光学的アライメ
ントの工数が削減できるとともに、装置全体の小型化が
可能になる。また、本発明の第３の構成によれば、両面
から信号光を入出力する光電子ＩＣを２個以上積み重ね
た高密度実装が実現される。さらに、本発明の第２もし
くは第３の構成によれば、光電子ＩＣ内の電源配線が不
要になり、光電子ＩＣの高密度集積化が容易になる。
【図１】本発明の一実施例の光電子ＩＣモジュールの要
部断面斜視図である。
部断面斜視図である。
【図２】本発明の第２の実施例の光電子ＩＣモジュール
の断面図および平面図である。
の断面図および平面図である。
【図３】本発明の第３の実施例の光電子ＩＣモジュール
の断面図である。
の断面図である。
【図４】従来の光電子ＩＣの斜視図である。
５ 台座
７ リード
８ 貫通孔
９ 光電子ＩＣ
１０ ガイド穴１０
１６ パッケージ基板
１７ 第１の配線金属
１９ 窓
２０ ＩＣ基板
２１ メサ
２２ 電極
２７ 第１の光電子ＩＣ
２８ 第２の光電子ＩＣ
２９ ＩＣ基板
３０ 第１の導電性半導体層
３１ 半絶縁性半導体層
３２ 第２の導電性半導体層
３３ メサ
３４ 電極
Claims (6)
- 【請求項１】 ＩＣ基板に対して概ね垂直方向より信
号光を入力あるいは出力する受光素子および発光素子を
含む光電子ＩＣと、貫通孔を有する台座および前記台座
と電気的に絶縁されたリードを含むパッケージとを具備
し、前記ＩＣ基板の周辺部の全部もしくは一部が前記貫
通孔の周辺部の全部もしくは一部に接着するように前記
光電子ＩＣが前記パッケージにマウントされたことを特
徴とする光電子ＩＣモジュール。 - 【請求項２】 貫通孔の面積が光電子ＩＣの面積より
も小さく、前記貫通孔の周辺部に前記光電子ＩＣをはめ
込むガイドが設けられたことを特徴とする請求項１記載
の光電子ＩＣモジュール。 - 【請求項３】 ＩＣ基板に対して概ね垂直方向より信
号光を入力あるいは出力する受光素子および発光素子を
含む光電子ＩＣと、前記信号光に対する窓を有する配線
金属が被着された前記信号光に対して透明なパッケージ
基板とを具備し、前記受光素子もしくは前記発光素子と
前記窓とを位置合せして前記光電子ＩＣが前記パッケー
ジにマウントされたことを特徴とする光電子ＩＣモジュ
ール。 - 【請求項４】 発光素子もしくは受光素子がメサ形状
を有しており、前記メサの頂上部に形成された電極がパ
ッケージ基板の配線金属に接着されたことを特徴とする
請求項３記載の光電子ＩＣモジュール。 - 【請求項５】 ＩＣ基板に対して概ね垂直方向より信
号光を入力あるいは出力する受光素子および発光素子を
含む光電子ＩＣが少なくとも２個積み重ねられ、前記Ｉ
Ｃ基板は前記信号光に対して透明であり、前記光電子Ｉ
Ｃの前記発光素子もしくは前記受光素子はメサ形状を有
しており、前記メサの頂上部に形成された電極が隣接し
て積み重ねられた光電子ＩＣの裏面に接着されたことを
特徴とする光電子ＩＣモジュール。 - 【請求項６】 ＩＣ基板が半絶縁性半導体層が２つの
導電性半導体層によって挟まれた構造であることを特徴
とする請求項５記載の光電子ＩＣモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3147174A JPH04369873A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 光電子ｉｃモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3147174A JPH04369873A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 光電子ｉｃモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04369873A true JPH04369873A (ja) | 1992-12-22 |
Family
ID=15424258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3147174A Pending JPH04369873A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 光電子ｉｃモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04369873A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006525679A (ja) * | 2003-05-05 | 2006-11-09 | ラミナ セラミックス インコーポレーテッド | 高温動作用にパッケージ化された発光ダイオード |
-
1991
- 1991-06-19 JP JP3147174A patent/JPH04369873A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006525679A (ja) * | 2003-05-05 | 2006-11-09 | ラミナ セラミックス インコーポレーテッド | 高温動作用にパッケージ化された発光ダイオード |
| JP4912876B2 (ja) * | 2003-05-05 | 2012-04-11 | ラミナ ライティング インコーポレーテッド | 高温動作用にパッケージ化された発光ダイオード |
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