JPH0199266A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、光フアイバ通信用の光源として応用される
半導体発光装置に関するものである。

〔従来の技術〕

第３図は、従来の半導体発光装置の断面図であり、図に
おいて、（１）は金属で形成されたマイナス電極、（２
）は金属で形成されたプラス電ｆｄｉ、（３）は発射出
窓、（４）はＬＥＤの基板、（５）はＬＥＤの活性層で
ある。

次に動作について説明する。ＬＥＤのマイナス電極（１
）とプラス電極（２）に電圧を印加することによりＩＩ
Ｄ内部の活性層（６）で生じた活性層に垂直な方向の光
は、基板（４）を透過して発射出窓（３）から外部に取
り出される。第４図は、従来の活性層の電界分布を示す
グラフである。従来の半導体発光装置のような構造では
発射出窓（３）にマイナス電極（１）がないために、電
界分布が双峰状になる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の半導体発光装置は以上のように構成されているの
で活性層の電界分布が双峰状となり、さらには発光領域
の光強度分布も双峰状となるため、光ファイバへの結合
効率が悪いという問題点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、発光領域の光強度分布を円弧状にできるとと
もに、光ファイバへの結合効率を高めることができる半
導体発光装置を得ることを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る半導体発光装置は、基板を椀状に形成す
るとともに発光領域をすべて透明な電極、例えば、導電
性透明樹脂等で覆い、それを電極としたものである。

〔作用〕

この発明における活性領域を透明なｗ１８ｉで覆うこと
により活性層の電界分布が円弧状なり、さらには発光領
域の光強度分布も円弧状になり、光ファイバへの結合効
率を高める。

〔発明の実施例〕

以下、この発明を図を用いて説明する。第１図はこの発
明の一実施例による半導体発光装置の断面図である。

第１図において、（１）は透明電極の上に形成されたワ
イヤ接着用のマイナス電極（２）は金属で形成されたプ
ラス電極、（５）はＬＥＤ内部に形成された活性層、（
３）は発射出窓、（４）はＬＥＤの基板、（６）は例え
ば導電性透明樹脂等で形成された透明ｗｔ極である。

次に動作について説明する。第１図において、グラフ［
極（２）とマイナス電極（１）の間に電圧が印加される
と、活性層（５）で発光が生じ、基板（４）を通つて、
発射出窓（３）を通って外部に取り出される。

ここで、この発明においては基板（４）を椀状に形成し
て、その上に透明！ｌ！　ｉ　＋６）を形成しているの
で、活性７１（５）の中央はど抵抗が小さくなり、電界
分布は第２図のように円弧状になる。

なお、上記実施例では、面発光型のｉＤに透明ｗｔ極を
用いたものを示したが、ＬＥＤの代わりに面発光型の半
導体レーザ（ＩＪ）　：　１ａｓｅｒｄｉｏｄｅ　）に
透明電極を用いてもよい。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば面発光型のＬＥＤの基
板を椀状に形成し、発射出窓も透明電極で覆ったので、
発光領域の光強度分布を円弧状にでき、光ファイバへの
結合効率の高いＬＥＤを得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による半導体発光装置の断
面図、第２図はこの発明における活性層の電界分布を示
すグラフ、第３図は従来の半導体発光装置の断面図、第
４図は、従来の活性層の電界分布を示すグラフである。 （１）はマイナス電極、（２）はグラマＩ！！極、（３
）は発光領域、（４）は基板、（５）は活性、１、（６
）は透明電極である。 なお、図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　発光部の基板側に形成された凹部に発射出窓を設けた
   面発光型の発光ダイオードにおいて、上記凹部を椀状と
   し、上記基板側の電極が導電性透明物質であることを特
   徴とする半導体発光装置。