JPH0221684A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPH0221684A JPH0221684A JP17153088A JP17153088A JPH0221684A JP H0221684 A JPH0221684 A JP H0221684A JP 17153088 A JP17153088 A JP 17153088A JP 17153088 A JP17153088 A JP 17153088A JP H0221684 A JPH0221684 A JP H0221684A
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- JP
- Japan
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- region
- light emitting
- electrode
- emitting region
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体発光装置のファイバー光結合効率向上
に関するものである。
に関するものである。
第２図（ａ） 、 （ｂ）は三菱ｔｉ技報ＶＯ１，６０
，Ａ ８゜１９８６″光通信用長波長半導体光素子”に
示された従来の半導体発光装置を示す断面図及び発光強
度分布を示すグラフである。
，Ａ ８゜１９８６″光通信用長波長半導体光素子”に
示された従来の半導体発光装置を示す断面図及び発光強
度分布を示すグラフである。
第２図（ＪＬ）において（１）は発光領域、（２）は電
流注入用のＰ−電極、（３）は電気的短絡防止用の絶縁
膜、（４）はＰ−ＩｎＰ上クチクラッド層５）は工ｎＧ
、Ａ５Ｆ活性層、（６）はｎ−Ｉｎｐ下クツクラッド層
７）はｎ−電極、第２図（ｂ）は発光領域における発光
強度分布である。
流注入用のＰ−電極、（３）は電気的短絡防止用の絶縁
膜、（４）はＰ−ＩｎＰ上クチクラッド層５）は工ｎＧ
、Ａ５Ｆ活性層、（６）はｎ−Ｉｎｐ下クツクラッド層
７）はｎ−電極、第２図（ｂ）は発光領域における発光
強度分布である。
次に動作について説明する。
ニー電極（７）及びｐ−電極（２）間に電圧を印加する
と電流は絶縁膜（３）及び電流阻止構造により狭さくさ
れ発光領域（１）に注入される。この時、発光領域（９
）の組成に応じて一定の波長の光が発光領域（１）より
出射される。
と電流は絶縁膜（３）及び電流阻止構造により狭さくさ
れ発光領域（１）に注入される。この時、発光領域（９
）の組成に応じて一定の波長の光が発光領域（１）より
出射される。
従来の半導体発光装置は、電流を注入した場合、発光領
域の発光強度分布は発光部中央に比べ、外周部が強く発
光する傾向にあった。
域の発光強度分布は発光部中央に比べ、外周部が強く発
光する傾向にあった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、発光領域（１）の中央部の発光強度を向上さ
せることができ、光ファイバーへの結合効率を向上させ
ることができる。
たもので、発光領域（１）の中央部の発光強度を向上さ
せることができ、光ファイバーへの結合効率を向上させ
ることができる。
この発明に係る半導体装置は発光領域が同心円状の溝で
分離されているものである。
分離されているものである。
この発明は分離された発光領域によシ発光領域中央部の
発光強度を向上できる。
発光強度を向上できる。
第１図（＆） 、 （ｂ）はこの発明の一実施例を示す
半導体発光装置の断面図及び発光強度分布を示すグラフ
である。第１図Ｃ＆）において、（１）は同心円状の溝
により分離された発光領域、（２）はｐ−電極、（３）
は電気的短絡を防止する絶縁膜、（４）はＥｌ ｚｎ
ｐ上クラッド層、（５）はエユＱ＆Ａ、Ｐ活性層、（６
）はｎ−ＩｎＰ 下クラッド層、（７）はｎ−電極、第
１図（１３）は発光領域における発光強度分布である。
半導体発光装置の断面図及び発光強度分布を示すグラフ
である。第１図Ｃ＆）において、（１）は同心円状の溝
により分離された発光領域、（２）はｐ−電極、（３）
は電気的短絡を防止する絶縁膜、（４）はＥｌ ｚｎ
ｐ上クラッド層、（５）はエユＱ＆Ａ、Ｐ活性層、（６
）はｎ−ＩｎＰ 下クラッド層、（７）はｎ−電極、第
１図（１３）は発光領域における発光強度分布である。
次に動作について説明する。
Ｐ−電極（２）及びｎ−電極（７）に電圧を印加すると
電流は絶縁膜（３）及び電流阻止構造により狭さくされ
、同心円状の溝で分割された発光領域（１）に注入され
、発光領域（１）の組成に応じて一定の波長の光が発光
領域（１）から出射される。発光領域（１）の発光強度
分布（ｂ）は溝で分割された近傍が強くなるため、発光
領域（１）中央部の光強度は強くなり光ファイバーへの
光結合効率は向上する。
電流は絶縁膜（３）及び電流阻止構造により狭さくされ
、同心円状の溝で分割された発光領域（１）に注入され
、発光領域（１）の組成に応じて一定の波長の光が発光
領域（１）から出射される。発光領域（１）の発光強度
分布（ｂ）は溝で分割された近傍が強くなるため、発光
領域（１）中央部の光強度は強くなり光ファイバーへの
光結合効率は向上する。
上記実施例では同心円状の溝を２本としたが、３本以上
でも構わない。また、発光領域を同心円状にするもので
あれは、同心円状の溝はなくてもよい。またＧｓＬＡ、
系の半導体装置でも良い。ｐ−二を逆転しても同様の効
果が得られる。
でも構わない。また、発光領域を同心円状にするもので
あれは、同心円状の溝はなくてもよい。またＧｓＬＡ、
系の半導体装置でも良い。ｐ−二を逆転しても同様の効
果が得られる。
以上のようにこの発明は、発光領域を分割することによ
シ発光領域中央部の発光強度低下を押えることができ、
光ファイバーへの光結合効率が同第１図（ａ） 、 （
ｂ）はこの発明の一実施例による半導体発光装＠を示す
断面図及び発光強度分布を示すグラフ、第２図（ａ）
、 （ｂ）は従来の半導体発光装置を示す断面図及び発
光強度分布を示すグラフである。
シ発光領域中央部の発光強度低下を押えることができ、
光ファイバーへの光結合効率が同第１図（ａ） 、 （
ｂ）はこの発明の一実施例による半導体発光装＠を示す
断面図及び発光強度分布を示すグラフ、第２図（ａ）
、 （ｂ）は従来の半導体発光装置を示す断面図及び発
光強度分布を示すグラフである。
図において、（１）は発光領域、（２）はｐ−電極、（
３）は絶縁膜、（４）はｐ−ＩｎＰ上クラッド層、（５
）は工ｎＧａＡｓＰ活性層、（６）はｎ−ＩｎＰ下クラ
ッド層、（７）はｎ−電極である。
３）は絶縁膜、（４）はｐ−ＩｎＰ上クラッド層、（５
）は工ｎＧａＡｓＰ活性層、（６）はｎ−ＩｎＰ下クラ
ッド層、（７）はｎ−電極である。
なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 主面上に上クラッド層、活性層、下クラッド層を層状に
形成した半導体発光装置において、活性層が少くとも２
つ以上の同心円のリング状の溝で分割されていることを
特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17153088A JPH0221684A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17153088A JPH0221684A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0221684A true JPH0221684A (ja) | 1990-01-24 |
Family
ID=15924832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17153088A Pending JPH0221684A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0221684A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003069727A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Aiphone Co Ltd | ナースコール装置 |
-
1988
- 1988-07-08 JP JP17153088A patent/JPH0221684A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003069727A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Aiphone Co Ltd | ナースコール装置 |
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