JPH019935Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH019935Y2 JPH019935Y2 JP1983049034U JP4903483U JPH019935Y2 JP H019935 Y2 JPH019935 Y2 JP H019935Y2 JP 1983049034 U JP1983049034 U JP 1983049034U JP 4903483 U JP4903483 U JP 4903483U JP H019935 Y2 JPH019935 Y2 JP H019935Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- substrates
- substrate
- low
- crystal display
- Prior art date
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Description
【考案の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本考案は、静電気による異常点灯現象を抑制す
るための手段を施した液晶表示素子に関するもの
である。
るための手段を施した液晶表示素子に関するもの
である。
＜従来の技術＞
従来、液晶表示素子は小型・低消費電力の表示
体として多く利用されている。中でもツイストネ
マチツク液晶を用いた電界効果型液晶表示素子
（以下、TNFEM液晶表示素子とする）は時計・
電卓等の表示体の主流を占めている。第１図は通
常のTNFEM液晶表示体の概略構成を示す側面
断面図である。同図で１，１はガラス等の基板、
２，２は該基板１，１上において蒸着、スパツタ
等により被覆がなされるITO膜等の表示電極、
３，３は該表示電極２，２上に被覆がなされる配
向膜、４はスペーサ、５は液晶、６はシール、
７，７は上記基板１，１の外側に設けられる偏光
板、８は反射板である。
体として多く利用されている。中でもツイストネ
マチツク液晶を用いた電界効果型液晶表示素子
（以下、TNFEM液晶表示素子とする）は時計・
電卓等の表示体の主流を占めている。第１図は通
常のTNFEM液晶表示体の概略構成を示す側面
断面図である。同図で１，１はガラス等の基板、
２，２は該基板１，１上において蒸着、スパツタ
等により被覆がなされるITO膜等の表示電極、
３，３は該表示電極２，２上に被覆がなされる配
向膜、４はスペーサ、５は液晶、６はシール、
７，７は上記基板１，１の外側に設けられる偏光
板、８は反射板である。
＜考案が解決しようとする問題点＞
しかしながら、以上のような構造のTNFEM
液晶表示素子において、従来偏光板７，７の表面
を指、布等でこすると静電気が発生し、該発生し
た静電気によつて基板１，１の内面側に帯電が誘
発された。そして、この帯電した電荷チヤージが
過度の場合、基板１，１の内面の透明電極２，２
における帯電によつて液晶分子が励起され誤点灯
を生じたのである。
液晶表示素子において、従来偏光板７，７の表面
を指、布等でこすると静電気が発生し、該発生し
た静電気によつて基板１，１の内面側に帯電が誘
発された。そして、この帯電した電荷チヤージが
過度の場合、基板１，１の内面の透明電極２，２
における帯電によつて液晶分子が励起され誤点灯
を生じたのである。
本考案は、以上の静電気発生に基づく従来問題
点を解決するためになされたものであり、上記静
電気の発生による過剰の帯電を防止しもつて液晶
表示素子の誤点灯を未然に防止することを目的と
するものである。
点を解決するためになされたものであり、上記静
電気の発生による過剰の帯電を防止しもつて液晶
表示素子の誤点灯を未然に防止することを目的と
するものである。
＜問題点を解決するための手段＞
本考案は、２枚の基板間に液晶を挟持してなる
液晶表示素子において、前記２枚の基板のうち少
なくとも一方の基板は、透明材中に導電性粒子あ
るいは電荷移動錯体を混入してなる低抵抗基板で
あり、該低抵抗基板を接地するとともに前記低抵
抗基板上に絶縁膜を介して表示電極が形成されて
いることを特徴とする。
液晶表示素子において、前記２枚の基板のうち少
なくとも一方の基板は、透明材中に導電性粒子あ
るいは電荷移動錯体を混入してなる低抵抗基板で
あり、該低抵抗基板を接地するとともに前記低抵
抗基板上に絶縁膜を介して表示電極が形成されて
いることを特徴とする。
＜作用＞
上記により、偏光板の表面で静電気が発生して
も、前記低抵抗基板上で電荷が分散するので部分
的に過度の電荷チヤージが生じないとともに、前
記低抵抗基板から電荷が空気中に放電されるので
静電気が防止される。
も、前記低抵抗基板上で電荷が分散するので部分
的に過度の電荷チヤージが生じないとともに、前
記低抵抗基板から電荷が空気中に放電されるので
静電気が防止される。
＜実施例＞
以下、本考案に係る液晶表示素子の一実施例を
第２図の概略構成を示す側面断面図を用いて詳細
に説明する。なお、第２図において第１図と同一
部分は一符号で示す。同図で９，９は低抵抗基板
であり、該低抵抗基板９，９はガラス、プラスチ
ツク等の透明材中に金属粒子、カーボン粒子（カ
ーボンブラツク）等の導電性粒子を混入してなる
基板、あるいは透明プラスチツク中にテトラシア
ノキニジメタン（TCNQ）、ポリ窒化サルホン
（（SN）2）等の電荷移動錯体を混入してなる基板
である。さらに、上記低抵抗基板９，９のうち少
なくとも一方は接地されている。１０，１０は上
記低抵抗基板９，９の内面側を絶縁するSiO2等
の絶縁膜である。上記基板９，９は上記混入材の
存在によつて抵抗値を低下させたものである。こ
の抵抗値は混入材の分量によつて左右されるが上
記基板９，９の体積抵抗値が108Ωcm以下、表面
抵抗値が108Ω以下であれば過剰の帯電を防止す
ることができる。この過剰の帯電が防止可能な理
由としては、基板が低抵抗を有する場合において
は偏光板７，７の表面を指、布等でこすり静電気
が発生したとしても基板面上で電荷が分散するの
で部分的に過度の電荷チヤージが生じないこと、
及び上記静電気が発生しても基板面から外気中に
放散される為、基板面に電荷が蓄積し難いことが
考えられる。
第２図の概略構成を示す側面断面図を用いて詳細
に説明する。なお、第２図において第１図と同一
部分は一符号で示す。同図で９，９は低抵抗基板
であり、該低抵抗基板９，９はガラス、プラスチ
ツク等の透明材中に金属粒子、カーボン粒子（カ
ーボンブラツク）等の導電性粒子を混入してなる
基板、あるいは透明プラスチツク中にテトラシア
ノキニジメタン（TCNQ）、ポリ窒化サルホン
（（SN）2）等の電荷移動錯体を混入してなる基板
である。さらに、上記低抵抗基板９，９のうち少
なくとも一方は接地されている。１０，１０は上
記低抵抗基板９，９の内面側を絶縁するSiO2等
の絶縁膜である。上記基板９，９は上記混入材の
存在によつて抵抗値を低下させたものである。こ
の抵抗値は混入材の分量によつて左右されるが上
記基板９，９の体積抵抗値が108Ωcm以下、表面
抵抗値が108Ω以下であれば過剰の帯電を防止す
ることができる。この過剰の帯電が防止可能な理
由としては、基板が低抵抗を有する場合において
は偏光板７，７の表面を指、布等でこすり静電気
が発生したとしても基板面上で電荷が分散するの
で部分的に過度の電荷チヤージが生じないこと、
及び上記静電気が発生しても基板面から外気中に
放散される為、基板面に電荷が蓄積し難いことが
考えられる。
また、新たに低抵抗物（導電体）を設けた場合
は、表示電極の周囲部などに前記低抵抗物がない
部分が生じることがあり、この部分で表示電極に
電荷がチヤージして誤点灯してしまうことがあ
る。しかし、本願考案では、基板自体を静電気防
止用の低抵抗基板としているので、表示電極に対
して低抵抗物がないところは存在せず、全ての透
明電極において電荷の帯電を防止できる。
は、表示電極の周囲部などに前記低抵抗物がない
部分が生じることがあり、この部分で表示電極に
電荷がチヤージして誤点灯してしまうことがあ
る。しかし、本願考案では、基板自体を静電気防
止用の低抵抗基板としているので、表示電極に対
して低抵抗物がないところは存在せず、全ての透
明電極において電荷の帯電を防止できる。
なお、上側の低抵抗基板９と下側の低抵抗基板
９とを電気的に接続すれば上側の低抵抗基板９と
下側の低抵抗基板９とが同電位になるので基板内
部が略同一電位の物体で覆われることになり上記
静電気の防止効果は向上する。
９とを電気的に接続すれば上側の低抵抗基板９と
下側の低抵抗基板９とが同電位になるので基板内
部が略同一電位の物体で覆われることになり上記
静電気の防止効果は向上する。
＜考案の効果＞
以上詳細に説明したように本考案によれば、液
晶層を挟持する基板に低抵抗基板を用いたことに
よつて、静電気防止用の低抵抗物を基板と兼用し
ているので、新たに低抵抗物を追加することな
く、液晶層に接する電極に静電気を要因とする過
剰の帯電が生ずることがなくなり、その為異常点
灯現象を防止できる有用な液晶表示素子を提供す
るものである。
晶層を挟持する基板に低抵抗基板を用いたことに
よつて、静電気防止用の低抵抗物を基板と兼用し
ているので、新たに低抵抗物を追加することな
く、液晶層に接する電極に静電気を要因とする過
剰の帯電が生ずることがなくなり、その為異常点
灯現象を防止できる有用な液晶表示素子を提供す
るものである。
第１図は従来のTNFEM液晶表示素子の概略
構成を示す側面断面図、第２図は本考案に係る液
晶表示素子の一実施例の概略構成を示す側面断面
図である。 １……基板、２……表示電極、３……配向膜、
４……スペーサ、５……液晶、６……シール、７
……偏光板、８……反射板、９……低抵抗基板、
１０……絶縁膜。
構成を示す側面断面図、第２図は本考案に係る液
晶表示素子の一実施例の概略構成を示す側面断面
図である。 １……基板、２……表示電極、３……配向膜、
４……スペーサ、５……液晶、６……シール、７
……偏光板、８……反射板、９……低抵抗基板、
１０……絶縁膜。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 ２枚の基板間に液晶を挟持してなる液晶表示素
子において、 前記２枚の基板のうち少なくとも一方の基板は
透明材中に導電性粒子あるいは電荷移動錯体を混
入してなる低抵抗基板であり、該低抵抗基板を接
地するとともに前記低抵抗基板上に絶縁膜を介し
て表示電極が形成されていることを特徴とする液
晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4903483U JPS59153526U (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4903483U JPS59153526U (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59153526U JPS59153526U (ja) | 1984-10-15 |
| JPH019935Y2 true JPH019935Y2 (ja) | 1989-03-20 |
Family
ID=30179549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4903483U Granted JPS59153526U (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59153526U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3210443B2 (ja) * | 1992-09-29 | 2001-09-17 | シチズン時計株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPH10133205A (ja) * | 1996-11-05 | 1998-05-22 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5582627U (ja) * | 1978-11-30 | 1980-06-07 | ||
| JPS5814338U (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-28 | 藤井 睦彦 | 重合包装袋 |
| JPS5821118U (ja) * | 1981-08-03 | 1983-02-09 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1983
- 1983-03-30 JP JP4903483U patent/JPS59153526U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59153526U (ja) | 1984-10-15 |
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