JPH02101158A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH02101158A JPH02101158A JP25076388A JP25076388A JPH02101158A JP H02101158 A JPH02101158 A JP H02101158A JP 25076388 A JP25076388 A JP 25076388A JP 25076388 A JP25076388 A JP 25076388A JP H02101158 A JPH02101158 A JP H02101158A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering
- filament
- anode
- disposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 1
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 description 1
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/354—Introduction of auxiliary energy into the plasma
- C23C14/355—Introduction of auxiliary energy into the plasma using electrons, e.g. triode sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記録材料等に用いられる薄膜形成用の正極
スパッタリンクンースを有するスパッタリング装置に関
するものである。
スパッタリンクンースを有するスパッタリング装置に関
するものである。
スパッタリングによる薄膜形成には、種々の方式があり
また多様の装置が用いられているが、生産性及び膜質の
向上を図る１、：めに現在マグネト［］ン型のスパッタ
リング装「・′スが主流どなって来でいる。
また多様の装置が用いられているが、生産性及び膜質の
向上を図る１、：めに現在マグネト［］ン型のスパッタ
リング装「・′スが主流どなって来でいる。
しかしながら、マグネ１〜【］ン３１１のスパッタリン
グ装置ではターゲットの損傷が局部的に発生ずるためタ
ーグツ１〜の利用効率が低い。又強磁性体ターグツ１〜
を用いる場合には該ターグツ１〜により磁界が影響を受
け、所望り−る磁界状態を良好に保つことが困難になる
ためターグツ１〜の厚みを薄くするか、もしくは磁場強
度を高くしなりればならないなどの欠員を有している。
グ装置ではターゲットの損傷が局部的に発生ずるためタ
ーグツ１〜の利用効率が低い。又強磁性体ターグツ１〜
を用いる場合には該ターグツ１〜により磁界が影響を受
け、所望り−る磁界状態を良好に保つことが困難になる
ためターグツ１〜の厚みを薄くするか、もしくは磁場強
度を高くしなりればならないなどの欠員を有している。
このような欠点を改狽できるものとしで三極スパッタリ
ングソースを用いＩこスパッタリング装置が注目され各
７ｊ面の応用が検１寸されている。
ングソースを用いＩこスパッタリング装置が注目され各
７ｊ面の応用が検１寸されている。
この＝ｉスパッタリングソースを具備したスパッタリン
グ装置は、例えば特開昭６１−２６１１１７６号舌に開
示され（いるように、ターゲット電極と、クーグツ１〜
の一側に配されＩＣＣフィンン１〜と、このフィラメン
１〜に対向したアノードとの三極を有し、かつ、前記ア
ノードと前記フイラメン１へ間の電界に直交する磁界を
生じる磁石を備え、さらに、二極スパッタリングソース
内にプラズマを閉じ込める適宜構造を右している。、Ｉ
、７ｊがつ（、スパッタ収量（率）を向］二さＵること
ができる。。
グ装置は、例えば特開昭６１−２６１１１７６号舌に開
示され（いるように、ターゲット電極と、クーグツ１〜
の一側に配されＩＣＣフィンン１〜と、このフィラメン
１〜に対向したアノードとの三極を有し、かつ、前記ア
ノードと前記フイラメン１へ間の電界に直交する磁界を
生じる磁石を備え、さらに、二極スパッタリングソース
内にプラズマを閉じ込める適宜構造を右している。、Ｉ
、７ｊがつ（、スパッタ収量（率）を向］二さＵること
ができる。。
（発明が解決しようどする課題）
しかしながら三極スパッタリングソースを用いたスパッ
タリング装置においＣム、フｒノメンｈに近い位置のタ
ーゲットの損１！２ （消耗）が大きく、この損傷の不
均一は他のマグネト（］ン型のスパッタリング装置にお
ける程ではないが、磁気記録月利の磁性体の成躾萌の再
現性にとつＣ問題となる。。
タリング装置においＣム、フｒノメンｈに近い位置のタ
ーゲットの損１！２ （消耗）が大きく、この損傷の不
均一は他のマグネト（］ン型のスパッタリング装置にお
ける程ではないが、磁気記録月利の磁性体の成躾萌の再
現性にとつＣ問題となる。。
近年、光磁気記録媒体や磁気記録月利の分野においで、
合金ターゲラｈ化が困難イヌ月１ｍｌでの要求から、ク
ーグツ１−どしての母料の中にチップ状の別月料を分散
配置した複合ターグツ１へがしばしば用いられるが」一
連した１０傷の不均一は、特にこの様なり−グツ１−を
用いたとぎに膜１！Ｉ竹のばらつきを生ずる原因となっ
ていた。
合金ターゲラｈ化が困難イヌ月１ｍｌでの要求から、ク
ーグツ１−どしての母料の中にチップ状の別月料を分散
配置した複合ターグツ１へがしばしば用いられるが」一
連した１０傷の不均一は、特にこの様なり−グツ１−を
用いたとぎに膜１！Ｉ竹のばらつきを生ずる原因となっ
ていた。
本発明の目的は二極スパッタリングソースを備えた装置
において、従来以上にクーグツｉ−の部分消耗を防ぎ、
クーグツ１〜材利のＥｂ利用効率化を図ると共に成膜１
時の再現性を高めることのできるスパッタリング装置を
提供することにある、。
において、従来以上にクーグツｉ−の部分消耗を防ぎ、
クーグツ１〜材利のＥｂ利用効率化を図ると共に成膜１
時の再現性を高めることのできるスパッタリング装置を
提供することにある、。
本発明の上記［１的は、薄膜が形成される基板に対向づ
−るように配置１胃されたターゲットと該ターグツ１へ
の一側に配されに）ｒシメントと該フイラメン１〜に対
向Ｊる側に説りられたアノードと、該アノードと前記フ
ィシメント間に発生する電界と直交りる磁界を発生づる
磁イ１とから成る×極スパッタリングソース４［１協し
たスパッタリング装「１においで、前式己ターグツ１〜
をクーグツ１−表面に沿って回ｉ１＋スさせるように構
成したことを特徴とするスパッタリング装（５によつＣ
′）１．成される。
−るように配置１胃されたターゲットと該ターグツ１へ
の一側に配されに）ｒシメントと該フイラメン１〜に対
向Ｊる側に説りられたアノードと、該アノードと前記フ
ィシメント間に発生する電界と直交りる磁界を発生づる
磁イ１とから成る×極スパッタリングソース４［１協し
たスパッタリング装「１においで、前式己ターグツ１〜
をクーグツ１−表面に沿って回ｉ１＋スさせるように構
成したことを特徴とするスパッタリング装（５によつＣ
′）１．成される。
以下、本発明の一実施態様を第１図及び第２図を用いて
説明する５゜ 第１図は本発明の模式的構成図の側面図であり、第２図
は平面図である。
説明する５゜ 第１図は本発明の模式的構成図の側面図であり、第２図
は平面図である。
第１図に示ずように、真空チャンバー１内に、薄膜が形
成される基板３ど三極スパックリングソース４が、上下
に所定間隔をありで配されている。前記基板３は前記真
空ブ＼・ンバー１の１一方に設けられた基板ホルダー２
に支えられアースされている。前記三極スパッタリング
ソース１はそのほぼ中央に円盤状のターグツ１へりを右
し、前記ターグツ１〜５の一側にはタングステンあるい
はタンタル等からなりヂ１７ンバー外のフィシメン１〜
電源１１に接続されたフィラメン１−〇が設りられ、前
記フィラメン１〜６に対向りる側にはアノードバイアス
電ｍ１２によつで正電位にバイアスされで熱電子を誘導
するアノード７が設（）られ、アノード近傍にはガスボ
ンベ１０からのガス導入部９が設（）られており、更に
これら各部月は前記ターグツ１〜５の間口一部を残して
アルミニウムなどの導電体から成るカバー８で覆われた
構造となっている。
成される基板３ど三極スパックリングソース４が、上下
に所定間隔をありで配されている。前記基板３は前記真
空ブ＼・ンバー１の１一方に設けられた基板ホルダー２
に支えられアースされている。前記三極スパッタリング
ソース１はそのほぼ中央に円盤状のターグツ１へりを右
し、前記ターグツ１〜５の一側にはタングステンあるい
はタンタル等からなりヂ１７ンバー外のフィシメン１〜
電源１１に接続されたフィラメン１−〇が設りられ、前
記フィラメン１〜６に対向りる側にはアノードバイアス
電ｍ１２によつで正電位にバイアスされで熱電子を誘導
するアノード７が設（）られ、アノード近傍にはガスボ
ンベ１０からのガス導入部９が設（）られており、更に
これら各部月は前記ターグツ１〜５の間口一部を残して
アルミニウムなどの導電体から成るカバー８で覆われた
構造となっている。
また、前記アノード７と前記フィラメンｌ−６１７ｔ１
に発生する電界どはぼ直交Ｊる磁界を発生するように前
記ターゲット５の両側には第２図に示すように永久磁石
１６ａ 、 １６ｂ ｈ＜設（）られ−Ｃいる。この構
成によりプラズマの前記′：、極スパッタリングソース
４内への閉じ込めがより完全４ｒものとなり、極めでイ
■れた低温高速スパッタリングができる。
に発生する電界どはぼ直交Ｊる磁界を発生するように前
記ターゲット５の両側には第２図に示すように永久磁石
１６ａ 、 １６ｂ ｈ＜設（）られ−Ｃいる。この構
成によりプラズマの前記′：、極スパッタリングソース
４内への閉じ込めがより完全４ｒものとなり、極めでイ
■れた低温高速スパッタリングができる。
−ト述の範囲においては従宋駁ｆｌｖｌど同様であるが
、本発明のＱ’：ｒ ｍは、このＪ： ）＜Ｉ−前記三
極スパックリングソース１において、前記ターグツ１〜
５を前記真空ヂトンバー１の外部に段りた駆動手段によ
り、回転Ｊるようにした構造にある。この回転構造は、
例えば前記クーグツ１−５の中心を支える軸１６が、適
当な回転比のギア１４ａ 、 １４ｂを介して間接的に
七−タ１５によって前記ターゲット５を水平に回転させ
る構造ど４丁つている。前記ターゲット５の回転数は４
？ｉに限定づるものではなく、電界及び磁界の強度や前
記ターグツｉ〜５の素材などの諸条件ににつて決定して
もよい。
、本発明のＱ’：ｒ ｍは、このＪ： ）＜Ｉ−前記三
極スパックリングソース１において、前記ターグツ１〜
５を前記真空ヂトンバー１の外部に段りた駆動手段によ
り、回転Ｊるようにした構造にある。この回転構造は、
例えば前記クーグツ１−５の中心を支える軸１６が、適
当な回転比のギア１４ａ 、 １４ｂを介して間接的に
七−タ１５によって前記ターゲット５を水平に回転させ
る構造ど４丁つている。前記ターゲット５の回転数は４
？ｉに限定づるものではなく、電界及び磁界の強度や前
記ターグツｉ〜５の素材などの諸条件ににつて決定して
もよい。
又、前記ギア１４ａ 、 １４ｂの代りに変速ギア等を
設りた構成とりることｂでさる。。
設りた構成とりることｂでさる。。
なお、前記ターグツｌ−５は、前記軸１６を介し一〇タ
ーゲッ１〜電源に繋げられているのＣ１前記を夕１５ど
前記ターグツ１〜電源とを絶縁りるために、前記ギア１
４ａ 、 １４ｂの少なくとも一方がしラミック等の絶
縁部材により構成されている。
ーゲッ１〜電源に繋げられているのＣ１前記を夕１５ど
前記ターグツ１〜電源とを絶縁りるために、前記ギア１
４ａ 、 １４ｂの少なくとも一方がしラミック等の絶
縁部材により構成されている。
本態様のように構成されノζ装置によるスパッタリング
は、前記ガスボンベ１０から前記ガス導入部９を介して
前記三極スパッタリングソース１内（ご導入されたアル
ゴン等のガスが熱？ｈ了にＪ、゛、）Ｃプラズマ化され
、これが前記ターゲット５に印加される負の直流電圧、
若しくは負にバイアスされた高周波電力ににり前記ター
グツ１へ５をボンバードづる過程で行われる。この方法
ではプラズマが前記三極スパッタリングソース４内に殆
ど閉じ込められるので、高いスパッタ収ｆ６が効率良＜
１！１られる。ざらに、前記モータ１５によって前記タ
ーグツ１〜５を回転さＵることににす、前記ターゲット
５の各部分の前記フイラメンｉ−６に対Ｊる位置関係が
同じ条ｆ１どなり前記ターゲット５の不均一イに消耗を
回避づることができる、したがつ“Ｃ１前記クーグツ１
へ５の利用効率は従来に比へて極めて高くなり、又、前
記ターグツ１〜５の利用がイの仝而にて平均的に４ｆる
ことにより、特に複含月におい（、メ−； ＋Ａ ｉ、
ニス・１りる成膜の１１１現ｆ＋を向ＩＪることがて゛
さ る ３゜ 〔発明の効果〕 上記の如く本発明のスパッタリング装″１１は、三極ス
パッタリングソースにおいて、クーゲットを回転さυる
機構を配設したのＣ、ターグツ１〜表面にＣ３４Ｊるス
パック条件が均一化でき、ターゲットの部分消耗が常に
ターグツ１〜の全面において均等に行われ、クーゲット
の部分層Ｊ［が防がれ、ターゲッｌ〜々Ａ斜のｌ「口利
用効率化が実現されてターグツ１ヘズ♂命が長くイより
、−］ススミ−ダウに貢献するＱとができ、さらに、タ
ーグツ１〜表面全域を均等にスパッタできることにより
成膜の再現性を高め、膜質の向−にを図ることがで゛ぎ
た。
は、前記ガスボンベ１０から前記ガス導入部９を介して
前記三極スパッタリングソース１内（ご導入されたアル
ゴン等のガスが熱？ｈ了にＪ、゛、）Ｃプラズマ化され
、これが前記ターゲット５に印加される負の直流電圧、
若しくは負にバイアスされた高周波電力ににり前記ター
グツ１へ５をボンバードづる過程で行われる。この方法
ではプラズマが前記三極スパッタリングソース４内に殆
ど閉じ込められるので、高いスパッタ収ｆ６が効率良＜
１！１られる。ざらに、前記モータ１５によって前記タ
ーグツ１〜５を回転さＵることににす、前記ターゲット
５の各部分の前記フイラメンｉ−６に対Ｊる位置関係が
同じ条ｆ１どなり前記ターゲット５の不均一イに消耗を
回避づることができる、したがつ“Ｃ１前記クーグツ１
へ５の利用効率は従来に比へて極めて高くなり、又、前
記ターグツ１〜５の利用がイの仝而にて平均的に４ｆる
ことにより、特に複含月におい（、メ−； ＋Ａ ｉ、
ニス・１りる成膜の１１１現ｆ＋を向ＩＪることがて゛
さ る ３゜ 〔発明の効果〕 上記の如く本発明のスパッタリング装″１１は、三極ス
パッタリングソースにおいて、クーゲットを回転さυる
機構を配設したのＣ、ターグツ１〜表面にＣ３４Ｊるス
パック条件が均一化でき、ターゲットの部分消耗が常に
ターグツ１〜の全面において均等に行われ、クーゲット
の部分層Ｊ［が防がれ、ターゲッｌ〜々Ａ斜のｌ「口利
用効率化が実現されてターグツ１ヘズ♂命が長くイより
、−］ススミ−ダウに貢献するＱとができ、さらに、タ
ーグツ１〜表面全域を均等にスパッタできることにより
成膜の再現性を高め、膜質の向−にを図ることがで゛ぎ
た。
第１図は本発明のスパッタリング装置の一実施例の模式
的構成図の側面図、第２図は第１図に示Ｊススバッタリ
ング装置におりる三極スパッタリングソースの概略型「
１１図Ｃある。 １・・・真空Ｊトンバー ２・・・基板ホルダ、３・
・・１；Ｌ 板、 ４・・・三極スパッタリングソース、 ５・・・ターグツ１〜、 ６川−ノイレメン１〜．
７・・・アノード、 ８・・・カバ９・・・ガ
ス導入部、 １０・・ガスボンへ、１１・・・フィ
ラメン１〜電源、 １２・・・アノードバイアス電汎）、 １３・・・ターグツ１〜電源、 １４ン＋ 、 １４ｂ
・・・１ｒア、１５・・・モータ、 １６ａ
、 ＩＧｂ・・・永久磁石５゜代 理 人 弁理士
（８１０７）仏−々木 Ｗ】 隆（他３名） ９〕
的構成図の側面図、第２図は第１図に示Ｊススバッタリ
ング装置におりる三極スパッタリングソースの概略型「
１１図Ｃある。 １・・・真空Ｊトンバー ２・・・基板ホルダ、３・
・・１；Ｌ 板、 ４・・・三極スパッタリングソース、 ５・・・ターグツ１〜、 ６川−ノイレメン１〜．
７・・・アノード、 ８・・・カバ９・・・ガ
ス導入部、 １０・・ガスボンへ、１１・・・フィ
ラメン１〜電源、 １２・・・アノードバイアス電汎）、 １３・・・ターグツ１〜電源、 １４ン＋ 、 １４ｂ
・・・１ｒア、１５・・・モータ、 １６ａ
、 ＩＧｂ・・・永久磁石５゜代 理 人 弁理士
（８１０７）仏−々木 Ｗ】 隆（他３名） ９〕
Claims (1)
- 薄膜が形成される基板に対向するように配置されたター
ゲットと、該ターゲットの一側に配されたフィラメント
と該フィラメントに対向する側に設けられたアノードと
、該アノードと前記フィラメント間に発生する電界と直
交する磁界を発生する磁石とから成る三極スパッタリン
グソースを具備したスパッタリング装置において、前記
ターゲットをターゲット表面に沿って回転させるように
構成したことを特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25076388A JPH02101158A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25076388A JPH02101158A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02101158A true JPH02101158A (ja) | 1990-04-12 |
Family
ID=17212678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25076388A Pending JPH02101158A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02101158A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013241652A (ja) * | 2012-05-21 | 2013-12-05 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 成膜装置 |
| US9771647B1 (en) * | 2008-12-08 | 2017-09-26 | Michael A. Scobey | Cathode assemblies and sputtering systems |
| US11479847B2 (en) | 2020-10-14 | 2022-10-25 | Alluxa, Inc. | Sputtering system with a plurality of cathode assemblies |
-
1988
- 1988-10-06 JP JP25076388A patent/JPH02101158A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9771647B1 (en) * | 2008-12-08 | 2017-09-26 | Michael A. Scobey | Cathode assemblies and sputtering systems |
| US10801102B1 (en) | 2008-12-08 | 2020-10-13 | Alluxa, Inc. | Cathode assemblies and sputtering systems |
| JP2013241652A (ja) * | 2012-05-21 | 2013-12-05 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 成膜装置 |
| US11479847B2 (en) | 2020-10-14 | 2022-10-25 | Alluxa, Inc. | Sputtering system with a plurality of cathode assemblies |
| US11932932B2 (en) | 2020-10-14 | 2024-03-19 | Alluxa, Inc. | Sputtering system with a plurality of cathode assemblies |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2556637B2 (ja) | マグネトロン陰極による基板への成膜装置 | |
| JPH07166346A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JPH0669026B2 (ja) | 半導体処理装置 | |
| JP3471200B2 (ja) | スパッタリング装置のターゲット構造 | |
| JPH11158625A (ja) | マグネトロンスパッタ成膜装置 | |
| JPH02101158A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP3100837B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH0525625A (ja) | マグネトロンスパツタカソード | |
| JP2001020067A (ja) | スパッタ方法及び装置 | |
| JPH0352535B2 (ja) | ||
| JP2902822B2 (ja) | プレーナ形マグネトロンスパッタ電極 | |
| JPH0257144B2 (ja) | ||
| GB2393321A (en) | Plasma generation | |
| JP2000282235A (ja) | マグネトロンスパッタリング方法および装置 | |
| JPS63247366A (ja) | マグネトロンスパツタ装置 | |
| JP3414667B2 (ja) | マグネトロンスパッタ方法 | |
| JPH0774441B2 (ja) | イオンビ−ムスパツタ装置 | |
| KR100963413B1 (ko) | 마그네트론 스퍼터링 장치 | |
| JPS63243272A (ja) | マグネトロン・スパツタリング方法 | |
| JPH01111870A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP3038287B2 (ja) | 薄膜作成装置 | |
| JP2789251B2 (ja) | ダイポールリング型磁気回路を用いたスパッタ装置 | |
| JPH0610347B2 (ja) | 三極スパツタリングソ−ス | |
| JP3778501B2 (ja) | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 | |
| JPS63468A (ja) | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |