JPH07166346A - マグネトロンスパッタリング装置 - Google Patents
マグネトロンスパッタリング装置Info
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- JPH07166346A JPH07166346A JP31213393A JP31213393A JPH07166346A JP H07166346 A JPH07166346 A JP H07166346A JP 31213393 A JP31213393 A JP 31213393A JP 31213393 A JP31213393 A JP 31213393A JP H07166346 A JPH07166346 A JP H07166346A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁石を変更することなく膜厚分布の充分な調
整を行なえ、しかもターゲットの全面をスパッタできる
永久磁石を使用したマグネトロンスパッタリング装置を
提供すること 【構成】 基板５と対向してターゲット６を設け、該タ
ーゲットの背後にこれに沿って回転する複数個の永久磁
石８を設けて該ターゲットの前方に閉ループの磁界１６
を形成するマグネトロンスパッタリング装置に於いて、
該複数個の永久磁石を、そのターゲットの背面の中心部
寄りと対向する側において該背面に対して接近離反自在
に設ける。該複数個の永久磁石とターゲットとの間に部
分的に磁性体１７を介在させて該ターゲットの表面の磁
界強度を部分的に弱める 【効果】 ターゲットの中心部分の磁界を弱めて自在に
膜厚分布を調整することができ、永久磁石の設計を変更
する必要もなく接近離反させる構成も簡単で比較的安価
に製作できる
整を行なえ、しかもターゲットの全面をスパッタできる
永久磁石を使用したマグネトロンスパッタリング装置を
提供すること 【構成】 基板５と対向してターゲット６を設け、該タ
ーゲットの背後にこれに沿って回転する複数個の永久磁
石８を設けて該ターゲットの前方に閉ループの磁界１６
を形成するマグネトロンスパッタリング装置に於いて、
該複数個の永久磁石を、そのターゲットの背面の中心部
寄りと対向する側において該背面に対して接近離反自在
に設ける。該複数個の永久磁石とターゲットとの間に部
分的に磁性体１７を介在させて該ターゲットの表面の磁
界強度を部分的に弱める 【効果】 ターゲットの中心部分の磁界を弱めて自在に
膜厚分布を調整することができ、永久磁石の設計を変更
する必要もなく接近離反させる構成も簡単で比較的安価
に製作できる
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主として半導体や電子
機器の製造工程で基板上に薄膜を形成するために使用さ
れるマグネトロンスパッタリング装置に関する。
機器の製造工程で基板上に薄膜を形成するために使用さ
れるマグネトロンスパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体や電子機器の製造工程に於いて、
薄膜を基板上に形成する場合、取扱いの容易さや制御性
の良さからマグネトロンスパッタリング法が多く利用さ
れている。これに使用されている装置の概略は図１に示
す如くであり、真空槽ａ内に基板ｂと成膜させたい物質
の円形や長方形のターゲットｃとを対向させて配置し、
該真空槽ａ内にはＡｒ等の放電ガスを放電ガス導入口ｉ
から導入すると共に該真空槽ａ内を真空排気口ｊから排
気して一定の減圧状態に維持し、ターゲットｃ側に負電
圧を印加して放電を起こさせる。この放電により発生し
たガス分子（イオン）が負電圧で加速されてターゲット
ｃに入射し、ターゲット表面の原子を叩き出し、余弦法
則によって四方へ飛出していく原子の一部が基板ｂ上に
堆積して薄膜を形成する。ｈはターゲット電極、ｋは直
流電源、ｌは基板ホルダ、ｍは磁力線を示す。該ターゲ
ットｃの背後には磁石ｄを配し、これでターゲットｃの
前方に電子を拘束する磁場を形成してマグネトロン放電
を発生させ、成膜速度を高めている。磁石ｄとしては、
永久磁石或は電磁石が用いられるが、ターゲット表面で
の磁場のターゲット表面に対する垂直成分が０になる位
置（図中Ａ点）が最も放電の効率が高く、Ａ点の周辺の
ターゲットが最も多くスパッタされる。通常、この部分
はエロージョン領域と呼ばれている。この部分で、電子
はＥ×Ｂドリフトを行ないながら徐々に電離が進んでい
く。磁場は閉ループになるように作らないと、エロージ
ョン領域でイオンの密度分布差が生じてしまう。開ルー
プの磁場を作ると、閉ループの場合に比べて低い圧力で
放電が起こりにくいという結果になる。
薄膜を基板上に形成する場合、取扱いの容易さや制御性
の良さからマグネトロンスパッタリング法が多く利用さ
れている。これに使用されている装置の概略は図１に示
す如くであり、真空槽ａ内に基板ｂと成膜させたい物質
の円形や長方形のターゲットｃとを対向させて配置し、
該真空槽ａ内にはＡｒ等の放電ガスを放電ガス導入口ｉ
から導入すると共に該真空槽ａ内を真空排気口ｊから排
気して一定の減圧状態に維持し、ターゲットｃ側に負電
圧を印加して放電を起こさせる。この放電により発生し
たガス分子（イオン）が負電圧で加速されてターゲット
ｃに入射し、ターゲット表面の原子を叩き出し、余弦法
則によって四方へ飛出していく原子の一部が基板ｂ上に
堆積して薄膜を形成する。ｈはターゲット電極、ｋは直
流電源、ｌは基板ホルダ、ｍは磁力線を示す。該ターゲ
ットｃの背後には磁石ｄを配し、これでターゲットｃの
前方に電子を拘束する磁場を形成してマグネトロン放電
を発生させ、成膜速度を高めている。磁石ｄとしては、
永久磁石或は電磁石が用いられるが、ターゲット表面で
の磁場のターゲット表面に対する垂直成分が０になる位
置（図中Ａ点）が最も放電の効率が高く、Ａ点の周辺の
ターゲットが最も多くスパッタされる。通常、この部分
はエロージョン領域と呼ばれている。この部分で、電子
はＥ×Ｂドリフトを行ないながら徐々に電離が進んでい
く。磁場は閉ループになるように作らないと、エロージ
ョン領域でイオンの密度分布差が生じてしまう。開ルー
プの磁場を作ると、閉ループの場合に比べて低い圧力で
放電が起こりにくいという結果になる。
【０００３】磁石ｄとして電磁石を用いた電磁石カソー
ドでは、磁場を発生させるコイルを２重或は３重とし、
夫々のコイルに流す電流の向きや大きさを制御してエロ
ージョン領域の位置や面積を変えることができる。その
ため、ターゲットｃの表面全域をスパッタすることが可
能である。また、電流の制御を最適化することにより、
基板に形成される膜厚を均一化することができる。
ドでは、磁場を発生させるコイルを２重或は３重とし、
夫々のコイルに流す電流の向きや大きさを制御してエロ
ージョン領域の位置や面積を変えることができる。その
ため、ターゲットｃの表面全域をスパッタすることが可
能である。また、電流の制御を最適化することにより、
基板に形成される膜厚を均一化することができる。
【０００４】磁石ｄに永久磁石を用いると、上記の電磁
石のような制御ができないため、図２、図３の断面図に
示すように、永久磁石を動かすことにより同様な効果が
得られるようにしている。図２は永久磁石を扇形のエロ
ージョン領域が得られるように扇形部を有する内側磁石
ｅと外側磁石ｆを組んだもので、扇形部の円弧の中心を
回転中心ｇとしてターゲット電極ｈに対して回転させる
ことにより、扇形のエロージョン領域がターゲットｃの
表面全面を移動し、表面全域がスパッタされる。該扇形
部の中心角（円弧の長さ）を調整することにより、膜厚
分布の調整ができる。図３の場合は、円環状の内側磁石
ｎと外側磁石ｏとを組み、これをターゲット電極ｈに対
し偏心回転させることで環状のエロージョン領域がター
ゲットｃの表面全面を移動し、表面全域がスパッタされ
る。偏心量を変えると、わずかではあるが、膜厚分布の
調整も行なえる。
石のような制御ができないため、図２、図３の断面図に
示すように、永久磁石を動かすことにより同様な効果が
得られるようにしている。図２は永久磁石を扇形のエロ
ージョン領域が得られるように扇形部を有する内側磁石
ｅと外側磁石ｆを組んだもので、扇形部の円弧の中心を
回転中心ｇとしてターゲット電極ｈに対して回転させる
ことにより、扇形のエロージョン領域がターゲットｃの
表面全面を移動し、表面全域がスパッタされる。該扇形
部の中心角（円弧の長さ）を調整することにより、膜厚
分布の調整ができる。図３の場合は、円環状の内側磁石
ｎと外側磁石ｏとを組み、これをターゲット電極ｈに対
し偏心回転させることで環状のエロージョン領域がター
ゲットｃの表面全面を移動し、表面全域がスパッタされ
る。偏心量を変えると、わずかではあるが、膜厚分布の
調整も行なえる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】磁石ｄが電磁石である
と、これの電流量や電流方向を変えるだけでハードウエ
アの変更なしに様々な径のエロージョン領域を形成でき
ることが最大のメリットであるが、電磁石を回転させる
ことが難しくターゲットｃの中心部分がスパッタされな
いという欠点がある。このようなスパッタされない部分
には、エロージョン領域でスパッタされた原子が堆積
し、これが剥がれ落ちてダストとなり、膜質を低下させ
てしまうので好ましくない。また、電磁石は、強い磁界
を発生させるために大きなコイルを必要とし、体積、質
量とも永久磁石に比べて大きくなる。さらに、電流の制
御回路が必要でコストの面でも高くなる。
と、これの電流量や電流方向を変えるだけでハードウエ
アの変更なしに様々な径のエロージョン領域を形成でき
ることが最大のメリットであるが、電磁石を回転させる
ことが難しくターゲットｃの中心部分がスパッタされな
いという欠点がある。このようなスパッタされない部分
には、エロージョン領域でスパッタされた原子が堆積
し、これが剥がれ落ちてダストとなり、膜質を低下させ
てしまうので好ましくない。また、電磁石は、強い磁界
を発生させるために大きなコイルを必要とし、体積、質
量とも永久磁石に比べて大きくなる。さらに、電流の制
御回路が必要でコストの面でも高くなる。
【０００６】磁石ｄが永久磁石の場合は、電磁石のよう
な問題はないが、エロージョン領域の径を変更するには
ハードウエアの変更が必要である。例えば、図２の場
合、膜厚分布を制御するためには扇形の角度（円弧の長
さ）を調整する必要があり、最適な膜厚分布を得るため
に幾つかの磁石を作って実験しなければならず、これは
手間とコストがかかりすぎて好ましくない。また、図３
の場合、磁石ｄを固定して放電させるとターゲットｃの
表面には円形のエロージョン領域が形成され、該磁石を
偏心回転させることによって、ターゲット表面でのエロ
ージョン領域の滞在時間から、同心円状の２つのエロー
ジョン領域が出来上がる。この場合のターゲットｃの断
面形状は図４に示す如くであり、内側のエロージョン領
域と外側のエロージョン領域のスパッタ量はほぼ同じと
なり、そのため膜厚分布は基板の中央付近が厚く、周辺
部にいくほど薄くなる。分布の調整は磁石の偏心量の変
更によってもできるが、わずかな調整しかできず、基本
的には磁石の径を変えなくてはならないのでその調整は
簡単でない。
な問題はないが、エロージョン領域の径を変更するには
ハードウエアの変更が必要である。例えば、図２の場
合、膜厚分布を制御するためには扇形の角度（円弧の長
さ）を調整する必要があり、最適な膜厚分布を得るため
に幾つかの磁石を作って実験しなければならず、これは
手間とコストがかかりすぎて好ましくない。また、図３
の場合、磁石ｄを固定して放電させるとターゲットｃの
表面には円形のエロージョン領域が形成され、該磁石を
偏心回転させることによって、ターゲット表面でのエロ
ージョン領域の滞在時間から、同心円状の２つのエロー
ジョン領域が出来上がる。この場合のターゲットｃの断
面形状は図４に示す如くであり、内側のエロージョン領
域と外側のエロージョン領域のスパッタ量はほぼ同じと
なり、そのため膜厚分布は基板の中央付近が厚く、周辺
部にいくほど薄くなる。分布の調整は磁石の偏心量の変
更によってもできるが、わずかな調整しかできず、基本
的には磁石の径を変えなくてはならないのでその調整は
簡単でない。
【０００７】本発明は、磁石を変更することなく膜厚分
布の充分な調整を行なえ、しかもターゲットの全面をス
パッタできる永久磁石を使用したマグネトロンスパッタ
リング装置を提供することを目的とするものである。
布の充分な調整を行なえ、しかもターゲットの全面をス
パッタできる永久磁石を使用したマグネトロンスパッタ
リング装置を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明では、基板と対向
してターゲットを設け、該ターゲットの背後にこれに沿
って回転する複数個の永久磁石を設けて該ターゲットの
前方に閉ループの磁界を形成するマグネトロンスパッタ
リング装置に於いて、該複数個の永久磁石を、そのター
ゲットの背面の中心部寄りと対向する側において該背面
に対して接近離反自在に設けることにより、上記の目的
を達成するようにした。また、上記の目的の一部は、該
複数個の永久磁石とターゲットとの間に部分的に磁性体
を介在させて該ターゲットの表面の磁界強度を部分的に
弱めることによっても達成できる。
してターゲットを設け、該ターゲットの背後にこれに沿
って回転する複数個の永久磁石を設けて該ターゲットの
前方に閉ループの磁界を形成するマグネトロンスパッタ
リング装置に於いて、該複数個の永久磁石を、そのター
ゲットの背面の中心部寄りと対向する側において該背面
に対して接近離反自在に設けることにより、上記の目的
を達成するようにした。また、上記の目的の一部は、該
複数個の永久磁石とターゲットとの間に部分的に磁性体
を介在させて該ターゲットの表面の磁界強度を部分的に
弱めることによっても達成できる。
【０００９】
【作用】通常のスパッタリングと同様に真空槽内に放電
ガスを導入して減圧状態を維持し、ターゲット電極に負
電圧を印加すると、ターゲットの背後で回転する永久磁
石の磁界の作用によりマグネトロン放電が発生するが、
該永久磁石のターゲットの背面の中心部寄りと対向する
側を該背面に対して接近離反させて該永久磁石を傾斜さ
せることにより、或は該永久磁石とターゲットの間に介
在する磁性体の厚さを変更することにより、ターゲット
表面の内側と外側で有効磁界を変えてイオンの分布を変
えることができ、スパッタ量はイオン量に比例するので
エロージョン領域を変更して永久磁石では通常はスパッ
タされにくいターゲットの中心部をスパッタすることが
でき、かくて、ターゲット全面をスパッタすると共に膜
厚分布の自在な調整を行なえる。
ガスを導入して減圧状態を維持し、ターゲット電極に負
電圧を印加すると、ターゲットの背後で回転する永久磁
石の磁界の作用によりマグネトロン放電が発生するが、
該永久磁石のターゲットの背面の中心部寄りと対向する
側を該背面に対して接近離反させて該永久磁石を傾斜さ
せることにより、或は該永久磁石とターゲットの間に介
在する磁性体の厚さを変更することにより、ターゲット
表面の内側と外側で有効磁界を変えてイオンの分布を変
えることができ、スパッタ量はイオン量に比例するので
エロージョン領域を変更して永久磁石では通常はスパッ
タされにくいターゲットの中心部をスパッタすることが
でき、かくて、ターゲット全面をスパッタすると共に膜
厚分布の自在な調整を行なえる。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づき説明すると、
図５に於いて、符号１は真空ポンプに接続される真空排
気口２とＡｒガス等の放電ガスを導入する導入口３とを
備えた真空槽を示し、該真空槽１の内部には、基板ホル
ダ４に支持されたシリコンウエハ等の基板５と成膜させ
たい物質から成る円形や長方形のターゲット６とが対向
して配置される。該ターゲット６は直流電源１８或は高
周波電源に接続されたターゲット電極７上に固定され
る。該ターゲット６の背後にはベース９に取付けた複数
個の永久磁石８が該ターゲット６に沿って回転自在に設
けられ、該ターゲット６の表面を巡る閉ループの磁界１
６を形成する。この永久磁石８は、図６に示す如く、円
板状の内側磁石８ａとこれを等間隔の間隔１０を存して
囲む円環状の外側磁石８ｂの２個で構成し、その中心を
ターゲット６の中心１１に対して偏心させ、該中心１１
を中心に回転されるようにした。該永久磁石８は大小の
環状の３個以上を使用して３重以上の円環状に構成する
ことも可能であり、内側磁石８ａは環状に構成すること
も可能である。
図５に於いて、符号１は真空ポンプに接続される真空排
気口２とＡｒガス等の放電ガスを導入する導入口３とを
備えた真空槽を示し、該真空槽１の内部には、基板ホル
ダ４に支持されたシリコンウエハ等の基板５と成膜させ
たい物質から成る円形や長方形のターゲット６とが対向
して配置される。該ターゲット６は直流電源１８或は高
周波電源に接続されたターゲット電極７上に固定され
る。該ターゲット６の背後にはベース９に取付けた複数
個の永久磁石８が該ターゲット６に沿って回転自在に設
けられ、該ターゲット６の表面を巡る閉ループの磁界１
６を形成する。この永久磁石８は、図６に示す如く、円
板状の内側磁石８ａとこれを等間隔の間隔１０を存して
囲む円環状の外側磁石８ｂの２個で構成し、その中心を
ターゲット６の中心１１に対して偏心させ、該中心１１
を中心に回転されるようにした。該永久磁石８は大小の
環状の３個以上を使用して３重以上の円環状に構成する
ことも可能であり、内側磁石８ａは環状に構成すること
も可能である。
【００１１】こうした構成では、永久磁石８が回転され
ても磁界の分布を変更しての膜厚調整も困難であるが、
本発明では、該永久磁石８の該ターゲット６の背面の中
心部寄りと対向する側を、該背面に対して接近離反自在
に設けることにより、該永久磁石８を傾斜させ、該ター
ゲット６の全面のスパッタと基板５に形成される膜厚の
調整を行なうようにした。これを更に説明すると、該永
久磁石８の全体の径を該ターゲット６の径の１／２以上
の大きさとし、該永久磁石８を、例えば図７に示すよう
に、該ターゲット電極７の背後に設けた該ターゲット６
の中心１１と一致してモータ１５で回転される円板状の
回転ステージ１２に支持部材１３、１４で支持するよう
にした。これら支持部材１３、１４は揺動自在に永久磁
石８を支持し、ターゲット６の中心１１寄りの支持部材
１４をシリンダやモータ、或はねじ等の適当な手段によ
り昇降させると、ターゲット６の背面に対して永久磁石
８が接近離反し、該ターゲット６の表面の磁界分布が可
変される。即ち、支持部材１４を図面で上方へ引き上げ
ると、ターゲット６の表面の磁界は、その中心部分が周
辺部分に比べて弱くなり、該中心部分のイオン密度が該
周辺部分よりも弱められることによって基板５の中心部
分に堆積する膜厚を減少できる。通常は基板５の中心部
分の膜厚がその周辺部分よりも厚くなりがちであるが、
永久磁石８をターゲット６より離反させ回転させること
により磁石の設計を変更することなく膜厚の均一化を図
れる。また、永久磁石８の傾斜によりターゲット６の表
面の磁界が相対的に移動し、これに伴ってスパッタ領域
が移動するので、ターゲット６の全面に亘るスパッタを
行なえる。
ても磁界の分布を変更しての膜厚調整も困難であるが、
本発明では、該永久磁石８の該ターゲット６の背面の中
心部寄りと対向する側を、該背面に対して接近離反自在
に設けることにより、該永久磁石８を傾斜させ、該ター
ゲット６の全面のスパッタと基板５に形成される膜厚の
調整を行なうようにした。これを更に説明すると、該永
久磁石８の全体の径を該ターゲット６の径の１／２以上
の大きさとし、該永久磁石８を、例えば図７に示すよう
に、該ターゲット電極７の背後に設けた該ターゲット６
の中心１１と一致してモータ１５で回転される円板状の
回転ステージ１２に支持部材１３、１４で支持するよう
にした。これら支持部材１３、１４は揺動自在に永久磁
石８を支持し、ターゲット６の中心１１寄りの支持部材
１４をシリンダやモータ、或はねじ等の適当な手段によ
り昇降させると、ターゲット６の背面に対して永久磁石
８が接近離反し、該ターゲット６の表面の磁界分布が可
変される。即ち、支持部材１４を図面で上方へ引き上げ
ると、ターゲット６の表面の磁界は、その中心部分が周
辺部分に比べて弱くなり、該中心部分のイオン密度が該
周辺部分よりも弱められることによって基板５の中心部
分に堆積する膜厚を減少できる。通常は基板５の中心部
分の膜厚がその周辺部分よりも厚くなりがちであるが、
永久磁石８をターゲット６より離反させ回転させること
により磁石の設計を変更することなく膜厚の均一化を図
れる。また、永久磁石８の傾斜によりターゲット６の表
面の磁界が相対的に移動し、これに伴ってスパッタ領域
が移動するので、ターゲット６の全面に亘るスパッタを
行なえる。
【００１２】該永久磁石８とターゲット６との間に、図
８、図９に示すように、部分的に磁性体１７を介在させ
ることによっても、本発明の膜厚分布の調整の目的は達
成できる。この場合、ターゲット６の中心１１付近と対
応する永久磁石８の表面に扇形の鉄製その他の磁性体１
７を取付けたもので、該磁性体１７により該永久磁石８
からターゲット６の表面へ漏れる磁界が弱められ、該永
久磁石８をターゲット６の中心１１を中心として回転さ
せると、上記のように永久磁石８を傾けたときと同様
に、ターゲット６の中心部分の磁界がその周辺部分の磁
界よりも弱いため、該中心部分のイオン密度が該周辺部
分よりも弱められ、基板５の中心部分に堆積する膜厚を
永久磁石８の設計を変更せずに減少させ得る。尚、該永
久磁石８の構成は図６のものと変わりがない。該磁性体
１７は、図１０のように、環状の永久磁石８の中心部分
に対応する部分が薄く、周辺部分に対応する部分に至る
につれ厚くなるテーパ状のものを使用してもよく、この
場合は、ターゲット６の表面の磁界の強度分布をその周
辺から中心に向かって逓減させることができる。ところ
で、上記実施例では永久磁石８の表面に磁性体１７を取
付けているが、これはターゲット電極７の背面に取付け
てもよい。
８、図９に示すように、部分的に磁性体１７を介在させ
ることによっても、本発明の膜厚分布の調整の目的は達
成できる。この場合、ターゲット６の中心１１付近と対
応する永久磁石８の表面に扇形の鉄製その他の磁性体１
７を取付けたもので、該磁性体１７により該永久磁石８
からターゲット６の表面へ漏れる磁界が弱められ、該永
久磁石８をターゲット６の中心１１を中心として回転さ
せると、上記のように永久磁石８を傾けたときと同様
に、ターゲット６の中心部分の磁界がその周辺部分の磁
界よりも弱いため、該中心部分のイオン密度が該周辺部
分よりも弱められ、基板５の中心部分に堆積する膜厚を
永久磁石８の設計を変更せずに減少させ得る。尚、該永
久磁石８の構成は図６のものと変わりがない。該磁性体
１７は、図１０のように、環状の永久磁石８の中心部分
に対応する部分が薄く、周辺部分に対応する部分に至る
につれ厚くなるテーパ状のものを使用してもよく、この
場合は、ターゲット６の表面の磁界の強度分布をその周
辺から中心に向かって逓減させることができる。ところ
で、上記実施例では永久磁石８の表面に磁性体１７を取
付けているが、これはターゲット電極７の背面に取付け
てもよい。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明によるときは、マグ
ネトロンスパッタリング装置のターゲットの背後で回転
する複数個の永久磁石を、そのターゲットの背面の中心
部付近と対向する側において該背面に対して接近離反自
在に設けたので、ターゲットの中心部分の磁界を弱めて
自在に膜厚分布を調整することができ、永久磁石の設計
を変更する必要もなく接近離反させる構成も簡単で比較
的安価に製作できる等の効果があり、また、該複数個の
永久磁石とターゲットとの間に部分的に磁性体を介在さ
せて該ターゲットの表面の磁界強度を部分的に弱めるこ
とによっても前記と同様の効果が得られる。
ネトロンスパッタリング装置のターゲットの背後で回転
する複数個の永久磁石を、そのターゲットの背面の中心
部付近と対向する側において該背面に対して接近離反自
在に設けたので、ターゲットの中心部分の磁界を弱めて
自在に膜厚分布を調整することができ、永久磁石の設計
を変更する必要もなく接近離反させる構成も簡単で比較
的安価に製作できる等の効果があり、また、該複数個の
永久磁石とターゲットとの間に部分的に磁性体を介在さ
せて該ターゲットの表面の磁界強度を部分的に弱めるこ
とによっても前記と同様の効果が得られる。
【図１】 従来例の截断側面図
【図２】 従来の永久磁石の平面図
【図３】 他の従来の永久磁石の平面図
【図４】 図３の場合のターゲットの消耗状態の説明図
【図５】 本発明の実施例の截断側面図
【図６】 図５の６−６部分の平面図
【図７】 本発明の具体的実施例の要部の側面図
【図８】 請求項３に記載の発明の実施例の要部の側面
図
図
【図９】 図８の平面図
【図１０】 請求項３に記載の発明の他の実施例の要部
の側面図
の側面図
１ 真空槽 ５ 基板
６ ターゲット ８、８ａ、８ｂ 永久磁石 １１ 中心 １
２ 回転ステージ １６ 磁界 １７ 磁性体
６ ターゲット ８、８ａ、８ｂ 永久磁石 １１ 中心 １
２ 回転ステージ １６ 磁界 １７ 磁性体
Claims (3)
- 【請求項１】 基板と対向してターゲットを設け、該タ
ーゲットの背後にこれに沿って回転する複数個の永久磁
石を設けて該ターゲットの前方に閉ループの磁界を形成
するマグネトロンスパッタリング装置に於いて、該複数
個の永久磁石を、そのターゲットの背面の中心部付近と
対向する側において該背面に対して接近離反自在に設け
たことを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。 - 【請求項２】 上記ターゲットを略円形に形成し、該タ
ーゲットの背面に沿って回転自在に回転ステージを設
け、これに該回転ステージの回転中心から偏心させて該
ターゲットの直径の１／２以上の径の同心円状に配置し
た複数個の永久磁石を取付け、上記複数個の該永久磁石
を、そのターゲットの背面の中心部付近と対向する側に
おいて該背面に対して接近離反自在となるように該回転
ステージに取付けたことを特徴とする請求項１に記載の
マグネトロンスパッタリング装置。 - 【請求項３】 基板と対向してターゲットを設け、該タ
ーゲットの背後にこれに沿って回転する複数個の永久磁
石を設けて該ターゲットの前方に閉ループの磁界を形成
するマグネトロンスパッタリング装置に於いて、該複数
個の永久磁石とターゲットとの間に部分的に磁性体を介
在させて該ターゲットの表面の磁界強度を部分的に弱め
たことを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31213393A JPH07166346A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | マグネトロンスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31213393A JPH07166346A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | マグネトロンスパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07166346A true JPH07166346A (ja) | 1995-06-27 |
Family
ID=18025655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31213393A Pending JPH07166346A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | マグネトロンスパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07166346A (ja) |
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- 1993-12-13 JP JP31213393A patent/JPH07166346A/ja active Pending
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