JPH02101656A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH02101656A JPH02101656A JP25268788A JP25268788A JPH02101656A JP H02101656 A JPH02101656 A JP H02101656A JP 25268788 A JP25268788 A JP 25268788A JP 25268788 A JP25268788 A JP 25268788A JP H02101656 A JPH02101656 A JP H02101656A
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- Japan
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- optical recording
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、書き換えが可能な光磁気記録媒体に関し、特
に大気中に含まれる水や酸素に対する保護効果に優れ信
頼性の向上した光磁気記録媒体に関するものである。
に大気中に含まれる水や酸素に対する保護効果に優れ信
頼性の向上した光磁気記録媒体に関するものである。
光磁気記録媒体は、従来の光記録媒体と同様にレーザ光
を用いて情報の記録、再生を行うため記憶容量が大きく
、その上書き換えが可能である。
を用いて情報の記録、再生を行うため記憶容量が大きく
、その上書き換えが可能である。
よって、この光磁気記録媒体は、現在盛んに研究されて
おり、フロッピーディスクやハードディスクの代替えと
して近い将来商品化段階を迎えるに至っている。光磁気
記録媒体に要求される不可欠な特性として次のものがあ
げられる。（１）レーザ光による記録感度が良い、（２
）再生Ｃ／Ｎが高い、（３）メモリ安定性が良い、（１
）の記録感度はキュリー温度Ｔｃに関係し、Ｔｃが低い
ほど良い、（２）の再生Ｃ／Ｎは記録膜の磁気光学特性
に依存し、カー回転角θｋが大きいほど高くなる。（３
）のメモリ安定性は記録膜の保磁力Ｈｃに関係し、Ｈｅ
が大きいほど安定性が増す、このような必要性に鑑みて
、光磁気記録媒体の記録膜として、遷移金属（Ｆｅ、Ｃ
ｏ）と希土類金属（Ｇｄ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｎｄ等）とを組
合せたＴｂＦｅＣｏ 。
おり、フロッピーディスクやハードディスクの代替えと
して近い将来商品化段階を迎えるに至っている。光磁気
記録媒体に要求される不可欠な特性として次のものがあ
げられる。（１）レーザ光による記録感度が良い、（２
）再生Ｃ／Ｎが高い、（３）メモリ安定性が良い、（１
）の記録感度はキュリー温度Ｔｃに関係し、Ｔｃが低い
ほど良い、（２）の再生Ｃ／Ｎは記録膜の磁気光学特性
に依存し、カー回転角θｋが大きいほど高くなる。（３
）のメモリ安定性は記録膜の保磁力Ｈｃに関係し、Ｈｅ
が大きいほど安定性が増す、このような必要性に鑑みて
、光磁気記録媒体の記録膜として、遷移金属（Ｆｅ、Ｃ
ｏ）と希土類金属（Ｇｄ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｎｄ等）とを組
合せたＴｂＦｅＣｏ 。
ＧｄＴｂＦｅＣｏ、丁ｂＤｙＦｅｃｏ 、 ＮｄＤｙＦ
ｅＣｏ等の非晶貿磁性合金膜（以下ＲＥ−ＴＭ膜という
）が提案されている。このＲＥ−７Ｍ膜は非晶質である
ため粒界による媒体ノイズが無く、スパッタ法や蒸着法
により容易に垂直磁化膜が作製出来るという利点を有し
ている。しかし、このＲＥ−７Ｍ膜の特に希土類（ＲＥ
）成分は酸化腐食を受は易く経時と共に膜の保磁力や垂
直磁気異方性等の磁気特性が劣化するという大きな欠点
があるにの酸化腐食は、記録層や保護層等の形成時の真
空槽内に残存する酸素、水ニガラス、プラスチック基板
の表面に吸着された酸素、水：ターゲツト材（スパッタ
法）等の材料中に含まれる酸素：大気中の酸素、水等に
よるものであるが、特に大きな影響を及ぼすのは基板及
び大気からの酸素。
ｅＣｏ等の非晶貿磁性合金膜（以下ＲＥ−ＴＭ膜という
）が提案されている。このＲＥ−７Ｍ膜は非晶質である
ため粒界による媒体ノイズが無く、スパッタ法や蒸着法
により容易に垂直磁化膜が作製出来るという利点を有し
ている。しかし、このＲＥ−７Ｍ膜の特に希土類（ＲＥ
）成分は酸化腐食を受は易く経時と共に膜の保磁力や垂
直磁気異方性等の磁気特性が劣化するという大きな欠点
があるにの酸化腐食は、記録層や保護層等の形成時の真
空槽内に残存する酸素、水ニガラス、プラスチック基板
の表面に吸着された酸素、水：ターゲツト材（スパッタ
法）等の材料中に含まれる酸素：大気中の酸素、水等に
よるものであるが、特に大きな影響を及ぼすのは基板及
び大気からの酸素。
水の侵入によるものである。そしてこの酸化腐食は記録
再生時のレーザ光による温度上昇によってさらに促進さ
れる。そこで、この酸化腐食を防止する目的としてＲＥ
−ＴＭＩＩ！Ｉの両面を中間層及び保護層によって被覆
することが行われている。ところが、このような構成と
しても大気中から保護層を通して侵入してくる水や酸素
に対する保護効果は十分ではなく、このため保護層の上
をさらに紫外線硬化樹脂を用いたカバー層で被覆すると
いう技術が提案されている（特開昭６１−１３３０６７
号公報、同６１−１４４７４４号公報）、。
再生時のレーザ光による温度上昇によってさらに促進さ
れる。そこで、この酸化腐食を防止する目的としてＲＥ
−ＴＭＩＩ！Ｉの両面を中間層及び保護層によって被覆
することが行われている。ところが、このような構成と
しても大気中から保護層を通して侵入してくる水や酸素
に対する保護効果は十分ではなく、このため保護層の上
をさらに紫外線硬化樹脂を用いたカバー層で被覆すると
いう技術が提案されている（特開昭６１−１３３０６７
号公報、同６１−１４４７４４号公報）、。
しかしながら、紫外線硬化樹脂といっても多くのものが
存在し、各々が様々な物性を有し、該紫外線硬化樹脂の
被覆によって必ずしも水、酸素に対して十分な保護効果
が得られるものではない。
存在し、各々が様々な物性を有し、該紫外線硬化樹脂の
被覆によって必ずしも水、酸素に対して十分な保護効果
が得られるものではない。
またその被覆によって媒体が変形しピットエラーレート
の劣化をもたらす等の悪影響を与える問題もある。
の劣化をもたらす等の悪影響を与える問題もある。
本発明はこのような従来技術の問題点を解決し、大気中
の水、酸素に対する十分な保護効果を有し、紫外線硬化
樹脂カバー層の形成にもかかわらず機械的変形の少ない
、信頼性の向上した光磁気記録媒体を提供することを目
的とする。
の水、酸素に対する十分な保護効果を有し、紫外線硬化
樹脂カバー層の形成にもかかわらず機械的変形の少ない
、信頼性の向上した光磁気記録媒体を提供することを目
的とする。
上記目的を達成するため、本発明によれば、透明プラス
チック基板上に、ケイ素窒化物よりなる中間層、非晶質
の希土類−遷移金属合金薄膜よりなる磁性記録層、ケイ
素窒化物よりなる保護層及びカバー層を順次積層してな
る光磁気記録媒体において、前記カバー層が紫外線硬化
樹脂よりなり、該紫外線硬化樹脂は、硬化収縮率が１０
％以下、透湿度が１２０ｇ／−以下（６０℃・９０％Ｒ
１（・２４時間、膜厚１００ｐａ）、吸水率及び吸湿率
が１ 、５ｗｔ％以下（２０〜８０℃・０〜１００％Ｒ
Ｈ）に規定されていることを特徴とする光磁気記録媒体
が提供される。
チック基板上に、ケイ素窒化物よりなる中間層、非晶質
の希土類−遷移金属合金薄膜よりなる磁性記録層、ケイ
素窒化物よりなる保護層及びカバー層を順次積層してな
る光磁気記録媒体において、前記カバー層が紫外線硬化
樹脂よりなり、該紫外線硬化樹脂は、硬化収縮率が１０
％以下、透湿度が１２０ｇ／−以下（６０℃・９０％Ｒ
１（・２４時間、膜厚１００ｐａ）、吸水率及び吸湿率
が１ 、５ｗｔ％以下（２０〜８０℃・０〜１００％Ｒ
Ｈ）に規定されていることを特徴とする光磁気記録媒体
が提供される。
本発明の光磁気記録媒体の構成の概略断面図を第１図に
示す、この光磁気記録媒体はプラスチック基板１上に中
間層２、記録層３、保護層４、カバー層５が順次形成さ
れた構成になっている。
示す、この光磁気記録媒体はプラスチック基板１上に中
間層２、記録層３、保護層４、カバー層５が順次形成さ
れた構成になっている。
プラスチック基板１の材料としては記録再生に用いるレ
ーザ光に対して透明度が高くかつ複屈折の小さい光学特
性の良好なポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタ
クリレート（ＰＭＭＡ）、エポキシ、ポレオレフィン等
が使用される。
ーザ光に対して透明度が高くかつ複屈折の小さい光学特
性の良好なポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタ
クリレート（ＰＭＭＡ）、エポキシ、ポレオレフィン等
が使用される。
中間層２は基板１側からの水、酸素の侵入により記録層
３の磁気特性が劣化するのを防止するとともに、磁気光
学効果（カー回転角Ｏｋ）をエンハンスメントする役割
を行う。このため中間層２は屈折率ｎの大きいケイ素窒
化物を用い、スパッタ法、蒸着法、イオンブレーティン
グ法等により、５００〜１０００人の膜厚に形成される
。
３の磁気特性が劣化するのを防止するとともに、磁気光
学効果（カー回転角Ｏｋ）をエンハンスメントする役割
を行う。このため中間層２は屈折率ｎの大きいケイ素窒
化物を用い、スパッタ法、蒸着法、イオンブレーティン
グ法等により、５００〜１０００人の膜厚に形成される
。
記録層３としては、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｎｄ等の希土類
金属を少なくとも１種以上と、遷移金属（ＴＭ）である
Ｆｅ 、 Ｃｏの少なくとも１８Ｉ以上とを組合せたＲ
Ｅ−７Ｍ膜が使用される。具体的にはＴｂＦｅＣｏ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ 、 ＮｄＤｙＦｃ
Ｃｏ等が使用される。そして成膜法としてはスパッタ法
、蒸着法等が使用され、５００〜１０００人の膜厚に形
成される。
金属を少なくとも１種以上と、遷移金属（ＴＭ）である
Ｆｅ 、 Ｃｏの少なくとも１８Ｉ以上とを組合せたＲ
Ｅ−７Ｍ膜が使用される。具体的にはＴｂＦｅＣｏ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ 、 ＮｄＤｙＦｃ
Ｃｏ等が使用される。そして成膜法としてはスパッタ法
、蒸着法等が使用され、５００〜１０００人の膜厚に形
成される。
保護層４は大気中の水、酸素等の侵入による記録層３の
磁気特性の劣化防止を目的として設けられるもので、中
間層２の材料と同じケイ素窒化物を使用し同様の方法に
より５００〜１０００人の膜厚に形成される。
磁気特性の劣化防止を目的として設けられるもので、中
間層２の材料と同じケイ素窒化物を使用し同様の方法に
より５００〜１０００人の膜厚に形成される。
カバー層５は本発明の特徴となるもので、下記の物性を
有する紫外線硬化樹脂を用いてスピンコード法、ロール
コート法等により１〜３０μｍの厚さに塗布した後、紫
外線照射により硬化させて形成する。
有する紫外線硬化樹脂を用いてスピンコード法、ロール
コート法等により１〜３０μｍの厚さに塗布した後、紫
外線照射により硬化させて形成する。
■硬化収縮率が１０％以ｆであること。
■透湿度が１２０ｇ／ｍ以下（６０℃・９０％ＲＨ・２
４時間、膜Ｊヴ１００μ１１１）であること。
４時間、膜Ｊヴ１００μ１１１）であること。
■吸水率及び吸湿率が１ 、５ｗｔ％以下（２０〜８０
℃・０〜１００％１冊）であること。
℃・０〜１００％１冊）であること。
本発明のカバー層として用いることのできる紫外線硬化
樹脂としては、後述の実施例で使用しているもののほか
、ポリエステル、ポリエーテル、メラミン、アルキド、
塩化ビニル、ポリビニルアルコール、フェノキシ、ポリ
アミド、ポリイミド。
樹脂としては、後述の実施例で使用しているもののほか
、ポリエステル、ポリエーテル、メラミン、アルキド、
塩化ビニル、ポリビニルアルコール、フェノキシ、ポリ
アミド、ポリイミド。
フェノール、アクリル樹脂、エポキシなどの単独或いは
混合物で、硬化収縮率１０％以下、透湿度１２０ｇ＃＋
？（６０℃・９０％Ｒ１１−２４時間、膜）＄１００ｐ
耐以下吸水及び吸湿率１．５ｗｔ％（以下１２０℃−８
０℃−ｏ−ｔｏｏ％Ｒ１（）の樹脂であれば使用するこ
とができる。
混合物で、硬化収縮率１０％以下、透湿度１２０ｇ＃＋
？（６０℃・９０％Ｒ１１−２４時間、膜）＄１００ｐ
耐以下吸水及び吸湿率１．５ｗｔ％（以下１２０℃−８
０℃−ｏ−ｔｏｏ％Ｒ１（）の樹脂であれば使用するこ
とができる。
上記紫外線硬化樹脂コート層の膜厚が１声より小さいと
水、酸素に対する十分な保護効果が得られず、３０μｍ
より大きいと基板の変形が生じたりする。
水、酸素に対する十分な保護効果が得られず、３０μｍ
より大きいと基板の変形が生じたりする。
本発明では、カバー層を構成する紫外線硬化樹脂の透湿
度、吸水率及び吸湿度が上記のように規定されているこ
とから、保護層の保護効果とあいまって、大気中の水、
酸素から記録層が十分に保護される。また、該紫外線硬
化樹脂の硬化収縮率が１０％以下に規定されていること
から、カバー層の形成にもかかわらず媒体の変形を防止
できる。
度、吸水率及び吸湿度が上記のように規定されているこ
とから、保護層の保護効果とあいまって、大気中の水、
酸素から記録層が十分に保護される。また、該紫外線硬
化樹脂の硬化収縮率が１０％以下に規定されていること
から、カバー層の形成にもかかわらず媒体の変形を防止
できる。
したがって長寿命化された信頼性の高い光磁気記録媒体
の提供が可能となり、前記課題が解決される。
の提供が可能となり、前記課題が解決される。
以下に本発明の実施例をあげるが、本発明はこれら実施
例に限定されるものではない。
例に限定されるものではない。
実施例１
プレグルーブ付ポリカーボネート基板（直径１３０ｍ、
厚さ１ 、２ ＋ｎｍ ）を基板として用い、該基板を
クリーンオーブンにて９０℃で２時間熱処理した後、ス
パッタ装置内にセツティングした。そしてスパッタ装置
のチャンバー内の真空度が３ Ｘ １Ｏ−７Ｔｏｒｒ以
下になった時に高純度Ａｒガスを導入して１０″４〜１
０””Ｔｏｒｒの雰囲気とし、基板側に一１ｏｏｏｖ程
度の電圧をかけ、基板のボンバードメントを行った。そ
の後、Ａｒ＋Ｎ２の混合ガスを１０ｍＴｏｒｒ導入し、
誘電体ターゲットとしてＳｉ３Ｎ、 （９６ｍｏＱ％）
＋Ｙ、０３（４ｍｏＱ％）の焼結体ターゲット（直径６
インチ（約１５．２ｃｍ）を用い、中間層として膜厚約
８００人のＳｉＮ膜を形成した。その後、チャンバー内
を３ Ｘ １０”−’ Ｔｏｒｒ以丁まで排気し、Ａｒ
を３１１ＩＴｏｒｒ導入し、（Ｔｂｎ −ｓ Ｄ＞＋＋
−ｓ ）ｚ ４ Ｆｅｓ ｅ Ｃｏｓの組成を有する
合金ターゲラ１−（直径６インチ（約１５．２ｃｍ）を
用い、記録層として膜厚約９００人の１’ ｂ Ｄ ｙ
ＦｅＣｏ膜を形成した。次に、中間層の形成と同様にし
て保護層として膜厚約８００人のＳｉＮ膜を形成した。
厚さ１ 、２ ＋ｎｍ ）を基板として用い、該基板を
クリーンオーブンにて９０℃で２時間熱処理した後、ス
パッタ装置内にセツティングした。そしてスパッタ装置
のチャンバー内の真空度が３ Ｘ １Ｏ−７Ｔｏｒｒ以
下になった時に高純度Ａｒガスを導入して１０″４〜１
０””Ｔｏｒｒの雰囲気とし、基板側に一１ｏｏｏｖ程
度の電圧をかけ、基板のボンバードメントを行った。そ
の後、Ａｒ＋Ｎ２の混合ガスを１０ｍＴｏｒｒ導入し、
誘電体ターゲットとしてＳｉ３Ｎ、 （９６ｍｏＱ％）
＋Ｙ、０３（４ｍｏＱ％）の焼結体ターゲット（直径６
インチ（約１５．２ｃｍ）を用い、中間層として膜厚約
８００人のＳｉＮ膜を形成した。その後、チャンバー内
を３ Ｘ １０”−’ Ｔｏｒｒ以丁まで排気し、Ａｒ
を３１１ＩＴｏｒｒ導入し、（Ｔｂｎ −ｓ Ｄ＞＋＋
−ｓ ）ｚ ４ Ｆｅｓ ｅ Ｃｏｓの組成を有する
合金ターゲラ１−（直径６インチ（約１５．２ｃｍ）を
用い、記録層として膜厚約９００人の１’ ｂ Ｄ ｙ
ＦｅＣｏ膜を形成した。次に、中間層の形成と同様にし
て保護層として膜厚約８００人のＳｉＮ膜を形成した。
その後、ディスクをスピンコータにセラ１〜し、紫外線
硬化樹脂として大日本インキ化学工業社製ダイキュア５
Ｄ−３０１を約４ｃｃデイスク上に滴下後、２０００〜
４０００ｒｐｍで５〜２０秒間高速回転を行い、高圧水
銀灯（８０ｍＷ／ａ（）で５〜１０秒間紫外線の照射を
行い紫外線硬化樹脂を硬化させＪ’ｆ−さ約１０μｍの
カバー）Ｃ４を形成し、光磁気ディスクを作製した。」
１記紫外線硬化樹脂の硬化収縮率は７．６％、透湿度は
１０６ｇ／ ｒｒ？（６０℃・９０メＲ）Ｉ・２４時間
、膜厚１００μｍ）、吸水・吸湿率は０．８〜１．４す
ｔ％（２０〜８０℃）であった。
硬化樹脂として大日本インキ化学工業社製ダイキュア５
Ｄ−３０１を約４ｃｃデイスク上に滴下後、２０００〜
４０００ｒｐｍで５〜２０秒間高速回転を行い、高圧水
銀灯（８０ｍＷ／ａ（）で５〜１０秒間紫外線の照射を
行い紫外線硬化樹脂を硬化させＪ’ｆ−さ約１０μｍの
カバー）Ｃ４を形成し、光磁気ディスクを作製した。」
１記紫外線硬化樹脂の硬化収縮率は７．６％、透湿度は
１０６ｇ／ ｒｒ？（６０℃・９０メＲ）Ｉ・２４時間
、膜厚１００μｍ）、吸水・吸湿率は０．８〜１．４す
ｔ％（２０〜８０℃）であった。
実施例２
実施例１において、紫外線硬化樹脂として大日精化工業
社製セイ力ビームＶＤＡＬ−３９１（Ｋ） ［硬化収縮
率１０％、透湿度１０５ｇ／イ、吸水・吸湿率０．７〜
１．３讐ｔ％〕を用いて厚さ約１０Ａｉｖａのカバー層
を形成した以外は同様にして光磁気ディスクを得た。
社製セイ力ビームＶＤＡＬ−３９１（Ｋ） ［硬化収縮
率１０％、透湿度１０５ｇ／イ、吸水・吸湿率０．７〜
１．３讐ｔ％〕を用いて厚さ約１０Ａｉｖａのカバー層
を形成した以外は同様にして光磁気ディスクを得た。
比較例１
実施例１において、紫外線硬化樹脂として大日本インキ
化学工業社製ダイキュア５Ｄ−１７（硬化収縮率１１．
４％、透湿度２ＱＯ［／ （！（、吸水・吸湿度０．７
〜１．４すし％〕を用いて厚さ約ＩＯ牌のカバー層を形
成した以外は同様にして光磁気ディスクを得た。
化学工業社製ダイキュア５Ｄ−１７（硬化収縮率１１．
４％、透湿度２ＱＯ［／ （！（、吸水・吸湿度０．７
〜１．４すし％〕を用いて厚さ約ＩＯ牌のカバー層を形
成した以外は同様にして光磁気ディスクを得た。
比較例２
実施例１において、紫外線硬化樹脂として大日本インキ
化学工業社製ダイキュア［ＥＸ−１（硬化収縮率１０．
０％、透湿度１２５ｇ／ ｒｒ？ ｅ吸水・吸湿率０．
６−１．３ｗｔ％〕を用いて厚さ約１０ｐｍのカバー層
を形成した以外は同様にして光磁気ディスクを得た。
化学工業社製ダイキュア［ＥＸ−１（硬化収縮率１０．
０％、透湿度１２５ｇ／ ｒｒ？ ｅ吸水・吸湿率０．
６−１．３ｗｔ％〕を用いて厚さ約１０ｐｍのカバー層
を形成した以外は同様にして光磁気ディスクを得た。
」１記のようにして作製した４種類の光磁気ディスクを
６０℃、９０％Ｉｔｌ＋の環なｔの下で保存し、ピット
エラーレー）−（ＢＥＲ）の経時変化を調べた。その結
果を第２図に示す。第２図かられかるように、本実施例
１．２の光磁気ディスクは１５００時間経過後もピット
エラーレー１−に変化はないが、比較例１．２の光磁気
ディスクはそれ以前にピットエラーレートが増加してし
まい、磁性層の特性が著しく劣化してしまった。
６０℃、９０％Ｉｔｌ＋の環なｔの下で保存し、ピット
エラーレー）−（ＢＥＲ）の経時変化を調べた。その結
果を第２図に示す。第２図かられかるように、本実施例
１．２の光磁気ディスクは１５００時間経過後もピット
エラーレー１−に変化はないが、比較例１．２の光磁気
ディスクはそれ以前にピットエラーレートが増加してし
まい、磁性層の特性が著しく劣化してしまった。
以上詳細に説明したように、本発明によれば。
カバー層に硬化収縮率、透湿度、吸水率及び吸湿率が一
］−記のように規定された紫外線硬化樹脂を用いたので
、磁性層の酸化による特性劣化が十分防止できるように
なり、またカバー層形成による媒体変形もなく、信頼性
の高い光磁気記録媒体の提供が可能となる。
］−記のように規定された紫外線硬化樹脂を用いたので
、磁性層の酸化による特性劣化が十分防止できるように
なり、またカバー層形成による媒体変形もなく、信頼性
の高い光磁気記録媒体の提供が可能となる。
第１図は本発明に係る光磁気記録媒体の一構成例の断面
図、第２図は本発明の実施例及び比較例における特性の
経時変化を示すグラフである。 １・・・プラスチック基板 ２・・・中間層 ３・・・記録層 ４・・・保？Ｊ層 ５・・・カバー層 特許出願人 株式会社 リ コ
図、第２図は本発明の実施例及び比較例における特性の
経時変化を示すグラフである。 １・・・プラスチック基板 ２・・・中間層 ３・・・記録層 ４・・・保？Ｊ層 ５・・・カバー層 特許出願人 株式会社 リ コ
Claims (1)
- （１）透明プラスチック基板上に、ケイ素窒化物よりな
る中間層、非晶質の希土類−遷移金属合金薄膜よりなる
磁性記録層、ケイ素窒化物よりなる保護層及びカバー層
を順次積層してなる光磁気記録媒体において、 前記カバー層が紫外線硬化樹脂よりなり、該紫外線硬化
樹脂は、硬化収縮率が１０％以下、透湿度が１２０ｇ／
ｍ＾２以下（６０℃・９０％ＲＨ・２４時間、膜厚１０
０μｍ）、吸水率及び吸湿率が１．５１ｗｔ％以下（２
０〜８０℃・０〜１００％ＲＨ）に規定されていること
を特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25268788A JP2606729B2 (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25268788A JP2606729B2 (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02101656A true JPH02101656A (ja) | 1990-04-13 |
| JP2606729B2 JP2606729B2 (ja) | 1997-05-07 |
Family
ID=17240844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25268788A Expired - Fee Related JP2606729B2 (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2606729B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001043128A1 (en) * | 1999-12-08 | 2001-06-14 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Optical disk and ultraviolet-curing composition for optical disk |
| US6309794B1 (en) | 1998-04-27 | 2001-10-30 | Sony Chemicals Corporation | Optical recording media comprising a resin film |
-
1988
- 1988-10-06 JP JP25268788A patent/JP2606729B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6309794B1 (en) | 1998-04-27 | 2001-10-30 | Sony Chemicals Corporation | Optical recording media comprising a resin film |
| WO2001043128A1 (en) * | 1999-12-08 | 2001-06-14 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Optical disk and ultraviolet-curing composition for optical disk |
| US6645596B1 (en) | 1999-12-08 | 2003-11-11 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Optical disk and ultraviolet-curing composition for optical disk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2606729B2 (ja) | 1997-05-07 |
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