JPH0210302A - Single crystal infrared fiber manufacturing method - Google Patents

Single crystal infrared fiber manufacturing method

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Publication number
JPH0210302A
JPH0210302A JP63161658A JP16165888A JPH0210302A JP H0210302 A JPH0210302 A JP H0210302A JP 63161658 A JP63161658 A JP 63161658A JP 16165888 A JP16165888 A JP 16165888A JP H0210302 A JPH0210302 A JP H0210302A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fiber
infrared fiber
single crystal
crystal infrared
polycrystalline
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63161658A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisanori Sugiura
久則 杉浦
Toshi Ikedo
池戸 才
Masabumi Watari
渡 正文
Hiromi Nakanou
中農 裕美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP63161658A priority Critical patent/JPH0210302A/en
Publication of JPH0210302A publication Critical patent/JPH0210302A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、レーザメスあるいはレーザ加工機に有用な高
エネルギー伝送用ファイバの単結晶赤外ファイバ製造法
に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a single crystal infrared fiber, a high energy transmission fiber useful for laser scalpels or laser processing machines.

従来の技術 最近、医療分野におけるレーザメス、産業分野における
加工機など、赤外域のレーザ光の利用が試みられており
、特にCO2レーザ(発振波長10゜6μm)が多く使
われている。これらの中赤外域の波長を高エネルギーで
伝送できるファイバが得られれば、大きく応用展開が可
能となる。
BACKGROUND OF THE INVENTION Recently, attempts have been made to utilize laser light in the infrared region in laser scalpels in the medical field, processing machines in the industrial field, etc., and CO2 lasers (oscillation wavelength: 10.degree. 6 .mu.m) are often used. If a fiber capable of transmitting these wavelengths in the mid-infrared region with high energy can be obtained, a wide range of applications will become possible.

中赤外用ファイバとして、臭化タリウム、よう化タリウ
ムの固溶体(KRS−5)などが使用されている。
As a mid-infrared fiber, a solid solution of thallium bromide or thallium iodide (KRS-5) is used.

これらのファイバは、200〜300’Cで熱間押出成
形され、平均粒径数十μmの多結晶からなっている。
These fibers are hot extruded at 200 to 300'C and are made of polycrystals with an average grain size of several tens of micrometers.

発明が解決しようとする課題 しかしながら、従来の方法で製造された金属ハロゲン化
物系の赤外ファイバは、上述したように多結晶体である
。このようなファイバは、レーザ光を透過させた場合、
結晶粒界での散乱が多く、高エネルギーの伝送が望めな
い。従来のファイバでは、直径0.5mm、長さ1.5
mで、最大伝送パワーが200〜250W程度に過ぎな
い。
Problems to be Solved by the Invention However, metal halide infrared fibers manufactured by conventional methods are polycrystalline as described above. When such a fiber transmits laser light,
There is a lot of scattering at grain boundaries, so high energy transmission cannot be expected. Conventional fiber has a diameter of 0.5 mm and a length of 1.5 mm.
m, the maximum transmission power is only about 200 to 250W.

本発明は、中赤外用ファイバにレーザ光を透過させる際
、内部散乱を減少させ、高エネルギー伝送を可能にする
ことを目的とする。
An object of the present invention is to reduce internal scattering and enable high-energy transmission when laser light is transmitted through a mid-infrared fiber.

課題を解決するための手段 本発明は、ハロゲン化タリウム、ハロゲン化セシウム、
ハロゲン化銀の少なくとも1種類からなる化合物を押し
出すことにより製造された多結晶ファイバを熱処理によ
り、粒成長させ、単結晶化することによって、上記目的
を達成する。
Means for Solving the Problems The present invention provides thallium halides, cesium halides,
The above object is achieved by heat-treating a polycrystalline fiber produced by extruding a compound consisting of at least one type of silver halide to cause grain growth and single crystallization.

作用 本発明においては、粒成長により、結晶粒界における散
乱が減少させるため、ファイバ全体を熱処理により単結
晶化して、従来の多結晶ファイバと比較して、かなり高
いエネルギー伝送が可能となる。
Operation In the present invention, since grain growth reduces scattering at grain boundaries, the entire fiber is made into a single crystal by heat treatment, allowing considerably higher energy transmission compared to conventional polycrystalline fibers.

実施例 以下に、本発明の実施例を図を参照しながら説明する。Example Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第3図は、熱部押出法でファイバを製造した後・熱処理
して粒成長させたKRS−5多結晶フアイバ(直径0 
、5 m m )の、端面粒径と、長さ10cmの短尺
に対する最大入射パワーの関係を示したものである。図
から明らかなように粒径が大きくなると最大入射パワー
は上昇している。これは、粒成長により、結晶粒界にお
ける散乱が減少するためである。従って、ファイバ全体
を熱処理により単結晶化すれば、従来の多結晶ファイバ
と比較して、かなり高いエネルギー伝送が可能となるの
である。
Figure 3 shows a KRS-5 polycrystalline fiber (diameter 0
, 5 mm), and the relationship between the maximum incident power for a short length of 10 cm. As is clear from the figure, the maximum incident power increases as the particle size increases. This is because grain growth reduces scattering at grain boundaries. Therefore, if the entire fiber is made into a single crystal by heat treatment, it becomes possible to transmit significantly higher energy than conventional polycrystalline fibers.

第1図は、多結晶ファイバのゾーン炉による単結晶化装
置の模式図で、1が炉芯管、2がヒーター 3が赤外フ
ァイバである。
FIG. 1 is a schematic diagram of a single crystallization apparatus using a zone furnace for polycrystalline fiber, in which 1 is a furnace core tube, 2 is a heater, and 3 is an infrared fiber.

単結晶化は以下のように行なう。熱部押出法で製造した
多結晶の赤外ファイバ3を炉芯管l内に設置する0次に
、ヒーター2を赤外ファイバ3の端面から4s+w/h
程度の速度で移動させながら赤外ファイバ3を適当な温
度で熱処理して、ファイバ長軸方向に粒成長させ、単結
晶化する。
Single crystallization is performed as follows. A polycrystalline infrared fiber 3 manufactured by hot extrusion method is installed inside the furnace core tube l.Next, the heater 2 is heated 4s+w/h from the end face of the infrared fiber 3.
While moving at a certain speed, the infrared fiber 3 is heat treated at an appropriate temperature to grow grains in the long axis direction of the fiber and form a single crystal.

第2図は、KRS−5多結晶フアイバを電気炉で熱処理
した時の、熱処理時間及び熱処理温度と端面粒径の関係
を示すグラフである。200℃で30時間熱処理しても
、端面粒径は350 /A m程度であるが、250’
Cで熱処理すると、約1時閉で端面粒径が、ファイバの
直径と同じ500μmになる。また、KRS−5の融点
は415℃である。
FIG. 2 is a graph showing the relationship between the heat treatment time, heat treatment temperature, and end face grain size when a KRS-5 polycrystalline fiber is heat treated in an electric furnace. Even after heat treatment at 200°C for 30 hours, the end face grain size is about 350/A m, but 250'
When heat treated with C, the end face grain size becomes 500 μm, which is the same as the diameter of the fiber, at about 1 o'clock. Moreover, the melting point of KRS-5 is 415°C.

従って、熱処理温度は、250℃から300°Cが適当
である。
Therefore, the appropriate heat treatment temperature is 250°C to 300°C.

発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明は、多結晶赤外
ファイバを熱処理により、粒成長させ、単結晶化するこ
とにより、結晶粒界における散乱をなくし、従来の製造
法により製造された多結晶赤外ファイバに比べて、より
高いエネルギー伝送を可能にし、これにより、レーザメ
スあるいはレーザ加工機などにおいて、大出力化が達成
できるという効果を奏する。
Effects of the Invention As is clear from the above explanation, the present invention eliminates scattering at grain boundaries by heat-treating a polycrystalline infrared fiber to grow grains and turn it into a single crystal, thereby eliminating the scattering caused by conventional manufacturing methods. It enables higher energy transmission than polycrystalline infrared fibers, which has the effect of achieving high output in laser scalpels, laser processing machines, etc.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明の一実施例に係る単結晶赤外ファイバ
製造法におけるゾーン炉による多結晶ファイバの単結晶
化装置の模式図、第2図は、KRS−5多結晶フアイバ
を電気炉で熱処理した時の、熱処理時間及び熱処理温度
と端面粒径の関係を示すグラフ、第3図は、熱処理して
粒成長させたKRS−5多結晶フアイバ(直径0.5m
m)の、端面粒径と、長さlocmの短尺に対する最大
入射パワーの関係を示すグラフである。 1・・・炉芯管、2・・・ヒーター 3・・・赤外ファ
イバ代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名篤 図 第 図 アニール時間 (h)
FIG. 1 is a schematic diagram of a polycrystalline fiber single crystallization apparatus using a zone furnace in a method for manufacturing single-crystal infrared fiber according to an embodiment of the present invention, and FIG. Figure 3 is a graph showing the relationship between heat treatment time, heat treatment temperature, and end face grain size when heat treated with heat treatment.
FIG. 10 is a graph showing the relationship between the end face grain size and the maximum incident power for a short piece having a length of locm in FIG. 1... Furnace core tube, 2... Heater 3... Name of infrared fiber agent Patent attorney Toshio Nakao Annealing time (h)

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)ハロゲン化タリウム、ハロゲン化セシウム、ハロ
ゲン化銀の少なくとも1種類からなる化合物を押し出す
ことにより製造された多結晶ファイバを熱処理により、
粒成長させ、単結晶化することを特徴とする単結晶赤外
ファイバ製造法。
(1) Heat-treating a polycrystalline fiber produced by extruding a compound consisting of at least one of thallium halide, cesium halide, and silver halide,
A single-crystal infrared fiber manufacturing method characterized by grain growth and single crystallization.
(2)臭化タリウム、よう化タリウムの固溶体を用いる
ことを特徴とする請求項1記載の単結晶赤外ファイバ製
造法。
(2) The method for manufacturing a single-crystal infrared fiber according to claim 1, characterized in that a solid solution of thallium bromide and thallium iodide is used.
(3)加熱温度を250℃以上300℃以下で熱処理す
ることを特徴とする請求項2記載の単結晶赤外ファイバ
製造法。
(3) The method for manufacturing a single-crystal infrared fiber according to claim 2, characterized in that the heat treatment is performed at a heating temperature of 250°C or more and 300°C or less.
JP63161658A 1988-06-29 1988-06-29 Single crystal infrared fiber manufacturing method Pending JPH0210302A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63161658A JPH0210302A (en) 1988-06-29 1988-06-29 Single crystal infrared fiber manufacturing method

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JP63161658A JPH0210302A (en) 1988-06-29 1988-06-29 Single crystal infrared fiber manufacturing method

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JPH0210302A true JPH0210302A (en) 1990-01-16

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JP63161658A Pending JPH0210302A (en) 1988-06-29 1988-06-29 Single crystal infrared fiber manufacturing method

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JP (1) JPH0210302A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0536286A (en) * 1991-08-02 1993-02-12 A T R Koudenpa Tsushin Kenkyusho:Kk Semiconductor optical element
EP0655423A1 (en) * 1992-11-23 1995-05-31 CeramOptec GmbH Method of making infrared crystalline fiber and product

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0536286A (en) * 1991-08-02 1993-02-12 A T R Koudenpa Tsushin Kenkyusho:Kk Semiconductor optical element
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