JPH0210302A - 単結晶赤外ファイバ製造法 - Google Patents
単結晶赤外ファイバ製造法Info
- Publication number
- JPH0210302A JPH0210302A JP63161658A JP16165888A JPH0210302A JP H0210302 A JPH0210302 A JP H0210302A JP 63161658 A JP63161658 A JP 63161658A JP 16165888 A JP16165888 A JP 16165888A JP H0210302 A JPH0210302 A JP H0210302A
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- JP
- Japan
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- fiber
- infrared fiber
- single crystal
- crystal infrared
- polycrystalline
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- Pending
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- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レーザメスあるいはレーザ加工機に有用な高
エネルギー伝送用ファイバの単結晶赤外ファイバ製造法
に関するものである。
エネルギー伝送用ファイバの単結晶赤外ファイバ製造法
に関するものである。
従来の技術
最近、医療分野におけるレーザメス、産業分野における
加工機など、赤外域のレーザ光の利用が試みられており
、特にＣＯ２レーザ（発振波長１０゜６μｍ）が多く使
われている。これらの中赤外域の波長を高エネルギーで
伝送できるファイバが得られれば、大きく応用展開が可
能となる。
加工機など、赤外域のレーザ光の利用が試みられており
、特にＣＯ２レーザ（発振波長１０゜６μｍ）が多く使
われている。これらの中赤外域の波長を高エネルギーで
伝送できるファイバが得られれば、大きく応用展開が可
能となる。
中赤外用ファイバとして、臭化タリウム、よう化タリウ
ムの固溶体（ＫＲＳ−５）などが使用されている。
ムの固溶体（ＫＲＳ−５）などが使用されている。
これらのファイバは、２００〜３００’Ｃで熱間押出成
形され、平均粒径数十μｍの多結晶からなっている。
形され、平均粒径数十μｍの多結晶からなっている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、従来の方法で製造された金属ハロゲン化
物系の赤外ファイバは、上述したように多結晶体である
。このようなファイバは、レーザ光を透過させた場合、
結晶粒界での散乱が多く、高エネルギーの伝送が望めな
い。従来のファイバでは、直径０．５ｍｍ、長さ１．５
ｍで、最大伝送パワーが２００〜２５０Ｗ程度に過ぎな
い。
物系の赤外ファイバは、上述したように多結晶体である
。このようなファイバは、レーザ光を透過させた場合、
結晶粒界での散乱が多く、高エネルギーの伝送が望めな
い。従来のファイバでは、直径０．５ｍｍ、長さ１．５
ｍで、最大伝送パワーが２００〜２５０Ｗ程度に過ぎな
い。
本発明は、中赤外用ファイバにレーザ光を透過させる際
、内部散乱を減少させ、高エネルギー伝送を可能にする
ことを目的とする。
、内部散乱を減少させ、高エネルギー伝送を可能にする
ことを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、ハロゲン化タリウム、ハロゲン化セシウム、
ハロゲン化銀の少なくとも１種類からなる化合物を押し
出すことにより製造された多結晶ファイバを熱処理によ
り、粒成長させ、単結晶化することによって、上記目的
を達成する。
ハロゲン化銀の少なくとも１種類からなる化合物を押し
出すことにより製造された多結晶ファイバを熱処理によ
り、粒成長させ、単結晶化することによって、上記目的
を達成する。
作用
本発明においては、粒成長により、結晶粒界における散
乱が減少させるため、ファイバ全体を熱処理により単結
晶化して、従来の多結晶ファイバと比較して、かなり高
いエネルギー伝送が可能となる。
乱が減少させるため、ファイバ全体を熱処理により単結
晶化して、従来の多結晶ファイバと比較して、かなり高
いエネルギー伝送が可能となる。
実施例
以下に、本発明の実施例を図を参照しながら説明する。
第３図は、熱部押出法でファイバを製造した後・熱処理
して粒成長させたＫＲＳ−５多結晶フアイバ（直径０
、５ ｍ ｍ ）の、端面粒径と、長さ１０ｃｍの短尺
に対する最大入射パワーの関係を示したものである。図
から明らかなように粒径が大きくなると最大入射パワー
は上昇している。これは、粒成長により、結晶粒界にお
ける散乱が減少するためである。従って、ファイバ全体
を熱処理により単結晶化すれば、従来の多結晶ファイバ
と比較して、かなり高いエネルギー伝送が可能となるの
である。
して粒成長させたＫＲＳ−５多結晶フアイバ（直径０
、５ ｍ ｍ ）の、端面粒径と、長さ１０ｃｍの短尺
に対する最大入射パワーの関係を示したものである。図
から明らかなように粒径が大きくなると最大入射パワー
は上昇している。これは、粒成長により、結晶粒界にお
ける散乱が減少するためである。従って、ファイバ全体
を熱処理により単結晶化すれば、従来の多結晶ファイバ
と比較して、かなり高いエネルギー伝送が可能となるの
である。
第１図は、多結晶ファイバのゾーン炉による単結晶化装
置の模式図で、１が炉芯管、２がヒーター ３が赤外フ
ァイバである。
置の模式図で、１が炉芯管、２がヒーター ３が赤外フ
ァイバである。
単結晶化は以下のように行なう。熱部押出法で製造した
多結晶の赤外ファイバ３を炉芯管ｌ内に設置する０次に
、ヒーター２を赤外ファイバ３の端面から４ｓ＋ｗ／ｈ
程度の速度で移動させながら赤外ファイバ３を適当な温
度で熱処理して、ファイバ長軸方向に粒成長させ、単結
晶化する。
多結晶の赤外ファイバ３を炉芯管ｌ内に設置する０次に
、ヒーター２を赤外ファイバ３の端面から４ｓ＋ｗ／ｈ
程度の速度で移動させながら赤外ファイバ３を適当な温
度で熱処理して、ファイバ長軸方向に粒成長させ、単結
晶化する。
第２図は、ＫＲＳ−５多結晶フアイバを電気炉で熱処理
した時の、熱処理時間及び熱処理温度と端面粒径の関係
を示すグラフである。２００℃で３０時間熱処理しても
、端面粒径は３５０ ／Ａ ｍ程度であるが、２５０’
Ｃで熱処理すると、約１時閉で端面粒径が、ファイバの
直径と同じ５００μｍになる。また、ＫＲＳ−５の融点
は４１５℃である。
した時の、熱処理時間及び熱処理温度と端面粒径の関係
を示すグラフである。２００℃で３０時間熱処理しても
、端面粒径は３５０ ／Ａ ｍ程度であるが、２５０’
Ｃで熱処理すると、約１時閉で端面粒径が、ファイバの
直径と同じ５００μｍになる。また、ＫＲＳ−５の融点
は４１５℃である。
従って、熱処理温度は、２５０℃から３００°Ｃが適当
である。
である。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明は、多結晶赤外
ファイバを熱処理により、粒成長させ、単結晶化するこ
とにより、結晶粒界における散乱をなくし、従来の製造
法により製造された多結晶赤外ファイバに比べて、より
高いエネルギー伝送を可能にし、これにより、レーザメ
スあるいはレーザ加工機などにおいて、大出力化が達成
できるという効果を奏する。
ファイバを熱処理により、粒成長させ、単結晶化するこ
とにより、結晶粒界における散乱をなくし、従来の製造
法により製造された多結晶赤外ファイバに比べて、より
高いエネルギー伝送を可能にし、これにより、レーザメ
スあるいはレーザ加工機などにおいて、大出力化が達成
できるという効果を奏する。
第１図は、本発明の一実施例に係る単結晶赤外ファイバ
製造法におけるゾーン炉による多結晶ファイバの単結晶
化装置の模式図、第２図は、ＫＲＳ−５多結晶フアイバ
を電気炉で熱処理した時の、熱処理時間及び熱処理温度
と端面粒径の関係を示すグラフ、第３図は、熱処理して
粒成長させたＫＲＳ−５多結晶フアイバ（直径０．５ｍ
ｍ）の、端面粒径と、長さｌｏｃｍの短尺に対する最大
入射パワーの関係を示すグラフである。 １・・・炉芯管、２・・・ヒーター ３・・・赤外ファ
イバ代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名篤 図 第 図 アニール時間 （ｈ）
製造法におけるゾーン炉による多結晶ファイバの単結晶
化装置の模式図、第２図は、ＫＲＳ−５多結晶フアイバ
を電気炉で熱処理した時の、熱処理時間及び熱処理温度
と端面粒径の関係を示すグラフ、第３図は、熱処理して
粒成長させたＫＲＳ−５多結晶フアイバ（直径０．５ｍ
ｍ）の、端面粒径と、長さｌｏｃｍの短尺に対する最大
入射パワーの関係を示すグラフである。 １・・・炉芯管、２・・・ヒーター ３・・・赤外ファ
イバ代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名篤 図 第 図 アニール時間 （ｈ）
Claims (3)
- （１）ハロゲン化タリウム、ハロゲン化セシウム、ハロ
ゲン化銀の少なくとも１種類からなる化合物を押し出す
ことにより製造された多結晶ファイバを熱処理により、
粒成長させ、単結晶化することを特徴とする単結晶赤外
ファイバ製造法。 - （２）臭化タリウム、よう化タリウムの固溶体を用いる
ことを特徴とする請求項１記載の単結晶赤外ファイバ製
造法。 - （３）加熱温度を２５０℃以上３００℃以下で熱処理す
ることを特徴とする請求項２記載の単結晶赤外ファイバ
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63161658A JPH0210302A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 単結晶赤外ファイバ製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63161658A JPH0210302A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 単結晶赤外ファイバ製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210302A true JPH0210302A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=15739370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63161658A Pending JPH0210302A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 単結晶赤外ファイバ製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0210302A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536286A (ja) * | 1991-08-02 | 1993-02-12 | A T R Koudenpa Tsushin Kenkyusho:Kk | 半導体光素子 |
| EP0655423A1 (en) * | 1992-11-23 | 1995-05-31 | CeramOptec GmbH | Method of making infrared crystalline fiber and product |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP63161658A patent/JPH0210302A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536286A (ja) * | 1991-08-02 | 1993-02-12 | A T R Koudenpa Tsushin Kenkyusho:Kk | 半導体光素子 |
| EP0655423A1 (en) * | 1992-11-23 | 1995-05-31 | CeramOptec GmbH | Method of making infrared crystalline fiber and product |
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