JPH0210351A - ポジ形放射線感応性混合物物、ポジ形記録材料およびこの製造方法 - Google Patents
ポジ形放射線感応性混合物物、ポジ形記録材料およびこの製造方法Info
- Publication number
- JPH0210351A JPH0210351A JP1075248A JP7524889A JPH0210351A JP H0210351 A JPH0210351 A JP H0210351A JP 1075248 A JP1075248 A JP 1075248A JP 7524889 A JP7524889 A JP 7524889A JP H0210351 A JPH0210351 A JP H0210351A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- mixture
- phenol
- binder
- sensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 56
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 39
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 39
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims abstract description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 5
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 150000002989 phenols Chemical group 0.000 claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 11
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 5
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 150000001728 carbonyl compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 125000006273 (C1-C3) alkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 claims 1
- -1 silyl ether compound Chemical class 0.000 description 17
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 12
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 10
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 9
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 8
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 8
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 4
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 3
- 229940118056 cresol / formaldehyde Drugs 0.000 description 3
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGHHSNMVTDWUBI-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzaldehyde Chemical compound OC1=CC=C(C=O)C=C1 RGHHSNMVTDWUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N Acetaldehyde Chemical compound CC=O IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HGINCPLSRVDWNT-UHFFFAOYSA-N Acrolein Chemical compound C=CC=O HGINCPLSRVDWNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical class CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 2
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCCDLTOVEPVEJK-UHFFFAOYSA-N phenylacetone Chemical compound CC(=O)CC1=CC=CC=C1 QCCDLTOVEPVEJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 150000003557 thiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JPVQCHVLFHXNKB-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,5,6-hexamethyldisiline Chemical compound CC1=C(C)[Si](C)=[Si](C)C(C)=C1C JPVQCHVLFHXNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DXBHBZVCASKNBY-UHFFFAOYSA-N 1,2-Benz(a)anthracene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=CC2=C1 DXBHBZVCASKNBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trioxane Chemical compound C1OCOCO1 BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOKIEMZASYETFM-UHFFFAOYSA-N 10-phenylacridin-9-one Chemical compound C12=CC=CC=C2C(=O)C2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 GOKIEMZASYETFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFUTYTCDHCOXGG-UHFFFAOYSA-N 14,16,18,20,22,25,26,28,30-nonahydroxy-15,31-dimethyl-32-propan-2-yl-1-oxacyclodotriaconta-3,5,7,9,11-pentaen-2-one Chemical compound CC(C)C1OC(=O)C=CC=CC=CC=CC=CCC(O)C(C)C(O)CC(O)CC(O)CC(O)CCC(O)C(O)CC(O)CC(O)C1C BFUTYTCDHCOXGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical group C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(trifluoromethoxy)phenyl]ethanol Chemical compound OCCC1=CC=C(OC(F)(F)F)C=C1 RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCO HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- AGIJRRREJXSQJR-UHFFFAOYSA-N 2h-thiazine Chemical compound N1SC=CC=C1 AGIJRRREJXSQJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCTFMNIEFHGTDU-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypropyl acetate Chemical compound COCCCOC(C)=O CCTFMNIEFHGTDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUBKMWFYVHYZAI-UHFFFAOYSA-N [Al].[Cu].[Zn] Chemical compound [Al].[Cu].[Zn] MUBKMWFYVHYZAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001346 alkyl aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- ZIXLDMFVRPABBX-UHFFFAOYSA-N alpha-methylcyclopentanone Natural products CC1CCCC1=O ZIXLDMFVRPABBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 description 1
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N anhydrous amyl acetate Natural products CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N benzarone Chemical compound CCC=1OC2=CC=CC=C2C=1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1 RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229930188620 butyrolactone Natural products 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- RDVQTQJAUFDLFA-UHFFFAOYSA-N cadmium Chemical compound [Cd][Cd][Cd][Cd][Cd][Cd][Cd][Cd][Cd] RDVQTQJAUFDLFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical class OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 229920003086 cellulose ether Polymers 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O diazynium Chemical compound [NH+]#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical compound [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 125000003500 enol ether group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002084 enol ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000002085 enols Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MBAKFIZHTUAVJN-UHFFFAOYSA-I hexafluoroantimony(1-);hydron Chemical compound F.F[Sb](F)(F)(F)F MBAKFIZHTUAVJN-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N hexamethylphosphoric triamide Chemical compound CN(C)P(=O)(N(C)C)N(C)C GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- YTCQFLFGFXZUSN-BAQGIRSFSA-N microline Chemical compound OC12OC3(C)COC2(O)C(C(/Cl)=C/C)=CC(=O)C21C3C2 YTCQFLFGFXZUSN-BAQGIRSFSA-N 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000403 monosodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019799 monosodium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 description 1
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O phosphonium Chemical compound [PH4+] XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001289 polyvinyl ether Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- AJPJDKMHJJGVTQ-UHFFFAOYSA-M sodium dihydrogen phosphate Chemical compound [Na+].OP(O)([O-])=O AJPJDKMHJJGVTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- PNGLEYLFMHGIQO-UHFFFAOYSA-M sodium;3-(n-ethyl-3-methoxyanilino)-2-hydroxypropane-1-sulfonate;dihydrate Chemical compound O.O.[Na+].[O-]S(=O)(=O)CC(O)CN(CC)C1=CC=CC(OC)=C1 PNGLEYLFMHGIQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical compound [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- XTHPWXDJESJLNJ-UHFFFAOYSA-N sulfurochloridic acid Chemical compound OS(Cl)(=O)=O XTHPWXDJESJLNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003509 tertiary alcohols Chemical class 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009997 thermal pre-treatment Methods 0.000 description 1
- 150000004897 thiazines Chemical class 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 125000003866 trichloromethyl group Chemical group ClC(Cl)(Cl)* 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- ZTWTYVWXUKTLCP-UHFFFAOYSA-N vinylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)C=C ZTWTYVWXUKTLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 150000004798 β-ketoamides Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
- G03C1/725—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705 containing inorganic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、化学線に露光すると酸を形成する化合物と、
酸により分解可能な化合物と、バインダーとを含有放射
線感応性混合物に関する。
酸により分解可能な化合物と、バインダーとを含有放射
線感応性混合物に関する。
光開始剤を化学線に露光すると酸を形成し、次いでこの
酸が第2反応で照射され九領医内の酸に工υ分解可能な
材料を適当な現像液に可溶性にするホゾ形放射線感応性
混合物は以前から公知である。
酸が第2反応で照射され九領医内の酸に工υ分解可能な
材料を適当な現像液に可溶性にするホゾ形放射線感応性
混合物は以前から公知である。
酸により分解することができる便用すべき材料は、たと
えば欧州特許出願公開 第0022571号、第0006626号、wJ000
6627号、第0202196号、西ドイツ国特許出願
公開第2610842号、第3544165号および第
3601264号、西ドイツ国特許第2306248号
および第2718254号明細書、および西ドイツ国特
許出願p3730783.5号お工びP3730785
.1号に記載されている。
えば欧州特許出願公開 第0022571号、第0006626号、wJ000
6627号、第0202196号、西ドイツ国特許出願
公開第2610842号、第3544165号および第
3601264号、西ドイツ国特許第2306248号
および第2718254号明細書、および西ドイツ国特
許出願p3730783.5号お工びP3730785
.1号に記載されている。
このような、酸により分解可能な物質を含有する放射線
感応性混合物は、通常水に不溶性でかつ有機溶剤お工び
アルカリに可溶性または少なくとも膨潤性バインダーを
含有する。これらは特にノボラック形のフェノール樹脂
を包含する。前記の樹脂としては、フェノール/ホルム
アルデヒド樹脂、クレゾール/ホルムアルデヒド樹脂、
これらの混合縮合体およびこれらの混合物およびホルム
アルデヒドとのフェノールおよびクレゾール縮合体が挙
げられる。
感応性混合物は、通常水に不溶性でかつ有機溶剤お工び
アルカリに可溶性または少なくとも膨潤性バインダーを
含有する。これらは特にノボラック形のフェノール樹脂
を包含する。前記の樹脂としては、フェノール/ホルム
アルデヒド樹脂、クレゾール/ホルムアルデヒド樹脂、
これらの混合縮合体およびこれらの混合物およびホルム
アルデヒドとのフェノールおよびクレゾール縮合体が挙
げられる。
付加的に、ビニルポリマー、九とえはポリビニルアセタ
ール、ポリメタクリレート、ポリアクリレート、ポリビ
ニルエーテル、ポリビニルピロリジノンおよびスチレン
ポリマー(これらはそれぞれコモノマーにニジ変性され
ていてもよい)’l単独かまたは他のものと混合して用
いることができる。
ール、ポリメタクリレート、ポリアクリレート、ポリビ
ニルエーテル、ポリビニルピロリジノンおよびスチレン
ポリマー(これらはそれぞれコモノマーにニジ変性され
ていてもよい)’l単独かまたは他のものと混合して用
いることができる。
前記のバインダーは感光性化合物として12−ナフトキ
ノリン−2−ジアジド−4−を友は−5−スルホクロリ
ド、または−5−スルホン酸を含有する感光性混合物中
に便用される。
ノリン−2−ジアジド−4−を友は−5−スルホクロリ
ド、または−5−スルホン酸を含有する感光性混合物中
に便用される。
このような、感光性の低い系において、画像構遺体の耐
熱性、つまり熱安定性は比較的重要でないと判明した。
熱性、つまり熱安定性は比較的重要でないと判明した。
これに対して、酸により分解可能な前記の材料を、放射
線に露光した際に酸を形成しかつ画像に基づき露光され
九材料の極めて高い解像力を保証する化合物と組み合わ
せて便用する場合には、その他の放射線感応性混合物の
成分に関して、相応する化学線を用いた照射により微細
構造を得る九めに高い解像度の画像が生じるだけでなく
、現像および特に高温での引き続く工程(たとえばプラ
ズマエツチング工程等)の後に、レジスト構造の寸法安
定性が保証されるようにしなければならない。前記の従
来愛用され九バインダー、特にノボラック樹脂の場合に
は、感光性系にニジあらかじめ決定された解像力を持続
するため、レジスト構造の十分な寸法安定性はもはや生
じなかつ友。それというのも従来公知のバインダーは1
05〜120℃の融点を有するにすぎない友めであった
( DIN 53181に基づくキャビシソ法)。しか
し、この構造はその安定性を7Q℃のような低い温度で
失う。
線に露光した際に酸を形成しかつ画像に基づき露光され
九材料の極めて高い解像力を保証する化合物と組み合わ
せて便用する場合には、その他の放射線感応性混合物の
成分に関して、相応する化学線を用いた照射により微細
構造を得る九めに高い解像度の画像が生じるだけでなく
、現像および特に高温での引き続く工程(たとえばプラ
ズマエツチング工程等)の後に、レジスト構造の寸法安
定性が保証されるようにしなければならない。前記の従
来愛用され九バインダー、特にノボラック樹脂の場合に
は、感光性系にニジあらかじめ決定された解像力を持続
するため、レジスト構造の十分な寸法安定性はもはや生
じなかつ友。それというのも従来公知のバインダーは1
05〜120℃の融点を有するにすぎない友めであった
( DIN 53181に基づくキャビシソ法)。しか
し、この構造はその安定性を7Q℃のような低い温度で
失う。
このバインダーのガラス転移温度は一般に1oo’cz
b低い。
b低い。
これに対して、純粋クレゾール/ホルムアルデヒド樹脂
は、西ドイツ国特許出願公開第3544165号明細書
に記載され友ように、酸により分解することができるシ
リルエーテル化合物と組合せ次場合、恐らく双方の化合
物の不相容性の結果耐現像液性を示さない。全ての層が
剥離する。
は、西ドイツ国特許出願公開第3544165号明細書
に記載され友ように、酸により分解することができるシ
リルエーテル化合物と組合せ次場合、恐らく双方の化合
物の不相容性の結果耐現像液性を示さない。全ての層が
剥離する。
従って、本発明の課辿は、露光および現像の後に、一方
では高い解像力を有し、他方では高温でも形状安定性を
保持する構造を生じる工うなポジ形mjN線感応性混合
物を開発することであった。
では高い解像力を有し、他方では高温でも形状安定性を
保持する構造を生じる工うなポジ形mjN線感応性混合
物を開発することであった。
この111題は、化学線に露光すると酸を形成する化合
物と、酸により分解可能な化合物と、水に不溶性でかつ
有機溶剤お工びアルカリ中で可溶性か少なくとも膨や性
であるノボラックバインダーとからなるポジ形放射線感
応性混合物において、このノボラックバインダーが少な
くとも110℃のガラス転移温度を有することを特徴と
するポジ形放射線感応性混合物を提供することにより解
決され穴。
物と、酸により分解可能な化合物と、水に不溶性でかつ
有機溶剤お工びアルカリ中で可溶性か少なくとも膨や性
であるノボラックバインダーとからなるポジ形放射線感
応性混合物において、このノボラックバインダーが少な
くとも110℃のガラス転移温度を有することを特徴と
するポジ形放射線感応性混合物を提供することにより解
決され穴。
全く意想外なのは、本発明によるバインダーは、放射線
に露光し穴場合に酸を生成する化合物を酸による分解可
能な化合物と組合せて含有する、感光性系を有する混合
物中でも構造的に安定な画像コントラストラ生じること
である。
に露光し穴場合に酸を生成する化合物を酸による分解可
能な化合物と組合せて含有する、感光性系を有する混合
物中でも構造的に安定な画像コントラストラ生じること
である。
それというのもこの系は常用のO−キノリンジアジド系
と比較して、むしろ低温で溶融することが公知なためで
ある。
と比較して、むしろ低温で溶融することが公知なためで
ある。
本発明による特許請求の範囲に記載した放射線感応性混
合物において、少なくとも115°α特に少なくとも1
20°Cのガラス転移温[1−有するような結合剤が有
利である。
合物において、少なくとも115°α特に少なくとも1
20°Cのガラス転移温[1−有するような結合剤が有
利である。
前記結合剤は10〜40、特に15〜30のヂ値(re
auaea averag@moxecu1ar we
ight )を有する。
auaea averag@moxecu1ar we
ight )を有する。
有利には、メタ位が置換され次フェノール少なくとも5
0モル係(友だし適し次置換基は(C1−03)アルキ
ル基、特にメチル基である)を含有する混合物から生じ
るようなバインダーが挙げられる。このうち、さらに調
製用バインダー混合物が次のようなものを含有するよう
なバインダーが特に有利である: a)メタ位が置換されたフェノール少なくとも60モル
係および一数式!= H 〔式中Rは(C1<、 )アルキル基、特にメチル基、
エチル基お工び/ま友はt−ブチル基を表わし、nは1
〜6の金敷、特に2または6を表わす〕で示される3反
応性または2反応性フェノール40モル%まで、ま九は b)メタ位が置換され九フェノール少なくとも70モル
チおよび一数式■: H 〔式中Rは(C1<4)アルキル基、特にメチル基、エ
チル基お工び/またはt−エチル基を表わし、mは2〜
4の金敷、特に6を表わす〕で示される1反応性フェノ
ール30モル%まで。
0モル係(友だし適し次置換基は(C1−03)アルキ
ル基、特にメチル基である)を含有する混合物から生じ
るようなバインダーが挙げられる。このうち、さらに調
製用バインダー混合物が次のようなものを含有するよう
なバインダーが特に有利である: a)メタ位が置換されたフェノール少なくとも60モル
係および一数式!= H 〔式中Rは(C1<、 )アルキル基、特にメチル基、
エチル基お工び/ま友はt−ブチル基を表わし、nは1
〜6の金敷、特に2または6を表わす〕で示される3反
応性または2反応性フェノール40モル%まで、ま九は b)メタ位が置換され九フェノール少なくとも70モル
チおよび一数式■: H 〔式中Rは(C1<4)アルキル基、特にメチル基、エ
チル基お工び/またはt−エチル基を表わし、mは2〜
4の金敷、特に6を表わす〕で示される1反応性フェノ
ール30モル%まで。
特に好ましくは、−数式■の6反応性または2反応性フ
ェノール60モル%まで、特に有利には20モル係まで
または一数式■の1反応性フェノール50モル係まで特
に有利には10モル%を含有する調製用バインダー混合
物の工うなバインダ→!挙げられる。
ェノール60モル%まで、特に有利には20モル係まで
または一数式■の1反応性フェノール50モル係まで特
に有利には10モル%を含有する調製用バインダー混合
物の工うなバインダ→!挙げられる。
6反応性フェノールの例は、3−5−または6−お工び
5位がRにより置換され次ものである。
5位がRにより置換され次ものである。
2反応性フェノールは2−または4位、2−お工び6−
3−お工び4−2−および5位または2−6−および5
−ならびに3−4−および5位が置換されていることに
ニジ優れている。
3−お工び4−2−および5位または2−6−および5
−ならびに3−4−および5位が置換されていることに
ニジ優れている。
1反応性フェノールは2−お工び4−または2−および
6− 2− 3−お工び4−2−3−お工び6−ならび
に2−4−および5−または2− 3− 4−お工び5
−ならびに23−5−および6位に置換基を有すること
により優れている。
6− 2− 3−お工び4−2−3−お工び6−ならび
に2−4−および5−または2− 3− 4−お工び5
−ならびに23−5−および6位に置換基を有すること
により優れている。
特に有利に、メタ値が置換され九フェノールトシてm−
クレゾールが挙げられる。−数式■お工び■のフェノー
ルの置換基は、好ましくは同じタイプのものであり、特
に好ましくはメチル基である。
クレゾールが挙げられる。−数式■お工び■のフェノー
ルの置換基は、好ましくは同じタイプのものであり、特
に好ましくはメチル基である。
最も好ましいのは、純粋m−クレゾール樹脂(〉96モ
ル%)(3反応性)ならびにm−クレゾールおよび一数
式Iの他の6反応性または2反応性化合物、そのうちで
もさらに2−お工び6−ま九は6お工び5−または2−
6−および5位が置換されているもの、このうちでもさ
らに6−および5位が置換されているものからなるバイ
ンダーである。
ル%)(3反応性)ならびにm−クレゾールおよび一数
式Iの他の6反応性または2反応性化合物、そのうちで
もさらに2−お工び6−ま九は6お工び5−または2−
6−および5位が置換されているもの、このうちでもさ
らに6−および5位が置換されているものからなるバイ
ンダーである。
m−クレゾールお工び一数式■の1反応性フェノールか
らなるバインダーのうち、2.3−および6位が置換さ
れている工うな1反応性フェノールが有利である。
らなるバインダーのうち、2.3−および6位が置換さ
れている工うな1反応性フェノールが有利である。
特にm−クレゾール樹脂お工び、2種類のフェノール成
分を有するもので、一方が特にm−クレゾールであるも
のからなるバインダーのほかに、特にm−クレゾールお
工び他の1反応性、2反応性taは3反応性フェノール
を含有する多くのフェノール化合物からなる系が適当で
ある。このうちの例は、特に6種類のフェノール成分か
らなるような系であり、この場合主成分、m位が置換さ
れたフェノールのほかに、他の化合物はそれぞれ有利に
1反応性、2反応性または3反応性フェノールに所属す
る。このような他の成分が異なる反応性のフェノールか
ら生じる場合、この混合比は常に6反応性の方が2反応
性ま九は1反応性フェノールニジも多く、または2反応
性の方が1反応性フェノールよシも多くバインダー調製
用混合物中に存在するようなものである。
分を有するもので、一方が特にm−クレゾールであるも
のからなるバインダーのほかに、特にm−クレゾールお
工び他の1反応性、2反応性taは3反応性フェノール
を含有する多くのフェノール化合物からなる系が適当で
ある。このうちの例は、特に6種類のフェノール成分か
らなるような系であり、この場合主成分、m位が置換さ
れたフェノールのほかに、他の化合物はそれぞれ有利に
1反応性、2反応性または3反応性フェノールに所属す
る。このような他の成分が異なる反応性のフェノールか
ら生じる場合、この混合比は常に6反応性の方が2反応
性ま九は1反応性フェノールニジも多く、または2反応
性の方が1反応性フェノールよシも多くバインダー調製
用混合物中に存在するようなものである。
全く意想外なのは、このタイプの前記のバインダー調製
用混合物が、本発明による、このバインダーを含有する
放射線感応性混合物の寸法安定性を保証するために必要
な特性?、保証することであった。
用混合物が、本発明による、このバインダーを含有する
放射線感応性混合物の寸法安定性を保証するために必要
な特性?、保証することであった。
本発明による、放射線感応性混合物中に存在するバイン
ダーは、前記フェノール成分とカルボニル成分との縮合
により生成する。この例は脂肪族アルデヒド、特にホル
ムアルデヒド、酸アルデヒドまたはプロぎルアルデヒド
、ならびにこれらの誘導体、九とえはホルムアルデヒド
1パラホルムアルデヒドおよびトリオキサンならびにア
クロレイン、ベンズアルデヒド、4−ヒドロキシベンズ
アルデヒド、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチル
ケトン、メチルイソプチルケトン、アセトフェノン、ベ
ンジルメチルケトン等の誘導体である。
ダーは、前記フェノール成分とカルボニル成分との縮合
により生成する。この例は脂肪族アルデヒド、特にホル
ムアルデヒド、酸アルデヒドまたはプロぎルアルデヒド
、ならびにこれらの誘導体、九とえはホルムアルデヒド
1パラホルムアルデヒドおよびトリオキサンならびにア
クロレイン、ベンズアルデヒド、4−ヒドロキシベンズ
アルデヒド、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチル
ケトン、メチルイソプチルケトン、アセトフェノン、ベ
ンジルメチルケトン等の誘導体である。
このうちでは、ホルムアルデヒドおよびアセトアルデヒ
ドが特に有利であり、これらは単独でまたは混合して使
用しても工い。
ドが特に有利であり、これらは単独でまたは混合して使
用しても工い。
カルボニル成分対便用したフェノール成分のモル比は0
.80〜0.95 : 1である。それぞれの場合で最
適な含量は、使用し九フェノール成分の反応性に依存す
る。極めて反応性のフェノール成分を便用する場合、カ
ルボニル成分の含量は、フェノール成分1モルに対して
0.85モル未満であってもよい。しかし、有利には、
0.9モル:1モル(カルボニル成分:フェノール成分
)の比が用いられる。
.80〜0.95 : 1である。それぞれの場合で最
適な含量は、使用し九フェノール成分の反応性に依存す
る。極めて反応性のフェノール成分を便用する場合、カ
ルボニル成分の含量は、フェノール成分1モルに対して
0.85モル未満であってもよい。しかし、有利には、
0.9モル:1モル(カルボニル成分:フェノール成分
)の比が用いられる。
前記の成分を縮合するために、バインダー調製用混合物
は酸を含んでいなければならない。
は酸を含んでいなければならない。
この例は有機酸、たとえばマレイン酸無水物、ニ
ジ/つ酸、ザ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、メタンスル
ホン酸、トルエンスルホン酸ナラヒニ無機酸、たとえば
硫酸およびリン酸である。シュウ酸は有利である。
ホン酸、トルエンスルホン酸ナラヒニ無機酸、たとえば
硫酸およびリン酸である。シュウ酸は有利である。
この含量は、混合物中のフェノール成分に対してそれぞ
れ、約0.01〜6重量%、特に1〜4重量%である。
れ、約0.01〜6重量%、特に1〜4重量%である。
著しく強い無機酸を用いる場合には、酸成分は前記工り
も少なく選択することができる。
も少なく選択することができる。
120〜200℃、特に140〜190’Cの沸点を有
する溶剤および溶剤混合物の存在は縮合反応に有利であ
る。適当な溶剤の例は、グリコールエーテル、たとえば
メチルグリコール、エチルグリコール、ブチルグリコー
ル、メトキシブタノール、ジメチルホルムアミド、ジエ
チレンクリコールジメチルエーテル、エチルクリコール
アセテートおよびメチルプロピレングリコールアセテー
トである。有利には、ヒドロキシル基不含溶剤が用いら
れる:これはフェノール混合物1重量部につき0.2〜
1.0!量部の量で便用される。
する溶剤および溶剤混合物の存在は縮合反応に有利であ
る。適当な溶剤の例は、グリコールエーテル、たとえば
メチルグリコール、エチルグリコール、ブチルグリコー
ル、メトキシブタノール、ジメチルホルムアミド、ジエ
チレンクリコールジメチルエーテル、エチルクリコール
アセテートおよびメチルプロピレングリコールアセテー
トである。有利には、ヒドロキシル基不含溶剤が用いら
れる:これはフェノール混合物1重量部につき0.2〜
1.0!量部の量で便用される。
バインダーの量は、一般に放射線感応性混合物の重量に
対して1〜90重量係、特に5〜901i襲、有利に5
0〜90重量係である。
対して1〜90重量係、特に5〜901i襲、有利に5
0〜90重量係である。
このような一連の化合物および混合物は、有利に照射に
ニジ強酸を生成するかまたは脱離する化合物として、本
発明による放射線感応性混合物に適している。例はジア
ゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩お工びヨ
ードニウム塩、ハロゲン化合物、0−キノリンジアジド
スルホクロリドお工び一スルホン酸エステルならびに有
機金属/有機ハロゲンの組合せ物である。
ニジ強酸を生成するかまたは脱離する化合物として、本
発明による放射線感応性混合物に適している。例はジア
ゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩お工びヨ
ードニウム塩、ハロゲン化合物、0−キノリンジアジド
スルホクロリドお工び一スルホン酸エステルならびに有
機金属/有機ハロゲンの組合せ物である。
前記のジアゾニウム、ホスホニウム、スルホニウムおよ
びヨードニウム化合物は通常有機溶剤中に溶解した塩の
形で、たいていは鉛酸たとえばフルオロホウ酸、ヘキサ
フルオロリン酸、ヘキサフルオロアンチモン酸お工びヘ
キサフルオロヒ酸との沈殿生成物の形で用いられる。特
にこれらの化合物は西ドイツ国特許出願公開第3601
264号明細書に記載されている。
びヨードニウム化合物は通常有機溶剤中に溶解した塩の
形で、たいていは鉛酸たとえばフルオロホウ酸、ヘキサ
フルオロリン酸、ヘキサフルオロアンチモン酸お工びヘ
キサフルオロヒ酸との沈殿生成物の形で用いられる。特
にこれらの化合物は西ドイツ国特許出願公開第3601
264号明細書に記載されている。
ハロゲン化合物は特に、米国特許
第3515552号、6536489号および3779
778号および西ドイツ国特許第2718259号、6
637024号、3363450号、2306248号
、2243621号および1298.14号に記載され
た工うなトリアジン誘導体を含む。しかしこれは他の光
開始剤、たとえばオキサゾール、オキサジアゾールまた
はチアゾールならびにこれらの混合物を使用してもよい
。
778号および西ドイツ国特許第2718259号、6
637024号、3363450号、2306248号
、2243621号および1298.14号に記載され
た工うなトリアジン誘導体を含む。しかしこれは他の光
開始剤、たとえばオキサゾール、オキサジアゾールまた
はチアゾールならびにこれらの混合物を使用してもよい
。
しかし、トリクロロメチル基またはトリブロモメチル基
を含有するオキサゾール、オキサジアゾール、チアゾー
ルまたは2−ぎロンは公知である(西ドイツ国特許出願
公開 $3021599号、第3021590号、第2851
472号、第2949396号お工び欧州特許出願公開
第0135348号および第0135863号明細書)
。
を含有するオキサゾール、オキサジアゾール、チアゾー
ルまたは2−ぎロンは公知である(西ドイツ国特許出願
公開 $3021599号、第3021590号、第2851
472号、第2949396号お工び欧州特許出願公開
第0135348号および第0135863号明細書)
。
特にこれらの特許請求の範囲においては環中にハロゲン
原子、好ましくは臭素原子を有する芳香族化合物が含ま
れる。このタイプの化合物は西ドイツ国特許出願公開第
2610842号明細書から公知であシ、西ドイツ国特
許出願P3730784.3号に記載されている。
原子、好ましくは臭素原子を有する芳香族化合物が含ま
れる。このタイプの化合物は西ドイツ国特許出願公開第
2610842号明細書から公知であシ、西ドイツ国特
許出願P3730784.3号に記載されている。
チアゾールを有する化合物の代表例は、2−ベンゾイル
メチレンナフト〔1,2−α〕チアゾールを含むもので
ある(西ドイツ国特許出願公開第2851 <541号
お工び第2934758号明細書)。N−フェニルアク
リドンを有するトリハログツメチルの混合物は西ドイツ
国特許出願公開第2610842号明細書から公知であ
る。
メチレンナフト〔1,2−α〕チアゾールを含むもので
ある(西ドイツ国特許出願公開第2851 <541号
お工び第2934758号明細書)。N−フェニルアク
リドンを有するトリハログツメチルの混合物は西ドイツ
国特許出願公開第2610842号明細書から公知であ
る。
たとえばベンゾフェノン、ベンジルまたはミヒラーケト
ンにより合成することができるα−ハロカルボキシアミ
ド(西ドイツ国特許出願公開第2718200号明細書
)ま九はトリブロモ’?ルフェニルスルホン(西ドイツ
国%FF出願公開第3503113号明細書)?:!用
することができる。
ンにより合成することができるα−ハロカルボキシアミ
ド(西ドイツ国特許出願公開第2718200号明細書
)ま九はトリブロモ’?ルフェニルスルホン(西ドイツ
国%FF出願公開第3503113号明細書)?:!用
することができる。
しかし原則として前記の全ての感光性または放射線感応
性化合物は光増感剤によりその作用を補助してもよい。
性化合物は光増感剤によりその作用を補助してもよい。
適当な化合物の例はアントラセン、フェナントレン、ピ
レン、1.2−ベンズアントレン、チアジン、ピラゾリ
ン、ベンゾフラン、ベンゾウニノン、フルオレノン、ア
ントラキノンお工びキノリン誘導体である。この含量は
放射線感応性混合物の重量に対して0.01〜5重量係
である。
レン、1.2−ベンズアントレン、チアジン、ピラゾリ
ン、ベンゾフラン、ベンゾウニノン、フルオレノン、ア
ントラキノンお工びキノリン誘導体である。この含量は
放射線感応性混合物の重量に対して0.01〜5重量係
である。
特に、西ドイツ国特許出願公開
第2610842号明細書および西ドイツ国特許出願P
3173[1784,3号からの、環中にハロゲン原子
、特に臭素原子を有する芳香族原子およびチアジン誘導
体が有利である。
3173[1784,3号からの、環中にハロゲン原子
、特に臭素原子を有する芳香族原子およびチアジン誘導
体が有利である。
好ましくは、この化合物は高エネルギー つまシ短波長
放射線を用いて二うやく分解される。
放射線を用いて二うやく分解される。
これはUD放射線のほかに、特に電子線またはX線を含
む。
む。
モノマーの放射性感応性化合物のほかに、このタイプの
ポリマーを使用してもよい。モノマーの開始剤を用いる
場合、この含量は、放射線感応性混合物の重量に対して
0.01〜30重量係、特に0.4〜20重量係重量口
内にある。
ポリマーを使用してもよい。モノマーの開始剤を用いる
場合、この含量は、放射線感応性混合物の重量に対して
0.01〜30重量係、特に0.4〜20重量係重量口
内にある。
ポリマーの開始剤を用いる場合、所望の場合に、本発明
により製造した若干のバインダーを省くことができる。
により製造した若干のバインダーを省くことができる。
その結果このバインダーの含量はこの混合物中のポリマ
ー含量の割合の関数として、モノマーのi開始剤につい
て記載した範囲を越えてもよい。特許請求の範囲に記載
した含量は特に、酸にエリ分解可能な化合物の含量を除
いて、50重量%ニジ大きくかつ99重量係までである
。
ー含量の割合の関数として、モノマーのi開始剤につい
て記載した範囲を越えてもよい。特許請求の範囲に記載
した含量は特に、酸にエリ分解可能な化合物の含量を除
いて、50重量%ニジ大きくかつ99重量係までである
。
特に次の種類の化合物は、本発明による放射線感応性混
合物中の酸に工り分解可能な材料として適していること
が判明し几: a)少なくとも1種類のオルトカルボン酸エステルお工
び/またはカルボキシアミドアセタール基を有する工う
なもの〔九だしこの化合物はポリマーの特性を有し、前
記の基は主鎖中で結合し九元素としてま九は側鎖の置換
基として存在してもよい〕、 b) 主鎖中でアセタールお工び/lたはケタールの
基を繰り返して有しているオリヒマ−またはポリマーの
化合物、 C)少なくとも1種類のエノールエーテルまたはN−ア
シルイミノカーボネート基を有する化合物、 d)β−ケトエステルま几はβ−ケトアミドの環式アセ
タールまたはケタール、 e)シリルエノールエーテル基を有する化合物、f)モ
ノアセタールないしはモノケタール(このアルデヒドな
いしはケトン成分は0.1〜1009/lの現像液中の
溶解性を有する)、g)第3級アルコールを主体とする
エーテル、f) 第3級アリル形またはベンジル形ア
ルコールのカルボン酸エステルお工びカーボネート。
合物中の酸に工り分解可能な材料として適していること
が判明し几: a)少なくとも1種類のオルトカルボン酸エステルお工
び/またはカルボキシアミドアセタール基を有する工う
なもの〔九だしこの化合物はポリマーの特性を有し、前
記の基は主鎖中で結合し九元素としてま九は側鎖の置換
基として存在してもよい〕、 b) 主鎖中でアセタールお工び/lたはケタールの
基を繰り返して有しているオリヒマ−またはポリマーの
化合物、 C)少なくとも1種類のエノールエーテルまたはN−ア
シルイミノカーボネート基を有する化合物、 d)β−ケトエステルま几はβ−ケトアミドの環式アセ
タールまたはケタール、 e)シリルエノールエーテル基を有する化合物、f)モ
ノアセタールないしはモノケタール(このアルデヒドな
いしはケトン成分は0.1〜1009/lの現像液中の
溶解性を有する)、g)第3級アルコールを主体とする
エーテル、f) 第3級アリル形またはベンジル形ア
ルコールのカルボン酸エステルお工びカーボネート。
放射線感応性混合物の成分としてタイプa)の酸により
分解可能な化合物は欧州特許出願公開第0022571
号および西ドイツ国特許出願公開m25510842号
明細書に詳説されている;タイプb)の化合物を含有す
る混合物は西ドイツ国特許第2306248号および同
第2718254号明細書に記載されている;タイプC
)の化合物は欧州特許出願公開第0066626号およ
び0006627号明細書に記載されている:タイゾd
)の化合物は欧州特許出願公開第0202196号明細
書に記載されている:タイプe)の化合物は西ドイツ国
特許出願p3730783.5号に記載されている;タ
イプで)の化合物は西ドイツ国特許出願p373078
5.1および p3730787.8に述べられている;タイプg)の
化合物は、たとえば米国特許 第4603101号明細書に記載されている;タイプh
)の化合物は、たとえば米国特許第4491628号明
細書、および、T、M。
分解可能な化合物は欧州特許出願公開第0022571
号および西ドイツ国特許出願公開m25510842号
明細書に詳説されている;タイプb)の化合物を含有す
る混合物は西ドイツ国特許第2306248号および同
第2718254号明細書に記載されている;タイプC
)の化合物は欧州特許出願公開第0066626号およ
び0006627号明細書に記載されている:タイゾd
)の化合物は欧州特許出願公開第0202196号明細
書に記載されている:タイプe)の化合物は西ドイツ国
特許出願p3730783.5号に記載されている;タ
イプで)の化合物は西ドイツ国特許出願p373078
5.1および p3730787.8に述べられている;タイプg)の
化合物は、たとえば米国特許 第4603101号明細書に記載されている;タイプh
)の化合物は、たとえば米国特許第4491628号明
細書、および、T、M。
Frechet他著、” J、 Imaging Sc
i、 30.59〜64(1986)に記載されて
いる。
i、 30.59〜64(1986)に記載されて
いる。
前記の、酸により分解可能な材料の混合物を便用しても
よい。しかし前記のタイプの1つに属する、酸により分
解可能な材料が有利である。
よい。しかし前記のタイプの1つに属する、酸により分
解可能な材料が有利である。
特に有利な材料は、少なくとも1個の酸により分解可能
なC−0−C結合を有するものおよび特にタイプ&)
% b) 、f)お工びh)に属する工うなものである
。タイプb)にいて、特にポリマーのアセタールが挙げ
られる:タイプf)の酸により分解可能な材料は、特に
、このアルデヒドまたはケトン成分が150°C1好ま
しくは2006Cニジ高い沸点を有するようなものであ
る。
なC−0−C結合を有するものおよび特にタイプ&)
% b) 、f)お工びh)に属する工うなものである
。タイプb)にいて、特にポリマーのアセタールが挙げ
られる:タイプf)の酸により分解可能な材料は、特に
、このアルデヒドまたはケトン成分が150°C1好ま
しくは2006Cニジ高い沸点を有するようなものであ
る。
本発明による放射線感応性混合物中の酸により分解可能
な材料の含量は、それぞれ層の総重量に対して1〜50
重量係重量和に5〜25重量係であるのが好ましい。
な材料の含量は、それぞれ層の総重量に対して1〜50
重量係重量和に5〜25重量係であるのが好ましい。
さらに、所望の場合に、柔軟性、付着性および光沢のよ
うな特別な要求を改善するため、染料、顔料、可塑剤、
湿潤剤、流動性改良剤、しかLポIJグリコール、セル
ロースエーテル、りとえばエチルセルロースを添加する
ことができる。
うな特別な要求を改善するため、染料、顔料、可塑剤、
湿潤剤、流動性改良剤、しかLポIJグリコール、セル
ロースエーテル、りとえばエチルセルロースを添加する
ことができる。
有利には、本発明による放射線感応性混合物は溶剤、た
とえばエチレングリコール、グリコールエーテル、たと
えばグリコールモノメチルエーテル、グリコールジメチ
ルエーテル、グリ:r −pv モ/ x fルエーテ
ルまたはゾロピレングリコールモノアルキルエーテル、
特にプロピレングリコールメチルエーテル:脂肪族エス
テル、たとえばエチルアセテート、ヒドロキシエチルア
セテート、アルコキシエチルアセテート、ブチルアセテ
ート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセ
テート、特にプロピレングリコールメチルエ=チルアセ
テートまたはアミルアセテート;x−fル九とえはジオ
キサン、ケトンたとえばメチルエチルケトン、メチルイ
ソブチルケトン、シクロペンタノンおよびシクロヘキサ
ノン:ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、
ヘキサメチルリン酸アミド、N−メチルぎロリドン、ブ
チロラクトン、テトラヒドロフランおよびこれらの混合
物中に溶がされる。
とえばエチレングリコール、グリコールエーテル、たと
えばグリコールモノメチルエーテル、グリコールジメチ
ルエーテル、グリ:r −pv モ/ x fルエーテ
ルまたはゾロピレングリコールモノアルキルエーテル、
特にプロピレングリコールメチルエーテル:脂肪族エス
テル、たとえばエチルアセテート、ヒドロキシエチルア
セテート、アルコキシエチルアセテート、ブチルアセテ
ート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセ
テート、特にプロピレングリコールメチルエ=チルアセ
テートまたはアミルアセテート;x−fル九とえはジオ
キサン、ケトンたとえばメチルエチルケトン、メチルイ
ソブチルケトン、シクロペンタノンおよびシクロヘキサ
ノン:ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、
ヘキサメチルリン酸アミド、N−メチルぎロリドン、ブ
チロラクトン、テトラヒドロフランおよびこれらの混合
物中に溶がされる。
グリコールエーテル、脂肪族エステルおよびケトンが特
に有利である。
に有利である。
通常放射線感応性混合物の他の化合物と一緒に生じる溶
液は、5〜60重i[、好ましくは50重量係までの固
体含量を有する。
液は、5〜60重i[、好ましくは50重量係までの固
体含量を有する。
さらに、本発明による放射線感応性記録材料は特許請求
の範囲に記載されておシ、主に支持体およびこれに塗布
した放射線感応性混合物からなる。
の範囲に記載されておシ、主に支持体およびこれに塗布
した放射線感応性混合物からなる。
適した支持体は、コンデンサ、半導体、多jプリント回
路または集積回路を構成するかまたは製造することがで
きる全ての材料である。所望によりドーリングしてもよ
い純粋ケイ素および熱酸化したお工び/またはアルミニ
ウム様覆したケイ素材料からなる表面が特に適しており
、これには従来の半導体技術における他の全ての支持体
、次とえは窒化ケイ素、ヒ化ガリウム、リン化インジウ
ムが含まれる。他の例は、液晶デイスプレィ法から公知
である支持体、たとえばガラス、インジウム/スズ酸化
物:さらにたとえばアルミニウム、銅、亜鉛からなる金
属シートおよび金属箔:バイメタルま次はトリメタル箔
、金属蒸着により析出させ九非導電性膜、および所望に
ニジアルミニウムで被4λした5102材料および紙で
ある。これらの支持体は、所望の特性を得るため、友と
えは親水性を高めるために、熱前処理、表面の粗面化、
エツチングまたは化学薬品で処理してもよい。
路または集積回路を構成するかまたは製造することがで
きる全ての材料である。所望によりドーリングしてもよ
い純粋ケイ素および熱酸化したお工び/またはアルミニ
ウム様覆したケイ素材料からなる表面が特に適しており
、これには従来の半導体技術における他の全ての支持体
、次とえは窒化ケイ素、ヒ化ガリウム、リン化インジウ
ムが含まれる。他の例は、液晶デイスプレィ法から公知
である支持体、たとえばガラス、インジウム/スズ酸化
物:さらにたとえばアルミニウム、銅、亜鉛からなる金
属シートおよび金属箔:バイメタルま次はトリメタル箔
、金属蒸着により析出させ九非導電性膜、および所望に
ニジアルミニウムで被4λした5102材料および紙で
ある。これらの支持体は、所望の特性を得るため、友と
えは親水性を高めるために、熱前処理、表面の粗面化、
エツチングまたは化学薬品で処理してもよい。
特別な構成では、放射線感応性混合物は、レジスト中の
、またはレジストと支持体との間の付Mを改善するため
、付着媒体を含有してもよい。ケイ素または二酸化ケイ
素支持体の場合に、適した付着媒体は、アミノシラン形
のもの、たとえば6−アミノプロビルトリエトキシシラ
ンまたはヘキサメチルジシランである。
、またはレジストと支持体との間の付Mを改善するため
、付着媒体を含有してもよい。ケイ素または二酸化ケイ
素支持体の場合に、適した付着媒体は、アミノシラン形
のもの、たとえば6−アミノプロビルトリエトキシシラ
ンまたはヘキサメチルジシランである。
写真製版記録層、たとえば凸版印刷、平版印刷、スクリ
ーン印刷、凹版印刷ならびにレリーフコピー(rsli
θf 0Opieθ)のための印刷版材を製造するため
に使用される支持体の例は、アルミニウム板(場合によ
り陽極酸化、砂目立てお工び/またはケイ素化したアル
ミニウム板)、亜鉛板、鋼板(クロムで処理されていて
もよい)ならびにプラスチックシートまたは紙である。
ーン印刷、凹版印刷ならびにレリーフコピー(rsli
θf 0Opieθ)のための印刷版材を製造するため
に使用される支持体の例は、アルミニウム板(場合によ
り陽極酸化、砂目立てお工び/またはケイ素化したアル
ミニウム板)、亜鉛板、鋼板(クロムで処理されていて
もよい)ならびにプラスチックシートまたは紙である。
本発明による記録材料は画像に基づき露光する。化学線
源は金4ハロrン化物ランプ、カーボンアークランプ、
キセノンランプおよび水銀灯である。高エネルイー放射
線、たとえばレーザー、電子線またはX線を用いて露光
するのが有利である。適し几レーザーは、特にエキシマ
−レーザー アルビンレーデ−クリプトンレーザーなら
びにヘリウム/カドミウムレーザーである。
源は金4ハロrン化物ランプ、カーボンアークランプ、
キセノンランプおよび水銀灯である。高エネルイー放射
線、たとえばレーザー、電子線またはX線を用いて露光
するのが有利である。適し几レーザーは、特にエキシマ
−レーザー アルビンレーデ−クリプトンレーザーなら
びにヘリウム/カドミウムレーザーである。
層厚はその適用分野に依存する。これは0.1〜100
μm、特に0.3〜10μmである。
μm、特に0.3〜10μmである。
本発明はさらに放射線感応性記録材料の製造する方法に
関する。放射線感応性混合物は、スプレーコーティング
、フローコーティング、ローラーコーティング、スぎン
コーティングfイツプコーティングにより支持体に塗布
することができる。その後溶剤を蒸発することにより除
去し、支持体表面上に放射線感応性層が生じる。
関する。放射線感応性混合物は、スプレーコーティング
、フローコーティング、ローラーコーティング、スぎン
コーティングfイツプコーティングにより支持体に塗布
することができる。その後溶剤を蒸発することにより除
去し、支持体表面上に放射線感応性層が生じる。
溶剤の除去は、必要な場合に、この層を140°Cまで
の温度に加熱することに工り促進するととができる。し
かし、この混合物を最初に前記の方法で仮の支持体に塗
布し、それから減圧ドに高め九温度で最終的支持体に移
すことも有利である。
の温度に加熱することに工り促進するととができる。し
かし、この混合物を最初に前記の方法で仮の支持体に塗
布し、それから減圧ドに高め九温度で最終的支持体に移
すことも有利である。
この層は画像に基づき露光する。通常は化学線を使用し
、UV線、X線まtは電子線が特に有利である。照射の
ため、0.5〜60 mW / an2の強度を有する
200〜500の波長を有する放射線を発するUVラン
プを用いる。放射線感応性層の現像において、画像パタ
ーンは、材料の照射され次範囲を溶解または除去する現
像溶液で層を処理することにより生じる。
、UV線、X線まtは電子線が特に有利である。照射の
ため、0.5〜60 mW / an2の強度を有する
200〜500の波長を有する放射線を発するUVラン
プを用いる。放射線感応性層の現像において、画像パタ
ーンは、材料の照射され次範囲を溶解または除去する現
像溶液で層を処理することにより生じる。
便用し友現像剤はアルカリ性反応剤の溶液、たとえば、
特にアルカリ金属またはアンモニウムイオン力らびにア
ンモニアおよび類似体のケイ酸塩、メタケイ酸塩、水酸
化物、リン酸水素塩およびリン酸二水素塩、炭酸塩およ
び炭酸水素塩の溶液である。現像溶液中の支持体の含量
は、現像溶液の重量に対して一般に0.1〜15重量%
、有利に0.5〜5重を係である。
特にアルカリ金属またはアンモニウムイオン力らびにア
ンモニアおよび類似体のケイ酸塩、メタケイ酸塩、水酸
化物、リン酸水素塩およびリン酸二水素塩、炭酸塩およ
び炭酸水素塩の溶液である。現像溶液中の支持体の含量
は、現像溶液の重量に対して一般に0.1〜15重量%
、有利に0.5〜5重を係である。
必要な場合に、現像し几レジスト支持体は後硬化させる
。これは一般に、レジスト支持体を熱板上で流れ温度よ
り低い温度まで加熱し、次いでキセノン/水銀灯(20
0〜250 nmの範囲)のUV光線で全表面を露光す
ることに↓つて行う。この後硬化はレジスト支持体を架
橋させる九め、この構造は一般に200℃を越える温度
までの流れ抵抗を有する。この後硬化は温度を高めずに
UV光線を照射することにより行ってもよい。これは、
高エネルヤー光線、たとえば電子放射線を使用する場合
に用いられる。
。これは一般に、レジスト支持体を熱板上で流れ温度よ
り低い温度まで加熱し、次いでキセノン/水銀灯(20
0〜250 nmの範囲)のUV光線で全表面を露光す
ることに↓つて行う。この後硬化はレジスト支持体を架
橋させる九め、この構造は一般に200℃を越える温度
までの流れ抵抗を有する。この後硬化は温度を高めずに
UV光線を照射することにより行ってもよい。これは、
高エネルヤー光線、たとえば電子放射線を使用する場合
に用いられる。
本発明による混合物中に存在するバインダーは、次の一
般的方法により製造される:前記混合比に応じたクレゾ
ール混合物6モルを、還流冷却機および猜拌機を備えf
c40フラスコ中でジエチレングリコールジメチルエー
テル180.!i’と混合し、シュウ酸・2水和物6.
6gを添加し、混合物を約100°Cに加熱し九。この
混合物に、表■により37チ濃度のホルマリン溶液(”
IAは他のカルボニル化合物)t−滴加し、反応混合物
を、ホルムアルデヒドが消耗するまで穏やかに還流させ
九。次いで水、溶剤および未反応の出発化合物を、まず
常圧で200℃までで留去し、次いでアスピレータ−に
よる真空中で220℃までで留去した。次いでこの熱い
ノボラック樹脂を冷却皿に注ぎ込み、冷却させた。
般的方法により製造される:前記混合比に応じたクレゾ
ール混合物6モルを、還流冷却機および猜拌機を備えf
c40フラスコ中でジエチレングリコールジメチルエー
テル180.!i’と混合し、シュウ酸・2水和物6.
6gを添加し、混合物を約100°Cに加熱し九。この
混合物に、表■により37チ濃度のホルマリン溶液(”
IAは他のカルボニル化合物)t−滴加し、反応混合物
を、ホルムアルデヒドが消耗するまで穏やかに還流させ
九。次いで水、溶剤および未反応の出発化合物を、まず
常圧で200℃までで留去し、次いでアスピレータ−に
よる真空中で220℃までで留去した。次いでこの熱い
ノボラック樹脂を冷却皿に注ぎ込み、冷却させた。
こうして得られたノボラック樹脂のがラス転移温度(T
g、℃)は、20に7分の加熱速度で示差熱量計(DS
C109D、デュポン社)を用いて測定した。これは半
分の高さの温度に相応した。結果は表!に記載した。
g、℃)は、20に7分の加熱速度で示差熱量計(DS
C109D、デュポン社)を用いて測定した。これは半
分の高さの温度に相応した。結果は表!に記載した。
ノボラック樹脂の縮合度は、シクロヘキサノン中の7%
の濃度の樹脂溶液の相対粘度から、次の式を用いて計算
する已傳値にニジ表わされる: tlはクツベローデ粘度計による樹脂溶液の流れ時間を
表わし、 tlmはウツペローデ粘度計による溶液(シクロヘキサ
ノン)の流れ時間を表わし、 C1は溶剤(シクロヘキサノン)中の樹脂の濃度1.9
’/100−溶液 〔実施例〕 製造例 が2ス転移温度およびV値にょシ表わされた表■に示し
た次のノボラックバインダーを、実施例の一般の方法に
ニジ製造した。これは水制 発明を詳説するが、本発明を展限するものではない。比
較例(HV )として、前記従来技術による、105〜
120°0の軟化範囲を有するクレゾール/ホルムアル
デヒドノボラックを併記した。(Tg=94°C)。
の濃度の樹脂溶液の相対粘度から、次の式を用いて計算
する已傳値にニジ表わされる: tlはクツベローデ粘度計による樹脂溶液の流れ時間を
表わし、 tlmはウツペローデ粘度計による溶液(シクロヘキサ
ノン)の流れ時間を表わし、 C1は溶剤(シクロヘキサノン)中の樹脂の濃度1.9
’/100−溶液 〔実施例〕 製造例 が2ス転移温度およびV値にょシ表わされた表■に示し
た次のノボラックバインダーを、実施例の一般の方法に
ニジ製造した。これは水制 発明を詳説するが、本発明を展限するものではない。比
較例(HV )として、前記従来技術による、105〜
120°0の軟化範囲を有するクレゾール/ホルムアル
デヒドノボラックを併記した。(Tg=94°C)。
記号は次の意味を示す:
次の実施例は本発明を詳説するが、これを制限するもの
ではない。例中で重量部(pbw )と容量部(pbv
)の関係は、y:crn3に関しており、パーセンテ
ージお工び量は、他の記載のない限り重量%である。
ではない。例中で重量部(pbw )と容量部(pbv
)の関係は、y:crn3に関しており、パーセンテ
ージお工び量は、他の記載のない限り重量%である。
例 1
塗布溶液は次の成分で製造し次:
製造例1からのフェノール樹脂 8.2重量部西ドイ
ツ国特許出願p3730787.8号の例1からのベン
ズアルデヒ ドジフェノキシエチルアセタール 1.8重量部2−(
2−エトキシナフト−1−イ ル)−4,5−ビストリクロロメチル −〇−トリアジン 0.155重量部
プロピレングリコールメチルニ チルアセテート 25重量部塗布溶液は
自体公知の方法で、アルミニウム製の0.3nの厚さの
印刷板支持体に塗布した。
ツ国特許出願p3730787.8号の例1からのベン
ズアルデヒ ドジフェノキシエチルアセタール 1.8重量部2−(
2−エトキシナフト−1−イ ル)−4,5−ビストリクロロメチル −〇−トリアジン 0.155重量部
プロピレングリコールメチルニ チルアセテート 25重量部塗布溶液は
自体公知の方法で、アルミニウム製の0.3nの厚さの
印刷板支持体に塗布した。
塗布の前にアルミニウム支持体は電子化挙的にffl[
I化され、陽極酸化されかつポリビニルホスホン酸を用
いて親水性にされ次。この層ヲ90°Cで乾燥すると1
.5μmの厚さの層が生じた。
I化され、陽極酸化されかつポリビニルホスホン酸を用
いて親水性にされ次。この層ヲ90°Cで乾燥すると1
.5μmの厚さの層が生じた。
連続諧謔ウェッジ、4〜75μmの太さのマイクロライ
ン(m1crolines )および範囲の0.5〜5
チを覆う網点を有する原図を、この方法で製造したオフ
セット印刷版材に置い九。次いてこれを水銀高圧ランプ
(5kW ’)の放射線に110c+++の距離で20
秒間露光した。
ン(m1crolines )および範囲の0.5〜5
チを覆う網点を有する原図を、この方法で製造したオフ
セット印刷版材に置い九。次いてこれを水銀高圧ランプ
(5kW ’)の放射線に110c+++の距離で20
秒間露光した。
これを3.3 N KOH溶液で現像した。高い解像度
を有するポジ形印刷版板が得られた。この印刷版材を用
いて得られ九欠陥のない印刷物の数は30000であっ
た。
を有するポジ形印刷版板が得られた。この印刷版材を用
いて得られ九欠陥のない印刷物の数は30000であっ
た。
例 2(比較例)
例1の方法を繰シ返すが、本発明に工す便用し九7エノ
ール樹脂の代わりに、比較例EVからのノボラック8.
2重量it−用いた。
ール樹脂の代わりに、比較例EVからのノボラック8.
2重量it−用いた。
例1と同様に塗布し、乾燥し、照射し、現像することに
より、最高で10000枚の欠陥の印 ない印刷物を製造国するン刷版材が得られた。
より、最高で10000枚の欠陥の印 ない印刷物を製造国するン刷版材が得られた。
例 3
塗布溶液は次の成分で製造した:
製造例1からのフェノール樹脂 8.2重量部西ドイ
ツ国特許出願Pろ730787.8号の例1によるベン
ズアルデヒ ドジフェノキシエチルアセタール 1.8重量部西ドイ
ツ国特許出II P 3760784.3号の例1によ
るヘキサフルオロテ トラブロモビスフェノールA O,151ii
!プロピレングリコールメチルエー チルアセテート 25重量部付着媒
体(ヘキサメチルジシラザ/)で処理したシリコーンウ
ェハ’?:、 3000 rpmでスぎンコーティング
した。循環炉中で85℃で30分間乾燥した後に、1μ
mの厚さの層が得られた。
ツ国特許出願Pろ730787.8号の例1によるベン
ズアルデヒ ドジフェノキシエチルアセタール 1.8重量部西ドイ
ツ国特許出II P 3760784.3号の例1によ
るヘキサフルオロテ トラブロモビスフェノールA O,151ii
!プロピレングリコールメチルエー チルアセテート 25重量部付着媒
体(ヘキサメチルジシラザ/)で処理したシリコーンウ
ェハ’?:、 3000 rpmでスぎンコーティング
した。循環炉中で85℃で30分間乾燥した後に、1μ
mの厚さの層が得られた。
画像に基づきシンクロトロン放射線(EK8SY 。
B@r1’Ln sエアヤヤツデ2tm)に35mJ/
crIL2の強さで、ビールド・オン・シリコン・マス
ク(gola−on −5iliaon mask)
t−通して露光した。この照射の変法の専門的構成は、
A、 Hsuberger著、” X −Ray Li
thographyMicroelectronia
Engineeing 4.535−556(1985
)に記載されている。これを0.4NのKOH溶液で6
0秒間現現像た。全ての細部は欠陥がなく高いエツジ安
定性に優れ、照射していない画像範囲の高い残留層厚が
不変である画像に転写することができ几。
crIL2の強さで、ビールド・オン・シリコン・マス
ク(gola−on −5iliaon mask)
t−通して露光した。この照射の変法の専門的構成は、
A、 Hsuberger著、” X −Ray Li
thographyMicroelectronia
Engineeing 4.535−556(1985
)に記載されている。これを0.4NのKOH溶液で6
0秒間現現像た。全ての細部は欠陥がなく高いエツジ安
定性に優れ、照射していない画像範囲の高い残留層厚が
不変である画像に転写することができ几。
このようにして得られ穴レジストパターンを100℃に
加熱する場合、30分後にエツジ特性の変化がないこと
が観察された。
加熱する場合、30分後にエツジ特性の変化がないこと
が観察された。
例 4
例乙の方法を繰り返すが、製造例1からのフェノール樹
脂の代わりに、製造例2がらのフェノール樹脂8.2重
量部を使用した。
脂の代わりに、製造例2がらのフェノール樹脂8.2重
量部を使用した。
例6と全く同じ方法を用いて、レジストパターンが得ら
れた。これは100°0で60分間の加熱の後にもエツ
ジ特性の変化が見られなかった。
れた。これは100°0で60分間の加熱の後にもエツ
ジ特性の変化が見られなかった。
例 5
例乙の方法を繰り返すが、製造例1からのフェノール樹
脂の代わりに製造例3からのフェノール樹脂8.2重量
部を使用し九。
脂の代わりに製造例3からのフェノール樹脂8.2重量
部を使用し九。
例3と全く同じ方法を用いて、レジストパターンが得ら
れ、これは100℃で60分間の加熱の後にもエツジ特
性の変化が見られなかった。
れ、これは100℃で60分間の加熱の後にもエツジ特
性の変化が見られなかった。
例 6(比較例)
例6の方法を繰り返すが、製造例1からの7エノールS
!脂の代わりに、比較製造例HVからのノボラック8.
2重量部を便用した。
!脂の代わりに、比較製造例HVからのノボラック8.
2重量部を便用した。
例3と全く同様の方法を用いて、現像し次後に、レジス
トパターンが得られ、これを例3からのものと比較した
。しかしこのレジストヲ加熱した場合、70℃のように
低い温度でその輪郭を失った。従って、これは特に高め
た温度で実際に適用するには安定性が不十分である。
トパターンが得られ、これを例3からのものと比較した
。しかしこのレジストヲ加熱した場合、70℃のように
低い温度でその輪郭を失った。従って、これは特に高め
た温度で実際に適用するには安定性が不十分である。
例 7
塗布溶液は次の成分で製造した:
製造例1からのフェノール樹脂 4重量部西ドイ
ツ国特許出@ F 3730783.5号に二るビスシ
リルエノールエ ーチル(1) 1重量部2−(
2−エトキシナフト−1−イ ル)−4,6−ピスドリクロロー メチルー8−トリアジン 0.1重量部ブタノ
ン 85重量部塗布溶液を自体公
知の方法で、0.3mmの厚さのアルミニウム製の印刷
板支持体に塗布した。
ツ国特許出@ F 3730783.5号に二るビスシ
リルエノールエ ーチル(1) 1重量部2−(
2−エトキシナフト−1−イ ル)−4,6−ピスドリクロロー メチルー8−トリアジン 0.1重量部ブタノ
ン 85重量部塗布溶液を自体公
知の方法で、0.3mmの厚さのアルミニウム製の印刷
板支持体に塗布した。
塗布する前に、アルミニウム支持体は電子化学的に粗面
化され、陽極酸化されJ IJビニルホスホン酸を用い
て親水化されてい九。この層を乾燥すると、1−6g/
−”の重さの層が生じた。
化され、陽極酸化されJ IJビニルホスホン酸を用い
て親水化されてい九。この層を乾燥すると、1−6g/
−”の重さの層が生じた。
連続階調ウェッジ、4〜75μmの太さのマイクロライ
ン(mtarollnee )および範囲の0.5〜5
%t−Mう網点を有する原図をこの方法で製造し九オフ
セット印刷版材に置いた。次いでこれを、水銀高圧ラン
プ(5kW ’)の放射線に110cmの距離で20秒
間露光した。このオフセット印刷版材は、次の成分のア
ルカリ現像液を用いて現像した: メタケイ酸ナトリウム・9 H2O5,3重量部オルト
リン酸三ナトリウム・12F(203,4重量部リン酸
二水素ナトリウム 0.3重量部完全脱塩水
166重量部60秒の現像時間の
後に、高解像度の印刷版材を得ることができた。
ン(mtarollnee )および範囲の0.5〜5
%t−Mう網点を有する原図をこの方法で製造し九オフ
セット印刷版材に置いた。次いでこれを、水銀高圧ラン
プ(5kW ’)の放射線に110cmの距離で20秒
間露光した。このオフセット印刷版材は、次の成分のア
ルカリ現像液を用いて現像した: メタケイ酸ナトリウム・9 H2O5,3重量部オルト
リン酸三ナトリウム・12F(203,4重量部リン酸
二水素ナトリウム 0.3重量部完全脱塩水
166重量部60秒の現像時間の
後に、高解像度の印刷版材を得ることができた。
例 8(比較例)
例7の方法を繰り返すが、シリルエノールエーテルの代
わりに、ポリマーのシリルエーテル(西ドイツ国特許出
願公開第3601246号明細書からの化合物1〜8)
を使用した。
わりに、ポリマーのシリルエーテル(西ドイツ国特許出
願公開第3601246号明細書からの化合物1〜8)
を使用した。
20秒の照射時間で差異が生じることができなかった。
照射時間を260秒に増加した後にようやく、照射およ
び非照射の層範囲の間の差異が生じることができた。し
かしこの場合も稽儂液に対する安定性が不十分であつ九
。さらに、観察されたブレーキングは結合剤とポリシリ
ルエーテルとの非相容性を示している。この状態は特に
解儂度を制限することが判明した。
び非照射の層範囲の間の差異が生じることができた。し
かしこの場合も稽儂液に対する安定性が不十分であつ九
。さらに、観察されたブレーキングは結合剤とポリシリ
ルエーテルとの非相容性を示している。この状態は特に
解儂度を制限することが判明した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、化学線に露光すると酸を生成する化合物と、酸によ
り分解可能な化合物と、水に不溶性でかつ有機溶剤およ
びアルカリ中で可溶性かまたは少なくとも膨潤性である
ノボラツクバインダーとからなるポジ形放射線感応性混
合物において、このノボラツクバインダーが少なくとも
110℃のガラス転移温度を有することを特徴とするポ
ジ形放射線感応性混合物。 2、ノボラツクバインダーが10〜40のRMW値を有
する請求項1記載の放射線感応性混合物。 3、ノボラツクバインダーを調製するための混合物はメ
タ位が置換されたフェノール少なくとも50モル%を含
有し、この場合適当な置換基は(C_1〜C_3)アル
キルである請求項1または2記載の放射線感応性混合物
。 4、バインダーを調製するための混合物は、 a)メタ位が置換されたフェノール少なくとも60モル
%および一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、Rは(C_1〜C_4)アルキルを表わし、n
は1〜3の整数を表わす〕で示される3反応性または2
反応性フェノール40モル%、または b)メタ位が置換されたフェノール少なくとも70モル
%および一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔式中Rは(C_1〜C_4)アルキルを表わし、mは
2〜4の整数を表わす〕で示される単反応性フェノール
30モル%までを含有する請求項1から3までのいずれ
か1項記載の放射線感応性混合物。 5、使用バインダーが純粋なm−クレゾール樹脂または
m−クレゾールと一般式 I (ただし2−および3−ま
たは3−および5−または2−、3−および5位が置換
されている〕の化合物との混合物およびm−クレゾール
と一般式II〔ただし2、3−および6位が置換されてい
る〕の化合物との混合物である請求項1から4までのい
ずれか1項記載の放射線感応性混合物。 6、バインダーを調製するための混合物がフェノール1
モルにつき、カルボニル化合物 0.85〜0.95モルを含有する請求項1から5まで
のいずれか1項記載の放射線感応性混合物。 7、主に支持体と放射線感応性層とからなるプリント配
線板およびオフセット印刷版材を製造するためのポジ形
記録材料において、この層を請求項1から6までのいず
れか1項記載の放射線感応性混合物から製造することを
特徴とするポジ形記録材料。 8、請求項7記載のポジ形記録材料を製造する方法にお
いて、請求項1から6までのいずれか1項記載の放射線
感応性混合物を、接着助剤が施されていてもよい支持体
上に塗布し、この材料を乾燥し、次いで画像に基づき化
学線を照射し、最後に水性/アルカリ性現像液を用いて
現像することにより画像を露出させることを特徴とする
ポジ形記録材料の製造方法。 9、現像後のレジスト構造体を、高温でかつUV線の照
射により後硬化させる請求項8記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3810632A DE3810632A1 (de) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes aufzeichnungsmaterial |
| DE3810632.9 | 1988-03-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210351A true JPH0210351A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=6350961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1075248A Pending JPH0210351A (ja) | 1988-03-29 | 1989-03-29 | ポジ形放射線感応性混合物物、ポジ形記録材料およびこの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0335219A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0210351A (ja) |
| KR (1) | KR890015075A (ja) |
| DE (1) | DE3810632A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05249664A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
| JP2009046250A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Kyocera Mita Corp | 画像形成装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW459162B (en) * | 1997-08-01 | 2001-10-11 | Shipley Co Llc | Photoresist composition |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH621416A5 (ja) * | 1975-03-27 | 1981-01-30 | Hoechst Ag | |
| CA1279430C (en) * | 1985-12-06 | 1991-01-22 | Takashi Kubota | High-molecular-weight soluble novolak resin and process for preparation thereof |
| DE3751743T2 (de) * | 1986-03-28 | 1996-11-14 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Positiv arbeitende photoempfindliche Kunststoffzusammensetzung |
-
1988
- 1988-03-29 DE DE3810632A patent/DE3810632A1/de not_active Withdrawn
-
1989
- 1989-03-20 EP EP19890104977 patent/EP0335219A3/de not_active Withdrawn
- 1989-03-28 KR KR1019890003878A patent/KR890015075A/ko not_active Ceased
- 1989-03-29 JP JP1075248A patent/JPH0210351A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05249664A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
| JP2009046250A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Kyocera Mita Corp | 画像形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890015075A (ko) | 1989-10-28 |
| EP0335219A3 (de) | 1991-06-12 |
| EP0335219A2 (de) | 1989-10-04 |
| DE3810632A1 (de) | 1989-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2839678B2 (ja) | 陽画処理照射感応性混合物およびそれから製造した照射感応性複写材料 | |
| US4916046A (en) | Positive radiation-sensitive mixture, using a monomeric silylenol ether and a recording material produced therefrom | |
| US5342727A (en) | Copolymers of 4-hydroxystyrene and alkyl substituted-4-hydroxystyrene in admixture with a photosensitizer to form a photosensitive composition | |
| US5354643A (en) | Oligomeric compounds with acid-labile protective groups useful in positive-working radiation-sensitive mixture | |
| JP2759079B2 (ja) | 高エネルギー照射線硬化可能な組成物及び高エネルギー照射線記録法 | |
| JP2834469B2 (ja) | ポジ型感光性混合物、ポジ型記録材料および該記録材料の製造方法 | |
| JPS5934293B2 (ja) | 感光性組成物 | |
| JP2599908B2 (ja) | 放射線感応性混合物、放射線感応性記録材料及びレリーフ像の製法 | |
| US5037721A (en) | Positive radiation-sensitive mixture containing monomeric acid-cleavable compound and radiation-sensitive recording material produced therefrom | |
| JP2666852B2 (ja) | ポジ型感放射線混合物、ポジ型感放射線記録材料及びその製法 | |
| JPH05204155A (ja) | ネガ型感放射線混合物、およびこの混合物を使用して製造された感放射線記録材料 | |
| JPH05204159A (ja) | ポジ型感放射線混合物、およびこの混合物を使用して製造された感放射線記録材料 | |
| US5356752A (en) | Compounds with acid-labile protective groups useful in positive-working radiation-sensitive mixtures | |
| JP3205044B2 (ja) | 酸により開裂し得る化合物、これらの化合物を含むポジ型放射感応性混合物、およびこの混合物で製造した放射感応性記録材料 | |
| JPH04212961A (ja) | 照射感応性混合物およびこれから製造する照射感応性記録材料 | |
| JPH0210351A (ja) | ポジ形放射線感応性混合物物、ポジ形記録材料およびこの製造方法 | |
| US5217843A (en) | Positive radiation-sensitive mixture, and radiation-sensitive recording material produced therefrom for high-energy radiation | |
| JPS6310153A (ja) | 感光性組成物および感光性平版印刷版 | |
| JPH05339474A (ja) | 感光性組成物 | |
| EP0365340B1 (en) | Copolymers of 4-hydroxystyrene and alkyl substituted-4-hydroxystyrene | |
| US5807947A (en) | Copolymers 4-hydroxystyrene and alkyl substituted-4-hydroxystyrene | |
| CA2011726A1 (en) | Radiation-curable mixture, and radiation-sensitive recording material produced therefrom for high-energy radiation | |
| JPH05221954A (ja) | 酸により開裂し得る放射感応性化合物、これらの化合物を含む放射感応性混合物、およびこの混合物で製造した放射感応性記録材料 | |
| JPH04316540A (ja) | オレフィン性不飽和を含む置換基をもつベンゾエート | |
| JPH0695389A (ja) | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |