JPH0210356A - 微細パターン形成方法 - Google Patents
微細パターン形成方法Info
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- JPH0210356A JPH0210356A JP63161644A JP16164488A JPH0210356A JP H0210356 A JPH0210356 A JP H0210356A JP 63161644 A JP63161644 A JP 63161644A JP 16164488 A JP16164488 A JP 16164488A JP H0210356 A JPH0210356 A JP H0210356A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/10—Definition of the polymer structure
- C08G2261/14—Side-groups
- C08G2261/141—Side-chains having aliphatic units
- C08G2261/1412—Saturated aliphatic units
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
- C08G2261/32—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain
- C08G2261/322—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain non-condensed
- C08G2261/3223—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain non-condensed containing one or more sulfur atoms as the only heteroatom, e.g. thiophene
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- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体素子や集積回路を電子ビームを用いて
パターン形成して製作する際に使用する微細パターン形
成材料ならびに同材料を用いた微細パターン形成方法に
関するものである。
パターン形成して製作する際に使用する微細パターン形
成材料ならびに同材料を用いた微細パターン形成方法に
関するものである。
従来の技術
従来、ＩＣ及びＬＳＩ等の製造においては、紫外線を用
いたホトリソグラフィーによってパターン形成を行なっ
ている。素子の微細化に伴ない、ステッパーレンズの高
ＮＡ化、短波長光源の使用等がすすめられているが、そ
れによって焦点深度が浅くなるという欠点がある。また
、ＬＳＩ素子のパターン寸法の微細化、ＡＳＩＣの製造
等にともない、電子ビームリソグラフィーが用いられる
ようになってきている。この電子ビームリソグラフィー
による微細パターン形成にはポジ型電子線レジストは欠
くことのできないものである。その中でポリメチルメタ
クリレ−） （ＰＭＭＡ）は最も解像性の良いものとし
て知られているが、低感度であることが欠点である。そ
れ故、近年ポジ型電子線レジストの感度を高める多くの
報告が行なわれておシ、例えばポリメタクリル酸ブチル
、メタクリル酸メチルとメタクリ酸との共重合体、メタ
クリル酸とアクリロニトリルとの共重合体、メタクリル
酸メチルとイソブチレンとの共重合体、ポリブテン−１
−スルホン、ポリイソプロベニルケトン、含フツ素ポリ
メタクリレート等のポジ型電子線レジストが発表されて
いる。これらのレジストはいづれも、側鎖に電子吸引性
基を導入、または主鎖に分解しやすい結合を導入するこ
とによって、電子ビームによる主鎖切断が容易におこる
ようにしたレジストであシ、高感度化をねらったもので
あるが、解像度と感度の両方を十分に満たしたものであ
るとはいえない。
いたホトリソグラフィーによってパターン形成を行なっ
ている。素子の微細化に伴ない、ステッパーレンズの高
ＮＡ化、短波長光源の使用等がすすめられているが、そ
れによって焦点深度が浅くなるという欠点がある。また
、ＬＳＩ素子のパターン寸法の微細化、ＡＳＩＣの製造
等にともない、電子ビームリソグラフィーが用いられる
ようになってきている。この電子ビームリソグラフィー
による微細パターン形成にはポジ型電子線レジストは欠
くことのできないものである。その中でポリメチルメタ
クリレ−） （ＰＭＭＡ）は最も解像性の良いものとし
て知られているが、低感度であることが欠点である。そ
れ故、近年ポジ型電子線レジストの感度を高める多くの
報告が行なわれておシ、例えばポリメタクリル酸ブチル
、メタクリル酸メチルとメタクリ酸との共重合体、メタ
クリル酸とアクリロニトリルとの共重合体、メタクリル
酸メチルとイソブチレンとの共重合体、ポリブテン−１
−スルホン、ポリイソプロベニルケトン、含フツ素ポリ
メタクリレート等のポジ型電子線レジストが発表されて
いる。これらのレジストはいづれも、側鎖に電子吸引性
基を導入、または主鎖に分解しやすい結合を導入するこ
とによって、電子ビームによる主鎖切断が容易におこる
ようにしたレジストであシ、高感度化をねらったもので
あるが、解像度と感度の両方を十分に満たしたものであ
るとはいえない。
また、電子ビームリソグラフィーにおいては、電子ビー
ムレジストの耐ドライエツチ性の悪さ、電子の前方散乱
、後方散乱のだめの近接効果によるパターン精度への影
響、また、露光電子のチャージ・アップによるパターン
描画への影響等の欠点がある。これらの欠点をおぎなう
ために、レジストの働きを感光層と平坦化層とに分けた
多層レジスト法は非常に有効な方法である。第３図は電
子ビームリソグラフィーにおける多層レジストプロセス
を説明する図である。近接効果をおさえるために下層膜
として有機膜を２〜３μｍ厚塗布し、中間層としてＳｉ
Ｏ３等の無機膜あるいは５ＯＧ（スピン オン グラス
）等の無機膜を塗布し、上層に電子線レジストを塗布し
、その上にチャージ・アップを防止するためにアルミを
約１００人魚着する（第３図（ａ））。露光後、アルカ
リ水溶液でアルミ層を除去し、その後現像する（第３図
（ロ））。次にこのレジストパターンをマスクとして中
間層のドライエツチングを行ない（第３図（Ｃ））、次
に、中間層をマスクとして下層のドライエツチングを行
なう（第３図（ｄ））。以上のような多層レジストプロ
セスを用いることによシ、微細なパターンを高アスペク
ト比で形成することができる。
ムレジストの耐ドライエツチ性の悪さ、電子の前方散乱
、後方散乱のだめの近接効果によるパターン精度への影
響、また、露光電子のチャージ・アップによるパターン
描画への影響等の欠点がある。これらの欠点をおぎなう
ために、レジストの働きを感光層と平坦化層とに分けた
多層レジスト法は非常に有効な方法である。第３図は電
子ビームリソグラフィーにおける多層レジストプロセス
を説明する図である。近接効果をおさえるために下層膜
として有機膜を２〜３μｍ厚塗布し、中間層としてＳｉ
Ｏ３等の無機膜あるいは５ＯＧ（スピン オン グラス
）等の無機膜を塗布し、上層に電子線レジストを塗布し
、その上にチャージ・アップを防止するためにアルミを
約１００人魚着する（第３図（ａ））。露光後、アルカ
リ水溶液でアルミ層を除去し、その後現像する（第３図
（ロ））。次にこのレジストパターンをマスクとして中
間層のドライエツチングを行ない（第３図（Ｃ））、次
に、中間層をマスクとして下層のドライエツチングを行
なう（第３図（ｄ））。以上のような多層レジストプロ
セスを用いることによシ、微細なパターンを高アスペク
ト比で形成することができる。
しかし、アルミ層を蒸着する多層レジストでは工程がよ
り複雑となり、また、コンタミネーション等の問題があ
り、実用的であるとはいえない。
り複雑となり、また、コンタミネーション等の問題があ
り、実用的であるとはいえない。
発明が解決しようとする課題
上記のように、アルミ層つきの多層レジストプロセスは
有効な方法であるが、複雑な工程、アルミのコンタミネ
ーション等の問題点がある。また、アルミ層をとシのぞ
いた多層レジストプロセスではチャージ、アップの問題
がある。チャージ・アップとは露光電子が絶縁体である
レジスト、中間層または下層にたまる。このチャージ・
アップ効果によシ、電子ビームリソグラフィーにおいて
、フィールドバッティング、合わせ精度の劣化等、大き
な問題点が生じる。また、単層レジストでもこのチャー
ジ・アップ現象は見られ、三層レジストと同様にフィー
ルドバッティング、合わせ精度の劣化をまねく。
有効な方法であるが、複雑な工程、アルミのコンタミネ
ーション等の問題点がある。また、アルミ層をとシのぞ
いた多層レジストプロセスではチャージ、アップの問題
がある。チャージ・アップとは露光電子が絶縁体である
レジスト、中間層または下層にたまる。このチャージ・
アップ効果によシ、電子ビームリソグラフィーにおいて
、フィールドバッティング、合わせ精度の劣化等、大き
な問題点が生じる。また、単層レジストでもこのチャー
ジ・アップ現象は見られ、三層レジストと同様にフィー
ルドバッティング、合わせ精度の劣化をまねく。
すなわち、電子ビームリソグラフィーにおいて、露光さ
れた電子はレジスト中を散乱するが、レジスト表面から
１〜１．６μｍの深さで止まってしまい、その領域でチ
ャージがたまってしまう。このたまったチャージにより
電子ビームが曲げられ、フィールドバッティング、合わ
せ精度の劣化をひきおこすと考えた。
れた電子はレジスト中を散乱するが、レジスト表面から
１〜１．６μｍの深さで止まってしまい、その領域でチ
ャージがたまってしまう。このたまったチャージにより
電子ビームが曲げられ、フィールドバッティング、合わ
せ精度の劣化をひきおこすと考えた。
本発明者らはこの現象を解決するために、導電性電子線
レジスト、また、それらを用いた微細パターン形成方法
を完成した。
レジスト、また、それらを用いた微細パターン形成方法
を完成した。
課題を解決するための手段
すなわち、本発明は
一般式：
（ただし、Ｒ１，Ｒ２は同−又は異なったアルキル基を
あられす。またはＲ１はアルキル基をあられし、Ｒ２は
末端に塩素を置換した高級アルキル基をあられす。ｎは
正の整数をあられす。）で表される。ポリアルキルチオ
フェン系導電性高分子物質を電子線レジストとして使用
することによシ上記のような問題点を解消しようという
ものである。この高分子物質は主鎖に共役二重結合があ
シ、高い導電率を示すので電子によるチャージ・アップ
を防止することができる。また、Ｃ−８結合は電子ビー
ムに対して分解しやすいので、電子ビームに対して高い
感度を示すポジ型レジストになシうる。また、アルキル
基に塩素を導入することによって、電子ビームにより架
橋がおこシ、ネガ型レジストとしても使用することがで
きる。
あられす。またはＲ１はアルキル基をあられし、Ｒ２は
末端に塩素を置換した高級アルキル基をあられす。ｎは
正の整数をあられす。）で表される。ポリアルキルチオ
フェン系導電性高分子物質を電子線レジストとして使用
することによシ上記のような問題点を解消しようという
ものである。この高分子物質は主鎖に共役二重結合があ
シ、高い導電率を示すので電子によるチャージ・アップ
を防止することができる。また、Ｃ−８結合は電子ビー
ムに対して分解しやすいので、電子ビームに対して高い
感度を示すポジ型レジストになシうる。また、アルキル
基に塩素を導入することによって、電子ビームにより架
橋がおこシ、ネガ型レジストとしても使用することがで
きる。
また、一般式：
（ただし、Ｒ４，Ｒ２，Ｒ３は同−又は異なったアルキ
ル基、または水素をあられし、ｎは正の整数をあられす
。） で表される、高分子物質は導電性を示さないが、熱を加
えることによって、以下の反応が進行し、高い導電率を
示すようになる。
ル基、または水素をあられし、ｎは正の整数をあられす
。） で表される、高分子物質は導電性を示さないが、熱を加
えることによって、以下の反応が進行し、高い導電率を
示すようになる。
１Ｒ２
１Ｒ２
この高分子物質を使用することによって、チャージ・ア
ップを防止することができ、Ｃ−３結合があるので、電
子ビームに対して高い感度を示すポジ型レジストになシ
うる。
ップを防止することができ、Ｃ−３結合があるので、電
子ビームに対して高い感度を示すポジ型レジストになシ
うる。
これらの導電性高分子物質を三層レジストの下層に用い
ることによシ、アルミ層をつけずに三層レジストを容易
に形成することができ、チャージ・アップによるパッテ
ィング：エラー、アライメントずれのない正確な微細パ
ターンを形成することができる。
ることによシ、アルミ層をつけずに三層レジストを容易
に形成することができ、チャージ・アップによるパッテ
ィング：エラー、アライメントずれのない正確な微細パ
ターンを形成することができる。
作 用
本発明は前記した導電性電子線レジスト、および、それ
を用いたレジストプロセスによシ、容易に、チャージ・
アップのおこらない正確な微細パターンを形成すること
ができる。特に、アルミ層を蒸着する必要がなく、コン
タミネーンヨンの問題もなく、また、工程も簡略化する
ことができ、電子によるチャージ・アップを防止して、
正確な微細パターンを形成することができる。
を用いたレジストプロセスによシ、容易に、チャージ・
アップのおこらない正確な微細パターンを形成すること
ができる。特に、アルミ層を蒸着する必要がなく、コン
タミネーンヨンの問題もなく、また、工程も簡略化する
ことができ、電子によるチャージ・アップを防止して、
正確な微細パターンを形成することができる。
従って、本発明を用いることによって、正確な高解像度
な微細パターン形成に有効に作用する。
な微細パターン形成に有効に作用する。
実施例
（実施例１）
シブチルチオフェンモノマーヲＦ ｅ Ｃｌ ３のエー
テル溶液中で減圧下濃縮することによシ、分子量約１０
万のポリジブチルチオフェンを得ることができた。この
重合体０．１２を１０仁の塩化メチレン溶液に溶解させ
たのち、不溶分をろ別し、レジスト溶液とした。このレ
ジスト溶液を半導体基板上に滴下し２００Ｏｒｐｍでス
ピンコードし、１め℃。
テル溶液中で減圧下濃縮することによシ、分子量約１０
万のポリジブチルチオフェンを得ることができた。この
重合体０．１２を１０仁の塩化メチレン溶液に溶解させ
たのち、不溶分をろ別し、レジスト溶液とした。このレ
ジスト溶液を半導体基板上に滴下し２００Ｏｒｐｍでス
ピンコードし、１め℃。
３ｏ分間ベーキングを行ない、１．２μｍ厚のレジスト
膜を得ることができだ。次に、加速電圧２゜双、照射量
１ 、Ｏｘ １０−５Ｃ／ｄで電子線露光を行なった後
、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）とイソプロピル
アルコ−／１／（ＩＰＡ）の混合液で現像を行なった所
、チャージアップによるフィールドバッティｌ゛エラー
のない、正確なポジ型レジストパターンが得られた。ま
た、未照射部の膜減シはほとんどなかった。なお、現像
液はＭＩＢＫ以外の極性溶媒でもよい。
膜を得ることができだ。次に、加速電圧２゜双、照射量
１ 、Ｏｘ １０−５Ｃ／ｄで電子線露光を行なった後
、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）とイソプロピル
アルコ−／１／（ＩＰＡ）の混合液で現像を行なった所
、チャージアップによるフィールドバッティｌ゛エラー
のない、正確なポジ型レジストパターンが得られた。ま
た、未照射部の膜減シはほとんどなかった。なお、現像
液はＭＩＢＫ以外の極性溶媒でもよい。
（実施例２）
実施例１で得られたレジスト膜に、加速電圧２０ＫＶ、
照射量５．０ｘ１０−５Ｃ／ｃｄ で電子線露光を行な
った後、トルエンで現像を行なった所、チャージ・アッ
プによるフィールド・パッティング・エラーのない正確
な、微細ネガ型レジストパターンが得られた。現像液は
トルエン以外の非極性溶媒でも良い。
照射量５．０ｘ１０−５Ｃ／ｃｄ で電子線露光を行な
った後、トルエンで現像を行なった所、チャージ・アッ
プによるフィールド・パッティング・エラーのない正確
な、微細ネガ型レジストパターンが得られた。現像液は
トルエン以外の非極性溶媒でも良い。
（実施例３）
１−クロロブチμチオフエンモノマーヲＦｅＣｌ３のエ
ーテル溶液中で減圧下濃縮することによシ、分子量約３
万のポリ（１−クロロブチルチオフェン）を得ることが
できた。この重合体０．１２を塩化メチレン１０ｃｃに
溶解させたのち、不溶分をろ別し、レジスト溶液とした
。
ーテル溶液中で減圧下濃縮することによシ、分子量約３
万のポリ（１−クロロブチルチオフェン）を得ることが
できた。この重合体０．１２を塩化メチレン１０ｃｃに
溶解させたのち、不溶分をろ別し、レジスト溶液とした
。
このレジスト溶液を半導体基板上に滴下し２０００τｐ
ｍ でスピンコードし、１ｒｓｏ’ｃ 、３０分間のベ
ーキングを行ない、１．２μｍ厚のレジスト膜を形成す
ることができた。次に加速電圧２ｏＦＮ、照射量ｓ ｘ
１ｏ Ｃ／ｃｄ で電子線露光を行なった後、トル
エンで現像を行なった所、チャージ・アップによるフィ
ールド・パッティング・エラーのない正確なネガ型レジ
ストパターンを得ることができた。
ｍ でスピンコードし、１ｒｓｏ’ｃ 、３０分間のベ
ーキングを行ない、１．２μｍ厚のレジスト膜を形成す
ることができた。次に加速電圧２ｏＦＮ、照射量ｓ ｘ
１ｏ Ｃ／ｃｄ で電子線露光を行なった後、トル
エンで現像を行なった所、チャージ・アップによるフィ
ールド・パッティング・エラーのない正確なネガ型レジ
ストパターンを得ることができた。
なお、溶媒は塩化メチレン以外の無極性溶媒、また、現
像液もトルエン以外の無極性溶媒ならいづれでも良い。
像液もトルエン以外の無極性溶媒ならいづれでも良い。
上記で示されたポリマーを、Ｆ ｅ Ｃ６３のアルコー
ル溶液中で減圧下濃縮することによシ、分子量約１０万
の重合体を得ることができた。この重合体０．５ＩＰヲ
エチルセロソルブアセテート５Ｑｃｃに溶解させたのち
、不溶分をろ別し、レジスト溶液としだ。このレジスト
溶液を半導体基板上に滴下し２００Ｏｒｐｍでスピンコ
ードし、２０ｏｔ、３゜分間のベーキングを行ない、脱
水反応を進行させ、１．２μｍ厚のレジスト膜を形成す
ることができた。
ル溶液中で減圧下濃縮することによシ、分子量約１０万
の重合体を得ることができた。この重合体０．５ＩＰヲ
エチルセロソルブアセテート５Ｑｃｃに溶解させたのち
、不溶分をろ別し、レジスト溶液としだ。このレジスト
溶液を半導体基板上に滴下し２００Ｏｒｐｍでスピンコ
ードし、２０ｏｔ、３゜分間のベーキングを行ない、脱
水反応を進行させ、１．２μｍ厚のレジスト膜を形成す
ることができた。
次に、加速電圧２０ＫＶ、照射量１ 、Ｏｘ １０−５
Ｃ／ｄで電子線露光を行なった後、ＭＩ ＢＫとＩＰＡ
の混合液で現像を行なった所、チャージ・アップによる
フィールド・パッティング・エラーのない正確なポジ型
レジストパターンを得ることができた。
Ｃ／ｄで電子線露光を行なった後、ＭＩ ＢＫとＩＰＡ
の混合液で現像を行なった所、チャージ・アップによる
フィールド・パッティング・エラーのない正確なポジ型
レジストパターンを得ることができた。
また、未照射部の膜減りはほとんどなかった。
（実施例５）
本発明の第６の実施例を第１図に示す。半導体基板１上
に下層膜２として高分子有機膜を塗布し、２２０’ｊ：
、２０分間ベーキングを行なう。この上に５ＯＧ３をス
ピンコ−）Ｌ、２００ｔ 、２０分間のベーキングを行
なう。この上に、実施例１で得られた重合体を電子線レ
ジスト４として塗布し、１５０℃、２０分間のベーキン
グを行ない、０．５μｍ厚のレジスト膜を形成した（第
１図（ａ））。次に加速電圧２Ｏｆｆ、照射量１×１Ｏ
−５Ｃ／ｄで電子線露光を行ない、ＭＩＢＫとＩＰＡの
混合液で現像すると、正確な微細レジストパターンが得
られた（第１図（ｂ））。導電性が良いのでチャージ・
アップによるフィールド・バッティング・エラーハ全く
見られなかった。このレジストパターンをマスクとして
中間層５ＯＧ３のエツチングを行なった（第１図（Ｃ）
）。そして、中間層をマスクとして下層膜２のエツチン
グを行ない、正確で垂直な微細レジストパターンを得る
ことができた（第１図（→）。
に下層膜２として高分子有機膜を塗布し、２２０’ｊ：
、２０分間ベーキングを行なう。この上に５ＯＧ３をス
ピンコ−）Ｌ、２００ｔ 、２０分間のベーキングを行
なう。この上に、実施例１で得られた重合体を電子線レ
ジスト４として塗布し、１５０℃、２０分間のベーキン
グを行ない、０．５μｍ厚のレジスト膜を形成した（第
１図（ａ））。次に加速電圧２Ｏｆｆ、照射量１×１Ｏ
−５Ｃ／ｄで電子線露光を行ない、ＭＩＢＫとＩＰＡの
混合液で現像すると、正確な微細レジストパターンが得
られた（第１図（ｂ））。導電性が良いのでチャージ・
アップによるフィールド・バッティング・エラーハ全く
見られなかった。このレジストパターンをマスクとして
中間層５ＯＧ３のエツチングを行なった（第１図（Ｃ）
）。そして、中間層をマスクとして下層膜２のエツチン
グを行ない、正確で垂直な微細レジストパターンを得る
ことができた（第１図（→）。
なお、現像液として、非極性溶媒を用いることによって
ネガ型レジストパターンを得ることができた。また、実
施例３で得られた重合体を使用しても良い。
ネガ型レジストパターンを得ることができた。また、実
施例３で得られた重合体を使用しても良い。
（実施例６）
本発明の第６の実施例を第２図に示す。半導体基板１上
に下層膜として実施例４で得られた重合体を塗布し、２
００℃、３０分間のベーキングを行ない、高分子有機膜
１１−を形成する。この上に５ＯＧ１２を塗布し、２ｏ
ｏ′ｃ、２０分間のベーキングを行ない、さらに、この
上に電子線レジスト１３としてポリメチルメタクリレ−
）（ＰＭＭＡ）を塗布し、１７ｏｔ 、３０分間ベーキ
ングを行なう（第２図（ａ））。次に、加速電圧２ＯＮ
、照射量１×１０ Ｃ／（−ｊで電子線露光を行ない、
ＭＩＢＫとＩＰＡの混合液で現像を行なうと、チャージ
・アップによるフィールド・バッティング・エラーのな
い正確な微細レジストパターンを形成することができた
（第２図中））。このレジストパターンをマスクとして
ＳＯＧのドライエツチングを行なう（第２図（Ｃ））。
に下層膜として実施例４で得られた重合体を塗布し、２
００℃、３０分間のベーキングを行ない、高分子有機膜
１１−を形成する。この上に５ＯＧ１２を塗布し、２ｏ
ｏ′ｃ、２０分間のベーキングを行ない、さらに、この
上に電子線レジスト１３としてポリメチルメタクリレ−
）（ＰＭＭＡ）を塗布し、１７ｏｔ 、３０分間ベーキ
ングを行なう（第２図（ａ））。次に、加速電圧２ＯＮ
、照射量１×１０ Ｃ／（−ｊで電子線露光を行ない、
ＭＩＢＫとＩＰＡの混合液で現像を行なうと、チャージ
・アップによるフィールド・バッティング・エラーのな
い正確な微細レジストパターンを形成することができた
（第２図中））。このレジストパターンをマスクとして
ＳＯＧのドライエツチングを行なう（第２図（Ｃ））。
次にＳＯＧをマスクとして高分子有機膜のエツチングを
行なう（第２図（ｄ））。このようにして、正確で垂直
な微細レジストパターンを得ることができた。
行なう（第２図（ｄ））。このようにして、正確で垂直
な微細レジストパターンを得ることができた。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、導電性有機高分子
物質である、ポリアルキルチオフヱン系を電子線レジス
トとして使用すると、高感度で高解像度のポジ又はネガ
型のレジストパターンを形成することができる。これら
のレジストを使用することによって、露光電子によるチ
ャージ・アップの影響はなくなシ、フィールド・バッテ
ィング、合わせ精度を向上させることができる。また、
三層レジストの下層膜として使用することによって、容
易にチャージ・アップを防止することができ、正確で垂
直な微細レジストパターンを形成することができ、超高
密度集積回路の製造に大きく寄与することができる。
物質である、ポリアルキルチオフヱン系を電子線レジス
トとして使用すると、高感度で高解像度のポジ又はネガ
型のレジストパターンを形成することができる。これら
のレジストを使用することによって、露光電子によるチ
ャージ・アップの影響はなくなシ、フィールド・バッテ
ィング、合わせ精度を向上させることができる。また、
三層レジストの下層膜として使用することによって、容
易にチャージ・アップを防止することができ、正確で垂
直な微細レジストパターンを形成することができ、超高
密度集積回路の製造に大きく寄与することができる。
第１図は本発明における一実施例の工程断面図、第２図
は回能の実施例の工程断面図、第３図は従来の多層レジ
スト法の工程断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・下層膜、３
・・・・・・ＳＯＧ、４・・・・・・電子線レジスト。
は回能の実施例の工程断面図、第３図は従来の多層レジ
スト法の工程断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・下層膜、３
・・・・・・ＳＯＧ、４・・・・・・電子線レジスト。
Claims (4)
- （１）一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２は同一又は異なったアルキル
基をあらわし、ｎは正の整数をあらわす。）で表される
。ポリアルキルチオフェンよりなることを特徴とする微
細パターン形成材料。 - （２）一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、Ｒ＿１はアルキル基をあらわし、Ｒ＿２は、
末端に塩素を置換した高級アルキル基をあらわし、ｎは
正の整数をあらわす。） で表される、ポリ塩素化アルキルチオフェンより成るこ
とを特徴とする微細パターン形成材料。 - （３）一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３は同一または異なっ
たアルキル基、または水素をあらわし、ｎは正の整数を
あらわす。） で表される、重合体より成ることは特徴とする微細パタ
ーン形成材料。 - （４）一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２は同一又は異なったアルキル
基をあらわし、ｎは正の整数をあらわす。）または、一
般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３は同一または異なっ
たアルキル基または水素をあらわし、ｎは正の整数をあ
らわす。） で表される、有機高分子を半導体基板上に塗布し熱処理
した後、上記高分子有機膜上に無機膜を塗布する工程と
、上記無機膜上に電子線レジストを塗布し熱処理する工
程と、上記レジスト膜にパターンを描画し現像する工程
と、上記レストパターンをマスクとして無機膜、および
高分子有機膜をエッチングする工程とから成ることを特
徴とする微細パターン形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16164488A JP2586584B2 (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 微細パターン形成方法 |
| DE68912664T DE68912664T2 (de) | 1988-06-29 | 1989-06-29 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Feinstrukturen. |
| EP89111823A EP0348961B1 (en) | 1988-06-29 | 1989-06-29 | Fine pattern forming material and pattern forming method |
| EP19920116932 EP0530849A3 (en) | 1988-06-29 | 1989-06-29 | Fine pattern forming material and pattern forming method |
| US08/093,032 US5306601A (en) | 1988-06-29 | 1993-07-19 | Fine pattern forming material and pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16164488A JP2586584B2 (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 微細パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210356A true JPH0210356A (ja) | 1990-01-16 |
| JP2586584B2 JP2586584B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=15739101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16164488A Expired - Lifetime JP2586584B2 (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 微細パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2586584B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02127642A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-16 | Sumitomo Chem Co Ltd | レジストおよび微細パターンの形成方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5854633A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-03-31 | Toshiba Corp | 微細加工方法 |
| JPS5993441A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-29 | Hitachi Ltd | レジスト |
| JPS608843A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-17 | Pioneer Electronic Corp | 電子ビームによるレジスト加工方法 |
| JPS62253617A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-11-05 | ソルベイ（ソシエテ アノニム） | 導電性ポリマー |
| JPS63155044A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ン形成方法 |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP16164488A patent/JP2586584B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5854633A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-03-31 | Toshiba Corp | 微細加工方法 |
| JPS5993441A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-29 | Hitachi Ltd | レジスト |
| JPS608843A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-17 | Pioneer Electronic Corp | 電子ビームによるレジスト加工方法 |
| JPS62253617A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-11-05 | ソルベイ（ソシエテ アノニム） | 導電性ポリマー |
| JPS63155044A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ン形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02127642A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-16 | Sumitomo Chem Co Ltd | レジストおよび微細パターンの形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2586584B2 (ja) | 1997-03-05 |
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