JPH0210368A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPH0210368A JPH0210368A JP15927088A JP15927088A JPH0210368A JP H0210368 A JPH0210368 A JP H0210368A JP 15927088 A JP15927088 A JP 15927088A JP 15927088 A JP15927088 A JP 15927088A JP H0210368 A JPH0210368 A JP H0210368A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- silicon
- decomposition
- silane
- raw material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は電子写真用感光体に関し、とくに非晶質シリコ
ンカーバイド（以下ａ−５ｉＣｘ：Ｈと略称する）薄膜
を光活性層とする電子写真用感光体に関する。
ンカーバイド（以下ａ−５ｉＣｘ：Ｈと略称する）薄膜
を光活性層とする電子写真用感光体に関する。
非晶質シリコンは摩擦強度が大きく、セレン感光体より
も耐刷性に優れているので、高速４ｉｌａｔ用の電子写
真感光体として、一部実用化されはじめている。しかし
ながら、非晶質シリコンの電気抵抗値は、基本的に電子
写真用感光体として使用するには、充分には低くなく、
この点依然として、解決すべき問題として残っている。
も耐刷性に優れているので、高速４ｉｌａｔ用の電子写
真感光体として、一部実用化されはじめている。しかし
ながら、非晶質シリコンの電気抵抗値は、基本的に電子
写真用感光体として使用するには、充分には低くなく、
この点依然として、解決すべき問題として残っている。
このために、炭素、酸素、窒素等の元素を混合すること
が試みられている。しかしてこれらの元素の混合は、か
かる元素を含む化合物をシランと共に分解することによ
り、行われているが、これらの化合物はシリコン原料で
あるシランに対して、分解性が異なるために、成膜条件
により薄膜中へ導入される割合が大きく異なり、組成の
制御に困難を伴うものであった。また、これらの元素の
導入により、非晶質シリコンよりも、光電特性自体が低
下して仕舞うと云うものであった。一方、分子内にアル
キル基やアリル基等を含む有機シランを用いることによ
り、導電率を低下せしめる技術が試みられているが、こ
の場合には、そもそも導電率の低下よりも、光感度の低
下の方がより著しく、電子写真用感光体としては実用的
な性能が得られなか、つた、これは、分子内のアルキル
基やアリル基等とシラン残基の部分の反応性の違いのた
めに、感光体薄膜を構成するシリコン−シリコン結合中
にアルキル基やアリル基等が取り込まれにくく、シリコ
ン−炭素結合が効果的に形成されないためであろうと推
定される。
が試みられている。しかしてこれらの元素の混合は、か
かる元素を含む化合物をシランと共に分解することによ
り、行われているが、これらの化合物はシリコン原料で
あるシランに対して、分解性が異なるために、成膜条件
により薄膜中へ導入される割合が大きく異なり、組成の
制御に困難を伴うものであった。また、これらの元素の
導入により、非晶質シリコンよりも、光電特性自体が低
下して仕舞うと云うものであった。一方、分子内にアル
キル基やアリル基等を含む有機シランを用いることによ
り、導電率を低下せしめる技術が試みられているが、こ
の場合には、そもそも導電率の低下よりも、光感度の低
下の方がより著しく、電子写真用感光体としては実用的
な性能が得られなか、つた、これは、分子内のアルキル
基やアリル基等とシラン残基の部分の反応性の違いのた
めに、感光体薄膜を構成するシリコン−シリコン結合中
にアルキル基やアリル基等が取り込まれにくく、シリコ
ン−炭素結合が効果的に形成されないためであろうと推
定される。
本発明者はこの点に鑑みて、鋭意検討した結果、分子内
にラジカル重合可能な不飽和結合を有するシリコン化合
物を、感光体薄膜形成の原料として用いることにより、
上記の問題を解決することができることを見出し、本発
明を完成した。
にラジカル重合可能な不飽和結合を有するシリコン化合
物を、感光体薄膜形成の原料として用いることにより、
上記の問題を解決することができることを見出し、本発
明を完成した。
すなわち、本発明は、光活性領域およびキャリア輸送領
域を有する電子写真用感光体において、該光活性領域が
、分子内にラジカル重合可能な不飽和結合を有するシリ
コン化合物を放電により分解して形成したものであるこ
とを特徴とする電子写真用感光体、であり、 より詳しくは、 該光活性領域が、分子内にラジカル重合可能な不飽和結
合を有するシリコン化合物を放電により分解して形成し
た非晶質シリコンカーバイド薄膜からなる電子写真用感
光体、を要旨とするものである。
域を有する電子写真用感光体において、該光活性領域が
、分子内にラジカル重合可能な不飽和結合を有するシリ
コン化合物を放電により分解して形成したものであるこ
とを特徴とする電子写真用感光体、であり、 より詳しくは、 該光活性領域が、分子内にラジカル重合可能な不飽和結
合を有するシリコン化合物を放電により分解して形成し
た非晶質シリコンカーバイド薄膜からなる電子写真用感
光体、を要旨とするものである。
本発明において使用する分子内にラジカル重合可能な不
飽和結合を有するシリコン化合物（以下Ｕ−シランと略
称する）は、 一般式 Ｒ１１Ｓ ｉ ａ Ｈ！ｍｓ！−ａ （ただ
し、Ｒはラジカル重合が可能である炭素数２〜１０程度
の不飽和炭化水素基、ｍ、ｎは自然数である。ｍは１ま
たは２であり、ｍ＝１のとき、ｎ＝１．２，３゜または
４でありｍ−２のとき、ｎ＝１． ２． ３４．５．ま
たは６である）で表示されるシラン化合物である。
飽和結合を有するシリコン化合物（以下Ｕ−シランと略
称する）は、 一般式 Ｒ１１Ｓ ｉ ａ Ｈ！ｍｓ！−ａ （ただ
し、Ｒはラジカル重合が可能である炭素数２〜１０程度
の不飽和炭化水素基、ｍ、ｎは自然数である。ｍは１ま
たは２であり、ｍ＝１のとき、ｎ＝１．２，３゜または
４でありｍ−２のとき、ｎ＝１． ２． ３４．５．ま
たは６である）で表示されるシラン化合物である。
このＵ−シランの具体的な承引としては、ビニルシラン
、ジビニルシラン、トリビニルシラン、ビニルジシラン
、ジビニルジシラン、トリビニルジシラン、１−プロペ
ニルシラン、２−プロペニルシラン、イソプロペニルシ
ラン、１−ブテニルシラン、２−ブテニルシラン、２−
ペンテニルシラン、エチニルシラン等の珪素化合物が好
ましいものとして挙げられる。
、ジビニルシラン、トリビニルシラン、ビニルジシラン
、ジビニルジシラン、トリビニルジシラン、１−プロペ
ニルシラン、２−プロペニルシラン、イソプロペニルシ
ラン、１−ブテニルシラン、２−ブテニルシラン、２−
ペンテニルシラン、エチニルシラン等の珪素化合物が好
ましいものとして挙げられる。
本発明において使用するプラズマ分解の手法としては、
分解反応中にシリコンを有する各種のラジカル種を生成
しうる手法であれば、いかなるものも有効に用いること
ができる。Ｒ体的には、グロー放電分解を用いるプラズ
マＣＶＤ （プラズマ化学堆積法）、マイクロ波を分解
に利用するマイクロ波ＣＶＤやＥＣＲＣＶＤ （電子サ
イクロトロン共鳴化学堆積法）等を用いることができる
。
分解反応中にシリコンを有する各種のラジカル種を生成
しうる手法であれば、いかなるものも有効に用いること
ができる。Ｒ体的には、グロー放電分解を用いるプラズ
マＣＶＤ （プラズマ化学堆積法）、マイクロ波を分解
に利用するマイクロ波ＣＶＤやＥＣＲＣＶＤ （電子サ
イクロトロン共鳴化学堆積法）等を用いることができる
。
本発明において、薄膜形成の条件は、特に限定されるも
のでは無く、適宜決定することが出来るが、その場合、
有効な指針となりうる点を下記にあげておく、まず、本
発明者らが見出したところによると、Ｕ−シランを単独
で分解すると炭素含有量の多い光学的バンドギャップの
広いａ−ＳｉＣｘ：ＨｒｆＪ膜を得ることが出来る。ま
た、モノシラン、ジシラン等の水素化シリコンをＵ−シ
ランと混合して使用することにより、ａ−３ｉＣｘＪ薄
膜中の炭素含有量の変化が可能であり、光学的バンドギ
ャップを任意に変更することができる。さらに、水素、
ヘリウム、アルゴン等の希釈ガスを用いて、Ｕ−シラン
および、Ｕ−シランと水素化シリコン混合ガスを希釈し
た状態で分解することも本発明において有効に用いるこ
とのできる成膜条件と云える。希釈ガスを用いることに
より、分解条件の安定性が向上し、得られるａ−３ｉＣ
ｘ：Ｈ薄膜の膜特性の再現性が改善され、実用上好まし
い。加えて、不純物のドーピングによりｐ型、ｎ型の半
導体の性質を付与することもできる。ｐ型、およびｎ型
の性質を付与するには、それぞれ、ジボラン、またはホ
スフィンのような硼素またはリンを含有する化合物をＵ
−シランとともに、プラズマ分解すればよい。また、ジ
ボランの極（重量添加、ジポラン／ビーシラン−０，０
１〜１１０００ｐｐ 、より好ましくは０．１〜１１０
０ｐｐ、さらに好ましくは１〜ｓｏｐ東程度の添加量に
おいて、得られるａ−３ｉＣｘ：Ｈ薄膜の光感度がきわ
めて増加し、より電子写真用感光体として適した薄膜と
なることは、本発明の大きな特徴の一つなのである。
のでは無く、適宜決定することが出来るが、その場合、
有効な指針となりうる点を下記にあげておく、まず、本
発明者らが見出したところによると、Ｕ−シランを単独
で分解すると炭素含有量の多い光学的バンドギャップの
広いａ−ＳｉＣｘ：ＨｒｆＪ膜を得ることが出来る。ま
た、モノシラン、ジシラン等の水素化シリコンをＵ−シ
ランと混合して使用することにより、ａ−３ｉＣｘＪ薄
膜中の炭素含有量の変化が可能であり、光学的バンドギ
ャップを任意に変更することができる。さらに、水素、
ヘリウム、アルゴン等の希釈ガスを用いて、Ｕ−シラン
および、Ｕ−シランと水素化シリコン混合ガスを希釈し
た状態で分解することも本発明において有効に用いるこ
とのできる成膜条件と云える。希釈ガスを用いることに
より、分解条件の安定性が向上し、得られるａ−３ｉＣ
ｘ：Ｈ薄膜の膜特性の再現性が改善され、実用上好まし
い。加えて、不純物のドーピングによりｐ型、ｎ型の半
導体の性質を付与することもできる。ｐ型、およびｎ型
の性質を付与するには、それぞれ、ジボラン、またはホ
スフィンのような硼素またはリンを含有する化合物をＵ
−シランとともに、プラズマ分解すればよい。また、ジ
ボランの極（重量添加、ジポラン／ビーシラン−０，０
１〜１１０００ｐｐ 、より好ましくは０．１〜１１０
０ｐｐ、さらに好ましくは１〜ｓｏｐ東程度の添加量に
おいて、得られるａ−３ｉＣｘ：Ｈ薄膜の光感度がきわ
めて増加し、より電子写真用感光体として適した薄膜と
なることは、本発明の大きな特徴の一つなのである。
本発明において採用される、薄膜作製時の基板温度、反
応圧力、原料ガス流量、放電電力等の操作因子は、−船
釣には、以下の如くであるが、より具体的な成膜条件は
、用いるプラズマ分解方法により、多少その最適条件が
異なるものであり、分解手法に応じて適宜決定すればよ
い。
応圧力、原料ガス流量、放電電力等の操作因子は、−船
釣には、以下の如くであるが、より具体的な成膜条件は
、用いるプラズマ分解方法により、多少その最適条件が
異なるものであり、分解手法に応じて適宜決定すればよ
い。
基板温度は室温以上、５００°Ｃ程度以下であるが、好
ましくは、１００°Ｃ以上、４００°Ｃ程度以下である
。基板温度の上昇に伴い光学的バンドギャップが減少し
て長波長の光に対する感度が増加する０反応圧力はグロ
ー放電分解を用いるプラズマＣＶＤ（プラズマ化学堆積
法）やマイクロ波を分解に利用するマイクロ波ＣＶＤ法
においては、０．０１ｔｏｒｒから１０ ｔｏｒｒ程度
の範囲であり、好ましくは、０．０２ｔｏｒｒから２．
Ｑｔｏｒｒ程度の範囲である。マイクロ波を分解に利用
する方式においても電子サイクロトロン共鳴を励起に利
用するＥＣＲＣＶＤ法においては、更に低圧の条件でよ
く、０． ０１ｍｔｏｒｒから５０ｍｔｏｒｒ程度で充
分である。原料ガス流量や放電電力は成膜装置の成膜室
の大きさ、基板の大きさ、目的とする炭素含有量、成膜
速度等によって、適宜選択される。原料ガス流量として
は、Ｕ−シランにおいては、１から１０００ｓｃｃｓ程
度で充分であり、水素化シリコンや希釈ガスを用いる場
合はＵ−シランに対して０、 １から１００倍程度の範
囲で用いられる。
ましくは、１００°Ｃ以上、４００°Ｃ程度以下である
。基板温度の上昇に伴い光学的バンドギャップが減少し
て長波長の光に対する感度が増加する０反応圧力はグロ
ー放電分解を用いるプラズマＣＶＤ（プラズマ化学堆積
法）やマイクロ波を分解に利用するマイクロ波ＣＶＤ法
においては、０．０１ｔｏｒｒから１０ ｔｏｒｒ程度
の範囲であり、好ましくは、０．０２ｔｏｒｒから２．
Ｑｔｏｒｒ程度の範囲である。マイクロ波を分解に利用
する方式においても電子サイクロトロン共鳴を励起に利
用するＥＣＲＣＶＤ法においては、更に低圧の条件でよ
く、０． ０１ｍｔｏｒｒから５０ｍｔｏｒｒ程度で充
分である。原料ガス流量や放電電力は成膜装置の成膜室
の大きさ、基板の大きさ、目的とする炭素含有量、成膜
速度等によって、適宜選択される。原料ガス流量として
は、Ｕ−シランにおいては、１から１０００ｓｃｃｓ程
度で充分であり、水素化シリコンや希釈ガスを用いる場
合はＵ−シランに対して０、 １から１００倍程度の範
囲で用いられる。
珪素化合物のプラズマ分解においては、シリコン関連の
各種のラジカル種が形成されることが、−船釣に認識さ
れている０本発明において使用するＵ−シランが特に有
効に作用するのは、これらシリコン関連のラジカルと本
発明におけるＵ−シラン中の不飽和炭化水素基とはラジ
カル反応を起こしうるので、ペンダントとして残存する
炭化水素基が少なくなるからであろうと考えられる。す
なわち、炭素がシリコンのネットワーク中に取り込まれ
て、シリコン−炭素結合が効果的に生成するからであろ
うと推定されるのである。
各種のラジカル種が形成されることが、−船釣に認識さ
れている０本発明において使用するＵ−シランが特に有
効に作用するのは、これらシリコン関連のラジカルと本
発明におけるＵ−シラン中の不飽和炭化水素基とはラジ
カル反応を起こしうるので、ペンダントとして残存する
炭化水素基が少なくなるからであろうと考えられる。す
なわち、炭素がシリコンのネットワーク中に取り込まれ
て、シリコン−炭素結合が効果的に生成するからであろ
うと推定されるのである。
したがって、本発明のＵ−シランを用いる分解方法の場
合、放電電力は、使用する装置等によって変わりうるが
、通常ＩＷ〜５０Ｗ程度の範囲であり、同じ条件でのメ
タン、エタン、プロパン等の炭化水素の分解に比べて、
ずっと低下させることができる。けだし、電子写真用感
光体は、電極ならびに、数種類の薄膜半導体で形成され
ることがほとんどであり、放電電力が高い形成条件では
、すでに形成されている電極や半導体薄膜にプラズマ損
傷をあたえることが、当業者には、周知の事実となって
いる。このために、分解に要する電力を低下させる各種
の試みが検討されているところ、成膜に要する放電電力
をこのように大きく低下できることは、電子写真用感光
体を形成する時に極めて好ましい条件を提供できること
となるからである。
合、放電電力は、使用する装置等によって変わりうるが
、通常ＩＷ〜５０Ｗ程度の範囲であり、同じ条件でのメ
タン、エタン、プロパン等の炭化水素の分解に比べて、
ずっと低下させることができる。けだし、電子写真用感
光体は、電極ならびに、数種類の薄膜半導体で形成され
ることがほとんどであり、放電電力が高い形成条件では
、すでに形成されている電極や半導体薄膜にプラズマ損
傷をあたえることが、当業者には、周知の事実となって
いる。このために、分解に要する電力を低下させる各種
の試みが検討されているところ、成膜に要する放電電力
をこのように大きく低下できることは、電子写真用感光
体を形成する時に極めて好ましい条件を提供できること
となるからである。
さらに、本発明における他の特筆すべき作用効果は、放
電電力の低い成膜条件においても、成膜速度が低下しな
いことである。けだし、電子写真用感光体は、通常少な
くとも０．１μｍ以上と云うかなり厚い膜厚が必要であ
るため、成膜に相当の時間を要するものであるところ、
成膜速度がこのように低放電電力下でも大きいことは、
実用上、すなわちこれを工業的規模で実施する場合、極
めて好ましく意義のあることであるからである。
電電力の低い成膜条件においても、成膜速度が低下しな
いことである。けだし、電子写真用感光体は、通常少な
くとも０．１μｍ以上と云うかなり厚い膜厚が必要であ
るため、成膜に相当の時間を要するものであるところ、
成膜速度がこのように低放電電力下でも大きいことは、
実用上、すなわちこれを工業的規模で実施する場合、極
めて好ましく意義のあることであるからである。
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明する。
〔実施例１〕
薄膜形成装置としては、■原料流量制御手段を有する原
料供給手段、■原料を分解するための放電を発生するた
めの手段、■ｌｏｔ、ｏｒｒ以下の圧力に薄膜形成雰囲
気を保持するための真空排気手段、■その上にａ−５Ｉ
Ｃｘ：Ｈ薄膜が形成される基板を薄膜形成室内に挿入す
るための手段、■当該基板を保持する手段、■当該基板
の加熱手段、■圧力、および温度等の形成条件を測定す
る手段を少なくとも備えた薄膜形成室を有する当該装置
を用いて、ａ−３ｉＣｘ：Ｈｆ１ｔｌｌの形成を実施し
た。原料ガスとしては、モノビニルシランを単独で用い
た。光学的バンドギャップ測定の為に、基板は石英ガラ
スを用いた。また、赤外線吸収スペクトルの測定のため
にシリコン単結晶基板を用いた。薄膜形成温度は２５０
°Ｃとした。モノビニルシランをＲｏｓｅｃｌｌの流量
で薄膜形成室に供給しながら、真空排気手段により、当
該薄膜形成室の圧力を０ 、 １ ｔｏｒｒに保持した
。放電電力ばＩＯＷで実施した。薄膜は１μｍの厚みに
形成した。成膜速度は１０人／秒以上であり、光学的バ
ンドギャップは２．７ｅ■以上であった。暗導電率は１
ｘ １０−１３Ｓ／ｅｍ以下であり、電子写真用の感
光体に好適に用いうる性能を有する薄膜であった。また
、赤久線吸収スペクトルからペンダント状態のアルキル
基は少ないことを確認した。
料供給手段、■原料を分解するための放電を発生するた
めの手段、■ｌｏｔ、ｏｒｒ以下の圧力に薄膜形成雰囲
気を保持するための真空排気手段、■その上にａ−５Ｉ
Ｃｘ：Ｈ薄膜が形成される基板を薄膜形成室内に挿入す
るための手段、■当該基板を保持する手段、■当該基板
の加熱手段、■圧力、および温度等の形成条件を測定す
る手段を少なくとも備えた薄膜形成室を有する当該装置
を用いて、ａ−３ｉＣｘ：Ｈｆ１ｔｌｌの形成を実施し
た。原料ガスとしては、モノビニルシランを単独で用い
た。光学的バンドギャップ測定の為に、基板は石英ガラ
スを用いた。また、赤外線吸収スペクトルの測定のため
にシリコン単結晶基板を用いた。薄膜形成温度は２５０
°Ｃとした。モノビニルシランをＲｏｓｅｃｌｌの流量
で薄膜形成室に供給しながら、真空排気手段により、当
該薄膜形成室の圧力を０ 、 １ ｔｏｒｒに保持した
。放電電力ばＩＯＷで実施した。薄膜は１μｍの厚みに
形成した。成膜速度は１０人／秒以上であり、光学的バ
ンドギャップは２．７ｅ■以上であった。暗導電率は１
ｘ １０−１３Ｓ／ｅｍ以下であり、電子写真用の感
光体に好適に用いうる性能を有する薄膜であった。また
、赤久線吸収スペクトルからペンダント状態のアルキル
基は少ないことを確認した。
（実施例２）
実施例１において、原料ガスとしてモノビニルシラン、
ジシランを用い、希釈ガスとして水素を用いた。モノビ
ニルシラン３５ｃｃｙａ、、ジシラン７ｓｅｃ＋ｅ、水
素５９ｓｅｃ−の割合で供給した。真空排気手段により
、当該薄膜形成室の圧力を０ 、 ５ ｔｏｒｒに保持
した。成膜速度は１０人／秒以上であり、ジシラン単独
の成膜速度９人／秒よりも大きいことが明らかとなった
。当該薄膜の光学的バンドギャップは約２．ｌｅＶ、光
導電率は５ ｘ １０−”Ｓ／Ｃ１以上であり、暗導電
率は１ ｘ １０−１″Ｓ／ｃｍ以下であり、極めて優
れた光電特性を示すことが明らかとなった。すなわち、
非晶質薄膜を用いる電子写真用感光体の光活性層にその
ままで使用できる性能を有していたことがｉ！認された
。
ジシランを用い、希釈ガスとして水素を用いた。モノビ
ニルシラン３５ｃｃｙａ、、ジシラン７ｓｅｃ＋ｅ、水
素５９ｓｅｃ−の割合で供給した。真空排気手段により
、当該薄膜形成室の圧力を０ 、 ５ ｔｏｒｒに保持
した。成膜速度は１０人／秒以上であり、ジシラン単独
の成膜速度９人／秒よりも大きいことが明らかとなった
。当該薄膜の光学的バンドギャップは約２．ｌｅＶ、光
導電率は５ ｘ １０−”Ｓ／Ｃ１以上であり、暗導電
率は１ ｘ １０−１″Ｓ／ｃｍ以下であり、極めて優
れた光電特性を示すことが明らかとなった。すなわち、
非晶質薄膜を用いる電子写真用感光体の光活性層にその
ままで使用できる性能を有していたことがｉ！認された
。
（実施例３〕
実施例２において、形成された薄膜は、電子写真用感光
体の光活性層に使用できる性能を有していることが、明
らかとなったので、電子写真用感光体の形成を試みた。
体の光活性層に使用できる性能を有していることが、明
らかとなったので、電子写真用感光体の形成を試みた。
実施例２において、基板としてアルミニウム板を用い、
原料ガスとして、実施例２の原料ガスに加えて、さらに
、モノビニルシランに対して５０ｐｐｍのジボランを加
えて薄膜形成を行った。膜厚は０．３μｍとした。ジボ
ランの導入により、光導電率は１ ｘ １０−”Ｓ ／
ｃｖａ以上に増加し、暗導電率は５ ｘ １０−１４３
／ＣＩ以下に低下し、光感度はさらに向上した。この薄
膜のうえに、キャリア輸送層として、有機薄膜を形成し
た。有機ｙｉ膜は、ヒドラゾン化合物をポリカーボネー
トに重量比が１１でクロロホルムに溶解し、デイツプ法
により塗布形成した。乾燥後の膜厚は２０μ−であった
。コロナ放電により、負帯電をさせ光照射によるチャー
ジの減衰を測定した。
原料ガスとして、実施例２の原料ガスに加えて、さらに
、モノビニルシランに対して５０ｐｐｍのジボランを加
えて薄膜形成を行った。膜厚は０．３μｍとした。ジボ
ランの導入により、光導電率は１ ｘ １０−”Ｓ ／
ｃｖａ以上に増加し、暗導電率は５ ｘ １０−１４３
／ＣＩ以下に低下し、光感度はさらに向上した。この薄
膜のうえに、キャリア輸送層として、有機薄膜を形成し
た。有機ｙｉ膜は、ヒドラゾン化合物をポリカーボネー
トに重量比が１１でクロロホルムに溶解し、デイツプ法
により塗布形成した。乾燥後の膜厚は２０μ−であった
。コロナ放電により、負帯電をさせ光照射によるチャー
ジの減衰を測定した。
減衰の半減期は０．５１ｕｘ−ｓｅｃであり、残留電位
はＩＯＶであった。この結果は、電子写真用感光体とし
て、きわめてすぐれる性質を示すものであることが認め
られた。
はＩＯＶであった。この結果は、電子写真用感光体とし
て、きわめてすぐれる性質を示すものであることが認め
られた。
〔比較例１〕
実施例１のモノビニルシランのかわりに、モノシランと
メタンの等容量の混合ガスを用いた。当該薄膜の光導電
率は２ ｘ １０−’Ｓ／ｃｍ以上であったが、暗導電
率は１ ｘ １０−’Ｓ／ｅｍ以上であり、電子写真用
感光体としては適さない性質を示すものであった。光学
的バンドギャップは約１．８ｅ■であり、炭素を含有し
ない非晶質シリコンと同じ程度の光学的バンドギャップ
であった。これは放電電力が１０Ｗと低いためにモノシ
ランの分解が主として起こり、薄膜中に取り込まれるメ
タンの割合が低下したためであろう。
メタンの等容量の混合ガスを用いた。当該薄膜の光導電
率は２ ｘ １０−’Ｓ／ｃｍ以上であったが、暗導電
率は１ ｘ １０−’Ｓ／ｅｍ以上であり、電子写真用
感光体としては適さない性質を示すものであった。光学
的バンドギャップは約１．８ｅ■であり、炭素を含有し
ない非晶質シリコンと同じ程度の光学的バンドギャップ
であった。これは放電電力が１０Ｗと低いためにモノシ
ランの分解が主として起こり、薄膜中に取り込まれるメ
タンの割合が低下したためであろう。
〔比較例２〕
比較例１において、光学的バンドギャップが小さかった
ので、放電電力のみを４０Ｗに変更して、実施した。放
電電力を４０Ｗにすることにより、暗導電率は１ ｘ
１０−１３Ｓ／ｃｔａ程に低下したが、光導電率も低下
して光感度が減少した。また、成膜速度は３人／秒であ
り、本発明の１／３以下であった。このように、従来の
技術においては、電子写真用のａ−３ｉＣｘ：Ｈ薄膜を
形成することは、困難であった。
ので、放電電力のみを４０Ｗに変更して、実施した。放
電電力を４０Ｗにすることにより、暗導電率は１ ｘ
１０−１３Ｓ／ｃｔａ程に低下したが、光導電率も低下
して光感度が減少した。また、成膜速度は３人／秒であ
り、本発明の１／３以下であった。このように、従来の
技術においては、電子写真用のａ−３ｉＣｘ：Ｈ薄膜を
形成することは、困難であった。
以上の実施例から明らかなように、本発明に従えば、Ｕ
−シランを原料に用い放電分解することにより、高い成
膜速度において、暗導電率が低く、かつ、光感度にすぐ
れた電子写真感光体用の薄膜を与えるものである。また
、放電電力を従来よりずっと低下せしめ得ることが可能
であるので、放電分解時のプラズマ損傷を一層少なくし
うるのである。このように、本発明において使用するＵ
−シランは、電子写真用感光体等を形成するための原料
ガスとして優れたものであることが明らかである。
−シランを原料に用い放電分解することにより、高い成
膜速度において、暗導電率が低く、かつ、光感度にすぐ
れた電子写真感光体用の薄膜を与えるものである。また
、放電電力を従来よりずっと低下せしめ得ることが可能
であるので、放電分解時のプラズマ損傷を一層少なくし
うるのである。このように、本発明において使用するＵ
−シランは、電子写真用感光体等を形成するための原料
ガスとして優れたものであることが明らかである。
Claims (2)
- （１）光活性領域およびキャリア輸送領域を有する電子
写真用感光体において、該光活性領域が、分子内にラジ
カル重合可能な不飽和結合を有するシリコン化合物を放
電により分解して形成したものであることを特徴とする
電子写真用感光体。 - （２）光活性領域が、分子内にラジカル重合可能な不飽
和結合を有するシリコン化合物を放電により分解して形
成した非晶質シリコンカーバイド薄膜からなる請求項１
記載の電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15927088A JPH0210368A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15927088A JPH0210368A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210368A true JPH0210368A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=15690105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15927088A Pending JPH0210368A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0210368A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04176871A (ja) * | 1990-11-08 | 1992-06-24 | Canon Inc | 堆積膜形成方法 |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP15927088A patent/JPH0210368A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04176871A (ja) * | 1990-11-08 | 1992-06-24 | Canon Inc | 堆積膜形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4728528A (en) | Process for forming deposited film | |
| US4726963A (en) | Process for forming deposited film | |
| ATE27186T1 (de) | Verfahren zur herstellung von amorphen halbleitenden legierungen und von anordnungen mittels mikrowellenenergie. | |
| US4801468A (en) | Process for forming deposited film | |
| EP0230788B1 (en) | Method for preparation of multi-layer structure film | |
| US4818563A (en) | Process for forming deposited film | |
| US4853251A (en) | Process for forming deposited film including carbon as a constituent element | |
| US4784874A (en) | Process for forming deposited film | |
| US5244698A (en) | Process for forming deposited film | |
| JPH0210368A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH07221026A (ja) | 高品質半導体薄膜の形成方法 | |
| JP2659400B2 (ja) | 炭素含有シリコン薄膜の形成法 | |
| JPH0817738A (ja) | 結晶性半導体薄膜形成方法 | |
| JP2595575B2 (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
| JP2723548B2 (ja) | 炭素含有シリコン微結晶薄膜の形成法 | |
| JP2659401B2 (ja) | 炭素含有シリコン薄膜の形成方法 | |
| JPH0364019A (ja) | 半導体薄膜 | |
| JP3126176B2 (ja) | 半導体薄膜 | |
| JPH01277245A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
| JPH0766196B2 (ja) | 光受容部材 | |
| JPS59229565A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS59161811A (ja) | 半導体薄膜の形成方法 | |
| JPS61184816A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS60135955A (ja) | アモルフアスシリコン感光体 | |
| JPH08181079A (ja) | 非晶質半導体薄膜形成方法 |