JPH02104658A - Ｃｏ↓２レーザ蒸着方法における酸化物超電導皮膜の形成方法 - Google Patents
Ｃｏ↓２レーザ蒸着方法における酸化物超電導皮膜の形成方法Info
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- JPH02104658A JPH02104658A JP25785388A JP25785388A JPH02104658A JP H02104658 A JPH02104658 A JP H02104658A JP 25785388 A JP25785388 A JP 25785388A JP 25785388 A JP25785388 A JP 25785388A JP H02104658 A JPH02104658 A JP H02104658A
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- laser
- vapor deposition
- vacuum chamber
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、被蒸着体の表面上に複数の成分からなる皮
膜を形成するためのＣＯ２レーザ蒸着方法における酸化
物超電導皮膜の形成方法に関するものである。
膜を形成するためのＣＯ２レーザ蒸着方法における酸化
物超電導皮膜の形成方法に関するものである。
金属基材の表面上にセラミックス等の皮膜を形成する手
段として、ＣＯ，レーザ蒸着方法が知られている。
段として、ＣＯ，レーザ蒸着方法が知られている。
第４図は、従来の一般的なＣＯ２レーザ蒸着方法のため
の装置の一例を示す概略斜視図である。第４図に示すよ
うに、真空室１内には、所定大きさの薄板状の蒸着源２
と、被蒸着体としての例えば金属板からなる基材３とが
配置されている。
の装置の一例を示す概略斜視図である。第４図に示すよ
うに、真空室１内には、所定大きさの薄板状の蒸着源２
と、被蒸着体としての例えば金属板からなる基材３とが
配置されている。
基材３は蒸着源２の上方に位置されている。
真空室１の一方の側壁１ａには、真空室１内の蒸着源２
に向けて、図示しないレーザビーム発生源カラＣＯ□レ
ーザビームを照射するためのレーザ透過窓４が設けられ
、レーザ透過窓４の外側には、レーザビーム集光用の集
光レンズ５が設けられている。６は真空室ｌ内のガスを
排出するためのガス排出口である。
に向けて、図示しないレーザビーム発生源カラＣＯ□レ
ーザビームを照射するためのレーザ透過窓４が設けられ
、レーザ透過窓４の外側には、レーザビーム集光用の集
光レンズ５が設けられている。６は真空室ｌ内のガスを
排出するためのガス排出口である。
真空室１内に基材３を配置した後、ガス排出口６から真
空室１内のガスを吸引して室外に排出し、真空室１内を
所定の真空度に保つ。次いで、図示しないレーザビーム
発生源から、レーザ透過窓４を通して、真空室１内の蒸
着源２に向けてＣｏ２レーザビームを照射する。このと
き、集光レンズ５によｐ ＣＯ２レーザビームを蒸着源
２上に集光させ、且つ、蒸着源２を所定速度で平面的に
移動する。
空室１内のガスを吸引して室外に排出し、真空室１内を
所定の真空度に保つ。次いで、図示しないレーザビーム
発生源から、レーザ透過窓４を通して、真空室１内の蒸
着源２に向けてＣｏ２レーザビームを照射する。このと
き、集光レンズ５によｐ ＣＯ２レーザビームを蒸着源
２上に集光させ、且つ、蒸着源２を所定速度で平面的に
移動する。
このようにして、ＣＯ□レーザビームが照射された蒸着
源２の表面は、溶融且つ蒸発し、蒸発した微細な粒子が
、基材３の表面上に付着して皮膜を形成する。
源２の表面は、溶融且つ蒸発し、蒸発した微細な粒子が
、基材３の表面上に付着して皮膜を形成する。
レーザ蒸着方法においては、蒸着源が単一元素からなる
単一組成または例えばＡｌ ２０３のような単一金属の
化合物からなっている場合には、蒸着源の組成が、殆ん
どそのまま基材の表面上に形成された皮膜の組成となる
。従って、皮膜の化学組成上問題は生じない。
単一組成または例えばＡｌ ２０３のような単一金属の
化合物からなっている場合には、蒸着源の組成が、殆ん
どそのまま基材の表面上に形成された皮膜の組成となる
。従って、皮膜の化学組成上問題は生じない。
しかしながら、蒸着源が、例えば、ｌ Ｏ％ Ｙ、０３
を含有するＺｒＯ２のようなイツトリア安定化ソルコニ
ア（Ｙ１３Ｚ）やＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０等のような、複数
の成分の化合物からなる場合には、蒸着源の組成と、基
材の表面上に形成された皮膜の組成とが、必ずしも一致
せず、両者が非常に異なる場合がある。
を含有するＺｒＯ２のようなイツトリア安定化ソルコニ
ア（Ｙ１３Ｚ）やＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０等のような、複数
の成分の化合物からなる場合には、蒸着源の組成と、基
材の表面上に形成された皮膜の組成とが、必ずしも一致
せず、両者が非常に異なる場合がある。
これは、蒸着源を構成する複数の成分の各々の物理的性
質例えば蒸気圧や沸点等に大きな差がある場合に顕著に
認められる。即ち、蒸気圧が高く沸点が低い成分はど蒸
気化しやすく、従って、皮膜中に含有される成分の量が
、蒸着源中に含有される成分の量よシも大幅に多くなる
。
質例えば蒸気圧や沸点等に大きな差がある場合に顕著に
認められる。即ち、蒸気圧が高く沸点が低い成分はど蒸
気化しやすく、従って、皮膜中に含有される成分の量が
、蒸着源中に含有される成分の量よシも大幅に多くなる
。
逆に、蒸気圧が低く、沸点が高い成分はど蒸気化しにく
く、従って、皮膜中に含有される成分の量が、蒸着源中
に含有される成分の量よシも著しく少なくなる。
く、従って、皮膜中に含有される成分の量が、蒸着源中
に含有される成分の量よシも著しく少なくなる。
集光したＣＯ２レーザビームを用いて蒸着源を照射する
従来方法は、蒸着源の表面上のＣＯ□レーザビーム照射
部の温度分布が不均一となるため、上述したように蒸発
物の成分組成が不均一となり、形成される皮膜組成が不
均一となる。この結果、基材の表面上に、所定の目標組
成を有する皮膜を形成することが困難になる問題がある
。
従来方法は、蒸着源の表面上のＣＯ□レーザビーム照射
部の温度分布が不均一となるため、上述したように蒸発
物の成分組成が不均一となり、形成される皮膜組成が不
均一となる。この結果、基材の表面上に、所定の目標組
成を有する皮膜を形成することが困難になる問題がある
。
また、集光したＣＯ，レーザビームを蒸着源に照射する
ことにより、蒸着源に短時間で孔があき、蒸着源の寿命
が短いという問題があった。
ことにより、蒸着源に短時間で孔があき、蒸着源の寿命
が短いという問題があった。
従って、この発明の目的は、基材の表面上に複数の成分
からなる所定の目標組成を有する皮膜を形成することが
でき、しかも、蒸着源の長寿命化を図ることができるＣ
Ｏ□レーザ蒸着方法における酸化物超電導皮膜の形成方
法を提供することにある。
からなる所定の目標組成を有する皮膜を形成することが
でき、しかも、蒸着源の長寿命化を図ることができるＣ
Ｏ□レーザ蒸着方法における酸化物超電導皮膜の形成方
法を提供することにある。
この発明の特徴は、下記の通シである。
（１）真空室内に蒸着源および被蒸着体を配置し、前記
蒸着源に対しＣＯ□レーザビームを照射し、前記ＣＯ２
レーザビームにより前記蒸着源から蒸発した粒子を前記
被蒸着体の表面上に付着させることによって、前記被蒸
着体の表面上に皮膜を形成せしめるＣＯ，レーザ蒸着方
法において、前記蒸着源のほぼ全体にわたって前記Ｃｏ
２レーザビームが照射されるように、前記ＣＯ，レーザ
ビームを前記真空室外に取り付けられた振動ミラーに反
射させて前記ＣＯ２レーザビームを振動させることを特
徴とするＣＯ，レーザ蒸着方法における酸化物超電導皮
膜の形成方法。
蒸着源に対しＣＯ□レーザビームを照射し、前記ＣＯ２
レーザビームにより前記蒸着源から蒸発した粒子を前記
被蒸着体の表面上に付着させることによって、前記被蒸
着体の表面上に皮膜を形成せしめるＣＯ，レーザ蒸着方
法において、前記蒸着源のほぼ全体にわたって前記Ｃｏ
２レーザビームが照射されるように、前記ＣＯ，レーザ
ビームを前記真空室外に取り付けられた振動ミラーに反
射させて前記ＣＯ２レーザビームを振動させることを特
徴とするＣＯ，レーザ蒸着方法における酸化物超電導皮
膜の形成方法。
（２）真空室内に蒸着源および被蒸着体を配置し、前記
蒸着源に対しＣＯ２レーザビームを照射し、前記ＣＯ□
レーザビームにより前記蒸着源から蒸発した粒子を前記
被蒸着体の表面上に付着させることによって、前記被蒸
着体の表面上に皮膜を形成せしめるＣＯ２レーザ蒸着方
法において、前記蒸着源のほぼ全体にわたって前記ＣＯ
２レーザビームが照射されるように、前記ＣＯ，レーザ
ビームを前記真空室外に取り付けられた集光レンズを透
過させて前記ＣＯ２レーザビームの焦点位置をはずすこ
とを特徴とするＣＯ□レーザ蒸着方法における酸化物超
電導皮膜の形成方法。
蒸着源に対しＣＯ２レーザビームを照射し、前記ＣＯ□
レーザビームにより前記蒸着源から蒸発した粒子を前記
被蒸着体の表面上に付着させることによって、前記被蒸
着体の表面上に皮膜を形成せしめるＣＯ２レーザ蒸着方
法において、前記蒸着源のほぼ全体にわたって前記ＣＯ
２レーザビームが照射されるように、前記ＣＯ，レーザ
ビームを前記真空室外に取り付けられた集光レンズを透
過させて前記ＣＯ２レーザビームの焦点位置をはずすこ
とを特徴とするＣＯ□レーザ蒸着方法における酸化物超
電導皮膜の形成方法。
（３）真空室内に蒸着源および被蒸着体を配置し、前記
蒸着源に対しＣＯ，レーザビームを照射し、前記ＣＯ，
レーザビームにより前記蒸着源から蒸発した粒子を前記
被蒸着体の表面上に付着させることによって、前記被蒸
着体の表面上に皮膜を形成せしめるＣＯ□レーザ蒸着方
法において、前記蒸着源のほぼ全体にわたって前記ＣＯ
２レーザビームが照射されるように、前記ＣＯ，レーザ
ビームを前記真空室外に取り付けられたインテグレーシ
ョンミラーに反射させて前記ＣＯ２レーザビームを分散
させることを特徴とするＣＯ□レーザ蒸着方法における
酸化物超電導皮膜の形成方法。
蒸着源に対しＣＯ，レーザビームを照射し、前記ＣＯ，
レーザビームにより前記蒸着源から蒸発した粒子を前記
被蒸着体の表面上に付着させることによって、前記被蒸
着体の表面上に皮膜を形成せしめるＣＯ□レーザ蒸着方
法において、前記蒸着源のほぼ全体にわたって前記ＣＯ
２レーザビームが照射されるように、前記ＣＯ，レーザ
ビームを前記真空室外に取り付けられたインテグレーシ
ョンミラーに反射させて前記ＣＯ２レーザビームを分散
させることを特徴とするＣＯ□レーザ蒸着方法における
酸化物超電導皮膜の形成方法。
次に、この発明を図面を参照しながら説明する。
第１図は、この発明の方法を実施するための装置の第１
実施態様を示す概略斜視図である。
実施態様を示す概略斜視図である。
第１図に示すように、真空室１内には、平板状の蒸着源
２と、蒸着源２の上方に位置する被蒸着体としての基材
３とが配置されている。
２と、蒸着源２の上方に位置する被蒸着体としての基材
３とが配置されている。
真空室１の一方の側壁１ａの外側には、真空室１の側壁
１ａに設けられた透過窓４を通し、真空室１内の蒸着源
２に向けて、図示しないレーザビーム発生源から発射さ
れたＣＯ２レーザビームを照射するための振動ミラー（
オシレーションミラー）７が設けられている。６は真空
室１内のがスを排出するためのガス排出口である。振動
ミラー７は、図示しない振動機構により、Ｘ−Ｙ軸方向
に所定の周波数および振シ幅で振動し、蒸着源２のほぼ
全面にわたシ、または、所定面積にわたシＣＯ，レーザ
ビームが照射されるように、ＣＯ２レーザビームを振動
させる機能を有している。振動ミラー７としては、銅製
のものを使用することが最も一般的であシ、且つ、好ま
しい。
１ａに設けられた透過窓４を通し、真空室１内の蒸着源
２に向けて、図示しないレーザビーム発生源から発射さ
れたＣＯ２レーザビームを照射するための振動ミラー（
オシレーションミラー）７が設けられている。６は真空
室１内のがスを排出するためのガス排出口である。振動
ミラー７は、図示しない振動機構により、Ｘ−Ｙ軸方向
に所定の周波数および振シ幅で振動し、蒸着源２のほぼ
全面にわたシ、または、所定面積にわたシＣＯ，レーザ
ビームが照射されるように、ＣＯ２レーザビームを振動
させる機能を有している。振動ミラー７としては、銅製
のものを使用することが最も一般的であシ、且つ、好ま
しい。
例えば、基材３の表面上に、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の皮
膜を形成する場合には、Ｙ −Ｂａ−Ｃｕ−０が配置さ
れた蒸着源２を使用する。
膜を形成する場合には、Ｙ −Ｂａ−Ｃｕ−０が配置さ
れた蒸着源２を使用する。
そして、真空室１内に蒸着源２、および、被蒸着体であ
る基材３を配置した後、ガス排出口６がら真空室ｌ内の
ガスを吸引して室外に排出し、真空室１内を所定の真空
度に保つ。
る基材３を配置した後、ガス排出口６がら真空室ｌ内の
ガスを吸引して室外に排出し、真空室１内を所定の真空
度に保つ。
次いで、図示しないレーザビーム発生源から、振動ミラ
ー７に向けてＣＯ，レーザビームを照射すると共に、振
動ミラー７を図示しない振動機構により、Ｘ−Ｙ軸方向
に所定の周波数および振υ幅で振動させる。
ー７に向けてＣＯ，レーザビームを照射すると共に、振
動ミラー７を図示しない振動機構により、Ｘ−Ｙ軸方向
に所定の周波数および振υ幅で振動させる。
この結果、 ＣＯ，レーザビームは、振動ミラー７によ
って蒸着源２を、そのほぼ全面にわたシ、または、所定
の面積にわたシ一定の振シ幅で連続的に往復照射する。
って蒸着源２を、そのほぼ全面にわたシ、または、所定
の面積にわたシ一定の振シ幅で連続的に往復照射する。
このようにして、ＣＯ，レーザビームが照射された、蒸
着源２の表面は、溶融且つ蒸発し、蒸発した蒸着源から
の微細粒子が渾然一体となって、基材３の表面上に付着
し、皮膜が形成される。
着源２の表面は、溶融且つ蒸発し、蒸発した蒸着源から
の微細粒子が渾然一体となって、基材３の表面上に付着
し、皮膜が形成される。
このＣＯ２レーザビームの振動周波数を適正化すること
によって、基材の表面全体に、バラツキのない組成の均
一な皮膜を形成することができる。
によって、基材の表面全体に、バラツキのない組成の均
一な皮膜を形成することができる。
また、ＣＯ２レーザビームが蒸着源２の１ケ所に集光さ
れて照射されないので、蒸着源２に短時間で孔があくこ
とがなく、蒸着源２の寿命が長くなる。
れて照射されないので、蒸着源２に短時間で孔があくこ
とがなく、蒸着源２の寿命が長くなる。
第２図は、この発明の方法を実施するための装置の第２
実施態様を示す概略斜視図である。
実施態様を示す概略斜視図である。
第２図に示すように、真空室１内には、蒸着源２と、蒸
着源２の上方に位置する基材３とが配置され、ガス排出
口６が設備されていることは第１実施態様と同じである
。
着源２の上方に位置する基材３とが配置され、ガス排出
口６が設備されていることは第１実施態様と同じである
。
真空室１の一方の側壁１ａの外側には、真空室１の側壁
１ａに設けられた透過窓４を通し、真空室１内の蒸着源
２に向けて、図示しないレーザビーム発生源から発射さ
れた〇〇、レーザビームを透過するための集光レンズ８
が設けられている。
１ａに設けられた透過窓４を通し、真空室１内の蒸着源
２に向けて、図示しないレーザビーム発生源から発射さ
れた〇〇、レーザビームを透過するための集光レンズ８
が設けられている。
集光レンズ８を透過させてＣＯ２レーザビームの焦点を
外すことによって、集光レンズ８はＣＯ□レーザビーム
を分散し、蒸着源２のほぼ全面にわたシ、または、所定
面積にわたシ、ＣＯ２レーザビームを照射させる。
外すことによって、集光レンズ８はＣＯ□レーザビーム
を分散し、蒸着源２のほぼ全面にわたシ、または、所定
面積にわたシ、ＣＯ２レーザビームを照射させる。
第３図は、この発明の方法を実施するための装置の第３
実施態様を示す概略斜視図である。
実施態様を示す概略斜視図である。
第３図に示すように、真空室１内には、蒸着源２と、蒸
着源２の上方に位置する基材３とが配置され、ガス排出
口６が設備されていることは第１実施態様と同じである
。
着源２の上方に位置する基材３とが配置され、ガス排出
口６が設備されていることは第１実施態様と同じである
。
真空室１の一方の側壁１ａの外側には、真空室１の側壁
１ａに設けられた透過窓４全通し、真空室１内の蒸着源
２に向けて、図示しないレーザビーム発生源から発射さ
れたレーザビームを照射するためのインテグレーション
ミラー９が設けられている。インテグレーションミラー
９は、凹面鏡１ｏ、および、凹面鏡１０の凹面部に基盤
目状に貼シ付けられた多数の矩形の平面鏡１１からなっ
ている。
１ａに設けられた透過窓４全通し、真空室１内の蒸着源
２に向けて、図示しないレーザビーム発生源から発射さ
れたレーザビームを照射するためのインテグレーション
ミラー９が設けられている。インテグレーションミラー
９は、凹面鏡１ｏ、および、凹面鏡１０の凹面部に基盤
目状に貼シ付けられた多数の矩形の平面鏡１１からなっ
ている。
１２はレーザビームをインテグレーションミラー９に反
射させるための銅ミラーである。
射させるための銅ミラーである。
図示しないレーザビーム発生源から発射されたレーザビ
ームは、銅ミラー１２に反射し、さらに、インテグレー
ションミラー９に照射されて分散し、蒸着源２の全面に
わた９、または、所定の面積にわた多照射される。
ームは、銅ミラー１２に反射し、さらに、インテグレー
ションミラー９に照射されて分散し、蒸着源２の全面に
わた９、または、所定の面積にわた多照射される。
次に、この発明を実施例により説明する。
真空室内に蒸着源としてＹ２ｏＢａ５Ｃｕ、 Ｏｘの成
分組成を有する、たて２０朋、よこ２０．、、厚さｌＯ
龍の矩形の蒸着源を配置し、被蒸着体としての基材とし
て１辺が１０龍、厚さが２ Ｉｌｌの正方形のＹＳＺを
使用した。
分組成を有する、たて２０朋、よこ２０．、、厚さｌＯ
龍の矩形の蒸着源を配置し、被蒸着体としての基材とし
て１辺が１０龍、厚さが２ Ｉｌｌの正方形のＹＳＺを
使用した。
皮膜の目標組成は、超電導現象を示すＹ、Ｂａ２Ｃｕ。
Ｏｘとした。
次いで、前述の第１〜第３実施態様に示す本発明方法お
よび従来の技術に示す従来方法によって、基材の表面上
に超電導皮膜を形成し、形成されたＹＢａＣｕＯｘの成
分組成、形成された超電導物質の臨界温度（化学組成の
変動による臨界温度のバラツキ）、および、蒸着源に孔
があくまでの時間（レーザ照射時間（ｈｏｕｒ））を第
１表に示した。
よび従来の技術に示す従来方法によって、基材の表面上
に超電導皮膜を形成し、形成されたＹＢａＣｕＯｘの成
分組成、形成された超電導物質の臨界温度（化学組成の
変動による臨界温度のバラツキ）、および、蒸着源に孔
があくまでの時間（レーザ照射時間（ｈｏｕｒ））を第
１表に示した。
下記に成膜条件を示す。
（ω 真空室の真空度： ５ Ｘ １０ ＴｏｒｒＧ
）真空室の雰囲気：酸素雰囲気 （Ｃ） 基材の加熱温度：６００℃ （ｄ） レーザビームの種類：ＣＯ２レーザビーム（
ｅ） レーザビームの出カニ５００Ｗ（ｆ） レー
ザビームの波長：１０．５μｍ（？） レーザビーム
の振動条件 周波数：５０Ｈｚ 振υ幅：２６ｎ （６）振動ミラー： 銅製 振動数：毎秒２００回 振シ幅：１５ｎ （１）集光レンズ： Ｚｎ５ｅ製レンズ 焦点距離：５０インチ ω インテグレーションミラー 銅製 平面鏡の数：４９枚 第１表 ＊ｌ目標組成 Ｙ、 ＢａｌＣｕ ！ Ｏｘ・ 室２成
分組成の変動による臨界温度の・９ラツキ ＊３レーザ照射時間 第１表に示すように、本発明方法によれば、目標に近い
成分組成を得ることができ、臨界温度のバラツキの幅も
小さく、また蒸Ｎ源の寿命も長かった。
）真空室の雰囲気：酸素雰囲気 （Ｃ） 基材の加熱温度：６００℃ （ｄ） レーザビームの種類：ＣＯ２レーザビーム（
ｅ） レーザビームの出カニ５００Ｗ（ｆ） レー
ザビームの波長：１０．５μｍ（？） レーザビーム
の振動条件 周波数：５０Ｈｚ 振υ幅：２６ｎ （６）振動ミラー： 銅製 振動数：毎秒２００回 振シ幅：１５ｎ （１）集光レンズ： Ｚｎ５ｅ製レンズ 焦点距離：５０インチ ω インテグレーションミラー 銅製 平面鏡の数：４９枚 第１表 ＊ｌ目標組成 Ｙ、 ＢａｌＣｕ ！ Ｏｘ・ 室２成
分組成の変動による臨界温度の・９ラツキ ＊３レーザ照射時間 第１表に示すように、本発明方法によれば、目標に近い
成分組成を得ることができ、臨界温度のバラツキの幅も
小さく、また蒸Ｎ源の寿命も長かった。
これに対して、従来方法によれば、特に、ＹおよびＢａ
の成分組成が目標に遠く、臨界温度の・ぐラツキの幅も
大きく、また蒸着源の寿命も短かかった。
の成分組成が目標に遠く、臨界温度の・ぐラツキの幅も
大きく、また蒸着源の寿命も短かかった。
以上述べたように、この発明によれば、基材の表面上に
、所定の目標組成を有する、例えば、複合酸化物超電導
物質等の皮膜を形成することができ、しかも、蒸着源の
長寿命化が図れる等、工業上有用な効果がもたらされる
。
、所定の目標組成を有する、例えば、複合酸化物超電導
物質等の皮膜を形成することができ、しかも、蒸着源の
長寿命化が図れる等、工業上有用な効果がもたらされる
。
第１図はこの発明の方法を実施するための装置の第１実
施態様を示す概略斜視図、第２図は第２実施態様を示す
概略斜視図、第３図は第３実施態様を示す概略斜視図、
第４図は従来の方法に使用されている装置の一例を示す
概略斜視図である。 図面において、 １・・・真空室、 ｌａ・・・側壁、 ２・・・蒸着源、 ３・・・基材、 ４・・・レーザ透過窓、 ５・・・集光レンズ、 ６・・・排出口、 ７・・・振動ミラー、 ８・・・集光レンズ、 ９・・・インテグレーションミラー、 １０・・・凹面鏡、 １１・・・平面鏡、 １２・・・銅ミラー。
施態様を示す概略斜視図、第２図は第２実施態様を示す
概略斜視図、第３図は第３実施態様を示す概略斜視図、
第４図は従来の方法に使用されている装置の一例を示す
概略斜視図である。 図面において、 １・・・真空室、 ｌａ・・・側壁、 ２・・・蒸着源、 ３・・・基材、 ４・・・レーザ透過窓、 ５・・・集光レンズ、 ６・・・排出口、 ７・・・振動ミラー、 ８・・・集光レンズ、 ９・・・インテグレーションミラー、 １０・・・凹面鏡、 １１・・・平面鏡、 １２・・・銅ミラー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空室内に蒸着源および被蒸着体を配置し、前記蒸
着源に対しＣＯ＿２レーザビームを照射し、前記ＣＯ＿
２レーザビームにより前記蒸着源から蒸発した粒子を前
記被蒸着体の表面上に付着させることによつて、前記被
蒸着体の表面上に皮膜を形成せしめるＣＯ＿２レーザ蒸
着方法において、 前記蒸着源のほぼ全体にわたつて前記ＣＯ＿２レーザビ
ームが照射されるように、前記ＣＯ＿２レーザビームを
前記真空室外に取り付けられた振動ミラーに反射させて
前記ＣＯ＿２レーザビームを振動させることを特徴とす
るＣＯ＿２レーザ蒸着方法における酸化物超電導皮膜の
形成方法。 ２ 真空室内に蒸着源および被蒸着体を配置し、前記蒸
着源に対しＣＯ＿２レーザビームを照射し、前記ＣＯ＿
２レーザビームにより前記蒸着源から蒸発した粒子を前
記被蒸着体の表面上に付着させることによつて、前記被
蒸着体の表面上に皮膜を形成せしめるＣＯ＿２レーザ蒸
着方法において、 前記蒸着源のほぼ全体にわたつて前記ＣＯ＿２レーザビ
ームが照射されるように、前記ＣＯ＿２レーザビームを
前記真空室外に取り付けられた集光レンズを透過させて
前記ＣＯ＿２レーザビームの焦点位置をはずすことを特
徴とするＣＯ＿２レーザ蒸着方法における酸化物超電導
皮膜の形成方法。 ３ 真空室内に蒸着源および被蒸着体を配置し、前記蒸
着源に対しＣＯ＿２レーザビームを照射し、前記ＣＯ＿
２レーザビームにより前記蒸着源から蒸発した粒子を前
記被蒸着体の表面上に付着させることによつて、前記被
蒸着体の表面上に皮膜を形成せしめるＣＯ＿２レーザ蒸
着方法において、 前記蒸着源のほぼ全体にわたつて前記ＣＯ＿２レーザビ
ームが照射されるように、前記ＣＯ＿２レーザビームを
前記真空室外に取り付けられたインテグレーションミラ
ーに反射させて前記ＣＯ＿２レーザビームを分散するこ
とを特徴とするＣＯ＿２レーザ蒸着方法における酸化物
超電導皮膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25785388A JPH02104658A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | Ｃｏ↓２レーザ蒸着方法における酸化物超電導皮膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25785388A JPH02104658A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | Ｃｏ↓２レーザ蒸着方法における酸化物超電導皮膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02104658A true JPH02104658A (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=17312072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25785388A Pending JPH02104658A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | Ｃｏ↓２レーザ蒸着方法における酸化物超電導皮膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02104658A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2674468A1 (fr) * | 1991-03-29 | 1992-10-02 | Alsthom Cge Alcatel | Methode de depot de films minces par ablation laser et dispositif de mise en óoeuvre. |
| US5231075A (en) * | 1990-06-13 | 1993-07-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for preparing superconducting oxide thin films |
| JP2006265627A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | クラスター膜製造方法および製造装置 |
| JP2011060668A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Fujikura Ltd | レーザー蒸着法による長尺酸化物超電導導体の製造方法 |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP25785388A patent/JPH02104658A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5231075A (en) * | 1990-06-13 | 1993-07-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for preparing superconducting oxide thin films |
| FR2674468A1 (fr) * | 1991-03-29 | 1992-10-02 | Alsthom Cge Alcatel | Methode de depot de films minces par ablation laser et dispositif de mise en óoeuvre. |
| JP2006265627A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | クラスター膜製造方法および製造装置 |
| JP2011060668A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Fujikura Ltd | レーザー蒸着法による長尺酸化物超電導導体の製造方法 |
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