JPH02104665A - 炭素膜で覆われた部材 - Google Patents
炭素膜で覆われた部材Info
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- JPH02104665A JPH02104665A JP63255492A JP25549288A JPH02104665A JP H02104665 A JPH02104665 A JP H02104665A JP 63255492 A JP63255492 A JP 63255492A JP 25549288 A JP25549288 A JP 25549288A JP H02104665 A JPH02104665 A JP H02104665A
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Landscapes
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
「発明の利用分野」
本発明は、親水性を有し、その固有抵抗が5×IQII
ΩC1以下の炭素または炭素を主成分とする被膜に関す
る。
ΩC1以下の炭素または炭素を主成分とする被膜に関す
る。
本発明はこれをガラス等の透光性部材に形成するに際し
、この部材上に透光性を有し、部材と密着性を有する窒
化珪素膜を形成し、さらにその上に炭素または炭素を主
成分とする被膜を形成する多層構造の部材に関する。
、この部材上に透光性を有し、部材と密着性を有する窒
化珪素膜を形成し、さらにその上に炭素または炭素を主
成分とする被膜を形成する多層構造の部材に関する。
本発明は、III価またはV価の不純物を水素または弗
素とともに炭素または炭素を主成分とする保護用被膜中
に添加し、親水性の程度の制御、ビッカース硬度の制御
および電気伝導度の制御をせんとするものである。
素とともに炭素または炭素を主成分とする保護用被膜中
に添加し、親水性の程度の制御、ビッカース硬度の制御
および電気伝導度の制御をせんとするものである。
「従来技術」
一般にプラズマCVD法においては、平坦面を有する基
板上に平面状に成膜する方法が工業的に有効であるとさ
れている。さらに、プラズマCVD法でありながら、ス
パッタ効果を伴わせつつ成膜させる方法も知られている
。その代表例である炭素膜のコーティングに関しては、
本発明人の出願になる特許側r炭素被膜を有する複合体
およびその作製方法1 (特願昭56−146936昭
和56年9月17日出願)が知られている。しかし、こ
れらは一対の電極のみを用いる平行平板型を有し、1つ
の高周波電源より導出した2つの出力端をそれぞれの電
極に連結し、一方の電極(カソード側)に基板を配設し
、自ら発生するセルフバイアスを用いて平坦面の上面に
炭素膜を成膜する方法である。
板上に平面状に成膜する方法が工業的に有効であるとさ
れている。さらに、プラズマCVD法でありながら、ス
パッタ効果を伴わせつつ成膜させる方法も知られている
。その代表例である炭素膜のコーティングに関しては、
本発明人の出願になる特許側r炭素被膜を有する複合体
およびその作製方法1 (特願昭56−146936昭
和56年9月17日出願)が知られている。しかし、こ
れらは一対の電極のみを用いる平行平板型を有し、1つ
の高周波電源より導出した2つの出力端をそれぞれの電
極に連結し、一方の電極(カソード側)に基板を配設し
、自ら発生するセルフバイアスを用いて平坦面の上面に
炭素膜を成膜する方法である。
「従来の問題点」
かかる1つの高周波電源を用いるため、平行平板型のプ
ラズマ反応方法においては、電極の一方の側の電極に平
行に密接して基板を配設してその上面にプラズマCVD
がなされる。
ラズマ反応方法においては、電極の一方の側の電極に平
行に密接して基板を配設してその上面にプラズマCVD
がなされる。
そのため、大量生産をせんとしても、単に電極を大面積
とし、形成する膜も1層の被膜を一方の電極面でのみ処
理するもので生産性が悪い。さらにこの基体または部材
に独立してバイアスを印加することが難しく、薄膜形成
に最適なプロセス条件を探すことが困難である。さらに
基体または部材にバイアス印加をしたエツチング方法に
関しても、多量に同時に処理をすることができない。
とし、形成する膜も1層の被膜を一方の電極面でのみ処
理するもので生産性が悪い。さらにこの基体または部材
に独立してバイアスを印加することが難しく、薄膜形成
に最適なプロセス条件を探すことが困難である。さらに
基体または部材にバイアス印加をしたエツチング方法に
関しても、多量に同時に処理をすることができない。
このため、大容量空間で一度に多数の部材に対し膜を形
成する方法またはエツチングする方法が求められていた
。
成する方法またはエツチングする方法が求められていた
。
本発明はかかる目的のためになされたものである。
「問題を解決すべき手段」
本発明は、かかるダイヤモンド状炭素(DLCという)
が形成された部材およびその作製方法を提供するもので
、プラズマCVD用として、反応空間の一端側および他
端側に互いに離間して一対の電極(第1および第2の電
極)を配設する。さらにそれぞれ独立した電磁エネルギ
供給手段およびマツチングボックスを有する。そしてそ
れぞれの電極にマツチングボックスを介して供給される
電磁エネルギの位相を互いに制御する位相調整器を有す
る。
が形成された部材およびその作製方法を提供するもので
、プラズマCVD用として、反応空間の一端側および他
端側に互いに離間して一対の電極(第1および第2の電
極)を配設する。さらにそれぞれ独立した電磁エネルギ
供給手段およびマツチングボックスを有する。そしてそ
れぞれの電極にマツチングボックスを介して供給される
電磁エネルギの位相を互いに制御する位相調整器を有す
る。
それぞれの電極から発せられる電磁エネルギを用い、反
応空間にKWレベルの大電力を供給し、かつそれぞれの
電極の位相を制御して相乗効果を有するプラズマを反応
空間で発生せしめたものである。
応空間にKWレベルの大電力を供給し、かつそれぞれの
電極の位相を制御して相乗効果を有するプラズマを反応
空間で発生せしめたものである。
この空間内に直流または交流バイアスを加えるための第
3の電極を必要に応じて設ける。一対の電極間の空間(
プラズマ空間)に被処理面を有する基体、部材をホルダ
を用いて配設する。反応空間は減圧にされ、反応性気体
が供給される。反応性気体のプラズマ化のため、一対の
電極のそれぞれには所定の電力および周波数の電磁エネ
ルギが電磁エネルギ供給手段、マツチングボックスを介
して供給される。このそれぞれの電極には、接地に対し
て互いに位相が概略180°または概略0゜となるよう
異なった高周波電圧をそれぞれの高周波電源より印加し
、互いに対称または同相の交番電圧が印加されるよう位
相調整器で調整、制御する。
3の電極を必要に応じて設ける。一対の電極間の空間(
プラズマ空間)に被処理面を有する基体、部材をホルダ
を用いて配設する。反応空間は減圧にされ、反応性気体
が供給される。反応性気体のプラズマ化のため、一対の
電極のそれぞれには所定の電力および周波数の電磁エネ
ルギが電磁エネルギ供給手段、マツチングボックスを介
して供給される。このそれぞれの電極には、接地に対し
て互いに位相が概略180°または概略0゜となるよう
異なった高周波電圧をそれぞれの高周波電源より印加し
、互いに対称または同相の交番電圧が印加されるよう位
相調整器で調整、制御する。
結果として合わせて実質的に1つの高周波の交番電圧と
し、プラズマ空間にKWレベルの大電力を印加し、反応
性気体を完全に分解、電離させるための高周波プラズマ
を誘起させる。さらにそのそれぞれの高周波電源の他端
を接地せしめる。
し、プラズマ空間にKWレベルの大電力を印加し、反応
性気体を完全に分解、電離させるための高周波プラズマ
を誘起させる。さらにそのそれぞれの高周波電源の他端
を接地せしめる。
またさらに発生させる場合、基体または部材を挟んで直
流(自己または外部よりの直流バイアス用電圧)または
交番(交流バイアス用電圧)電圧を印加する。自己直流
バイアス方式の場合、第2の交番電圧で一方の電極側で
加速されたイオンが部材の被形成面上をスパッタしつつ
、被形成面上に強く被膜化またはエツチングをさせる。
流(自己または外部よりの直流バイアス用電圧)または
交番(交流バイアス用電圧)電圧を印加する。自己直流
バイアス方式の場合、第2の交番電圧で一方の電極側で
加速されたイオンが部材の被形成面上をスパッタしつつ
、被形成面上に強く被膜化またはエツチングをさせる。
第1の交番電圧がそれぞれ独立した電磁エネルギ供給手
段およびマツチングボックスをへてそれぞれの電極に印
加させる場合、また概略O°即ち0±30°以内の場合
と概略180°即ち180±30゜以内の場合では反応
空間全体へ均一に広げるためには後者即ち180±30
°以内(概略180°)が優れていた、また、90±3
0°以内の位相度ではプラズマが特に一方の電極側にか
たよってしまった。
段およびマツチングボックスをへてそれぞれの電極に印
加させる場合、また概略O°即ち0±30°以内の場合
と概略180°即ち180±30゜以内の場合では反応
空間全体へ均一に広げるためには後者即ち180±30
°以内(概略180°)が優れていた、また、90±3
0°以内の位相度ではプラズマが特に一方の電極側にか
たよってしまった。
これは反応空間内でイオンを双方の電極で一方から他方
の電極にまた他方の電極から一方の電極に大きく運動さ
せる位相とすることにより、空間をより広く、プラズマ
化し、そのイオンを運動させるためと推定される。
の電極にまた他方の電極から一方の電極に大きく運動さ
せる位相とすることにより、空間をより広く、プラズマ
化し、そのイオンを運動させるためと推定される。
本発明のプラズマCVDとして、炭素または炭素を主成
分とする被膜即ちDLC(ダイヤモンド状炭素B)の場
合を示す。
分とする被膜即ちDLC(ダイヤモンド状炭素B)の場
合を示す。
この薄膜の形成として、エチレン(CJa)、メタン(
CH4) 、アセチレン(CJzL 弗化炭素(CzF
いCJIりのような炭化水素気体または弗化炭素または
C)IF、。
CH4) 、アセチレン(CJzL 弗化炭素(CzF
いCJIりのような炭化水素気体または弗化炭素または
C)IF、。
HlCsFi、HsCF、C1bh等の弗化炭素の如き
炭素弗化物気体を導入し、さらにIII価またはV価の
添加物、代表的にはそれぞれホウ素用のジボラン(Bz
ui) 。
炭素弗化物気体を導入し、さらにIII価またはV価の
添加物、代表的にはそれぞれホウ素用のジボラン(Bz
ui) 。
弗化ホウ素(BFff)またアンモニア(NH,)、弗
化窒素(NF3)を添加した。そして成膜された被膜中
にIII価またはV価の添加物は0.1〜10原子%と
した。
化窒素(NF3)を添加した。そして成膜された被膜中
にIII価またはV価の添加物は0.1〜10原子%と
した。
このとき水素または弗素は5〜30原子%が添加されて
いた。かくしてSP3軌道を有するダイヤモンドと類似
のC−C結合をつくり、比抵抗(固有抵抗)1×lOh
〜5×1OI3ΩC−代表的には1×lO?〜5×10
目Ωcmを有するとともに、ビッカース硬度700〜5
000Kg/am”、光学的エネルギバンド巾CEgと
いう)が1.OeV以上、好ましくは1.5〜5.5e
Vを有する可視領域で透光性のダイヤモンドと類似の特
性を有する被膜を形成した。
いた。かくしてSP3軌道を有するダイヤモンドと類似
のC−C結合をつくり、比抵抗(固有抵抗)1×lOh
〜5×1OI3ΩC−代表的には1×lO?〜5×10
目Ωcmを有するとともに、ビッカース硬度700〜5
000Kg/am”、光学的エネルギバンド巾CEgと
いう)が1.OeV以上、好ましくは1.5〜5.5e
Vを有する可視領域で透光性のダイヤモンドと類似の特
性を有する被膜を形成した。
本発明方法での成膜に際し、弗素の如きハロゲン元素を
初期状態から有するcap、とNHs÷H2の反応また
はCJ&とBtHb+Htとの反応を用い、プラズマC
VD中に炭化物気体に加えて同時に窒素(7価の添加物
)またはホウ素(■価の添加物)を混入させて、親水性
表面を有せしめ、また厚さ方向に均一な濃度勾配を設け
た炭素を主成分とする被膜または添加物の有無を制御し
た多層の複合膜を作ってもよい。
初期状態から有するcap、とNHs÷H2の反応また
はCJ&とBtHb+Htとの反応を用い、プラズマC
VD中に炭化物気体に加えて同時に窒素(7価の添加物
)またはホウ素(■価の添加物)を混入させて、親水性
表面を有せしめ、また厚さ方向に均一な濃度勾配を設け
た炭素を主成分とする被膜または添加物の有無を制御し
た多層の複合膜を作ってもよい。
以下に図面に従って本発明の作製方法を記す。
「実施例1」
第2図は、基体または部材上にプラズマ反応法により薄
膜形成またはエツチングを行う方法を実施するためのプ
ラズマ処理装置の概要を示す。
膜形成またはエツチングを行う方法を実施するためのプ
ラズマ処理装置の概要を示す。
図面において、プラズマ反応装置の反応容器(7)はゲ
ート弁(9)で外部と仕切られている。ガス系(30)
において、キャリアガスである水素またはアルゴンを(
31)より、反応性気体である炭化水素気体、例えばメ
タン(CH4)、エチレン(czna)を(32)より
、弗化炭素気体である弗化炭素(CzFb、C3F@)
を(33)より、■価またはV個用の気体であるBtH
bまたはNH,を(34)より、ジシラン(Si、H,
)を(35)より、反応容器のエツチング用気体である
弗化窒素または酸素を(36)より、バルブ(28)、
流量計(29)をへて反応系(50)中にノズル(25
)を経て導入する。
ート弁(9)で外部と仕切られている。ガス系(30)
において、キャリアガスである水素またはアルゴンを(
31)より、反応性気体である炭化水素気体、例えばメ
タン(CH4)、エチレン(czna)を(32)より
、弗化炭素気体である弗化炭素(CzFb、C3F@)
を(33)より、■価またはV個用の気体であるBtH
bまたはNH,を(34)より、ジシラン(Si、H,
)を(35)より、反応容器のエツチング用気体である
弗化窒素または酸素を(36)より、バルブ(28)、
流量計(29)をへて反応系(50)中にノズル(25
)を経て導入する。
水素と六弗化二炭素(CzFb)とを導入すると、水素
が弗素を引き抜き、残ったC−F結合による弗素が添加
されたSP3接合を多数有するダイヤモンド状炭素膜(
DLCともいうが、添加物が添加されたDLCを含めて
本発明は炭素または炭素を主成分とする被膜という)を
成膜できる。
が弗素を引き抜き、残ったC−F結合による弗素が添加
されたSP3接合を多数有するダイヤモンド状炭素膜(
DLCともいうが、添加物が添加されたDLCを含めて
本発明は炭素または炭素を主成分とする被膜という)を
成膜できる。
またジシラン(SiJi)を(35)より、アンモニア
(NI+3)を(34)より導入して、プラズマCVD
反応を生ぜしめて窒化珪素膜を形成することができる。
(NI+3)を(34)より導入して、プラズマCVD
反応を生ぜしめて窒化珪素膜を形成することができる。
この反応容器(7)の上下に第1の一対の電極を同一形
状を有せしめて第1および第2の電極(3−1)。
状を有せしめて第1および第2の電極(3−1)。
(3−2)をアルミニウムの金属メツシュで構成せしめ
る。
る。
このそれぞれの電極には第1および第2の電磁エネルギ
供給手段(15−1) 、 (15−2)を有する。そ
れぞれの電源である供給手段より1〜100MIIzの
交番電圧例えば13.56MH2の高周波電圧を発し、
その電磁エネルギをLCRで構成され反応容器内のイン
ピーダンスとマチングをさせるためのマツチングボック
ス(16−1) 、 (16−2)を有する。このマツ
チングボックスより導入端子(4−1) 、 (4−2
)をへてそれぞれの電極(3−1) 、 (3−2)に
電磁エネルギが供給される。第1および第2の電源(1
5−1)、(1・5−2)は同一周波数の同一波形を原
則とするが、定倍波形を用いてもよい。
供給手段(15−1) 、 (15−2)を有する。そ
れぞれの電源である供給手段より1〜100MIIzの
交番電圧例えば13.56MH2の高周波電圧を発し、
その電磁エネルギをLCRで構成され反応容器内のイン
ピーダンスとマチングをさせるためのマツチングボック
ス(16−1) 、 (16−2)を有する。このマツ
チングボックスより導入端子(4−1) 、 (4−2
)をへてそれぞれの電極(3−1) 、 (3−2)に
電磁エネルギが供給される。第1および第2の電源(1
5−1)、(1・5−2)は同一周波数の同一波形を原
則とするが、定倍波形を用いてもよい。
それぞれの電源の位相は位相調整器(26)で180
”±30″以内に互いに制御されている。
”±30″以内に互いに制御されている。
反応性気体はノズル(25)より下方向に放出される。
バイアス電圧の直流電源(17−2) 、第2の交番電
圧電源(17−1)の周波数をlOH2〜100KH2
よりなるバイアス手段(17)により供給される。そし
てこのバイアスはスイッチ(10)が(11−2)のと
き基体または部材に供給される。
圧電源(17−1)の周波数をlOH2〜100KH2
よりなるバイアス手段(17)により供給される。そし
てこのバイアスはスイッチ(10)が(11−2)のと
き基体または部材に供給される。
かくして反応空間(8)にプラズマが発生する。
排気系(25)は、圧力調整バルブ(21) 、ターボ
分子ポンプ(22) 、 ロータリーポンプ(23)
を経て不要気体を排気する。
分子ポンプ(22) 、 ロータリーポンプ(23)
を経て不要気体を排気する。
これらの反応性気体は、反応空間(8)で0.001〜
1.0torr例えば0.05torrとした。
1.0torr例えば0.05torrとした。
かかる空間において、0.5〜50KW (単位面積あ
たりO,OQ5〜5W/cm”)例えばIKW(単位面
積あたり0.IW/cmtO高エネルギ)の第1の高周
波電圧を加える。さらに第2の交番電圧による交流バイ
アスの印加により、被形成面上には−50〜−600V
(例えばその出力はIKW)の負の自己バイアス電圧
が印加されており、この負の自己バイアス電圧により加
速された反応性気体を基体または部材上にスパッタしつ
つ成膜し、かつ緻密な膜とすることができた。
たりO,OQ5〜5W/cm”)例えばIKW(単位面
積あたり0.IW/cmtO高エネルギ)の第1の高周
波電圧を加える。さらに第2の交番電圧による交流バイ
アスの印加により、被形成面上には−50〜−600V
(例えばその出力はIKW)の負の自己バイアス電圧
が印加されており、この負の自己バイアス電圧により加
速された反応性気体を基体または部材上にスパッタしつ
つ成膜し、かつ緻密な膜とすることができた。
反応性気体は、例えばエチレンと弗化炭素の混合気体と
した。その割合はCzF6/CJi = 1/4〜4/
1とし、代表的には1/1である。この割合を可変する
ことにより、透過率および比抵抗を制御することができ
る。基体または部材(1)の温度は室温〜150°C1
代表的には外部加熱をすることなく室温に保持させる。
した。その割合はCzF6/CJi = 1/4〜4/
1とし、代表的には1/1である。この割合を可変する
ことにより、透過率および比抵抗を制御することができ
る。基体または部材(1)の温度は室温〜150°C1
代表的には外部加熱をすることなく室温に保持させる。
かくして被形成面上は比抵抗1×106〜5X10′3
Ωcmを有し、光学的エネルギバンド中1.0〜5.5
eVを有し、有機樹脂上またその他固体無機材料上にも
密着させて成膜させ得る。可視光に対し、透光性のアモ
ルファス構造または結晶構造を有する弗素と水素とが添
加された炭素または炭素を主成分とする被膜を0.1〜
8μm例えば0.5μm(平面部)、1〜3μm(凸部
)に生成させた。成膜速度は100〜1000人/分を
有していた。
Ωcmを有し、光学的エネルギバンド中1.0〜5.5
eVを有し、有機樹脂上またその他固体無機材料上にも
密着させて成膜させ得る。可視光に対し、透光性のアモ
ルファス構造または結晶構造を有する弗素と水素とが添
加された炭素または炭素を主成分とする被膜を0.1〜
8μm例えば0.5μm(平面部)、1〜3μm(凸部
)に生成させた。成膜速度は100〜1000人/分を
有していた。
かくして部材であるガラス板、有機樹脂物上、その他の
部材に炭素を主成分とする被膜、特に炭素中に水素また
は弗素を30原子%以下含有するとともに、0.3〜1
0原子%の濃度にホウ素または窒素が混入した親水性炭
素膜を形成させることができた。
部材に炭素を主成分とする被膜、特に炭素中に水素また
は弗素を30原子%以下含有するとともに、0.3〜1
0原子%の濃度にホウ素または窒素が混入した親水性炭
素膜を形成させることができた。
有機物上に100〜2000人の厚さにエチレンのみに
よる第1の炭素を設け、さらにその上にC2F4と水素
とアンモニアとを用いて弗素と窒素と水素とが添加され
た親水性炭素を主成分とする被膜を多層に形成させるこ
とができた。
よる第1の炭素を設け、さらにその上にC2F4と水素
とアンモニアとを用いて弗素と窒素と水素とが添加され
た親水性炭素を主成分とする被膜を多層に形成させるこ
とができた。
「実施例2」
この実施例は実施例1で用いた装置により、第1図に示
す如く、有機物の部材要部上に炭素を主成分とする膜を
作製した例である。
す如く、有機物の部材要部上に炭素を主成分とする膜を
作製した例である。
第1図(A)において、アルミニウムの部上に有機樹脂
が設けられたOPC(を機感光導電体)ドラム(1)を
用いたもので、その上に光伝導体または保護膜としてD
LC膜(45)を形成したものである。
が設けられたOPC(を機感光導電体)ドラム(1)を
用いたもので、その上に光伝導体または保護膜としてD
LC膜(45)を形成したものである。
第1図(A) 、 (B)において、このプラスチック
ス(1)は軽量であり、この上への密着性向上のためエ
チレンと水素とを用いて0.01〜0.1 μmの厚さ
に形成した。さらにその上にCzF6とNH3とH2と
の混合気体を用いて比抵抗が1×10h〜5X10”Ω
cI11好ましくはI XIO’ 〜5 XIO”Ωc
mの膜を0.2〜2μmの厚さに親水性を有する炭素膜
を形成した。かくしてOPCドラム上に本発明方法によ
り窒素が4.5原子%、弗素および水素が10〜30原
子%添加された炭素を主成分とする被膜を作製すること
ができた。
ス(1)は軽量であり、この上への密着性向上のためエ
チレンと水素とを用いて0.01〜0.1 μmの厚さ
に形成した。さらにその上にCzF6とNH3とH2と
の混合気体を用いて比抵抗が1×10h〜5X10”Ω
cI11好ましくはI XIO’ 〜5 XIO”Ωc
mの膜を0.2〜2μmの厚さに親水性を有する炭素膜
を形成した。かくしてOPCドラム上に本発明方法によ
り窒素が4.5原子%、弗素および水素が10〜30原
子%添加された炭素を主成分とする被膜を作製すること
ができた。
「実施例3J
この実施例は下地材料用被膜として窒化珪素を形成する
例である。
例である。
反応性気体として第2図でジシラン(SfJ6)/NH
3を(35)より、アンモニア(N)lx)を(34)
より供給して、(SizH5)/NHs =1/3〜1
/10とした。外部より加熱することなく、実施例1と
同じ< 、0.05torrの圧力で高周波を加えた。
3を(35)より、アンモニア(N)lx)を(34)
より供給して、(SizH5)/NHs =1/3〜1
/10とした。外部より加熱することなく、実施例1と
同じ< 、0.05torrの圧力で高周波を加えた。
すると窒化珪素膜をこれらの上面に100人7分の成膜
速度で形成することが可能となった。
速度で形成することが可能となった。
「実施例4」
この実施例は第1図(C)に示したものである。
第2図のプラズマ処理装置を実施例と同様に用いた。そ
して板状の基体ホルダをプラズマ空間(8)内に配設し
、その両面に被形成面を有する基板(1)を保持し、こ
こに多層に被膜を形成した例でありこの基体としてはガ
ラス板がある。このガラス板は自動車、オートバイ、航
空機、船舶のフロントウィンド、サイドミラー、サイド
ウィンド、リアウィンドまたは家庭の窓であり、その外
気に触れる面倒である。
して板状の基体ホルダをプラズマ空間(8)内に配設し
、その両面に被形成面を有する基板(1)を保持し、こ
こに多層に被膜を形成した例でありこの基体としてはガ
ラス板がある。このガラス板は自動車、オートバイ、航
空機、船舶のフロントウィンド、サイドミラー、サイド
ウィンド、リアウィンドまたは家庭の窓であり、その外
気に触れる面倒である。
この基板上にまず実施例3に示した窒化珪素膜を形成し
た。この反応容器を外気(特に酸素)に触れさせること
なくさらに反応性気体を排除し、実施例1に示した如く
この上に弗素が添加された炭素膜を0.1〜5μm例え
ば0.5μmの厚さに形成した。
た。この反応容器を外気(特に酸素)に触れさせること
なくさらに反応性気体を排除し、実施例1に示した如く
この上に弗素が添加された炭素膜を0.1〜5μm例え
ば0.5μmの厚さに形成した。
本発明において、特にこの炭素またはIII価またはV
価の添加物に加えて弗素が添加された炭素を主成分とす
る被膜は親水性を有し、また静電気の発生によるゴミの
付着を防ぐため、その比抵抗はlXl0’〜5X10”
ΩCl11の範囲、特に好ましくはlXlO7〜lXl
0”Ωcamの範囲とした。
価の添加物に加えて弗素が添加された炭素を主成分とす
る被膜は親水性を有し、また静電気の発生によるゴミの
付着を防ぐため、その比抵抗はlXl0’〜5X10”
ΩCl11の範囲、特に好ましくはlXlO7〜lXl
0”Ωcamの範囲とした。
本実施例において、ガラスは酸化珪素よりなり、酸素を
含有し、弗化物気体とは反応しやすいために、DLCを
形成する前に耐酸素性を有するバッファ層として透光性
でかつ緻密性がよい窒化珪素膜(45−1)を形成した
。そして耐弗素性を酸化珪素より有する窒化珪素上に弗
素が添加された炭素膜または炭素を主成分とする被膜(
45−2)を積層した。
含有し、弗化物気体とは反応しやすいために、DLCを
形成する前に耐酸素性を有するバッファ層として透光性
でかつ緻密性がよい窒化珪素膜(45−1)を形成した
。そして耐弗素性を酸化珪素より有する窒化珪素上に弗
素が添加された炭素膜または炭素を主成分とする被膜(
45−2)を積層した。
この第1図(C)の縦断面図はフロントウィンドのみな
らず、サイドウィンド、ミラー表面であってもよい。
らず、サイドウィンド、ミラー表面であってもよい。
第1図(E)は曲面上に対し形成したものである。
これらは実使用上風切りが強く、また鉱物質のほこりが
衝突しやすく、結果として失透、濁りが摩耗により発生
しやすいため、本発明は優れたものである。
衝突しやすく、結果として失透、濁りが摩耗により発生
しやすいため、本発明は優れたものである。
[実施例6J
本発明の実施例において、下地材料としてジシランとエ
チレンとをプラズマ雰囲気中に導入し、炭化珪素(Si
xCl−x O<X<l)を形成し、その上に炭素また
は炭素を主成分とする被膜を形成した。すると、この炭
化珪素の光学的エネルギバンド巾が1.5〜2.5eV
であるため、黄色の半透光性の下地材とすることができ
た。さらに炭素被膜の密着性向上にもきわめて有効であ
った。
チレンとをプラズマ雰囲気中に導入し、炭化珪素(Si
xCl−x O<X<l)を形成し、その上に炭素また
は炭素を主成分とする被膜を形成した。すると、この炭
化珪素の光学的エネルギバンド巾が1.5〜2.5eV
であるため、黄色の半透光性の下地材とすることができ
た。さらに炭素被膜の密着性向上にもきわめて有効であ
った。
「実施例6」
この実施例は第1図(D)の形状である。装置は実施例
1を用い、下地材料として実施例4と同様に窒化珪素膜
、その上に親水性の炭素膜を形成した。第1図の層にお
いて、基板ホルダを板状とし、その両面にそれぞれの基
板(11)[11’)(11’)を配設して形成したも
のである。その結果、それぞれの基板(11) 、(1
1(11°)上には片面のみに窒化珪素膜(45−1)
。
1を用い、下地材料として実施例4と同様に窒化珪素膜
、その上に親水性の炭素膜を形成した。第1図の層にお
いて、基板ホルダを板状とし、その両面にそれぞれの基
板(11)[11’)(11’)を配設して形成したも
のである。その結果、それぞれの基板(11) 、(1
1(11°)上には片面のみに窒化珪素膜(45−1)
。
(45−1°)とその上に炭素または炭素を主成分とす
る被膜(45−2) 、 (45’−2)が積層して形
成された。その結果、炭素膜(4)と同様にガラス等の
上にも炭素膜を密着して形成することができた。そして
片面の雨があたる表面のみに形成することにより、生産
性を2倍にすることができた。その他は実施例4と同様
である。
る被膜(45−2) 、 (45’−2)が積層して形
成された。その結果、炭素膜(4)と同様にガラス等の
上にも炭素膜を密着して形成することができた。そして
片面の雨があたる表面のみに形成することにより、生産
性を2倍にすることができた。その他は実施例4と同様
である。
「実施例6」
この実施例は実施例1で用いた装置を用いた。
第2図において、酸素(02)または弗化窒素(NF、
)のみを導入し、基体または部材または反応容器、ホル
ダ上の被膜のエツチング除去を100〜300人/分の
速度でした。この実施例において、エツチングされる材
料は炭素または炭素を主成分とする被膜(プラズマ酸素
でエツチングされる)、窒化珪素(NFiのプラズマに
よりエツチングされる)である。
)のみを導入し、基体または部材または反応容器、ホル
ダ上の被膜のエツチング除去を100〜300人/分の
速度でした。この実施例において、エツチングされる材
料は炭素または炭素を主成分とする被膜(プラズマ酸素
でエツチングされる)、窒化珪素(NFiのプラズマに
よりエツチングされる)である。
「効果」
本発明方法により、電気伝導度を有しかつ親水性の表面
を有する保護膜を作ることが初めて可能となった。特に
窓等の透光性表面にはほこりがたまったり、また雨の日
その表面張力があると内部より窓を通して外部を見んと
しても、雨粒の乱反射のためによく外を見ることができ
ない0本発明はかかる欠点を除去し、透光性基体または
部材上に親水性の炭素または炭素を主成分とする被膜を
形成したものである。特に透光性の基体が酸化珪素等の
ガラス部材であった場合、その下地材料を同一反応炉で
反応性気体を取り替えるのみで成膜できる被膜は窒化珪
素膜と炭素または炭素を主成分とする被膜であり、これ
らはともに非酸化物材料である。さらに耐弗素気体被膜
である窒化珪素膜を下地材料に用いることは基体を弗素
で損傷させないため有効である。それらの成膜に際して
は成膜温度を概略同じ温度の室温〜150°Cで形成し
生産性を向上できた。
を有する保護膜を作ることが初めて可能となった。特に
窓等の透光性表面にはほこりがたまったり、また雨の日
その表面張力があると内部より窓を通して外部を見んと
しても、雨粒の乱反射のためによく外を見ることができ
ない0本発明はかかる欠点を除去し、透光性基体または
部材上に親水性の炭素または炭素を主成分とする被膜を
形成したものである。特に透光性の基体が酸化珪素等の
ガラス部材であった場合、その下地材料を同一反応炉で
反応性気体を取り替えるのみで成膜できる被膜は窒化珪
素膜と炭素または炭素を主成分とする被膜であり、これ
らはともに非酸化物材料である。さらに耐弗素気体被膜
である窒化珪素膜を下地材料に用いることは基体を弗素
で損傷させないため有効である。それらの成膜に際して
は成膜温度を概略同じ温度の室温〜150°Cで形成し
生産性を向上できた。
第1図は本発明の基体または部材上に被膜を形成した例
およびその要部を示す。 第2図は本発明のプラズマ装置の概要を示す。
およびその要部を示す。 第2図は本発明のプラズマ装置の概要を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、絶縁性を有する透光性部材であって、前記部材面に
親水性を有しかつ5×10^1^3Ωcm以下の固有抵
抗を有する透光性の炭素または炭素を主成分とする膜が
設けられたことを特徴とする炭素膜で覆われた部材。 2、透光性部材上または該部材上の透光性下地材料上に
炭素を主成分とし、副成分として水素または弗素に加え
て元素周期律表III価またはV価の元素が添加されたこ
とを特徴とする炭素膜で覆われた部材。 3、特許請求の範囲第1項において、III価またはV価
の添加物は0.1〜10原子%が添加され、水素または
弗素は5〜30原子%が添加されたことを特徴とする炭
素膜で覆われた部材。 4、特許請求の範囲第1項において、透光性部材は風雨
に曝され得る側における自動車、オートバイ、自転車、
船舶または航空機のフロントウインド、リアウインド、
サイドミラー、サイドウインドまたは建築物の窓よりな
ることを特徴とする炭素膜で覆われた部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63255492A JP2775263B2 (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 炭素膜で覆われた部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63255492A JP2775263B2 (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 炭素膜で覆われた部材 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9365049A Division JP2923275B2 (ja) | 1997-12-20 | 1997-12-20 | 絶縁性を有する透光性部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02104665A true JPH02104665A (ja) | 1990-04-17 |
| JP2775263B2 JP2775263B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=17279505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63255492A Expired - Lifetime JP2775263B2 (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 炭素膜で覆われた部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2775263B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6033979A (en) * | 1994-09-12 | 2000-03-07 | Nec Corporation | Method of fabricating a semiconductor device with amorphous carbon layer |
| JP2003534223A (ja) * | 2000-05-24 | 2003-11-18 | ガーディアン・インダストリーズ・コーポレーション | 支持体のdlc含有親水性被覆 |
| JP2016155747A (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | Toto株式会社 | 水まわり用ガラス部材 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62167884A (ja) * | 1986-11-19 | 1987-07-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素被膜を有する複合体 |
-
1988
- 1988-10-11 JP JP63255492A patent/JP2775263B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62167884A (ja) * | 1986-11-19 | 1987-07-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素被膜を有する複合体 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6033979A (en) * | 1994-09-12 | 2000-03-07 | Nec Corporation | Method of fabricating a semiconductor device with amorphous carbon layer |
| JP2003534223A (ja) * | 2000-05-24 | 2003-11-18 | ガーディアン・インダストリーズ・コーポレーション | 支持体のdlc含有親水性被覆 |
| JP2016155747A (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | Toto株式会社 | 水まわり用ガラス部材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2775263B2 (ja) | 1998-07-16 |
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