JPH02105309A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH02105309A JPH02105309A JP25772688A JP25772688A JPH02105309A JP H02105309 A JPH02105309 A JP H02105309A JP 25772688 A JP25772688 A JP 25772688A JP 25772688 A JP25772688 A JP 25772688A JP H02105309 A JPH02105309 A JP H02105309A
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- gap
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/245—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features comprising means for controlling the reluctance of the magnetic circuit in a head with single gap, for co-operation with one track
- G11B5/2452—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features comprising means for controlling the reluctance of the magnetic circuit in a head with single gap, for co-operation with one track where the dimensions of the effective gap are controlled
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/21—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features the pole pieces being of ferrous sheet metal or other magnetic layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明はディジタルVTRや大容量FDDなとの高密
度、高周波数記録に用いられる薄膜磁気ヘッドに関する
ものである。
度、高周波数記録に用いられる薄膜磁気ヘッドに関する
ものである。
[従来の技術]
近年、高密度で広帯域記録用ヘッドとしてC0Zr−N
bなとのアモルファスやセンダストなどの合金磁性材の
高い飽和磁束密度を利用し、その欠点である渦電流損対
策として合金磁性材の膜とSiO□なとの絶縁体の膜と
を交互に積層し、これを非磁性基板で挟持した構造(薄
膜磁気ヘッド)が提案されている。例えば文献[電子通
信学会研究会報告MR86−28〜31 N986)J
で提案されているヘッドを第8図に示す。図において(
4)は合金磁性膜と絶縁体膜との積層体、(10)は巻
線窓、(5)は動作ギャップ、(22)は低融点ガラス
、(23)は結晶化ガラス層、(24)は非磁性基板で
ある。
bなとのアモルファスやセンダストなどの合金磁性材の
高い飽和磁束密度を利用し、その欠点である渦電流損対
策として合金磁性材の膜とSiO□なとの絶縁体の膜と
を交互に積層し、これを非磁性基板で挟持した構造(薄
膜磁気ヘッド)が提案されている。例えば文献[電子通
信学会研究会報告MR86−28〜31 N986)J
で提案されているヘッドを第8図に示す。図において(
4)は合金磁性膜と絶縁体膜との積層体、(10)は巻
線窓、(5)は動作ギャップ、(22)は低融点ガラス
、(23)は結晶化ガラス層、(24)は非磁性基板で
ある。
上記のように構成された薄膜磁気ヘッドは、積層体(4
)の積層厚がトラック幅となるため、トラック幅の制御
が容易で、しかもフェライトヘッドやMIGヘッドのよ
うに機械加工を用いてトラック幅を規制するわけではな
いので10μm以下の極めてトラック幅の狭いものでも
容易に形成できる。また、膜の成膜方向がトラック幅方
向にほぼ一致するため、使用する金属磁性膜の最適膜厚
で絶縁層と交互に何層か積層することができるので、渦
電流が十分押えられた広帯域用のヘッドとして使用でき
る。さらに、磁路を形成する磁性体がコア全体にわたっ
てトラック幅の膜厚しかないので、コイル巻数当りのへ
ラドインダクタンスはコア全体がほぼ磁性体であるフェ
ライトヘッドやMIGヘッドに比べかなり小さくなり、
電磁変換特性上かなり有利である。
)の積層厚がトラック幅となるため、トラック幅の制御
が容易で、しかもフェライトヘッドやMIGヘッドのよ
うに機械加工を用いてトラック幅を規制するわけではな
いので10μm以下の極めてトラック幅の狭いものでも
容易に形成できる。また、膜の成膜方向がトラック幅方
向にほぼ一致するため、使用する金属磁性膜の最適膜厚
で絶縁層と交互に何層か積層することができるので、渦
電流が十分押えられた広帯域用のヘッドとして使用でき
る。さらに、磁路を形成する磁性体がコア全体にわたっ
てトラック幅の膜厚しかないので、コイル巻数当りのへ
ラドインダクタンスはコア全体がほぼ磁性体であるフェ
ライトヘッドやMIGヘッドに比べかなり小さくなり、
電磁変換特性上かなり有利である。
〔発明が解決しようとする課題]
このように薄膜磁気ヘッドは高周波数、広帯域ヘッドと
して優れた特性を有するが、用いる金属磁性膜は再生効
率の面からCo −Zr −Nbなどのアモルファス、
センダスト、パーマロイ等の合金磁性体で、何れにして
も高透磁率材でなければならなず、飽和磁束密度は70
00〜10000Gaussぐらいである。このため、
最短ビット長が0.3μm以下となると、再生時のギャ
ップ長は空隙損失とのかね合いて0.2μm以下となり
、高記録密度用媒体であるメタルテープなどに記録する
場合、記録不十分となる。また、このためオーバーライ
ド特性も悪くなる。
して優れた特性を有するが、用いる金属磁性膜は再生効
率の面からCo −Zr −Nbなどのアモルファス、
センダスト、パーマロイ等の合金磁性体で、何れにして
も高透磁率材でなければならなず、飽和磁束密度は70
00〜10000Gaussぐらいである。このため、
最短ビット長が0.3μm以下となると、再生時のギャ
ップ長は空隙損失とのかね合いて0.2μm以下となり
、高記録密度用媒体であるメタルテープなどに記録する
場合、記録不十分となる。また、このためオーバーライ
ド特性も悪くなる。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、高周波数、広帯域でかつ最短ビット長が0.
3μm以下の超高密度記録が可能な磁気ヘッドを得るこ
とを目的とする。
たもので、高周波数、広帯域でかつ最短ビット長が0.
3μm以下の超高密度記録が可能な磁気ヘッドを得るこ
とを目的とする。
〔課題を解決するための手段]
この発明に係る薄膜磁気ヘッドは、磁気コアの大部分を
高透磁率の積層磁性体で構成し、しかもギャップのリー
ディングエツジ部に低飽和磁束密度を有する磁性膜を配
したものである。
高透磁率の積層磁性体で構成し、しかもギャップのリー
ディングエツジ部に低飽和磁束密度を有する磁性膜を配
したものである。
この発明における薄膜磁気ヘッドは、磁気コアの大部分
を高透磁率を有する金属磁性膜と絶縁膜との積層体で構
成しているので、数十MHzの広帯域で高いコア効率を
確保できる。また、ギャップのリーディングエツジ側に
低飽和磁束密度を有する磁性膜を配するため、記録時は
、リーディングエツジ側が飽和して実効的にギャップ長
が広がり強く深い磁界が発生でき、再生時はヘッドに流
入する磁束密度が小さいため、リーディングエツジ側も
飽和せず狭ギャップとして動作し短ビット長でも効率よ
く再生できる。
を高透磁率を有する金属磁性膜と絶縁膜との積層体で構
成しているので、数十MHzの広帯域で高いコア効率を
確保できる。また、ギャップのリーディングエツジ側に
低飽和磁束密度を有する磁性膜を配するため、記録時は
、リーディングエツジ側が飽和して実効的にギャップ長
が広がり強く深い磁界が発生でき、再生時はヘッドに流
入する磁束密度が小さいため、リーディングエツジ側も
飽和せず狭ギャップとして動作し短ビット長でも効率よ
く再生できる。
〔実施例1
以下この発明の一実施例を図について説明する。第1図
は一実施例である磁気ヘッドの斜視図であり、第2図は
その摺動面の拡大図である。第1図および第2図におい
て、(1)はセンダストやCo系アモルファスなどの高
透磁率金属磁性膜、(2)はガーネットやフェライトな
どの低飽和磁束密度磁性膜、(3)は絶縁体、(4)は
高透磁率金属磁性膜(1)と絶縁膜(3)との積層体、
(5)はギャップ、(10)は巻線窓、(12)は溶着
ガラスである。
は一実施例である磁気ヘッドの斜視図であり、第2図は
その摺動面の拡大図である。第1図および第2図におい
て、(1)はセンダストやCo系アモルファスなどの高
透磁率金属磁性膜、(2)はガーネットやフェライトな
どの低飽和磁束密度磁性膜、(3)は絶縁体、(4)は
高透磁率金属磁性膜(1)と絶縁膜(3)との積層体、
(5)はギャップ、(10)は巻線窓、(12)は溶着
ガラスである。
製造方法としては、第3図に示す如〈従来の薄膜磁気ヘ
ッドと同様積層ブロック(13)を形成し、そのギャッ
プ面に対応する面に第4図に示す如く低飽和磁束密度磁
性膜(2)を製膜し、その後狭トラツク溝(11)加工
を行い、巻線溝(図示省略)加工後、ギャップ面にギャ
ップ材を施し、ブロックを突合せ、モールドし切断して
ヘッドチップを得る。ただし、低飽和磁束密度磁性膜(
2)はリーディングエツジ側に形成される。
ッドと同様積層ブロック(13)を形成し、そのギャッ
プ面に対応する面に第4図に示す如く低飽和磁束密度磁
性膜(2)を製膜し、その後狭トラツク溝(11)加工
を行い、巻線溝(図示省略)加工後、ギャップ面にギャ
ップ材を施し、ブロックを突合せ、モールドし切断して
ヘッドチップを得る。ただし、低飽和磁束密度磁性膜(
2)はリーディングエツジ側に形成される。
次に動作について説明する。再生の場合、記録波長とヘ
ッドのギャップ長とが同程度であると再生出力に対し次
のギヤツブ損失項が支配的な要因となる。
ッドのギャップ長とが同程度であると再生出力に対し次
のギヤツブ損失項が支配的な要因となる。
プ損失項
(「磁気記録」松本光功著、p 118 (7,49)
式このため、ギャップ長は波長の%以下、ビット長の%
以下であることが必要である。例えば、最短ビット長0
.3μmとするとギャップ長は0.2μm以下となる。
式このため、ギャップ長は波長の%以下、ビット長の%
以下であることが必要である。例えば、最短ビット長0
.3μmとするとギャップ長は0.2μm以下となる。
次に記録の場合、磁性コアが線形に動作する間は、記録
電流とヘッド磁界は比例するが、ある程度記録電流を大
きくしていくと、磁束の集中するギャップ近傍より磁気
飽和が起り、磁界分布が広がってくる。この様子を第5
図に磁束の流れとして示す(松本光功著「磁気記録」p
33による)。但し第5図(a)が飽和前、第5図(b
)が飽和後である。なお、この第5図はギャップ(5)
を拡大してその対称的な半分を示し、y軸はギャップ(
5)の中央を摺動面に対して垂直に通り、点Oはy軸と
摺動面との交点である。
電流とヘッド磁界は比例するが、ある程度記録電流を大
きくしていくと、磁束の集中するギャップ近傍より磁気
飽和が起り、磁界分布が広がってくる。この様子を第5
図に磁束の流れとして示す(松本光功著「磁気記録」p
33による)。但し第5図(a)が飽和前、第5図(b
)が飽和後である。なお、この第5図はギャップ(5)
を拡大してその対称的な半分を示し、y軸はギャップ(
5)の中央を摺動面に対して垂直に通り、点Oはy軸と
摺動面との交点である。
この磁界分布の広がり(第5図(b))が媒体流出端(
以下トレイリングエツジ)で起ると記録減磁として悪影
響を及ぼす。本発明によると、リーディングエツジに低
飽和磁束密度の磁性材を配しているため、飽和がリーデ
ィングエツジ側で先に起り実効的に広いギャップ長で強
い磁界を発生させることができ、また、トレイリングエ
ツジ側は飽和が起きにくいため記録減磁が少ない。この
ためギャップ長が0.2μm以下でも記録に必要な十分
の磁界を発生することができ自己録再が可能である。
以下トレイリングエツジ)で起ると記録減磁として悪影
響を及ぼす。本発明によると、リーディングエツジに低
飽和磁束密度の磁性材を配しているため、飽和がリーデ
ィングエツジ側で先に起り実効的に広いギャップ長で強
い磁界を発生させることができ、また、トレイリングエ
ツジ側は飽和が起きにくいため記録減磁が少ない。この
ためギャップ長が0.2μm以下でも記録に必要な十分
の磁界を発生することができ自己録再が可能である。
また、再生出力は磁性コアの透磁率に大きく依存するが
、本発明の場合、金属磁性膜と絶縁膜との積層体を用い
るため渦電流損が十分に押えられ、数十MHzの高い周
波数でも高い透磁率が確保されるため、高周波特性に優
れたヘッドが得られるなお上記実施例では、磁性コアが
金属磁性膜と絶縁膜の積層体で構成されていたが、トラ
ック幅が数μmの場合、金属磁性膜単層でも渦電流損は
あまり大きくないのでこの場合は単層でもよい。
、本発明の場合、金属磁性膜と絶縁膜との積層体を用い
るため渦電流損が十分に押えられ、数十MHzの高い周
波数でも高い透磁率が確保されるため、高周波特性に優
れたヘッドが得られるなお上記実施例では、磁性コアが
金属磁性膜と絶縁膜の積層体で構成されていたが、トラ
ック幅が数μmの場合、金属磁性膜単層でも渦電流損は
あまり大きくないのでこの場合は単層でもよい。
また上記実施例では、トレイリングエツジ側は磁性コア
に何も施していないが、第6図の斜視図あるいは第7図
の摺動面拡大図に示すようにトレイリングエツジ側にF
e−3iなどの高飽和磁束密度の磁性膜(6)を施すと
上記実施例以上の効果を奏する。
に何も施していないが、第6図の斜視図あるいは第7図
の摺動面拡大図に示すようにトレイリングエツジ側にF
e−3iなどの高飽和磁束密度の磁性膜(6)を施すと
上記実施例以上の効果を奏する。
また上記実施例では、積層体を非磁性基板で挟持してい
るが、これを抵抗率の高いMn−Znフェライトなどの
磁性体基板で挟持してもよい。
るが、これを抵抗率の高いMn−Znフェライトなどの
磁性体基板で挟持してもよい。
[発明の効果]
以上のようにこの発明によれば、磁気コアの大部分を高
透磁率の金属磁性膜と絶縁膜の積層体で構成し、ギャッ
プのリーディングエツジ側にそれよりも低い飽和磁束密
度を有する金属磁性膜を配しているので、数十MHzの
広帯域でしかも従来困難であった最短記録波長が0.6
μm以下、最短ビット長が0.3μm以下の高密度記録
が十分に高い効率で行える効果がある。
透磁率の金属磁性膜と絶縁膜の積層体で構成し、ギャッ
プのリーディングエツジ側にそれよりも低い飽和磁束密
度を有する金属磁性膜を配しているので、数十MHzの
広帯域でしかも従来困難であった最短記録波長が0.6
μm以下、最短ビット長が0.3μm以下の高密度記録
が十分に高い効率で行える効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による薄膜磁気ヘッドの斜
視図、第2図は第1図の薄膜磁気ヘッドの摺動面の拡大
図、第3図および第4図は第1図に示す薄膜磁気ヘッド
の製造方法の概略を示す工程図、第5図は磁束の飽和前
および後の状態の磁束の分布図、第6図は他の実施例に
よる薄膜磁気ヘッドの斜視図、第7図は第6図の薄膜磁
気ヘッドの摺動面の拡大図、第8図は従来の薄膜磁気ヘ
ッドの斜視図である。 図において(1)は高透磁率の金属磁性膜、(2)は低
飽和磁束密度の磁性膜、(3)は絶縁膜(4)は(1)
と(3)を交互に積んだ積層体(5)は動作ギャップ、
(6)は高飽和磁束密度の磁性膜、(10)は巻線窓、
(11)は狭トラツク溝、(12)は溶着ガラス、(2
2)は低融点ガラス、(23)は結晶化ガラス、(24
)は非磁性基板である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 代理人 弁理士 大 岩 増 雄第 図 4:本気 屑 体 第 図 第 図 第 図
視図、第2図は第1図の薄膜磁気ヘッドの摺動面の拡大
図、第3図および第4図は第1図に示す薄膜磁気ヘッド
の製造方法の概略を示す工程図、第5図は磁束の飽和前
および後の状態の磁束の分布図、第6図は他の実施例に
よる薄膜磁気ヘッドの斜視図、第7図は第6図の薄膜磁
気ヘッドの摺動面の拡大図、第8図は従来の薄膜磁気ヘ
ッドの斜視図である。 図において(1)は高透磁率の金属磁性膜、(2)は低
飽和磁束密度の磁性膜、(3)は絶縁膜(4)は(1)
と(3)を交互に積んだ積層体(5)は動作ギャップ、
(6)は高飽和磁束密度の磁性膜、(10)は巻線窓、
(11)は狭トラツク溝、(12)は溶着ガラス、(2
2)は低融点ガラス、(23)は結晶化ガラス、(24
)は非磁性基板である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 代理人 弁理士 大 岩 増 雄第 図 4:本気 屑 体 第 図 第 図 第 図
Claims (1)
- (1)高透磁率の金属磁性体からなる薄膜と絶縁体より
なる薄膜とを交互に順次積層することにより形成したト
ラック幅相当あるいはそれ以上の幅の積層磁性体あるい
は単層磁性体を非磁性基板あるいは酸化物磁性基板によ
り挟着した磁気コア半体の一対はそのうちの媒体流入側
(以下リーディングエッジ)のギャップ形成面上に低飽
和磁束密度を有する磁性膜を形成した後ギャップ材を介
して接合されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25772688A JPH02105309A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25772688A JPH02105309A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02105309A true JPH02105309A (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=17310244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25772688A Pending JPH02105309A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02105309A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0578234A3 (ja) * | 1992-07-08 | 1994-02-16 | Sharp Kk |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6087411A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-17 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | 磁気ヘッド |
| JPS62177714A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気ヘツド |
| JPS63300417A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP25772688A patent/JPH02105309A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6087411A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-17 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | 磁気ヘッド |
| JPS62177714A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気ヘツド |
| JPS63300417A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0578234A3 (ja) * | 1992-07-08 | 1994-02-16 | Sharp Kk | |
| US5691866A (en) * | 1992-07-08 | 1997-11-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic head and method of manufacturing the same |
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