JPH02105321A - 磁気デイスク - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、非磁性支持体上に強磁性粉末及び結合剤樹脂
を主体とする磁性層を有する磁気ディスクに関し、特に
高密度記録に適しかつ走行耐久性が改良された磁気ディ
スクに関するものである。
を主体とする磁性層を有する磁気ディスクに関し、特に
高密度記録に適しかつ走行耐久性が改良された磁気ディ
スクに関するものである。
近年、電磁変換特性が優れた高密度記録に適した磁気デ
ィスク、磁気シートが期待されるようになってきた。
ィスク、磁気シートが期待されるようになってきた。
磁気ディスクの高密度化のためには、強磁性粉末を微粒
子化したシ、磁性層を平滑にしたシ、また強磁性粉末を
磁性層内に均一に分散することが行われそのために様々
な手段がとられている。さらに、高密度記録化に伴い磁
性層も薄層化している。以上のような高密度記録化のた
めの技術の採用にともない走行耐久性も低下が問題にな
ってきた。すなわち、磁性層の表面性はより平滑になシ
そのために走行中における磁性層と記録再生装置内の各
部品との摩擦係数が増大し磁気記録媒体の円滑な走行が
阻害されたシ、磁性層が損傷される等の問題が顕著にな
ってきた。
子化したシ、磁性層を平滑にしたシ、また強磁性粉末を
磁性層内に均一に分散することが行われそのために様々
な手段がとられている。さらに、高密度記録化に伴い磁
性層も薄層化している。以上のような高密度記録化のた
めの技術の採用にともない走行耐久性も低下が問題にな
ってきた。すなわち、磁性層の表面性はより平滑になシ
そのために走行中における磁性層と記録再生装置内の各
部品との摩擦係数が増大し磁気記録媒体の円滑な走行が
阻害されたシ、磁性層が損傷される等の問題が顕著にな
ってきた。
さらに、近年VTR,ノξ−ソナルコンピュータ、ワー
ドロセッサー等が一般民生用機器として普及するように
なって磁気記録媒体の使用条件、なかでも温湿度条件が
広範囲に渡るようになってきた。そして、パーソナルコ
ンピュータやワードロセツサー等に使用される70ツピ
ーデイスク等の回転記録媒体のように磁性層に対してヘ
ッドのオンオフが数多く繰p返される方式に使用される
ので、特に、高温下、あるいは高温から低温までの温度
サイクルが長時間続けられる状態では前記の磁気記録媒
体の走行耐久性の問題は一層大きな問題となってきた。
ドロセッサー等が一般民生用機器として普及するように
なって磁気記録媒体の使用条件、なかでも温湿度条件が
広範囲に渡るようになってきた。そして、パーソナルコ
ンピュータやワードロセツサー等に使用される70ツピ
ーデイスク等の回転記録媒体のように磁性層に対してヘ
ッドのオンオフが数多く繰p返される方式に使用される
ので、特に、高温下、あるいは高温から低温までの温度
サイクルが長時間続けられる状態では前記の磁気記録媒
体の走行耐久性の問題は一層大きな問題となってきた。
このような問題を改良するために、従来から磁性層中に
脂肪酸エステルを添加する方法(特開昭50−2260
3号公報、特開昭jO−/、t3りOj号公報、特開昭
jj−/3りt37号公報、特公昭3タ一213t7号
公報、特公昭≠/ −/rotj号公報、特公昭4’7
−/jりso号公報)、シリコーン化合物を添加する方
法(US2&j<zt♂/)、脂肪酸や炭化水素を添加
する方法等が提案され試みられてきた。
脂肪酸エステルを添加する方法(特開昭50−2260
3号公報、特開昭jO−/、t3りOj号公報、特開昭
jj−/3りt37号公報、特公昭3タ一213t7号
公報、特公昭≠/ −/rotj号公報、特公昭4’7
−/jりso号公報)、シリコーン化合物を添加する方
法(US2&j<zt♂/)、脂肪酸や炭化水素を添加
する方法等が提案され試みられてきた。
しかしながら、従来のこれらの技術においては前記添加
物が高温度下では磁性層表面から揮発し易かったシ、一
方低温度下では磁性層表面に析出してヘッドの目詰まシ
やドロップ・アウト増大の原因となる等の問題があった
。壕だ、効果を期待して添加社を多くすると結合剤樹脂
を可塑化して磁性層の膜強度を弱めて耐久性をむしろ低
下させてしまう等の問題もあった。
物が高温度下では磁性層表面から揮発し易かったシ、一
方低温度下では磁性層表面に析出してヘッドの目詰まシ
やドロップ・アウト増大の原因となる等の問題があった
。壕だ、効果を期待して添加社を多くすると結合剤樹脂
を可塑化して磁性層の膜強度を弱めて耐久性をむしろ低
下させてしまう等の問題もあった。
また、潤滑性は比較的硬れている直鎖のアルキル基を有
するエステル化合物であると融点が高いものが多く前記
の低温下では磁性層表面に析出するという問題tしばし
ば引き起こした。
するエステル化合物であると融点が高いものが多く前記
の低温下では磁性層表面に析出するという問題tしばし
ば引き起こした。
このような問題を解決するために高温下では磁性層から
揮発しにくく、低温下では磁性層表面に析出することが
ないように篩分予室でかつ分岐した炭化水素基あるいは
不飽和炭化水素基を有した脂肪酸エステルを磁性層に添
加する方法が特公昭≠7−/2りSO号公報、特開昭!
ざ−/乙0弘2j号公報、特開昭jl−2/1031号
公報、特開昭tO−203♂27号公報、特開昭1!1
/−コタ≠637号公報、特開昭t2−/、26!、2
9号公報に開示されている。しかしこれらのゴスチルは
常温で液状で1結合剤樹脂と相溶し易く結合剤樹脂を可
塑化する結果磁性層の膜強度を低下させいずれも充分な
効果が得られていない。また、潤滑性も分岐したアルキ
ル基を有するエステル化合物では充分ではなかった。
揮発しにくく、低温下では磁性層表面に析出することが
ないように篩分予室でかつ分岐した炭化水素基あるいは
不飽和炭化水素基を有した脂肪酸エステルを磁性層に添
加する方法が特公昭≠7−/2りSO号公報、特開昭!
ざ−/乙0弘2j号公報、特開昭jl−2/1031号
公報、特開昭tO−203♂27号公報、特開昭1!1
/−コタ≠637号公報、特開昭t2−/、26!、2
9号公報に開示されている。しかしこれらのゴスチルは
常温で液状で1結合剤樹脂と相溶し易く結合剤樹脂を可
塑化する結果磁性層の膜強度を低下させいずれも充分な
効果が得られていない。また、潤滑性も分岐したアルキ
ル基を有するエステル化合物では充分ではなかった。
本発明は、上記従来技術のともなう問題点に鑑みなされ
たものであシ、特に広範囲の温湿度条件のもとにおいて
走行耐久性の優れた磁気ディスクを提供することを目的
とする。
たものであシ、特に広範囲の温湿度条件のもとにおいて
走行耐久性の優れた磁気ディスクを提供することを目的
とする。
上記本発明の目的は、非磁性支持体上に強磁性粉末及び
結合剤樹脂を主体とする磁性層を有する磁気ディスクに
おいて、オージェ電子分光法により磁性層の表面から深
さ方向ヘス/1!ツタリングした際のスパッタ開始時に
測定されるカーボン原子濃度をCo、該カーボン原子濃
度が一定となったときのカーボン原子濃度をC2とした
時、該カーボン原子濃度が(Co + C2) /−2
となるまでのス・にツタ時間TIがr乃至98分である
ことを特−よ− 徴とする磁気ディスクにより達成される。
結合剤樹脂を主体とする磁性層を有する磁気ディスクに
おいて、オージェ電子分光法により磁性層の表面から深
さ方向ヘス/1!ツタリングした際のスパッタ開始時に
測定されるカーボン原子濃度をCo、該カーボン原子濃
度が一定となったときのカーボン原子濃度をC2とした
時、該カーボン原子濃度が(Co + C2) /−2
となるまでのス・にツタ時間TIがr乃至98分である
ことを特−よ− 徴とする磁気ディスクにより達成される。
本発明でいうオージェ電子分光法は、PHI jtoオ
ージェ電子分光装置(PERKIN ELMER社製
)を使用して、電子ビームの加速電圧JkV、ビーム電
流密度2o o mA/crn2、深さ方向ヘス・耐ツ
タするときのAr+イオンビームの加速電圧3kJ、ビ
ーム電流密度!μA / cm2の条件で行う。そして
、C/s、CI/s、O/s。
ージェ電子分光装置(PERKIN ELMER社製
)を使用して、電子ビームの加速電圧JkV、ビーム電
流密度2o o mA/crn2、深さ方向ヘス・耐ツ
タするときのAr+イオンビームの加速電圧3kJ、ビ
ーム電流密度!μA / cm2の条件で行う。そして
、C/s、CI/s、O/s。
Fe−2pのオージェスペクトルを積分球で測定した後
、!階微分を行って、各々の元素(C,CI。
、!階微分を行って、各々の元素(C,CI。
0、Fe)の感度係数o、iro%i、10o。
0、joo、0./12のところの夫々ノスペクトルの
高さ1[みとシその値をもってカーボン原子濃度とした
。なお、試料室を排気して真空にしてから10分後に測
定を開始した。
高さ1[みとシその値をもってカーボン原子濃度とした
。なお、試料室を排気して真空にしてから10分後に測
定を開始した。
本発明の磁気ディスクを上記のような条件でオージェ電
子分光法によって磁性層の表面から深さ方向にスノgツ
タリングしたとき、スパッタ時間と各試料原子濃度との
関係は多くの場合第1図のようになる。第1図中カーポ
ン原子濃度(曲線Cで表示)は、スパッタ開始時におい
て最大(最大値Co)で1)以後単調に低下してゆく。
子分光法によって磁性層の表面から深さ方向にスノgツ
タリングしたとき、スパッタ時間と各試料原子濃度との
関係は多くの場合第1図のようになる。第1図中カーポ
ン原子濃度(曲線Cで表示)は、スパッタ開始時におい
て最大(最大値Co)で1)以後単調に低下してゆく。
そして、ある時間に達すると一定値(C2)を示すよう
に変化する。Fe(磁性体に起因する)及びOは単調に
増加しておシ、Ctはあまり変化がない。カーボン原子
濃度が中間値(Co + Cz ) /コをボすスパッ
タ時間T1と磁気ディスクの走行耐久性とは密接に関係
しており、TIがr乃至りr分望ましくは17乃至74
’分の範囲において走行耐久性の優れた本発明磁気ディ
スクが得られる。TIが小さ過ぎても逆に大きすぎても
光分な走行耐久性が得られない。
に変化する。Fe(磁性体に起因する)及びOは単調に
増加しておシ、Ctはあまり変化がない。カーボン原子
濃度が中間値(Co + Cz ) /コをボすスパッ
タ時間T1と磁気ディスクの走行耐久性とは密接に関係
しており、TIがr乃至りr分望ましくは17乃至74
’分の範囲において走行耐久性の優れた本発明磁気ディ
スクが得られる。TIが小さ過ぎても逆に大きすぎても
光分な走行耐久性が得られない。
なお、スパッタ時間は磁性層の表面からの距離(深さ)
に対応していると考えられスパッタ開始時(0分)は磁
性層表面、カーボン原子濃度が一定値となる位置は磁性
層表面から数10乃至数70ONの位置に相当すると推
定される。
に対応していると考えられスパッタ開始時(0分)は磁
性層表面、カーボン原子濃度が一定値となる位置は磁性
層表面から数10乃至数70ONの位置に相当すると推
定される。
従って、本発明においては磁性層表面からせいぜい数1
00kまでの深さにおけるカーボン原子濃度の変化の仕
方が磁気ディスクの走行耐久性に大きく影響を与えてい
る。
00kまでの深さにおけるカーボン原子濃度の変化の仕
方が磁気ディスクの走行耐久性に大きく影響を与えてい
る。
前記オージェ電子分光法によ)測定されるカーボン原子
は、磁性層を構成している各種素材に起因するものであ
シ特に結合剤樹脂、潤滑剤、カーボンブラック等の有機
物素材等である。中でも、本発明の磁気ディスクの磁性
層の深さ方向におけるカーボン原子濃度の変化を上記の
ようにするには潤滑剤の効果が大きく、特に、潤滑剤の
種類の影響が大きい。第1図は、結合剤樹脂として塩化
ビニル系のポリマーを使用した例であるが、C1の原子
濃度が殆ど変化していないことからもカーボン原子#夏
の変化は、少なくとも結合剤樹脂によるものでないこと
が窺える。
は、磁性層を構成している各種素材に起因するものであ
シ特に結合剤樹脂、潤滑剤、カーボンブラック等の有機
物素材等である。中でも、本発明の磁気ディスクの磁性
層の深さ方向におけるカーボン原子濃度の変化を上記の
ようにするには潤滑剤の効果が大きく、特に、潤滑剤の
種類の影響が大きい。第1図は、結合剤樹脂として塩化
ビニル系のポリマーを使用した例であるが、C1の原子
濃度が殆ど変化していないことからもカーボン原子#夏
の変化は、少なくとも結合剤樹脂によるものでないこと
が窺える。
本発明の磁気ディスクを得るために有効な潤滑剤は、分
子量が≠30以上で且つ酸残基もしくはアルコール残基
に不飽和結合があるかもしくは分岐があるエステル化合
物である。中でも特に望ましいのは、下記一般式(I)
で表されるアルコール残基にメチル分岐を有するエステ
ル化合物(ただし、R1は、炭素数7乃至λりの直鎖又
は分岐のアルキル基又はアルケニル基 n、mは、整数であって、nは2以上、nとmの和は7
乃至33である。) 下記一般式(II)で表されるアルコール残基の2位の
位置に分岐があるエステル化合物 (ただし、R1は、炭素数/!乃至コタの直鎖又は分岐
のアルキル基又はアルケニル基であり、R2とR3は、
アルキル基且つR2の炭素数とR3の炭素数の和は/≠
乃至20でおる。)下記一般式(III)で示される炭
素数/−乃至30の直鎖又は分岐の脂肪酸とオキソ法に
より合成された炭素eio乃至32の分岐アルコールと
の反応によp得られたエステル化合物 一デー (ただし、R1は、炭素数/l乃至λりの直鎖又は分岐
のアルキル基又はアルケニル基、R2は、炭素数IO乃
至3λの分岐アルキル基)不飽和アルコールと脂肪酸の
エステル等である。
子量が≠30以上で且つ酸残基もしくはアルコール残基
に不飽和結合があるかもしくは分岐があるエステル化合
物である。中でも特に望ましいのは、下記一般式(I)
で表されるアルコール残基にメチル分岐を有するエステ
ル化合物(ただし、R1は、炭素数7乃至λりの直鎖又
は分岐のアルキル基又はアルケニル基 n、mは、整数であって、nは2以上、nとmの和は7
乃至33である。) 下記一般式(II)で表されるアルコール残基の2位の
位置に分岐があるエステル化合物 (ただし、R1は、炭素数/!乃至コタの直鎖又は分岐
のアルキル基又はアルケニル基であり、R2とR3は、
アルキル基且つR2の炭素数とR3の炭素数の和は/≠
乃至20でおる。)下記一般式(III)で示される炭
素数/−乃至30の直鎖又は分岐の脂肪酸とオキソ法に
より合成された炭素eio乃至32の分岐アルコールと
の反応によp得られたエステル化合物 一デー (ただし、R1は、炭素数/l乃至λりの直鎖又は分岐
のアルキル基又はアルケニル基、R2は、炭素数IO乃
至3λの分岐アルキル基)不飽和アルコールと脂肪酸の
エステル等である。
これらの、エステル化合物は、従来の潤滑剤に比較して
磁気ディスクの磁性層の表面に分布し易く磁性層の深さ
方向におけるカーボン原子濃度の変化が第1図のような
形になシ易い。その結果長時間走行させても磁性w1表
面で潤滑剤が不足するようなことがなく走行耐久性が維
持できる。また、本発明の磁気ディスクにおいて上記の
エステル化合物を使用すると、広い温湿度条件での走行
耐久性を向上δせ易い。すなわちそれらのエステル化合
物は分子の大きさが適度に大きく、また分岐があった)
、不飽和結合がある等の構造的特徴からシ、低温度で磁
性層表面に析出するようなこともなく、高温度では磁性
層から揮発するような恐れが少ない。
磁気ディスクの磁性層の表面に分布し易く磁性層の深さ
方向におけるカーボン原子濃度の変化が第1図のような
形になシ易い。その結果長時間走行させても磁性w1表
面で潤滑剤が不足するようなことがなく走行耐久性が維
持できる。また、本発明の磁気ディスクにおいて上記の
エステル化合物を使用すると、広い温湿度条件での走行
耐久性を向上δせ易い。すなわちそれらのエステル化合
物は分子の大きさが適度に大きく、また分岐があった)
、不飽和結合がある等の構造的特徴からシ、低温度で磁
性層表面に析出するようなこともなく、高温度では磁性
層から揮発するような恐れが少ない。
これらのエステル化合物は具体的には、ラウリン酸イン
デシルテトラデシル、ラウリン酸イソミl 0− リスチル、ラウリン酸イソステアリル、ラウリン酸イソ
ウンデシル、ミリスチン酸インノルミテル、ミリスチン
酸インベヘニル、パルミナン酸イソパルミチル、パルミ
チン酸イソステアリル、オレイン酸インステアリル、オ
レイン酸インパルミチル、ステアリン酸イソミリスチル
、ステアリン酸インパルミチル、ステアリン酸イソステ
アリル、ステアリン酸インベヘニル、ベヘン酸イソミリ
スチル、ベヘン酸イソステアリル、モンタン酸インミリ
スチル、モンタン酸インステアリル、(尚、ここでいう
インとは、メチル分岐のことをいう。)酸残基として、
直鎖又は分岐のオクタデシル、ノナデシル、エイコシル
、ヘンエイコシル、トコシル、トリコシルテトラコシル
、テトラアコメチル、等のアルキル基、オクタデセニル
、ノナデセニル、エイコセニル、ヘンエイコシル、トコ
セニル、トリツクル、テトラコセニル、等のアルケニル
基ヲ、アルコール残基として、コーへキシルデシルアル
コール、−一へブチルウンデシルアルコール、λ−オク
チルドデシルアルコール等から合成されるエステル化合
物、ラウリン酸インミリスチル、ラウリン酸インステア
リル、ラウリン酸イソデシルテトラデシル、ラウリン酸
イソウンデシル、ミリスチン酸イソノξルミチル、ミリ
スチン酸イソベヘニル、ノミルミチン酸イソノ耐ルミチ
ル、パルミチン酸インステアリル、オレイン酸イソパル
iチル、オレイン酸インステアリル、ステアリン酸イソ
イソだリスチル、ステアリン酸インパルばチル、ステア
リン酸イソステアリル、ステアリン酸インベヘニル、ベ
ヘン酸イソミリスチル、ベヘン酸イソステアリル、モン
タン酸インミリスチル、モンタン酸イソステアリル、(
なお、ここでいうイソとは、オキソ法による分岐のこと
をいう。)カプロン酸エルシル、カプロン酸オレイル、
カプロン酸エラジル、カプロン酸パルiトレイル、カプ
ロン酸つンデシレニル、デカン酸エルシル、デカン酸オ
レイル、デカン酸エライジル、デカン酸ノξルミトレイ
ル、テカン酸つンデシレニル、ラウリン酸エルシル、ラ
ウリン酸オレイル、ラウリン酸エライジル、ラウリン酸
パルミトレイル、ラウリン酸つンデシレニル、ミリスチ
ン酸エルシル、ミリスチン酸オレイル、ミリスチン酸エ
ライジル、ミリスチン酸パルミトレイル、ばリスチン酸
ウンデシレニル、ステアリン酸エルシル、ステアリン酸
オレイル、ステアリン酸エライジル、ステアリン酸ノξ
ルミトレイル、ステアリン酸つンデシレニル、ベヘ酸エ
ルシル、ベヘン酸オレイル、ペヘ酸エライジル、ベヘン
酸パルミトレイル、ベヘン酸つンデシレニル、イソステ
アリン酸エルシル、インステアリン酸オレイル、イソス
テアリン酸エライジル、イソステアリン酸ノξルミトレ
イル、イソステアリン酸つンデシレニル、インミリスチ
ン酸エルシル、イソミリスチン酸オレイル、イソミリス
チン酸エライジル、インミリスチン酸パルミトレイル、
イソミリスチン酸つンデシレニル等が挙げられる。
デシルテトラデシル、ラウリン酸イソミl 0− リスチル、ラウリン酸イソステアリル、ラウリン酸イソ
ウンデシル、ミリスチン酸インノルミテル、ミリスチン
酸インベヘニル、パルミナン酸イソパルミチル、パルミ
チン酸イソステアリル、オレイン酸インステアリル、オ
レイン酸インパルミチル、ステアリン酸イソミリスチル
、ステアリン酸インパルミチル、ステアリン酸イソステ
アリル、ステアリン酸インベヘニル、ベヘン酸イソミリ
スチル、ベヘン酸イソステアリル、モンタン酸インミリ
スチル、モンタン酸インステアリル、(尚、ここでいう
インとは、メチル分岐のことをいう。)酸残基として、
直鎖又は分岐のオクタデシル、ノナデシル、エイコシル
、ヘンエイコシル、トコシル、トリコシルテトラコシル
、テトラアコメチル、等のアルキル基、オクタデセニル
、ノナデセニル、エイコセニル、ヘンエイコシル、トコ
セニル、トリツクル、テトラコセニル、等のアルケニル
基ヲ、アルコール残基として、コーへキシルデシルアル
コール、−一へブチルウンデシルアルコール、λ−オク
チルドデシルアルコール等から合成されるエステル化合
物、ラウリン酸インミリスチル、ラウリン酸インステア
リル、ラウリン酸イソデシルテトラデシル、ラウリン酸
イソウンデシル、ミリスチン酸イソノξルミチル、ミリ
スチン酸イソベヘニル、ノミルミチン酸イソノ耐ルミチ
ル、パルミチン酸インステアリル、オレイン酸イソパル
iチル、オレイン酸インステアリル、ステアリン酸イソ
イソだリスチル、ステアリン酸インパルばチル、ステア
リン酸イソステアリル、ステアリン酸インベヘニル、ベ
ヘン酸イソミリスチル、ベヘン酸イソステアリル、モン
タン酸インミリスチル、モンタン酸イソステアリル、(
なお、ここでいうイソとは、オキソ法による分岐のこと
をいう。)カプロン酸エルシル、カプロン酸オレイル、
カプロン酸エラジル、カプロン酸パルiトレイル、カプ
ロン酸つンデシレニル、デカン酸エルシル、デカン酸オ
レイル、デカン酸エライジル、デカン酸ノξルミトレイ
ル、テカン酸つンデシレニル、ラウリン酸エルシル、ラ
ウリン酸オレイル、ラウリン酸エライジル、ラウリン酸
パルミトレイル、ラウリン酸つンデシレニル、ミリスチ
ン酸エルシル、ミリスチン酸オレイル、ミリスチン酸エ
ライジル、ミリスチン酸パルミトレイル、ばリスチン酸
ウンデシレニル、ステアリン酸エルシル、ステアリン酸
オレイル、ステアリン酸エライジル、ステアリン酸ノξ
ルミトレイル、ステアリン酸つンデシレニル、ベヘ酸エ
ルシル、ベヘン酸オレイル、ペヘ酸エライジル、ベヘン
酸パルミトレイル、ベヘン酸つンデシレニル、イソステ
アリン酸エルシル、インステアリン酸オレイル、イソス
テアリン酸エライジル、イソステアリン酸ノξルミトレ
イル、イソステアリン酸つンデシレニル、インミリスチ
ン酸エルシル、イソミリスチン酸オレイル、イソミリス
チン酸エライジル、インミリスチン酸パルミトレイル、
イソミリスチン酸つンデシレニル等が挙げられる。
これらのなかでも特に効果の大きいものとしては、カプ
ロン酸エルシル、デカン酸エルシル、デカン酸オレイル
、デカン酸エライジル、ラウリン酸エルシル、ラウリン
酸オレイル、ラウリン酸エl 3− ライジル、ラウリン酸パルミトレイル、ミリスチン酸エ
ルシル、ミリスチン酸オレイル、ミリスチン酸エライジ
ル、ミリスチン酸ノにルミトレイル、ミリスチン酸つン
デシレニル、ステアリン酸エルシル、ステアリン酸オレ
イル、ステアリン酸エライジル、ステアリン酸パルミト
レイル、ステアリン酸つンデンレニル、ベヘン酸エルシ
ル、ベヘン酸オレイル、ベヘン酸エライジル、ベヘン酸
ノξルミトレイル、ベヘン酸つンデシレニル、イソステ
アリン酸エルシル、イソステアリン酸オレイル、イソス
テアリン酸エライジル、イソステアリン酸ノξルミトレ
イル、イソステアリン酸つンデシレニル、インミリスチ
ン酸エルシル、イソミリスチン酸オレイル、イソミリス
チン酸エライジル、インミリスチン酸ノξルミトレイル
、イソミリスチン酸つンデシレニル等が挙げられる。
ロン酸エルシル、デカン酸エルシル、デカン酸オレイル
、デカン酸エライジル、ラウリン酸エルシル、ラウリン
酸オレイル、ラウリン酸エl 3− ライジル、ラウリン酸パルミトレイル、ミリスチン酸エ
ルシル、ミリスチン酸オレイル、ミリスチン酸エライジ
ル、ミリスチン酸ノにルミトレイル、ミリスチン酸つン
デシレニル、ステアリン酸エルシル、ステアリン酸オレ
イル、ステアリン酸エライジル、ステアリン酸パルミト
レイル、ステアリン酸つンデンレニル、ベヘン酸エルシ
ル、ベヘン酸オレイル、ベヘン酸エライジル、ベヘン酸
ノξルミトレイル、ベヘン酸つンデシレニル、イソステ
アリン酸エルシル、イソステアリン酸オレイル、イソス
テアリン酸エライジル、イソステアリン酸ノξルミトレ
イル、イソステアリン酸つンデシレニル、インミリスチ
ン酸エルシル、イソミリスチン酸オレイル、イソミリス
チン酸エライジル、インミリスチン酸ノξルミトレイル
、イソミリスチン酸つンデシレニル等が挙げられる。
中でも特に望ましいのは、ステアリン酸イソステアリル
、ノにルミチン酸イソステアリル、ステアリン酸コーへ
キシルデシル、ステアリン酸−2−へブチルウンデシル
、ベヘン酸λヘキシルデシル、−7≠− モンタン酸−2−へキシルデシル、アラキン酸−λ−へ
ブチルウンデシル、ベヘン酸−λ−へブチルウンデシル
、ステアリン酸オクチルドデシルであ夛、最も好ましい
のは、ステアリン酸コーヘキシルデシル、ステアリン酸
インステアリル、ノeルミチン酸インステアリル、ステ
アリン酸イソノξルミチル、ベヘン酸イソステアリル、
ステアリン酸オレイルである。
、ノにルミチン酸イソステアリル、ステアリン酸コーへ
キシルデシル、ステアリン酸−2−へブチルウンデシル
、ベヘン酸λヘキシルデシル、−7≠− モンタン酸−2−へキシルデシル、アラキン酸−λ−へ
ブチルウンデシル、ベヘン酸−λ−へブチルウンデシル
、ステアリン酸オクチルドデシルであ夛、最も好ましい
のは、ステアリン酸コーヘキシルデシル、ステアリン酸
インステアリル、ノeルミチン酸インステアリル、ステ
アリン酸イソノξルミチル、ベヘン酸イソステアリル、
ステアリン酸オレイルである。
本発明の磁気ディスクを得るのに上に例示したエステル
化合物以外に、従来の潤滑剤を使用することもできる。
化合物以外に、従来の潤滑剤を使用することもできる。
例えば、飽和、不飽和の脂肪酸(ミリスチン酸、ステア
リン酸、オレイン酸等)金属石鹸、脂肪酸アミド、脂肪
酸エステル(各種モノエステルをはじめソルビタン、グ
リセリン等多価エステルの脂肪酸エステル、多塩基酸の
エステル化物等)、高級脂肪族アルコール、モノアルキ
ルフォスフェート、ジアルキルフォスフェート、トリア
ルキルフォスフェート、、5ラフイン類、シリコーンオ
イル、動植物油、鉱油、高級脂肪族アミン;グラファイ
ト、シリカ、二硫化モリブデン、二硫化タングステン等
の無機微粉末;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩
化ビニル、エチレン−塩化ビニル共重合体、ポリテトラ
フルオロエチレン等の樹脂微粉末;αオレフイン重合物
;常温で液体の不飽和脂肪族炭化水素、フルオロカーボ
ン類等があげられる。
リン酸、オレイン酸等)金属石鹸、脂肪酸アミド、脂肪
酸エステル(各種モノエステルをはじめソルビタン、グ
リセリン等多価エステルの脂肪酸エステル、多塩基酸の
エステル化物等)、高級脂肪族アルコール、モノアルキ
ルフォスフェート、ジアルキルフォスフェート、トリア
ルキルフォスフェート、、5ラフイン類、シリコーンオ
イル、動植物油、鉱油、高級脂肪族アミン;グラファイ
ト、シリカ、二硫化モリブデン、二硫化タングステン等
の無機微粉末;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩
化ビニル、エチレン−塩化ビニル共重合体、ポリテトラ
フルオロエチレン等の樹脂微粉末;αオレフイン重合物
;常温で液体の不飽和脂肪族炭化水素、フルオロカーボ
ン類等があげられる。
その際、磁性層用塗布液の塗布、乾燥条件をコントロー
ルすることが効果的である。
ルすることが効果的である。
本発明の磁気ディスクは、磁性層が平滑で例えば、中心
線平均粗さ(カットオフ値。、06μm)で0.00!
μm以下になると効果が一層大きく現れ、走行耐久性特
に高温度から低温度まで広い環境条件下での走行耐久性
が改良される。また、強磁性粉末が30m2/g以上の
強磁性金属粉末である場合においても大きな効果が表わ
れる。
線平均粗さ(カットオフ値。、06μm)で0.00!
μm以下になると効果が一層大きく現れ、走行耐久性特
に高温度から低温度まで広い環境条件下での走行耐久性
が改良される。また、強磁性粉末が30m2/g以上の
強磁性金属粉末である場合においても大きな効果が表わ
れる。
上述した潤滑剤の使用量はエステルの分子量が≠30未
満のときは磁性体に対して/〜、2!重量係、分子fμ
30以上のものは/〜コ□重t%が適当である。塗布型
磁気記録媒体の磁性層面にトップコートする場合は2〜
.t 0119 / rn2が適当である。
満のときは磁性体に対して/〜、2!重量係、分子fμ
30以上のものは/〜コ□重t%が適当である。塗布型
磁気記録媒体の磁性層面にトップコートする場合は2〜
.t 0119 / rn2が適当である。
本発明の磁気ディスクに使用される強磁性粉末に特に制
限はない。強磁性合金粉末、γ−Fe2O3゜Fe3O
4+ Co変性酸化鉄、Co 02、窒化鉄の他愛性バ
リウムフェライトおよび変性ストロンチウムフェライト
等を挙げることができる。
限はない。強磁性合金粉末、γ−Fe2O3゜Fe3O
4+ Co変性酸化鉄、Co 02、窒化鉄の他愛性バ
リウムフェライトおよび変性ストロンチウムフェライト
等を挙げることができる。
強磁性粉末の形状に特に制限はないが通常は、針状、粒
状、サイコロ状、米粒状および板状のものなどが使用さ
れる。この強磁性粉末の比表面積は、20rrL2/g
以上が電磁変換特性上好ましい。
状、サイコロ状、米粒状および板状のものなどが使用さ
れる。この強磁性粉末の比表面積は、20rrL2/g
以上が電磁変換特性上好ましい。
磁性層を形成する結合剤は通常の結合剤から選ぶことが
できる。結合剤の例としては、塩化ビニル・酢酸ビニル
共重合体、塩化ビニル、酢酸ビニルとビニルアルコール
、マレイン酸お! ヒ/l 7’cはアクリル酸との共
重合体、塩化ビニル・塩化ビニリデン共重合体、塩化ビ
ニル・アクリロニトリル共重合体、エチレン・酢酸ビニ
ル共重合体、ニトロセスロース樹脂などのセルロール誘
導体、アクリル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリ
ビニルブチラール樹脂、エポキシ樹脂、ンエノキシl
7− 樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネートポリウレタ
ン樹脂等を挙げることができる。分散性・耐久性を更に
高めるために以上列埜の結合剤分子中に、極性基(エポ
キシ基、CO□H、0J−I 、 NH2゜SO3M、
0803M、203M2.ただしMは水素、アルカリ金
属またはアンモニウムでアシ、一つの基の中に複数のM
があるときは互いに異なっていてもよい)を導入したも
のが好ましい。極性基の含有蓋としてはポリマー/グラ
ム轟910 〜l0−4当量が好ましい範囲である。
できる。結合剤の例としては、塩化ビニル・酢酸ビニル
共重合体、塩化ビニル、酢酸ビニルとビニルアルコール
、マレイン酸お! ヒ/l 7’cはアクリル酸との共
重合体、塩化ビニル・塩化ビニリデン共重合体、塩化ビ
ニル・アクリロニトリル共重合体、エチレン・酢酸ビニ
ル共重合体、ニトロセスロース樹脂などのセルロール誘
導体、アクリル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリ
ビニルブチラール樹脂、エポキシ樹脂、ンエノキシl
7− 樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネートポリウレタ
ン樹脂等を挙げることができる。分散性・耐久性を更に
高めるために以上列埜の結合剤分子中に、極性基(エポ
キシ基、CO□H、0J−I 、 NH2゜SO3M、
0803M、203M2.ただしMは水素、アルカリ金
属またはアンモニウムでアシ、一つの基の中に複数のM
があるときは互いに異なっていてもよい)を導入したも
のが好ましい。極性基の含有蓋としてはポリマー/グラ
ム轟910 〜l0−4当量が好ましい範囲である。
以上列挙の高分子結合剤は単独または数種混合で使用さ
れ、しばしばインシアネート系の公知の架橋剤添加して
硬化処理される。
れ、しばしばインシアネート系の公知の架橋剤添加して
硬化処理される。
また、アクリル酸エステル系のオリゴマーと、モノマー
を結合剤としてもちい、放射線照射によって硬化する結
合剤系にも、本発明のエステル化合物は適用される。
を結合剤としてもちい、放射線照射によって硬化する結
合剤系にも、本発明のエステル化合物は適用される。
非磁性支持体の材質としては、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレンλ、6ナフタレートなどのポリエス
テル類;ポリエチレン、ポリプロー/I− ピレンなどのポリオレフィン類、セルローストリアセレ
ートなどのセルロース誘導体、ポリカーボネート、ポリ
イミド、ポリアミドイミド等の樹脂を用いることができ
、必要に応じアルミニウム等の金屑でメタライズしてあ
ってもよい。
ート、ポリエチレンλ、6ナフタレートなどのポリエス
テル類;ポリエチレン、ポリプロー/I− ピレンなどのポリオレフィン類、セルローストリアセレ
ートなどのセルロース誘導体、ポリカーボネート、ポリ
イミド、ポリアミドイミド等の樹脂を用いることができ
、必要に応じアルミニウム等の金屑でメタライズしてあ
ってもよい。
非磁性支持体の厚みは3〜100μ、磁気ディスクとし
て20−100μが通常使用される範囲である。
て20−100μが通常使用される範囲である。
本発明の磁気記録媒体の磁性層中の全結合剤の含有量は
、通常は強磁性粉末100重量部に対して10〜ioo
重量部であシ、好ましくはコO〜≠θ部重量である。
、通常は強磁性粉末100重量部に対して10〜ioo
重量部であシ、好ましくはコO〜≠θ部重量である。
本発明の磁気記録媒体の磁性層には、さらにモース硬度
j以上の無機質粒子を含有することが好ましい。
j以上の無機質粒子を含有することが好ましい。
使用される無機質粒子は、モース硬度がj以上であれば
特に制限はない。モース硬度が5以上の無機質粒子の例
としては、Al□03(モース硬度り)、Tie(同A
) 、 TiO□(同6.3)。
特に制限はない。モース硬度が5以上の無機質粒子の例
としては、Al□03(モース硬度り)、Tie(同A
) 、 TiO□(同6.3)。
5iO3(同7 ) 、 5n02 (同t 、 s
) 、 Cr203(同り)、およびα−Fe203(
同!、j)を挙げることができ、これらを単独あるいは
混合して用いることができる。
) 、 Cr203(同り)、およびα−Fe203(
同!、j)を挙げることができ、これらを単独あるいは
混合して用いることができる。
とくに好ましいのはモース硬度がj以上の無機質粒子で
ある。モース硬度が!よpも低い無機質粒子を用いた場
合には、磁性層から無機質粒子が脱落しやすく、またヘ
ッドの研磨作用も殆どないため、ヘッド白話ま9′f:
発生しやすく、また走行耐久性も乏しくなる。
ある。モース硬度が!よpも低い無機質粒子を用いた場
合には、磁性層から無機質粒子が脱落しやすく、またヘ
ッドの研磨作用も殆どないため、ヘッド白話ま9′f:
発生しやすく、また走行耐久性も乏しくなる。
無機質粒子の富有蓋は、通常、強磁性粉末700重量部
に対して0.1〜20重量部の範囲であシ、好ましくは
7〜IO重量部の範囲である。
に対して0.1〜20重量部の範囲であシ、好ましくは
7〜IO重量部の範囲である。
葦だ磁性層には上記の無機質粒子以外にも、カーボンブ
ラック(%に、平均粒径がio〜300nm(ナノメー
トル、10 m)のもの)などを含有させることが
望ましい。
ラック(%に、平均粒径がio〜300nm(ナノメー
トル、10 m)のもの)などを含有させることが
望ましい。
つぎに本発明の磁気記録媒体を製造する方法の例を述べ
る。
る。
まず、強磁性粉末と結合剤、前記のエステル化合物、そ
して必要に応じて、他の光填材、添加剤などを溶剤と混
練し、磁性塗料を調製する。混練の際に使用する溶剤と
しては、磁性塗料の調製に通常使用されている溶剤を使
用することができる。
して必要に応じて、他の光填材、添加剤などを溶剤と混
練し、磁性塗料を調製する。混練の際に使用する溶剤と
しては、磁性塗料の調製に通常使用されている溶剤を使
用することができる。
混練の方法にも特に制限はなく、また各成分の添加順序
などは適宜設定することができる。
などは適宜設定することができる。
磁性塗料を調製する際には、分散剤、帯電防止剤、潤滑
剤等の公知の添加剤を併せて使用することもできる。
剤等の公知の添加剤を併せて使用することもできる。
分散剤の例としては、炭素数72〜コ2の脂肪酸、その
塩またはエステル化物およびその化合物の水素の一部あ
るいは全部をフッ素原子で置換した化合物、上記の脂肪
酸のアミド、脂肪族アばン、高iフルコール、ポリアル
キレンオキサイドアルキル隣酸エステル、アルキル隣酸
エステル、アルキルホウ酸エステル、サルコシネート類
、アルキルエーテルエステル類、トリアルキルポリオレ
フィン、オキシ第≠級アンモニウム塩およびシチンなど
の公知の分散剤を挙げることができる。
塩またはエステル化物およびその化合物の水素の一部あ
るいは全部をフッ素原子で置換した化合物、上記の脂肪
酸のアミド、脂肪族アばン、高iフルコール、ポリアル
キレンオキサイドアルキル隣酸エステル、アルキル隣酸
エステル、アルキルホウ酸エステル、サルコシネート類
、アルキルエーテルエステル類、トリアルキルポリオレ
フィン、オキシ第≠級アンモニウム塩およびシチンなど
の公知の分散剤を挙げることができる。
分散剤を使用する場合は、通常は使用する強磁性粉末1
00重量部に対し、0./〜IO重量部−+2 /− の範囲で使用される。
00重量部に対し、0./〜IO重量部−+2 /− の範囲で使用される。
帯電防止剤の例としては、カーボンブラック、カーボン
ブラックグラフトポリマーなどの導電性微粉末;サポニ
ンなどの天然界面活性剤;アルキレンオキサイド系、グ
リセリン系およびグリシドール系などのノニオン系界面
活性剤;高級アルキルアミン類、第グ級アンモニウム塩
類、ピリジンその他の複素環化合物の塩類、ホスホニウ
ムまたはスルホニウム類などのカチオン性界面活性剤;
カルボン酸、陽酸、硫酸エステル基、陽酸エステル基等
の酸性基kfむアニオン性界面活性剤;アミノ酸類、ア
ミノスルホンサン類、アミノアルコールの硫酸または陽
酸エステル類等の両性界面活性剤等を挙げることができ
る。帯電防止剤として上記の4電性微粉末を使用する場
合には、例えば強磁性粉末700重量部に対し0.1−
20重量部の範囲で使用され、界面活性剤を使用する場
合にも同様に0./2〜io重量部の範囲で使用される
。
ブラックグラフトポリマーなどの導電性微粉末;サポニ
ンなどの天然界面活性剤;アルキレンオキサイド系、グ
リセリン系およびグリシドール系などのノニオン系界面
活性剤;高級アルキルアミン類、第グ級アンモニウム塩
類、ピリジンその他の複素環化合物の塩類、ホスホニウ
ムまたはスルホニウム類などのカチオン性界面活性剤;
カルボン酸、陽酸、硫酸エステル基、陽酸エステル基等
の酸性基kfむアニオン性界面活性剤;アミノ酸類、ア
ミノスルホンサン類、アミノアルコールの硫酸または陽
酸エステル類等の両性界面活性剤等を挙げることができ
る。帯電防止剤として上記の4電性微粉末を使用する場
合には、例えば強磁性粉末700重量部に対し0.1−
20重量部の範囲で使用され、界面活性剤を使用する場
合にも同様に0./2〜io重量部の範囲で使用される
。
なお、上述した分散剤、帯電防止剤、潤滑剤などの添加
剤は、厳密に上述した作用効果のみを有するものである
との限定の下に記載したものではなく、例えば、分散剤
が潤滑剤あるいは帯電防止剤として作用することも有り
うる。従って、上記分類により例示した化合物などの効
果作用が、上記分類に記載された事項に限定されないこ
とは勿論であり、甘た複数の作用効果を奏する物質を使
用する場合には、添加量は、その作用効果を考慮して決
定することが好ましい。
剤は、厳密に上述した作用効果のみを有するものである
との限定の下に記載したものではなく、例えば、分散剤
が潤滑剤あるいは帯電防止剤として作用することも有り
うる。従って、上記分類により例示した化合物などの効
果作用が、上記分類に記載された事項に限定されないこ
とは勿論であり、甘た複数の作用効果を奏する物質を使
用する場合には、添加量は、その作用効果を考慮して決
定することが好ましい。
このようにして調製された磁性塗料は前述の非磁性支持
体上に塗布される。塗布は、前記非磁性支持体上に直接
性なうことも可能であるが、また、接着剤層などの中間
層を介していて非磁性支持体上に塗布することもできる
。ここでいう中間層とは接着剤単独の層または結合剤中
にカーボン等の非磁性微粒子を分散してなる複合膜層等
である。
体上に塗布される。塗布は、前記非磁性支持体上に直接
性なうことも可能であるが、また、接着剤層などの中間
層を介していて非磁性支持体上に塗布することもできる
。ここでいう中間層とは接着剤単独の層または結合剤中
にカーボン等の非磁性微粒子を分散してなる複合膜層等
である。
カーボンを含有する中間層は結合剤として磁性層に用い
られる種々の結合剤のなかから任意に選ぶことができる
。カーボンの粒径は10y!Onm(ナノメートル;l
O−9m)のものが好ましく、バインダー:カーボンは
重量比にして100:10から100:/10が好まし
い。中間層の厚みは単なる接着剤層の場合0./〜λμ
m1非磁性粉体を含む複合層の場合O0S〜≠μmが好
ましい。
られる種々の結合剤のなかから任意に選ぶことができる
。カーボンの粒径は10y!Onm(ナノメートル;l
O−9m)のものが好ましく、バインダー:カーボンは
重量比にして100:10から100:/10が好まし
い。中間層の厚みは単なる接着剤層の場合0./〜λμ
m1非磁性粉体を含む複合層の場合O0S〜≠μmが好
ましい。
中間層にはこのeマか磁性層に用いている潤滑剤と同じ
または異なる潤滑剤を添加してもよい。
または異なる潤滑剤を添加してもよい。
上記の強磁性粉末と結合剤の分散方法および支持体への
塗布方法などの詳細は特開昭!≠−≠60//号および
同よ≠−2/♂O!号等の各公報に記載されている。
塗布方法などの詳細は特開昭!≠−≠60//号および
同よ≠−2/♂O!号等の各公報に記載されている。
このようにして塗布される磁性層の厚さは、乾燥後の厚
さで一般には約O1!〜10μmの範囲、通常は0,7
〜t、oμmの範囲になるよう塗布される。
さで一般には約O1!〜10μmの範囲、通常は0,7
〜t、oμmの範囲になるよう塗布される。
非磁性支持体上に塗布された磁性層は磁気記録媒体がテ
ープ状で使用される場合通常、磁性層中の強磁性粉末を
配向させる処理、即ち磁場配向処理を施したあと、乾燥
される。また逆にディスク状媒体の場合は磁気特性の異
方性をとシのぞくために、磁場による無配向処理が施さ
れる。こののち8侠により表面平滑化処理が施される。
ープ状で使用される場合通常、磁性層中の強磁性粉末を
配向させる処理、即ち磁場配向処理を施したあと、乾燥
される。また逆にディスク状媒体の場合は磁気特性の異
方性をとシのぞくために、磁場による無配向処理が施さ
れる。こののち8侠により表面平滑化処理が施される。
上記本発明の新規な特徴を以下の実施例によりさらに具
体的に説明する。なお、「部」とあるのは「重量部」を
表す。
体的に説明する。なお、「部」とあるのは「重量部」を
表す。
まず、中間層として以下の組成を非磁性塗布液を作成し
た。
た。
ニトロセルロース 12部ポリウ
レタン(大日本インキ製 クリスボン6//9)
を部導電性カーボンブラック
5部メチルエチルケトン/トルエン/メチ
ルインブチルケトン=2/λ//(重量比) 適
量上記組成物をボールミルに入れて充分に混練処理を行
い、粘度10ポイズ(2j0c)の塗布液を作成した。
レタン(大日本インキ製 クリスボン6//9)
を部導電性カーボンブラック
5部メチルエチルケトン/トルエン/メチ
ルインブチルケトン=2/λ//(重量比) 適
量上記組成物をボールミルに入れて充分に混練処理を行
い、粘度10ポイズ(2j0c)の塗布液を作成した。
しかる後にポリイソシアネート(ウレコートB、東日本
塗料製 マイラー用≠/クリヤー)を7部加えてさらに
7時間混練して、中間層用の非磁性塗布液を得た。
塗料製 マイラー用≠/クリヤー)を7部加えてさらに
7時間混練して、中間層用の非磁性塗布液を得た。
次に、以下の組成の磁性層用塗布液を作成した。
Co添加FeOx粉末(x=/、弘、平均粒子径0.3
pm×0.03ttm) 100部塩化ビニル
系共重合体 (UCC製 UMCH) IJ部ポリウレ
タン樹脂 (日本ポリウレタン類 N−,230≠)弘部Cr20
3(研磨剤) 6部カーボンブラック
(旭カーボン製旭+tO)S部ステアリン酸オレイル
70部オレイン酸
1部ミリスチン酸変性シリコーン /
、3部メチルエチルケトン 72部ト
ルエン 72部メチルイン
ブチルケトン 3乙部上記組成物をボール
ミルに投入しほぼ10時間混線分散処理を行い、強磁性
粉末を均一に分散した。しかる後にポリインシアネート
(ウレコートB、東日本塗料製 マイラー用+lクリヤ
ー)を7部加えてさらに7時間混練して、磁性塗料を得
−コ t− た。
pm×0.03ttm) 100部塩化ビニル
系共重合体 (UCC製 UMCH) IJ部ポリウレ
タン樹脂 (日本ポリウレタン類 N−,230≠)弘部Cr20
3(研磨剤) 6部カーボンブラック
(旭カーボン製旭+tO)S部ステアリン酸オレイル
70部オレイン酸
1部ミリスチン酸変性シリコーン /
、3部メチルエチルケトン 72部ト
ルエン 72部メチルイン
ブチルケトン 3乙部上記組成物をボール
ミルに投入しほぼ10時間混線分散処理を行い、強磁性
粉末を均一に分散した。しかる後にポリインシアネート
(ウレコートB、東日本塗料製 マイラー用+lクリヤ
ー)を7部加えてさらに7時間混練して、磁性塗料を得
−コ t− た。
上記のようにして得た、非磁性中間層用塗布液及び磁性
層用塗布液をこの順に表面粗さRa=0゜o、zrtt
m1厚さ7jl1m1巾j 00 mmのポリエチレン
テレフタレートの非磁性基体上に塗布して、さらに乾燥
、カレンダーによる表面平滑化処理を行って乾燥膜厚/
、Iμmの中間層、乾燥膜厚O1りμmの磁性層を有す
る磁気記録媒体を得た。かくして得られた磁気記録媒体
を直径3.6インチの磁気ディスクに加工し測定試料と
した。
層用塗布液をこの順に表面粗さRa=0゜o、zrtt
m1厚さ7jl1m1巾j 00 mmのポリエチレン
テレフタレートの非磁性基体上に塗布して、さらに乾燥
、カレンダーによる表面平滑化処理を行って乾燥膜厚/
、Iμmの中間層、乾燥膜厚O1りμmの磁性層を有す
る磁気記録媒体を得た。かくして得られた磁気記録媒体
を直径3.6インチの磁気ディスクに加工し測定試料と
した。
〔実施例−2〕
ステアリン酸オレイルの添加量を75部にした以外は実
施例−/と同一の条件で磁気ディスクの試料を作成した
。
施例−/と同一の条件で磁気ディスクの試料を作成した
。
〔実施例−3〕
非磁性中間層を形成せず、さらに磁性塗布液中のカーボ
ンブラックの量をIO重置部とした以外は実施例−/と
同一の条件で磁気ディスクの試料を作成した。
ンブラックの量をIO重置部とした以外は実施例−/と
同一の条件で磁気ディスクの試料を作成した。
ステアリン酸オレイルの添加:!ttir部にした以外
は実施例−3と同一の条件で磁気ディスクの試料を作成
した。
は実施例−3と同一の条件で磁気ディスクの試料を作成
した。
ステアリン酸オレイルの添加量fIj部にした以外は実
施例−3と同一の条件で磁気ディスクの試料を作成した
。
施例−3と同一の条件で磁気ディスクの試料を作成した
。
実施例−3において、塩化ビニル系共重合体(UCC製
UMCI−1)73部の代ゎシにニトロセルロース1
3部を用いた以外は、実施例−3と同一の条件で磁気デ
ィスクの試料を作成した。
UMCI−1)73部の代ゎシにニトロセルロース1
3部を用いた以外は、実施例−3と同一の条件で磁気デ
ィスクの試料を作成した。
〔実施例−7〕
実施例−3において、ステアリン酸オレイルの代わりに
ステアリン酸イソセチルを用いた以外は、実施例−3と
同一の条件で磁気ディスクの試料を作成した。
ステアリン酸イソセチルを用いた以外は、実施例−3と
同一の条件で磁気ディスクの試料を作成した。
実施例−3において、ステアリン酸オレイルの代わりに
イソステアリン酸ステアリルを用いた以外は、実施例−
3と同一の条件で磁気ディスクの試料を作成した。
イソステアリン酸ステアリルを用いた以外は、実施例−
3と同一の条件で磁気ディスクの試料を作成した。
実施例−3において、ステアリン酸オレイルの代わりに
イソステアリン酸イソセチルを用いた以外は、実施例−
3と同一の条件で磁気ディスクの試料を作成した。
イソステアリン酸イソセチルを用いた以外は、実施例−
3と同一の条件で磁気ディスクの試料を作成した。
〔実施例−IO3
実施例−3において、Co添加FeOx粉末(x=/、
4t、平均程子径0.3μmxO,03μrr)loo
部の代わシに強磁性金属粉末(Fe27%、Ni/%、
比表面積jom2/g+抗磁力/!l000e1飽和磁
化/ 、2 r emu/ g )?用いた以外は、実
施例−3と同一の条件で磁気ディスクの試料を作成した
。
4t、平均程子径0.3μmxO,03μrr)loo
部の代わシに強磁性金属粉末(Fe27%、Ni/%、
比表面積jom2/g+抗磁力/!l000e1飽和磁
化/ 、2 r emu/ g )?用いた以外は、実
施例−3と同一の条件で磁気ディスクの試料を作成した
。
ステアリン酸オレイルの添加量を!部にした以外は実施
例−7と同一の条件で磁気ディスクの試料を作成した。
例−7と同一の条件で磁気ディスクの試料を作成した。
ステアリン酸オレイルの添加量を7.5部にした以外は
実施例−/と同一の条件で磁気ディスクの試料を作成し
た。
実施例−/と同一の条件で磁気ディスクの試料を作成し
た。
〔比較例−3〕
ステアリン酸オレイルの添加量を2j部にした以外は実
施例−lと同一の条件で磁気ディスクの試料を作成した
。
施例−lと同一の条件で磁気ディスクの試料を作成した
。
実施例−λにおいて、ステアリン酸オレイルの代わ〕に
イソステアリン酸ブチルを用いた以外は、実施例−3と
同一の条件で磁気ディスクの試料を作成した。
イソステアリン酸ブチルを用いた以外は、実施例−3と
同一の条件で磁気ディスクの試料を作成した。
ステアリン酸オレイルの添加量を5部にした以外は実施
例−3と向−の条件で磁気ディスクの試料を作成した。
例−3と向−の条件で磁気ディスクの試料を作成した。
ステアリン酸オレイルの添加量を、25部にした以外は
実施例−3と同一の条件で磁気ディスクの試料を作成し
た。
実施例−3と同一の条件で磁気ディスクの試料を作成し
た。
一コター
〔比較例−7〕
ステアリン酸オレイルの添加tを5部にした以外は実施
例−10と同一の条件で磁気ディスクの試料を作成した
。
例−10と同一の条件で磁気ディスクの試料を作成した
。
以上のようにして得られた、3.5インチの各磁気ディ
スクの試料につき以下の温湿度サイクルでの走行耐久性
を評価した。
スクの試料につき以下の温湿度サイクルでの走行耐久性
を評価した。
(温湿度サイクル)
上記の走行耐久性の評価には、3.!インチのフロッピ
ーディスクドライブ(ソニー(株)社製MP F 7
JW )を用い、各磁気ディスクの試料を30Orpm
で連続走行させ、その出力が初期値のto%に低下する
までのパス回数で表した。
ーディスクドライブ(ソニー(株)社製MP F 7
JW )を用い、各磁気ディスクの試料を30Orpm
で連続走行させ、その出力が初期値のto%に低下する
までのパス回数で表した。
また、各磁気ディスクの試料につき、上記3゜5インチ
のフロッピーディスクドライブ(ソニー(抹)社製 M
PF7JW)における弘0°croRH%の環境下で、
ヘッドロードした状態で30分間放置した後の磁気ディ
スクの回転の始動に喪するトルクを初期起動トルクとし
て測定した。
のフロッピーディスクドライブ(ソニー(抹)社製 M
PF7JW)における弘0°croRH%の環境下で、
ヘッドロードした状態で30分間放置した後の磁気ディ
スクの回転の始動に喪するトルクを初期起動トルクとし
て測定した。
さらに、別途PHI j 6 oオージェ電子分光装置
1(PERKIN ELMER社製)を使用して、電
子ヒームの加速電圧3kV、ビーム電流密度−〇 o
)11 A / cm2 深さ方向ヘスバッタすると
きのAr+イオンビームの加速電圧3に■、ビーム電流
密度jμA/Crn2の条件で各磁気ディスクの試料の
カーボン原子濃度の測定を行って、カーボン原子濃度が
(Co + C2) / 、2となるスパッタ時間TI
を求めた。その際、C/s、CI/s。
1(PERKIN ELMER社製)を使用して、電
子ヒームの加速電圧3kV、ビーム電流密度−〇 o
)11 A / cm2 深さ方向ヘスバッタすると
きのAr+イオンビームの加速電圧3に■、ビーム電流
密度jμA/Crn2の条件で各磁気ディスクの試料の
カーボン原子濃度の測定を行って、カーボン原子濃度が
(Co + C2) / 、2となるスパッタ時間TI
を求めた。その際、C/s、CI/s。
Q/s、peコpのオージェスペクトルを積分球で測定
した後、!階微分を行って、各々の元素(C,CI、0
、Fe)の感度係数o、iro。
した後、!階微分を行って、各々の元素(C,CI、0
、Fe)の感度係数o、iro。
/、10010.joo、o、1rxcr)ところの夫
々のスペクトルの高さを読みとシその値をもってカーボ
ン原子濃度とした。なお、試料室を排気して真空にして
から70分後に測定を開始した。
々のスペクトルの高さを読みとシその値をもってカーボ
ン原子濃度とした。なお、試料室を排気して真空にして
から70分後に測定を開始した。
以上のようにして求めた実施例、比較例の測定結果を以
下の第1表に示す。
下の第1表に示す。
第1表
試料 スパッタ
表面粗さRa(μrn)
(カットオフ値0.2jμrrL)
0、O/+2
0.0θり
0.0/j
O,0/1
0 、oor
0.00り
0.0/乙
0、O/≠
0.0/3
走行耐久性
(万パス)
.2600
3000以上
3000以上
4A00
3000以上
3000以上
3000以上
3000以上
時間TI(分)
実施例−/ 10
実施例−2,26
実施例−730
実施例−弘 70
実施例−! タコ
実施例−6t。
実施例−73!
実施例−t 弘l
実施例−タ 3/
実施例−104113000以上 70 0,
006比較例−/ 7 700 11
O,0/j比較例−27/4t00 、
!t! 0.0/弘比較例−J io3/lo
o iro o、oi。
006比較例−/ 7 700 11
O,0/j比較例−27/4t00 、
!t! 0.0/弘比較例−J io3/lo
o iro o、oi。
比較例−4t 、2 2j0 6.2
0.0/2比較例−,t 7 13oo
to o、oir比較例−6//J
/100 170 0.θ/l比較例−7
73θ0 /20 0,00j〔発明の
効果〕 カーボン原子濃度が(Co + C2) タコとなるス
ノにツタ時間TIが?乃至98分の範囲にある本発明の
磁気ディスクは、温湿度サイクルにおける走行耐久性や
初期起動トルク等の走行耐久性が優れている。
0.0/2比較例−,t 7 13oo
to o、oir比較例−6//J
/100 170 0.θ/l比較例−7
73θ0 /20 0,00j〔発明の
効果〕 カーボン原子濃度が(Co + C2) タコとなるス
ノにツタ時間TIが?乃至98分の範囲にある本発明の
磁気ディスクは、温湿度サイクルにおける走行耐久性や
初期起動トルク等の走行耐久性が優れている。
そして、カーボン原子濃度に関し前記のような条件にす
るには、アルコール残基もしくは酸残基が分岐構造であ
るか不飽和λ重結合を有する炭化水素基であることが有
効である。
るには、アルコール残基もしくは酸残基が分岐構造であ
るか不飽和λ重結合を有する炭化水素基であることが有
効である。
特に強磁性粉末が強磁性金属粉末である場合で磁性層が
平滑になって表面粗さが小さくなると本−3≠− 発明の効果は顕著になりカーボン原子濃度が本発明の磁
気ディスクから外れると走行耐久性や初期起動トルクの
面で特性が低下してしまう。
平滑になって表面粗さが小さくなると本−3≠− 発明の効果は顕著になりカーボン原子濃度が本発明の磁
気ディスクから外れると走行耐久性や初期起動トルクの
面で特性が低下してしまう。
第1図は、本発明の磁気ディスクの磁性層の表面から深
さ方向における各原子濃度のスパッタ時間に対する変化
を示す図。 第 図
さ方向における各原子濃度のスパッタ時間に対する変化
を示す図。 第 図
Claims (2)
- (1)非磁性支持体上に強磁性粉末及び結合剤樹脂を主
体とする磁性層を有する磁気ディスクにおいて、オージ
エ電子分光法により磁性層の表面から深さ方向へスパッ
タリングした際のスパッタ開始時に測定されるカーボン
原子濃度をCo、該カーボン原子濃度が一定となつたと
きのカーボン原子濃度をC_2とした時、該カーボン原
子濃度が(Co+C_2)/2となるまでのスパッタ時
間T1が8乃至98分であることを特徴とする磁気ディ
スク。 - (2)前記スパッタ時間が17乃至74である特許請求
の範囲第1項記載の磁気ディスク。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257660A JP2559262B2 (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 磁気デイスク |
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