JPH0210539B2 - - Google Patents
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- JPH0210539B2 JPH0210539B2 JP1792482A JP1792482A JPH0210539B2 JP H0210539 B2 JPH0210539 B2 JP H0210539B2 JP 1792482 A JP1792482 A JP 1792482A JP 1792482 A JP1792482 A JP 1792482A JP H0210539 B2 JPH0210539 B2 JP H0210539B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はラツチングリレーの駆動回路に関し、
特にラツチングリレーの動作を制御するための入
力端子およびオートリセツトあるいはオートセツ
ト端子からの信号に応じて半導体スイツチング回
路を駆動してラツチングリレーを動作させるよう
にしたラツチングリレーの駆動回路に関し、その
主な目的とするところは、各入力端子からの信号
におけるノイズを簡単な構成で除去して誤動作を
防止するようにしたラツチングリレーの駆動回路
を提供することを目的とする。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a latching relay drive circuit,
In particular, it relates to a latching relay drive circuit that operates a latching relay by driving a semiconductor switching circuit in response to signals from an input terminal and an auto-reset or auto-set terminal for controlling the operation of the latching relay. The main object is to provide a latching relay drive circuit which eliminates noise in signals from each input terminal with a simple configuration and prevents malfunctions.
以下、図面によつて本発明の実施例を説明す
る。第1図は本発明の一実施例の全体回路図であ
る。論理回路1は、入力インターフエイス回路
2,3,4,5を介してリセツト入力端子R、セ
ツト入力端子S、トグル入力端子T、およびモノ
ステーブル入力端子Mにそれぞれ接続されてお
り、各入力端子R,S,T,Mには、外部のトラ
ンジスタ−トランジスタ−ロジツク回路(TTL)
や相補型金属酸化物半導体(C−MOS)などか
らの信号が、バツフア等を用いることなく入力さ
れる。論理回路1にはオートリセツトあるいはオ
ートセツト端子Aが接続されており、このオート
リセツトあるいはオートセツト端子Aからは、初
期の電源投入時や瞬時停電後の電源復帰時におけ
る、リレースイツチ6の初期状態を検出する信号
が与えられる。論理回路1からは、各端子R,
S,T,M,Aからの入力信号に応じて、半導体
スイツチング回路7を動作させるための信号が導
出される。半導体スイツチング回路7はいわゆる
1巻線のラツチングリレー8を含む。また論理回
路1には、単安定回路9および定電圧回路10が
接続される。なお、論理回路1は、負論理すなわ
ち通常はハイレベルにある信号がローレベルにな
つたときに、動作信号と見なして動作する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an overall circuit diagram of an embodiment of the present invention. The logic circuit 1 is connected to a reset input terminal R, a set input terminal S, a toggle input terminal T, and a monostable input terminal M via input interface circuits 2, 3, 4, and 5, respectively. R, S, T, and M are connected to external transistor-transistor-logic circuits (TTL).
A signal from a complementary metal oxide semiconductor (C-MOS) or the like is inputted without using a buffer or the like. An auto-reset or auto-set terminal A is connected to the logic circuit 1, and from this auto-reset or auto-set terminal A, the initial state of the relay switch 6 is determined when the power is initially turned on or when the power is restored after a momentary power outage. A signal is given to detect the From the logic circuit 1, each terminal R,
In response to input signals from S, T, M, and A, signals for operating the semiconductor switching circuit 7 are derived. The semiconductor switching circuit 7 includes a so-called one-winding latching relay 8. Further, a monostable circuit 9 and a constant voltage circuit 10 are connected to the logic circuit 1. Note that the logic circuit 1 operates when a negative logic signal, that is, a signal that is normally at a high level becomes a low level, as an operation signal.
なお、リセツト端子Rからのリセツト信号が入
力されると、ラツチングリレー8がセツト状態に
あるときはリセツトされ、リセツト状態にあると
きはリセツト状態が保持される。セツト端子Sか
らのセツト信号が入力されると、ラツチングリレ
ー8がセツト状態にあるときはセツト状態が保持
され、リセツト状態にあるときにはセツト状態に
される。またトグル端子Tからのトグル信号が入
力されると、ラツチングリレー8は、トグル信号
のパルスの変化に応じてセツト状態とリセツト状
態とに交互に反転する。さらにモノステーブル端
子Mからモノステーブル信号が入力されると、ラ
ツチングリレー8はモノステーブル信号の立ち上
りと立ち下りとに応じてリセツト状態とセツト状
態とを繰返す。 When a reset signal is input from the reset terminal R, the latching relay 8 is reset if it is in the set state, and the reset state is maintained if it is in the reset state. When the set signal from the set terminal S is input, the set state is maintained when the latching relay 8 is in the set state, and it is brought into the set state when it is in the reset state. Further, when a toggle signal from the toggle terminal T is input, the latching relay 8 is alternately inverted between a set state and a reset state in accordance with changes in the pulse of the toggle signal. Furthermore, when a monostable signal is input from the monostable terminal M, the latching relay 8 repeats the reset state and the set state in response to the rise and fall of the monostable signal.
半導体スイツチング回路7において、ダイオー
ド11、トランジスタTR1,TR2は直列接続
され、トランジスタTR1,TR2の接続点12
は、リレーコイル13の一方端子に接続される。
ダイオード14、トランジスタTR3,TR4は
直列接続され、トランジスタTR3,TR4の接
続点15はリレーコイル13の他方端子に接続さ
れる。接続点12,15間にはリレーコイル13
の逆起電力防止用としてツエナダイオード16,
17が相互に逆方向に接続される。 In the semiconductor switching circuit 7, the diode 11 and the transistors TR1 and TR2 are connected in series, and the connection point 12 between the transistors TR1 and TR2
is connected to one terminal of the relay coil 13.
The diode 14 and the transistors TR3 and TR4 are connected in series, and a connection point 15 between the transistors TR3 and TR4 is connected to the other terminal of the relay coil 13. A relay coil 13 is connected between connection points 12 and 15.
A Zener diode 16 is used to prevent back electromotive force.
17 are connected in opposite directions.
ANDゲートG1の出力はトランジスタTR5
のベースに与えられるとともに、前述のトランジ
スタTR2のベースに与えられる。トランジスタ
TR5のコレクタはトランジスタTR6のベース
に接続される。ANDゲートG2の出力はトラン
ジスタTR4のベースに与えられるとともに、ト
ランジスタTR7のベースに与えられる。トラン
ジスタTR7のコレクタはトランジスタTR8の
ベースに接続される。 The output of AND gate G1 is transistor TR5
and the base of the aforementioned transistor TR2. transistor
The collector of TR5 is connected to the base of transistor TR6. The output of AND gate G2 is applied to the base of transistor TR4 and also to the base of transistor TR7. The collector of transistor TR7 is connected to the base of transistor TR8.
ANDゲートG1からのセツト信号がトランジ
スタTR2,TR5のベースに与えられると、ト
ランジスタTR3,TR2が導通し、リレーコイ
ル13に矢符18の方向に励磁電流が流れてラツ
チングリレー8がセツトされる。一方、ANDゲ
ートG2からのリセツト信号がトランジスタTR
7,TR4のベースに与えられると、トランジス
タTR1,TR4が導通し、リレーコイル13に
矢符18とは逆の矢符19の方向に励磁電流が流
れてラツチングリレー8がリセツトされる。 When the set signal from AND gate G1 is applied to the bases of transistors TR2 and TR5, transistors TR3 and TR2 become conductive, and excitation current flows through relay coil 13 in the direction of arrow 18, setting latching relay 8. . On the other hand, the reset signal from AND gate G2 is applied to transistor TR.
When applied to the bases of transistors TR1 and TR4, the excitation current flows through the relay coil 13 in the direction of the arrow 19 opposite to the arrow 18, and the latching relay 8 is reset.
ツエナダイオード16,17はリレーコイル1
3のインダクタンスによる逆起電圧を吸収する。
これらのツエナダイオード16,17のツエナ電
圧Vzは次の条件を満さねばならない。まず(1)端
子20に供給されている供給電圧Vccが最大とな
つたとき、リレーコイル13にかかる電圧によつ
てツエナダイオード16,17が導通しないこと
である。すなわち、ツエナ電圧Vzがリレーコイ
ル13にかかる電圧よりも低いと、ツエナダイオ
ード16,17が導通してリレーコイル13に励
磁電流が流れなくなり、ラツチングリレー8が動
作しなくなるからである。次に(2)ツエナ電圧Vz
は半導体スイツチング回路7の最小の耐圧部より
も低いことである。言い換えると、リレーコイル
13の両端に発生する逆起電圧がツエナダイオー
ド16,17で吸収されるためには、ツエナ電圧
Vzを半導体スイツチング回路7の最小の耐圧部
よりも低く設定しておかなければならない。以上
の(1)、(2)の条件をまとめると、次のようになる。 Zener diodes 16 and 17 are relay coil 1
Absorbs the back electromotive force due to the inductance of No. 3.
The Zener voltage Vz of these Zener diodes 16 and 17 must satisfy the following conditions. First, (1) when the supply voltage Vcc supplied to the terminal 20 reaches the maximum, the Zener diodes 16 and 17 do not conduct due to the voltage applied to the relay coil 13. That is, if the zener voltage Vz is lower than the voltage applied to the relay coil 13, the zener diodes 16 and 17 become conductive, and the excitation current no longer flows through the relay coil 13, causing the latching relay 8 to become inoperable. Next (2) Zener voltage Vz
is lower than the minimum breakdown voltage section of the semiconductor switching circuit 7. In other words, in order for the back electromotive force generated across the relay coil 13 to be absorbed by the Zener diodes 16 and 17, the Zener voltage must be
Vz must be set lower than the minimum breakdown voltage section of the semiconductor switching circuit 7. The conditions (1) and (2) above are summarized as follows.
VR<Vz<Vm …(1)
第1式において、記号VRは供給電圧Vccが最
大のときにリレーコイル13の両端にかかる電圧
であり、記号Vmは半導体スイツチング回路7の
最小耐圧である。 VR<Vz<Vm (1) In the first equation, the symbol VR is the voltage applied to both ends of the relay coil 13 when the supply voltage Vcc is maximum, and the symbol Vm is the minimum breakdown voltage of the semiconductor switching circuit 7.
ところで従来からの半導体スイツチング回路で
は、ダイオード11,14が設けられていないの
で、供給電圧Vccが4.75〜15Vの範囲では、第1
式を満足することができない。すなわち、Vcc=
15Vのときにリレーコイル13の両端にかかる電
圧は10Vである。ここでツエナダイオード16,
17の電圧は、ベース、エミツタ間の逆耐圧を用
いるので、1個当り約7.4Vであり、2個直列に
接続しているので、全体として約14.8Vである。
ところが、半導体スイツチング回路7の最小耐圧
VmはトランジスタTR3,TR1のベース、エミ
ツタ間の逆耐圧と、供給電圧Vccの最小値との和
であり、約12.15Vである。そのため第1式を満
足することができない。したがつて従来からの半
導体スイツチング回路では、ツエナダイオード1
6,17が設けられてはいるが、リレーコイル1
3の逆起電圧がツエナダイオード16,17に吸
収されずに、端子20に抜けていたことになる。
ところが、この実施例によれば、半導体スイツチ
ング回路7の最小耐圧部にダイオード11,14
が設けられているので、最小耐圧Vmはトランジ
スタTR3,TR1のエミツタ、ベース間の逆耐
圧と、ダイオード11,14のエミツタ、ベース
間の逆耐圧と、供給電圧Vccの最小値との和であ
り、たとえば7.4+7.4+4.75=19.55Vである。し
たがつて、第1式を満足することができ、リレー
コイル13の逆起電圧が、ツエナダイオード1
6,17で確実に吸収されることになる。 By the way, in the conventional semiconductor switching circuit, the diodes 11 and 14 are not provided, so when the supply voltage Vcc is in the range of 4.75 to 15V, the first
cannot satisfy the formula. That is, Vcc=
When the voltage is 15V, the voltage applied to both ends of the relay coil 13 is 10V. Here, the Zener diode 16,
The voltage of 17 is about 7.4V per piece because the reverse breakdown voltage between the base and emitter is used, and since two pieces are connected in series, the total voltage is about 14.8V.
However, the minimum breakdown voltage of the semiconductor switching circuit 7
Vm is the sum of the reverse breakdown voltage between the base and emitter of the transistors TR3 and TR1 and the minimum value of the supply voltage Vcc, and is approximately 12.15V. Therefore, the first equation cannot be satisfied. Therefore, in conventional semiconductor switching circuits, the Zener diode 1
6 and 17 are provided, but the relay coil 1
This means that the back electromotive voltage of No. 3 was not absorbed by the Zener diodes 16 and 17 and was leaked to the terminal 20.
However, according to this embodiment, the diodes 11 and 14 are provided in the minimum breakdown voltage section of the semiconductor switching circuit 7.
Therefore, the minimum withstand voltage Vm is the sum of the reverse withstand voltage between the emitters and bases of transistors TR3 and TR1, the reverse withstand voltage between the emitters and bases of diodes 11 and 14, and the minimum value of the supply voltage Vcc. , for example, 7.4+7.4+4.75=19.55V. Therefore, the first equation can be satisfied, and the back electromotive force of the relay coil 13 is equal to that of the Zener diode 1.
6, 17 will definitely be absorbed.
第2図を参照して、入力インターフエイス回路
2において、リセツト入力端子Rは、ダイオード
21,22,23,24を介してトランジスタ
TR9のベースに接続され、トランジスタTR9
のコレクタはリセツト入力優先回路25に接続さ
れる。ダイオード22はトランジスタのコレク
タ、ベース間ダイオードであり、70〜100Vの逆
耐圧を有する。このダイオード22によつて伝送
線路からのサージが抑制される。なお、ダイオー
ド22,23間には、定電圧回路10からの電圧
を供給するための端子26が接続される。他の入
力インターフエイス回路3,4,5に関しては上
述のインターフエイス回路2と同様に構成されて
おり、インターフエイス回路3の出力はリセツト
入力優先回路25に与えられ、インターフエイス
回路4,5の出力はトグル入力優先回路27に与
えられる。 Referring to FIG. 2, in the input interface circuit 2, the reset input terminal R is connected to the transistors via diodes 21, 22, 23, and 24.
connected to the base of TR9, transistor TR9
The collector of is connected to the reset input priority circuit 25. The diode 22 is a collector-base diode of a transistor, and has a reverse breakdown voltage of 70 to 100V. This diode 22 suppresses surges from the transmission line. Note that a terminal 26 for supplying voltage from the constant voltage circuit 10 is connected between the diodes 22 and 23. The other input interface circuits 3, 4, and 5 are configured similarly to the above-mentioned interface circuit 2, and the output of the interface circuit 3 is given to the reset input priority circuit 25, and the output of the interface circuit 3 is given to the reset input priority circuit 25. The output is given to a toggle input priority circuit 27.
リセツト入力優先回路25は、リセツト入力端
子Rから入力インターフエイス回路2を介して入
力されるリセツト信号と、セツト入力端子Sから
入力インターフエイス回路3を介して入力される
セツト信号とが同時に入力されたときに、リセツ
ト信号を優先して次の第1ノイズ除去回路28に
与える回路である。またトグル入力優先回路27
は、トグル入力端子Tからインターフエイス回路
4を介して入力されるトグル信号と、モノステー
ブル入力端子Mからインターフエイス回路5を介
して入力されるモノステーブル信号とが同時に入
力されたときに、トグル信号を優先して第1ノイ
ズ除去回路28に与える回路である。なお、リセ
ツト信号とトグル信号とが同時に入力されたとき
には、後段のフリツプフロツプ29において、リ
セツト信号が優先される。したがつて論理回路1
においては、全体としての信号の優先順位は、リ
セツト信号>セツト信号>トグル信号>モノステ
ーブル信号となる。 The reset input priority circuit 25 receives a reset signal inputted from the reset input terminal R via the input interface circuit 2 and a set signal inputted from the set input terminal S via the input interface circuit 3 at the same time. This is a circuit that gives priority to the reset signal and supplies it to the next first noise removal circuit 28 when the noise is removed. Also, the toggle input priority circuit 27
is a toggle signal when a toggle signal input from the toggle input terminal T via the interface circuit 4 and a monostable signal input from the monostable input terminal M via the interface circuit 5 are input simultaneously. This circuit gives priority to the signal and supplies it to the first noise removal circuit 28. Note that when the reset signal and the toggle signal are input at the same time, the reset signal is given priority in the flip-flop 29 at the subsequent stage. Therefore, logic circuit 1
In this case, the overall signal priority is reset signal>set signal>toggle signal>monostable signal.
第1ノイズ除去回路28は、信号ラインに乗つ
てきた負方向性のノイズを除去する。ここで、負
方向性のノイズとは、第3図でN-と表したノイ
ズであり、入力信号がハイレベルである状態すな
わち動作信号が与えられていない状態において入
力信号をローレベルとするノイズである。また正
方向性のノイズとは、第3図でN+と表したノイ
ズである。なお、第1ノイズ除去回路28には、
各信号が反転されて与えられており、したがつて
第1ノイズ除去回路28においては、負方向性の
ノイズN-はハイレベルであり、正方向性のノイ
ズN+はローレベルである。 The first noise removal circuit 28 removes negative direction noise that has arrived on the signal line. Here, negative direction noise is the noise represented by N - in Figure 3, and is noise that causes the input signal to be at a low level when the input signal is at a high level, that is, when no operating signal is given. It is. Further, the positive direction noise is the noise represented as N + in FIG. Note that the first noise removal circuit 28 includes:
Each signal is inverted and provided, so in the first noise removal circuit 28, the negative direction noise N - is at a high level and the positive direction noise N + is at a low level.
第1ノイズ除去回路28において、リセツト入
力優先回路25を介するリセツト信号はライン3
0を介してORゲートG3に与えられるとともに
ANDゲートG4の一方の入力端に与えられ、セ
ツト信号はライン31を介してORゲートG3に
与えられるとともにANDゲートG5の一方の入
力端に与えられる。またトグル入力優先回路27
を介するトグル信号はライン32を介してORゲ
ートG3に与えられるとともにANDゲートG6
の一方の入力端に与えられ、モノステーブル信号
はライン33を介してORゲートG3に与えられ
るとともに、ANDゲートG7の一方の入力端に
与えられる。ORゲートG3の出力は遅延回路3
4を介してANDゲートG4,G5,G6,G7
の他方の入力端にそれぞれ与えられる。このよう
な第1ノイズ除去回路28によれば、遅延回路3
4における遅延時間よりも短いパルス幅の小さい
信号すなわちノイズは全て除去される。なお、遅
延回路とANDゲートを用いてノイズを除去する
回路は従来から周知であるが、本件第1ノイズ除
去回路28によれば、遅延回路34を1個設ける
だけで4つの信号ラインのノイズを除去すること
ができ、回路構成が簡単である。 In the first noise removal circuit 28, the reset signal via the reset input priority circuit 25 is connected to line 3.
0 to OR gate G3 through
The set signal is applied to one input of AND gate G4, and the set signal is applied via line 31 to OR gate G3 and to one input of AND gate G5. Also, the toggle input priority circuit 27
The toggle signal via line 32 is applied to OR gate G3 and AND gate G6.
The monostable signal is applied via line 33 to OR gate G3 and to one input of AND gate G7. The output of OR gate G3 is the delay circuit 3
4 through AND gates G4, G5, G6, G7
are respectively applied to the other input terminals of the . According to the first noise removal circuit 28, the delay circuit 3
All signals with a pulse width shorter than the delay time in step 4, that is, noise, are removed. Note that circuits that remove noise using delay circuits and AND gates are well known, but according to the first noise removal circuit 28 of the present invention, noise on four signal lines can be removed by just providing one delay circuit 34. It can be removed and the circuit configuration is simple.
ANDゲートG6の出力は第4図で示す第2ノ
イズ除去回路35に与えられる。第2ノイズ除去
回路35において、ANDゲートG6の出力は反
転回路36に与えられ、反転回路36の出力は遅
延回路37を介して出力されるとともにライン3
8に直接出力され、遅延回路37はライン38に
ワイアードアンド接続される。この第2ノイズ除
去回路35によれば、負論理における正方向性ノ
イズN+が除去される。ANDゲートG7の出力
は、第2ノイズ除去回路35と同様に構成された
第3ノイズ除去回路39に与えられ、この第3ノ
イズ除去回路39においても負論理における正方
向性ノイズN+が除去される。第3ノイズ除去回
路39の出力ライン42はエツジデイテクタ回路
43に接続される。このエツジデイテクタ回路4
3は、入力信号の立ち上りまたは立ち下りに応じ
て1個のパルスを発生するもので、エツジデイテ
クタ回路43の出力はライン44の途中のORゲ
ートG13を介してANDゲートG8の一方の入
力端に接続され、ORゲートG13の一方の入力
端にはライン38が接続される。 The output of AND gate G6 is applied to a second noise removal circuit 35 shown in FIG. In the second noise removal circuit 35, the output of the AND gate G6 is given to the inverting circuit 36, and the output of the inverting circuit 36 is outputted via the delay circuit 37 and the line 3
8 and the delay circuit 37 is wired and connected to line 38. According to the second noise removal circuit 35, positive direction noise N + in negative logic is removed. The output of the AND gate G7 is given to a third noise removal circuit 39 configured similarly to the second noise removal circuit 35, and this third noise removal circuit 39 also removes positive direction noise N + in negative logic. Ru. An output line 42 of the third noise removal circuit 39 is connected to an edge detector circuit 43. This edge detector circuit 4
3 generates one pulse in response to the rise or fall of the input signal, and the output of the edge detector circuit 43 is connected to one input terminal of the AND gate G8 via the OR gate G13 in the middle of the line 44. A line 38 is connected to one input terminal of the OR gate G13.
ANDゲートG4の出力はフリツプフロツプ2
9のクリア端子CLRに接続され、ANDゲートG
5の出力はフリツプフロツプ29のプリセツト端
子PRSに接続される。このように、リセツト信
号およびセツト信号は第1ノイズ除去回路28に
よつて負方向性のノイズN-を除去されるだけで
フリツプフロツプ29に与えられるが、これはフ
リツプフロツプ29がセツトまたはリセツトされ
ると、正方向性のノイズN+によつて何回もセツ
トまたはリセツトが繰返されるだけであり、動作
には影響しないからである。 The output of AND gate G4 is flip-flop 2
9's clear terminal CLR, AND gate G
The output of 5 is connected to the preset terminal PRS of flip-flop 29. In this way, the reset signal and the set signal are applied to the flip-flop 29 only after the negative direction noise N - is removed by the first noise removal circuit 28, but this is because the flip-flop 29 is set or reset. This is because the setting or resetting is simply repeated many times due to the positive direction noise N + , and the operation is not affected.
オートリセツトあるいはオートセツト端子A
は、ダイオード45を備えるライン46を介して
トランジスタTR10のベースに接続される。ト
ランジスタTR10のコレクタは反転回路47に
接続され、反転回路47の出力はライン48を介
してANDゲートG5の出力ライン49とORゲー
トG14で接続されるとともに、反転回路50に
接続される。この反転回路50の出力はライン5
1を介して、ANDゲートG4の出力ライン52
とORゲートG15で接続される。ライン48,
51の途中には反転回路53の出力がライン11
1,112を介してワイアードアンド接続され
る。反転回路53には反転回路54の出力が与え
られており、反転回路54にはトランジスタTR
11のコレクタが接続される。このトランジスタ
TR11のベースには、遅延時間を長くするため
のダイオード55,56、コンデンサ57、およ
び抵抗58を介して端子59が接続されており、
端子59には定電圧回路10からの電圧が供給さ
れる。反転回路53の出力ライン60には、反転
回路54の出力がライン110を介してワイアー
ドアンド接続されており、ライン60はORゲー
トG12の一方の入力端に接続される。 Auto-reset or auto-set terminal A
is connected to the base of transistor TR10 via a line 46 comprising a diode 45. The collector of the transistor TR10 is connected to an inverting circuit 47, and the output of the inverting circuit 47 is connected via a line 48 to an output line 49 of an AND gate G5 by an OR gate G14, and also to an inverting circuit 50. The output of this inversion circuit 50 is line 5
1 to the output line 52 of AND gate G4.
and is connected by OR gate G15. line 48,
In the middle of line 51, the output of inverting circuit 53 is connected to line 11.
1,112. The inverting circuit 53 is supplied with the output of the inverting circuit 54, and the inverting circuit 54 includes a transistor TR.
11 collectors are connected. this transistor
A terminal 59 is connected to the base of the TR11 via diodes 55, 56, a capacitor 57, and a resistor 58 for increasing the delay time.
A voltage from the constant voltage circuit 10 is supplied to the terminal 59 . The output of the inverting circuit 54 is wired and connected to the output line 60 of the inverting circuit 53 via a line 110, and the line 60 is connected to one input terminal of an OR gate G12.
なお、ライン46の途中には抵抗62を介して
定電圧回路10からの電圧を与えるための端子6
3が接続されるとともに、リレースイツチ6の一
方端が接続され、このリレースイツチ6の他方端
は接地される。 Note that there is a terminal 6 in the middle of the line 46 for applying voltage from the constant voltage circuit 10 via a resistor 62.
3 is connected, one end of the relay switch 6 is connected, and the other end of the relay switch 6 is grounded.
このような回路は最初の電源投入時あるいは瞬
時停電時からの回復時に、ラツチングリレー8の
初期状態を決定する。すなわち、リレースイツチ
6が導通状態にあるときにはオートセツト回路と
なり、電源投入時においてラツチングリレー8の
以前の状態がリセツトであればセツト状態とな
り、またラツチングリレー8の以前の状態がセツ
ト状態であればラツチングリレー8はそのままと
なる。またリレースイツチ6が遮断しているとき
にはオートリセツト回路となり、電源投入時にお
いてラツチングリレー8の以前の状態がセツトで
あればリセツト状態となり、リセツト状態であれ
ばラツチングリレー8はリセツト状態を保つ。し
たがつて、ラツチングリレー8のリレースイツチ
6を第1図のごとく接続すると、ラツチングリレ
ー8は電源投入時にその以前の状態を保つ。 Such a circuit determines the initial state of the latching relay 8 upon initial power-up or upon recovery from a momentary power failure. That is, when the relay switch 6 is in the conductive state, it becomes an auto-set circuit, and if the previous state of the latching relay 8 is reset when the power is turned on, it becomes the set state, and if the previous state of the latching relay 8 is the set state. If so, the latching relay 8 remains as it is. Also, when the relay switch 6 is cut off, it becomes an auto-reset circuit, and if the previous state of the latching relay 8 is set when the power is turned on, it becomes the reset state, and if it is in the reset state, the latching relay 8 maintains the reset state. . Therefore, if the relay switch 6 of the latching relay 8 is connected as shown in FIG. 1, the latching relay 8 will maintain its previous state when the power is turned on.
第5図を参照して動作を説明すると、第5図1
で示すように電源が投入されると、ある電圧値で
第5図2で示すように定電圧回路10が起動され
る。この定電圧回路10の起動に応じて、抵抗5
8を介してコンデンサ57が充電を開始し、その
コンデンサ57の両端の電圧がダイオード55,
56の順方向電圧降下とトランジスタTR11の
ベース、エミツタ間電圧との和に等しくなると、
TR11が導通してコレクタ電圧がローレベルと
なる。それに応じて反転回路54の出力はハイレ
ベルとなり、反転回路53の出力は第5図3で示
すようにローレベルとなる。一方、リレースイツ
チ6がたとえば遮断している状態において、定電
圧回路10が起動されると、トランジスタTR1
0が導通し、それに応じて反転回路47の出力が
第5図4で示すようにハイレベルとなる。なお、
リレースイツチ6が導通しているときには、トラ
ンジスタTR10は遮断しており、出力はハイレ
ベルであり、したがつて反転回路47の出力はロ
ーレベルである。反転回路47の出力がハイレベ
ルとなるのに応じて、反転回路50の出力は第5
図5で示すようにローレベルとなる。 To explain the operation with reference to Fig. 5, Fig. 5 1
When the power is turned on as shown in FIG. 5, the constant voltage circuit 10 is activated at a certain voltage value as shown in FIG. 2. In response to the activation of this constant voltage circuit 10, the resistor 5
The capacitor 57 starts charging via the diode 55,
When it becomes equal to the sum of the forward voltage drop of 56 and the voltage between the base and emitter of transistor TR11,
TR11 becomes conductive and the collector voltage becomes low level. Correspondingly, the output of the inverting circuit 54 becomes high level, and the output of the inverting circuit 53 becomes low level as shown in FIG. 5. On the other hand, when the constant voltage circuit 10 is activated in a state where the relay switch 6 is cut off, for example, the transistor TR1
0 becomes conductive, and accordingly, the output of the inverting circuit 47 becomes high level as shown in FIG. In addition,
When relay switch 6 is conductive, transistor TR10 is cut off and the output is at high level, so the output of inverting circuit 47 is at low level. In response to the output of the inversion circuit 47 becoming high level, the output of the inversion circuit 50 becomes the fifth level.
As shown in FIG. 5, it becomes a low level.
ライン48には、反転回路47と反転回路53
の出力とがワイアードアンドして導出されるの
で、ライン48に導出される信号は第5図6で示
すようになる。このライン48の信号は反転回路
53の出力がハイレベルとなつている時間だけす
なわちコンデンサ57が最終充電電圧まで充電さ
れる間だけ、ハイレベルであり、このハイレベル
の信号によつてフリツプフロツプ29がリセツト
される。この間ライン51に導出される信号は第
5図7で示すようにローレベルのままである。な
お、リレースイツチ6が導通している場合には、
フリツプフロツプ29はリセツトされる。 Line 48 includes an inverting circuit 47 and an inverting circuit 53.
Since the output of the line 48 is wired and derived, the signal derived on the line 48 is as shown in FIG. The signal on this line 48 is at a high level only while the output of the inverting circuit 53 is at a high level, that is, while the capacitor 57 is being charged to the final charging voltage. It will be reset. During this time, the signal led out to line 51 remains at a low level as shown in FIG. 5. In addition, when the relay switch 6 is conductive,
Flip-flop 29 is reset.
一方、反転回路53,54の遅延による出力を
アンドタイすることにより、コンデンサ57が充
電を完了した時点において、ライン60には第5
図8で示すトリガパルスが導出される。このトリ
ガパルスはORゲートG12を介して単安定回路
9に与えられ、単安定回路9からパルスが1個導
出される。このパルスは、ANDゲートG1,G
2に与えられ、今ラツチングリレー8がリセツト
されているとすると、フリツプフロツプ29のリ
セツト出力が半導体スイツチング回路7に与え
られて、ラツチングリレー8がリセツトされる。 On the other hand, by AND-tying the delayed outputs of the inverting circuits 53 and 54, the fifth
A trigger pulse shown in FIG. 8 is derived. This trigger pulse is applied to the monostable circuit 9 via the OR gate G12, and one pulse is derived from the monostable circuit 9. This pulse is applied to AND gates G1, G
2 and the latching relay 8 is now reset, the reset output of the flip-flop 29 is applied to the semiconductor switching circuit 7, and the latching relay 8 is reset.
フリツプフロツプ29のセツト出力QはAND
ゲートG1の一方の入力端に接続されるととも
に、エツジデイテクタ回路61に接続される。エ
ツジデイテクタ回路61はフリツプフロツプ29
のセツト出力Qの立ち上りまたは立ち下りのふち
を検出してパルスを発生するものであり、このパ
ルスはORゲートG12を介して単安定回路9に
与えられる。 The set output Q of flip-flop 29 is AND
It is connected to one input terminal of the gate G1 and also to the edge detector circuit 61. The edge detector circuit 61 is a flip-flop 29
A pulse is generated by detecting the edge of the rising or falling edge of the set output Q, and this pulse is applied to the monostable circuit 9 via the OR gate G12.
第6図は単安定回路9の構成を示す回路図であ
る。単安定回路9において、ORゲートG12の
出力は、トランジスタTR12のベースに与えら
れる。トランジスタTR12のエミツタには、抵
抗65およびダイオード66から成る直列回路を
介して端子67から定電圧回路10の出力が与え
られる。抵抗65、ダイオード66およびトラン
ジスタTR12から成る直列回路と並列に、抵抗
68、トランジスタTR13、抵抗69およびト
ランジスタTR14から成る直列回路、抵抗7
0、ダイオード71、抵抗72から成る直列回
路、ならびにトランジスタTR15、抵抗73お
よび抵抗74から成る直列回路が接続される。ま
たトランジスタTR16,TR17,TR18およ
び抵抗75から成る直列回路が前記各直列回路と
並列に設けられ、トランジスタTR16,TR1
7と並列にトランジスタTR19,TR20から
成る直列回路が接続される。トランジスタTR1
2のエミツタはダイオード76を介してトランジ
スタTR14のベースに接続され、トランジスタ
TR13のコレクタはコンデンサ77に接続され
る。トランジスタTR13,TR16,TR19の
各ベースは共通に接続されており、トランジスタ
TR14のコレクタはトランジスタTR17のベ
ースに接続され、トランジスタTR16,TR1
7の接続点はトランジスタTR15のベースに接
続され、ダイオード71および抵抗72の接続点
はトランジスタTR20のベースに接続される。
抵抗73,74の接続点はトランジスタTR21
のベースに接続され、このトランジスタTR21
のコレクタに接続されたライン78に出力パルス
が導出される。トランジスタTR18のベースに
はトランジスタTR22のベースおよびコレクタ
が接続されており、トランジスタTR22のベー
スは抵抗79を介して端子67に接続される。 FIG. 6 is a circuit diagram showing the configuration of the monostable circuit 9. In the monostable circuit 9, the output of the OR gate G12 is given to the base of the transistor TR12. The output of the constant voltage circuit 10 is applied to the emitter of the transistor TR12 from a terminal 67 via a series circuit consisting of a resistor 65 and a diode 66. A series circuit consisting of a resistor 68, a transistor TR13, a resistor 69, and a transistor TR14, and a resistor 7 are connected in parallel with the series circuit consisting of a resistor 65, a diode 66, and a transistor TR12.
A series circuit consisting of 0, a diode 71, and a resistor 72, and a series circuit consisting of a transistor TR15, a resistor 73, and a resistor 74 are connected. Further, a series circuit consisting of transistors TR16, TR17, TR18 and a resistor 75 is provided in parallel with each of the series circuits, and transistors TR16, TR1
A series circuit consisting of transistors TR19 and TR20 is connected in parallel with transistors TR19 and TR20. Transistor TR1
The emitter of transistor TR14 is connected to the base of transistor TR14 through a diode 76.
The collector of TR13 is connected to capacitor 77. The bases of transistors TR13, TR16, and TR19 are commonly connected, and the transistors
The collector of TR14 is connected to the base of transistor TR17, and transistors TR16 and TR1
The connection point between diode 71 and resistor 72 is connected to the base of transistor TR15, and the connection point between diode 71 and resistor 72 is connected to the base of transistor TR20.
The connection point between resistors 73 and 74 is transistor TR21
This transistor TR21 is connected to the base of
An output pulse is derived on line 78 connected to the collector of. The base and collector of a transistor TR22 are connected to the base of the transistor TR18, and the base of the transistor TR22 is connected to the terminal 67 via a resistor 79.
このような単安定回路9において、トランジス
タTR12は通常の状態では導通しており、抵抗
65およびダイオード66を介して電流が流れて
いる。この消費電力を低減するためには、抵抗6
5の値を大きくする必要があるが、この抵抗65
の値をむやみに大きくすることはモノリシツク
IC等においてはチツプサイズおよび精度の点か
ら好ましくない。ところが、抵抗65にダイオー
ド66が直列に接続されているので、抵抗65に
かかる電圧が等価的に減少せしめられ、それに応
じて消費電流が低減される。 In such a monostable circuit 9, the transistor TR12 is normally conductive, and current flows through the resistor 65 and diode 66. In order to reduce this power consumption, resistor 6
It is necessary to increase the value of 5, but this resistor 65
It is monolithic to increase the value of
It is not preferred in ICs etc. from the viewpoint of chip size and accuracy. However, since the diode 66 is connected in series with the resistor 65, the voltage applied to the resistor 65 is equivalently reduced, and current consumption is reduced accordingly.
一般的に単安定回路の出力のパルス幅は、モノ
リシツクIC等においては外付の抵抗とコンデン
サとによつて決められる。ここで、実装の関係上
外付部品を低減する必要がある場合においては、
図示のごとく抵抗を内部回路でまかなうようにす
ることができる。ところがそれらの抵抗値は
IMΩ程度のオーダーとなるので、この実施例で
は、抵抗68およびトランジスタTR13から成
る定電流回路からコンデンサ77に充電するよう
にしている。このようにすると、トランジスタ
TR19,TR20、および抵抗75を流れる定
電流回路の電流値が温度変化に応じて変化するの
で、出力パルスが温度条件によつて大きく変化す
る欠点がある。そこで、トランジスタTR18、
抵抗75、抵抗79およびトランジスタTR22
から成る定電流回路を設けるとともに、ダイオー
ド71を設けることにより、トランジスタTR2
0のベース、エミツタ間の電圧を一定にする。そ
れによつて、トランジスタTR19,TR20,
TR18,TR21を流れる電流が温度変化に拘
らず一定となり、したがつて単安定回路9の出力
パルス幅の温度特性がフラツトになる。 Generally, the output pulse width of a monostable circuit is determined by external resistors and capacitors in monolithic ICs. Here, if it is necessary to reduce the number of external parts due to mounting reasons,
As shown in the figure, the resistance can be provided by an internal circuit. However, their resistance values are
Since it is on the order of IMΩ, in this embodiment, the capacitor 77 is charged from a constant current circuit consisting of a resistor 68 and a transistor TR13. In this way, the transistor
Since the current value of the constant current circuit flowing through TR19, TR20 and resistor 75 changes according to temperature changes, there is a drawback that the output pulse changes greatly depending on the temperature conditions. Therefore, transistor TR18,
Resistor 75, resistor 79 and transistor TR22
By providing a constant current circuit consisting of a transistor TR2 and a diode 71,
Keep the voltage between the base and emitter of 0 constant. Thereby, transistors TR19, TR20,
The current flowing through TR18 and TR21 remains constant regardless of temperature changes, and therefore the temperature characteristic of the output pulse width of monostable circuit 9 becomes flat.
このような単安定回路9において、ORゲート
G12を介して入力されるトリガパルスに応じて
ライン78に出力パルスが導出される。このパル
スのパルス幅はコンデンサ77の静電容量を変化
することによつて調整され、ラツチングリレー8
が動作するのに必要な時間よりも大に選ばれる。
ライン78に導出されるパルスはANDゲートG
1,G2の他方の入力端に与えられるとともに、
反転回路80を介してANDゲートG8に与えら
れる。したがつて単安定回路9の出力パルスは、
半導体スイツチング回路7のセツト側回路を動作
させるか、あるいはリセツト側回路を動作させる
かの選択をするために用いられる。半導体スイツ
チング回路7は、単安定回路9からパルスが導出
されたときのみ動作してリレーコイル13に電流
が流れ、ラツチングリレー8が動作し終るとリレ
ーコイル13には電流が流れない。したがつて消
費電力が非常に小さい。 In such a monostable circuit 9, an output pulse is derived on line 78 in response to a trigger pulse inputted via OR gate G12. The pulse width of this pulse is adjusted by changing the capacitance of the capacitor 77, and the latching relay 8
is chosen to be greater than the time required for it to operate.
The pulse derived on line 78 is the AND gate G
1, given to the other input terminal of G2, and
It is applied to AND gate G8 via inverting circuit 80. Therefore, the output pulse of the monostable circuit 9 is
It is used to select whether to operate the set side circuit or the reset side circuit of the semiconductor switching circuit 7. The semiconductor switching circuit 7 operates only when a pulse is derived from the monostable circuit 9, causing current to flow through the relay coil 13, and no current flows through the relay coil 13 once the latching relay 8 has finished operating. Therefore, power consumption is extremely low.
ANDゲートG8の出力はフリツプフロツプ2
9のクロツク端子に与えられている。そのため、
単安定回路9からパルスが導出されると、その間
はトグル端子Tおよびモノステーブル端子Mから
の入力信号が受け付けられない。すなわち、第7
図1で示すようにチヤタリングのある入力信号が
ライン44を介してANDゲートG8に与えられ
ても、第7図2で示す単安定回路9の出力パルス
のパルス幅Tの間は、ANDゲートG8からは第
7図3で示すようにフリツプフロツプ29のクロ
ツク端子CKに信号が入力されない。したがつて、
単安定回路9のパルス幅Tよりも短いチヤタリン
グに対しては誤動作を生じないことになる。な
お、リセツト信号およびセツト信号については、
上述のごとき配慮はなされていないが、これは仮
にチヤタリングがあつたとしても、フリツプフロ
ツプ29が一旦動作すると、リセツトおよびセツ
ト動作が何回くり返されても、その状態を保持す
るだけであるからである。 The output of AND gate G8 is flip-flop 2
9 clock terminal. Therefore,
When a pulse is derived from the monostable circuit 9, input signals from the toggle terminal T and the monostable terminal M are not accepted during that time. That is, the seventh
Even if a chattering input signal is applied to the AND gate G8 via the line 44 as shown in FIG. 1, during the pulse width T of the output pulse of the monostable circuit 9 shown in FIG. From then on, no signal is input to the clock terminal CK of the flip-flop 29, as shown in FIG. Therefore,
Chattering shorter than the pulse width T of the monostable circuit 9 will not cause malfunction. Regarding the reset signal and set signal,
The above considerations are not taken because even if there is chattering, once the flip-flop 29 operates, it will only maintain that state no matter how many times the reset and set operations are repeated. be.
第8図は定電圧回路10の構成を示す回路図で
ある。図示しない電源からは、端子81に電源電
圧が供給される。この端子81には、トランジス
タTR23、抵抗82およびトランジスタTR2
4から成る直列回路、トランジスタTR25,
TR26、抵抗83、トランジスタTR27およ
び抵抗84から成る直列回路、トランジスタTR
28,TR29および抵抗85から成る直列回
路、ならびに抵抗86およびダイオード87,8
8,89,90,91,92から成る直列回路が
並列に接続される。トランジスタTR25,TR
26の接続点はトランジスタTR23のベースに
接続され、端子81とトランジスタTR23のベ
ースとの間にはトランジスタTR30が接続され
る。トランジスタTR30,TR25,TR28の
ベースは共通に接続される。トランジスタTR2
6および抵抗83の接続点はトランジスタTR2
9のベースに接続され、トランジスタTR29の
ベースはトランジスタTR31を介して接地され
るとともに、ダイオード93を介してダイオード
89,90の接続点に接続される。トランジスタ
TR31のベースには、抵抗83およびトランジ
スタTR27の接続点が接続される。トランジス
タTR26のベースにはトランジスタTR23お
よび抵抗82の接続点94が接続されており、接
続点94に接続されたライン95からは一定電圧
の供給電圧が端子26,59,63,67に導出
される。 FIG. 8 is a circuit diagram showing the configuration of the constant voltage circuit 10. A power supply voltage is supplied to the terminal 81 from a power supply (not shown). This terminal 81 has a transistor TR23, a resistor 82 and a transistor TR2.
A series circuit consisting of 4 transistors TR25,
Series circuit consisting of TR26, resistor 83, transistor TR27 and resistor 84, transistor TR
28, a series circuit consisting of TR29 and resistor 85, as well as resistor 86 and diode 87,8
A series circuit consisting of 8, 89, 90, 91, and 92 is connected in parallel. Transistor TR25, TR
The connection point 26 is connected to the base of the transistor TR23, and the transistor TR30 is connected between the terminal 81 and the base of the transistor TR23. The bases of transistors TR30, TR25, and TR28 are commonly connected. Transistor TR2
The connection point between 6 and resistor 83 is transistor TR2.
The base of the transistor TR29 is grounded via the transistor TR31, and is also connected via a diode 93 to the connection point between the diodes 89 and 90. transistor
A connection point between a resistor 83 and a transistor TR27 is connected to the base of TR31. A connection point 94 between the transistor TR23 and the resistor 82 is connected to the base of the transistor TR26, and a constant supply voltage is derived from a line 95 connected to the connection point 94 to terminals 26, 59, 63, and 67. .
このような定電圧回路10は電源電圧の変化
(4.75V〜15V)に対して、論理回路1、入力イン
ターフエイス回路2〜5などの周辺回路への供給
電圧を一定とする。ここで、従来技術の定電圧回
路ではダイオード87〜89が設けられていなか
つたので、電源投入時において定電圧回路10は
電源電圧がダイオード3個すなわち2.1Vになつ
たときに出力を導出していた。そのため、電源電
圧の立ち上りが遅い場合には、オートセツトある
いはオートリセツトのためのパルスが半導体スイ
ツチング回路7に与えられても、ラツチングリレ
ー8の最小動作電圧よりも供給電圧Vccが低いこ
とが生じ、ラツチングリレー8が動作しないこと
が生じるおそれがあつた。しかし定電圧回路10
では6個のダイオード87〜92を直列に接続し
ているので定電圧回路10の起動電圧は4.2Vと
なる。一方、ラツチングリレー8の最小動作電圧
は約4.0Vである。したがつて、電源電圧のどの
ような立ち上りに対してもオートセツトあるいは
オートリセツト動作が確実に達成される。 Such a constant voltage circuit 10 keeps the voltage supplied to peripheral circuits such as the logic circuit 1 and the input interface circuits 2 to 5 constant even when the power supply voltage changes (4.75V to 15V). Here, since the diodes 87 to 89 were not provided in the conventional voltage regulator circuit, when the power is turned on, the regulator circuit 10 derives an output when the power supply voltage reaches three diodes, that is, 2.1V. Ta. Therefore, if the power supply voltage rises slowly, even if a pulse for autoset or autoreset is given to the semiconductor switching circuit 7, the supply voltage Vcc may be lower than the minimum operating voltage of the latching relay 8. , there was a risk that the latching relay 8 would not operate. However, constant voltage circuit 10
Since six diodes 87 to 92 are connected in series, the starting voltage of the constant voltage circuit 10 is 4.2V. On the other hand, the minimum operating voltage of the latching relay 8 is approximately 4.0V. Therefore, autoset or autoreset operation is reliably achieved for any rise in power supply voltage.
本発明の他の実施例として、第9図に示すよう
なノイズ除去回路を用いてもよい。このノイズ除
去回路95において、反転回路96の出力は反転
回路97にライン98を介して与えられる。また
反転回路97の出力は遅延回路99に与えられ、
遅延回路99の出力はライン98にワイアードア
ンド接続される。反転回路97の出力はライン1
00を介して導出されるとともに、遅延回路10
1に与えられ、遅延回路101の出力はライン1
00にワイアードアンド接続される。 As another embodiment of the present invention, a noise removal circuit as shown in FIG. 9 may be used. In this noise removal circuit 95, the output of an inversion circuit 96 is applied to an inversion circuit 97 via a line 98. Further, the output of the inverting circuit 97 is given to a delay circuit 99,
The output of delay circuit 99 is wired and connected to line 98. The output of the inverting circuit 97 is line 1
00 and the delay circuit 10
1 and the output of the delay circuit 101 is applied to line 1.
Wired and connected to 00.
第10図を参照して、反転回路96に与えられ
る信号の波形を第10図1で示すようにすると、
反転回路96の出力は第10図2で示され、遅延
回路99の出力は第10図3で示される。したが
つて反転回路97に与えられる信号は第10図4
で示されるように正方向性ノイズN+を除去され
ている。反転回路97の出力は第10図5で示さ
れ、遅延回路101の出力は第10図6で示され
る。したがつてノイズ除去回路95から導出され
る信号は、第10図7で示すようにN+、N-のノ
イズを除去されている。 Referring to FIG. 10, if the waveform of the signal applied to the inversion circuit 96 is as shown in FIG. 10,
The output of the inverting circuit 96 is shown in FIG. 10, and the output of the delay circuit 99 is shown in FIG. 10, 3. Therefore, the signal given to the inverting circuit 97 is as shown in FIG.
The positive directional noise N + has been removed as shown in . The output of the inverting circuit 97 is shown in FIG. 10, and the output of the delay circuit 101 is shown in FIG. 10, 6. Therefore, the signal derived from the noise removal circuit 95 has N + and N - noises removed as shown in FIG. 10.
このようなノイズ除去回路は、第2図で示した
第1ノイズ除去回路28、第2ノイズ除去回路3
5、第3ノイズ除去回路39に代えて、トグル信
号ラインとモノステーブル信号ラインに用いるこ
とができる。しかも、従来からのノイズ除去回路
は第11図に示すように6個の反転回路102〜
107と2個の遅延回路108,109とを必要
とするのに対し、2個の反転回路96,97と2
個の遅延回路99,101とで構成されており、
回路構成が簡単になる。 Such a noise removal circuit includes the first noise removal circuit 28 and the second noise removal circuit 3 shown in FIG.
5. Instead of the third noise removal circuit 39, it can be used for toggle signal lines and monostable signal lines. Moreover, the conventional noise removal circuit has six inverting circuits 102 to 102 as shown in FIG.
107 and two delay circuits 108, 109, two inverting circuits 96, 97 and 2 are required.
It is composed of delay circuits 99 and 101,
The circuit configuration becomes simpler.
上述のごとく本発明によれば非常に簡単な構成
のノイズ除去回路によつて、入力信号に混入した
ノイズを確実に除去することができ、したがつて
誤動作を確実に防止することができる。 As described above, according to the present invention, noise mixed in an input signal can be reliably removed using a noise removal circuit having a very simple configuration, and therefore malfunctions can be reliably prevented.
第1図は本発明の一実施例の全体回路図、第2
図は入力インターフエイス回路7の回路図、第3
図はノイズを説明するための図、第4図は第2ノ
イズ除去回路35の回路図、第5図はオートリセ
ツトあるいはオートセツト端子Aからの信号に応
答した動作を説明するためのタイミングチヤー
ト、第6図は単安定回路9の回路図、第7図はフ
リツプフロツプ29のクロツク端子CKに入力さ
れる信号を説明するためのタイミングチヤート、
第8図は定電圧回路10の回路図、第9図は本発
明の他の実施例のノイズ除去回路95の回路図、
第10図はノイズ除去回路95のタイミングチヤ
ート、第11図は従来からのノイズ除去回路の回
路図である。
1……論理回路、2〜5……入力インターフエ
イス回路、6……リレースイツチ、7……半導体
スイツチング回路、8……ラツチングリレー、9
……単安定回路、10……定電圧回路、11,1
4……ダイオード、28……第1ノイズ除去回
路、29……フリツプフロツプ、35……第2ノ
イズ除去回路、36……第3ノイズ除去回路、9
5……ノイズ除去回路、TR1〜TR31……ト
ランジスタ、R……リセツト端子、S……セツト
端子、T……トグル端子、M……モノステーブル
端子、A……オートリセツトあるいはオートセツ
ト端子。
Fig. 1 is an overall circuit diagram of an embodiment of the present invention, Fig. 2 is an overall circuit diagram of an embodiment of the present invention;
The figure is a circuit diagram of the input interface circuit 7.
4 is a circuit diagram of the second noise removal circuit 35, and FIG. 5 is a timing chart for explaining the operation in response to a signal from the auto-reset or auto-set terminal A. 6 is a circuit diagram of the monostable circuit 9, and FIG. 7 is a timing chart for explaining the signal input to the clock terminal CK of the flip-flop 29.
FIG. 8 is a circuit diagram of the constant voltage circuit 10, FIG. 9 is a circuit diagram of a noise removal circuit 95 according to another embodiment of the present invention,
FIG. 10 is a timing chart of the noise removal circuit 95, and FIG. 11 is a circuit diagram of a conventional noise removal circuit. 1...Logic circuit, 2-5...Input interface circuit, 6...Relay switch, 7...Semiconductor switching circuit, 8...Latching relay, 9
... Monostable circuit, 10 ... Constant voltage circuit, 11,1
4... Diode, 28... First noise removal circuit, 29... Flip-flop, 35... Second noise removal circuit, 36... Third noise removal circuit, 9
5... Noise removal circuit, TR1 to TR31... Transistor, R... Reset terminal, S... Set terminal, T... Toggle terminal, M... Monostable terminal, A... Auto-reset or auto-set terminal.
Claims (1)
力端子およびオートリセツトあるいはオートセツ
ト端子からの各信号に応答する論理回路における
フリツプフロツプのセツト出力およびリセツト出
力を、ラツチングリレーのリレースイツチのスイ
ツチング態様を制御するための半導体スイツチン
グ回路に与えるようにしたラツチングリレーの駆
動回路において、前記入力端子からの信号は入力
インターフエイス回路を介して論理回路に与えら
れ、論理回路において各信号は遅延回路を介する
信号との一致によつて出力を導出するようにして
ノイズを除去するノイズ除去回路に与えられ、し
かもそのノイズ除去回路はフリツプフロツプをセ
ツトあるいはリセツトする信号を除くラインにお
いて正負両方向のノイズを除去すべく構成され、
前記フリツプフロツプのセツトおよびリセツトの
ための信号ラインにおいては前記セツトおよびリ
セツト動作を行なうための信号とは逆方向のノイ
ズのみを除去すべく構成されることを特徴とする
ラツチングリレーの駆動回路。1. Controls the switching mode of the relay switch of the latching relay by controlling the set output and reset output of the flip-flop in the logic circuit that responds to each signal from the input terminal and the auto-reset or auto-set terminal for controlling the operation of the latching relay. In a latching relay drive circuit that is applied to a semiconductor switching circuit for the purpose of is applied to a noise removal circuit that removes noise by deriving an output based on the coincidence with is,
A latching relay drive circuit characterized in that the signal line for setting and resetting the flip-flop is configured to remove only noise in a direction opposite to that of the signal for performing the set and reset operations.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57017924A JPS58135540A (en) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | Drive circuit for latching relay |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57017924A JPS58135540A (en) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | Drive circuit for latching relay |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58135540A JPS58135540A (en) | 1983-08-12 |
| JPH0210539B2 true JPH0210539B2 (en) | 1990-03-08 |
Family
ID=11957311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57017924A Granted JPS58135540A (en) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | Drive circuit for latching relay |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58135540A (en) |
-
1982
- 1982-02-05 JP JP57017924A patent/JPS58135540A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58135540A (en) | 1983-08-12 |
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