JPH0210539B2 - - Google Patents
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- JPH0210539B2 JPH0210539B2 JP1792482A JP1792482A JPH0210539B2 JP H0210539 B2 JPH0210539 B2 JP H0210539B2 JP 1792482 A JP1792482 A JP 1792482A JP 1792482 A JP1792482 A JP 1792482A JP H0210539 B2 JPH0210539 B2 JP H0210539B2
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- circuit
- transistor
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
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Landscapes
- Relay Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はラツチングリレーの駆動回路に関し、
特にラツチングリレーの動作を制御するための入
力端子およびオートリセツトあるいはオートセツ
ト端子からの信号に応じて半導体スイツチング回
路を駆動してラツチングリレーを動作させるよう
にしたラツチングリレーの駆動回路に関し、その
主な目的とするところは、各入力端子からの信号
におけるノイズを簡単な構成で除去して誤動作を
防止するようにしたラツチングリレーの駆動回路
を提供することを目的とする。
特にラツチングリレーの動作を制御するための入
力端子およびオートリセツトあるいはオートセツ
ト端子からの信号に応じて半導体スイツチング回
路を駆動してラツチングリレーを動作させるよう
にしたラツチングリレーの駆動回路に関し、その
主な目的とするところは、各入力端子からの信号
におけるノイズを簡単な構成で除去して誤動作を
防止するようにしたラツチングリレーの駆動回路
を提供することを目的とする。
以下、図面によつて本発明の実施例を説明す
る。第1図は本発明の一実施例の全体回路図であ
る。論理回路1は、入力インターフエイス回路
2,3,4,5を介してリセツト入力端子R、セ
ツト入力端子S、トグル入力端子T、およびモノ
ステーブル入力端子Mにそれぞれ接続されてお
り、各入力端子R,S,T,Mには、外部のトラ
ンジスタ−トランジスタ−ロジツク回路(TTL)
や相補型金属酸化物半導体(C−MOS)などか
らの信号が、バツフア等を用いることなく入力さ
れる。論理回路1にはオートリセツトあるいはオ
ートセツト端子Aが接続されており、このオート
リセツトあるいはオートセツト端子Aからは、初
期の電源投入時や瞬時停電後の電源復帰時におけ
る、リレースイツチ6の初期状態を検出する信号
が与えられる。論理回路1からは、各端子R,
S,T,M,Aからの入力信号に応じて、半導体
スイツチング回路7を動作させるための信号が導
出される。半導体スイツチング回路7はいわゆる
1巻線のラツチングリレー8を含む。また論理回
路1には、単安定回路9および定電圧回路10が
接続される。なお、論理回路1は、負論理すなわ
ち通常はハイレベルにある信号がローレベルにな
つたときに、動作信号と見なして動作する。
る。第1図は本発明の一実施例の全体回路図であ
る。論理回路1は、入力インターフエイス回路
2,3,4,5を介してリセツト入力端子R、セ
ツト入力端子S、トグル入力端子T、およびモノ
ステーブル入力端子Mにそれぞれ接続されてお
り、各入力端子R,S,T,Mには、外部のトラ
ンジスタ−トランジスタ−ロジツク回路(TTL)
や相補型金属酸化物半導体(C−MOS)などか
らの信号が、バツフア等を用いることなく入力さ
れる。論理回路1にはオートリセツトあるいはオ
ートセツト端子Aが接続されており、このオート
リセツトあるいはオートセツト端子Aからは、初
期の電源投入時や瞬時停電後の電源復帰時におけ
る、リレースイツチ6の初期状態を検出する信号
が与えられる。論理回路1からは、各端子R,
S,T,M,Aからの入力信号に応じて、半導体
スイツチング回路7を動作させるための信号が導
出される。半導体スイツチング回路7はいわゆる
1巻線のラツチングリレー8を含む。また論理回
路1には、単安定回路9および定電圧回路10が
接続される。なお、論理回路1は、負論理すなわ
ち通常はハイレベルにある信号がローレベルにな
つたときに、動作信号と見なして動作する。
なお、リセツト端子Rからのリセツト信号が入
力されると、ラツチングリレー8がセツト状態に
あるときはリセツトされ、リセツト状態にあると
きはリセツト状態が保持される。セツト端子Sか
らのセツト信号が入力されると、ラツチングリレ
ー8がセツト状態にあるときはセツト状態が保持
され、リセツト状態にあるときにはセツト状態に
される。またトグル端子Tからのトグル信号が入
力されると、ラツチングリレー8は、トグル信号
のパルスの変化に応じてセツト状態とリセツト状
態とに交互に反転する。さらにモノステーブル端
子Mからモノステーブル信号が入力されると、ラ
ツチングリレー8はモノステーブル信号の立ち上
りと立ち下りとに応じてリセツト状態とセツト状
態とを繰返す。
力されると、ラツチングリレー8がセツト状態に
あるときはリセツトされ、リセツト状態にあると
きはリセツト状態が保持される。セツト端子Sか
らのセツト信号が入力されると、ラツチングリレ
ー8がセツト状態にあるときはセツト状態が保持
され、リセツト状態にあるときにはセツト状態に
される。またトグル端子Tからのトグル信号が入
力されると、ラツチングリレー8は、トグル信号
のパルスの変化に応じてセツト状態とリセツト状
態とに交互に反転する。さらにモノステーブル端
子Mからモノステーブル信号が入力されると、ラ
ツチングリレー8はモノステーブル信号の立ち上
りと立ち下りとに応じてリセツト状態とセツト状
態とを繰返す。
半導体スイツチング回路7において、ダイオー
ド11、トランジスタTR1,TR2は直列接続
され、トランジスタTR1,TR2の接続点12
は、リレーコイル13の一方端子に接続される。
ダイオード14、トランジスタTR3,TR4は
直列接続され、トランジスタTR3,TR4の接
続点15はリレーコイル13の他方端子に接続さ
れる。接続点12,15間にはリレーコイル13
の逆起電力防止用としてツエナダイオード16,
17が相互に逆方向に接続される。
ド11、トランジスタTR1,TR2は直列接続
され、トランジスタTR1,TR2の接続点12
は、リレーコイル13の一方端子に接続される。
ダイオード14、トランジスタTR3,TR4は
直列接続され、トランジスタTR3,TR4の接
続点15はリレーコイル13の他方端子に接続さ
れる。接続点12,15間にはリレーコイル13
の逆起電力防止用としてツエナダイオード16,
17が相互に逆方向に接続される。
ANDゲートG1の出力はトランジスタTR5
のベースに与えられるとともに、前述のトランジ
スタTR2のベースに与えられる。トランジスタ
TR5のコレクタはトランジスタTR6のベース
に接続される。ANDゲートG2の出力はトラン
ジスタTR4のベースに与えられるとともに、ト
ランジスタTR7のベースに与えられる。トラン
ジスタTR7のコレクタはトランジスタTR8の
ベースに接続される。
のベースに与えられるとともに、前述のトランジ
スタTR2のベースに与えられる。トランジスタ
TR5のコレクタはトランジスタTR6のベース
に接続される。ANDゲートG2の出力はトラン
ジスタTR4のベースに与えられるとともに、ト
ランジスタTR7のベースに与えられる。トラン
ジスタTR7のコレクタはトランジスタTR8の
ベースに接続される。
ANDゲートG1からのセツト信号がトランジ
スタTR2,TR5のベースに与えられると、ト
ランジスタTR3,TR2が導通し、リレーコイ
ル13に矢符18の方向に励磁電流が流れてラツ
チングリレー8がセツトされる。一方、ANDゲ
ートG2からのリセツト信号がトランジスタTR
7,TR4のベースに与えられると、トランジス
タTR1,TR4が導通し、リレーコイル13に
矢符18とは逆の矢符19の方向に励磁電流が流
れてラツチングリレー8がリセツトされる。
スタTR2,TR5のベースに与えられると、ト
ランジスタTR3,TR2が導通し、リレーコイ
ル13に矢符18の方向に励磁電流が流れてラツ
チングリレー8がセツトされる。一方、ANDゲ
ートG2からのリセツト信号がトランジスタTR
7,TR4のベースに与えられると、トランジス
タTR1,TR4が導通し、リレーコイル13に
矢符18とは逆の矢符19の方向に励磁電流が流
れてラツチングリレー8がリセツトされる。
ツエナダイオード16,17はリレーコイル1
3のインダクタンスによる逆起電圧を吸収する。
これらのツエナダイオード16,17のツエナ電
圧Vzは次の条件を満さねばならない。まず(1)端
子20に供給されている供給電圧Vccが最大とな
つたとき、リレーコイル13にかかる電圧によつ
てツエナダイオード16,17が導通しないこと
である。すなわち、ツエナ電圧Vzがリレーコイ
ル13にかかる電圧よりも低いと、ツエナダイオ
ード16,17が導通してリレーコイル13に励
磁電流が流れなくなり、ラツチングリレー8が動
作しなくなるからである。次に(2)ツエナ電圧Vz
は半導体スイツチング回路7の最小の耐圧部より
も低いことである。言い換えると、リレーコイル
13の両端に発生する逆起電圧がツエナダイオー
ド16,17で吸収されるためには、ツエナ電圧
Vzを半導体スイツチング回路7の最小の耐圧部
よりも低く設定しておかなければならない。以上
の(1)、(2)の条件をまとめると、次のようになる。
3のインダクタンスによる逆起電圧を吸収する。
これらのツエナダイオード16,17のツエナ電
圧Vzは次の条件を満さねばならない。まず(1)端
子20に供給されている供給電圧Vccが最大とな
つたとき、リレーコイル13にかかる電圧によつ
てツエナダイオード16,17が導通しないこと
である。すなわち、ツエナ電圧Vzがリレーコイ
ル13にかかる電圧よりも低いと、ツエナダイオ
ード16,17が導通してリレーコイル13に励
磁電流が流れなくなり、ラツチングリレー8が動
作しなくなるからである。次に(2)ツエナ電圧Vz
は半導体スイツチング回路7の最小の耐圧部より
も低いことである。言い換えると、リレーコイル
13の両端に発生する逆起電圧がツエナダイオー
ド16,17で吸収されるためには、ツエナ電圧
Vzを半導体スイツチング回路7の最小の耐圧部
よりも低く設定しておかなければならない。以上
の(1)、(2)の条件をまとめると、次のようになる。
VR<Vz<Vm …(1)
第1式において、記号VRは供給電圧Vccが最
大のときにリレーコイル13の両端にかかる電圧
であり、記号Vmは半導体スイツチング回路7の
最小耐圧である。
大のときにリレーコイル13の両端にかかる電圧
であり、記号Vmは半導体スイツチング回路7の
最小耐圧である。
ところで従来からの半導体スイツチング回路で
は、ダイオード11,14が設けられていないの
で、供給電圧Vccが4.75〜15Vの範囲では、第1
式を満足することができない。すなわち、Vcc=
15Vのときにリレーコイル13の両端にかかる電
圧は10Vである。ここでツエナダイオード16,
17の電圧は、ベース、エミツタ間の逆耐圧を用
いるので、1個当り約7.4Vであり、2個直列に
接続しているので、全体として約14.8Vである。
ところが、半導体スイツチング回路7の最小耐圧
VmはトランジスタTR3,TR1のベース、エミ
ツタ間の逆耐圧と、供給電圧Vccの最小値との和
であり、約12.15Vである。そのため第1式を満
足することができない。したがつて従来からの半
導体スイツチング回路では、ツエナダイオード1
6,17が設けられてはいるが、リレーコイル1
3の逆起電圧がツエナダイオード16,17に吸
収されずに、端子20に抜けていたことになる。
ところが、この実施例によれば、半導体スイツチ
ング回路7の最小耐圧部にダイオード11,14
が設けられているので、最小耐圧Vmはトランジ
スタTR3,TR1のエミツタ、ベース間の逆耐
圧と、ダイオード11,14のエミツタ、ベース
間の逆耐圧と、供給電圧Vccの最小値との和であ
り、たとえば7.4+7.4+4.75=19.55Vである。し
たがつて、第1式を満足することができ、リレー
コイル13の逆起電圧が、ツエナダイオード1
6,17で確実に吸収されることになる。
は、ダイオード11,14が設けられていないの
で、供給電圧Vccが4.75〜15Vの範囲では、第1
式を満足することができない。すなわち、Vcc=
15Vのときにリレーコイル13の両端にかかる電
圧は10Vである。ここでツエナダイオード16,
17の電圧は、ベース、エミツタ間の逆耐圧を用
いるので、1個当り約7.4Vであり、2個直列に
接続しているので、全体として約14.8Vである。
ところが、半導体スイツチング回路7の最小耐圧
VmはトランジスタTR3,TR1のベース、エミ
ツタ間の逆耐圧と、供給電圧Vccの最小値との和
であり、約12.15Vである。そのため第1式を満
足することができない。したがつて従来からの半
導体スイツチング回路では、ツエナダイオード1
6,17が設けられてはいるが、リレーコイル1
3の逆起電圧がツエナダイオード16,17に吸
収されずに、端子20に抜けていたことになる。
ところが、この実施例によれば、半導体スイツチ
ング回路7の最小耐圧部にダイオード11,14
が設けられているので、最小耐圧Vmはトランジ
スタTR3,TR1のエミツタ、ベース間の逆耐
圧と、ダイオード11,14のエミツタ、ベース
間の逆耐圧と、供給電圧Vccの最小値との和であ
り、たとえば7.4+7.4+4.75=19.55Vである。し
たがつて、第1式を満足することができ、リレー
コイル13の逆起電圧が、ツエナダイオード1
6,17で確実に吸収されることになる。
第2図を参照して、入力インターフエイス回路
2において、リセツト入力端子Rは、ダイオード
21,22,23,24を介してトランジスタ
TR9のベースに接続され、トランジスタTR9
のコレクタはリセツト入力優先回路25に接続さ
れる。ダイオード22はトランジスタのコレク
タ、ベース間ダイオードであり、70〜100Vの逆
耐圧を有する。このダイオード22によつて伝送
線路からのサージが抑制される。なお、ダイオー
ド22,23間には、定電圧回路10からの電圧
を供給するための端子26が接続される。他の入
力インターフエイス回路3,4,5に関しては上
述のインターフエイス回路2と同様に構成されて
おり、インターフエイス回路3の出力はリセツト
入力優先回路25に与えられ、インターフエイス
回路4,5の出力はトグル入力優先回路27に与
えられる。
2において、リセツト入力端子Rは、ダイオード
21,22,23,24を介してトランジスタ
TR9のベースに接続され、トランジスタTR9
のコレクタはリセツト入力優先回路25に接続さ
れる。ダイオード22はトランジスタのコレク
タ、ベース間ダイオードであり、70〜100Vの逆
耐圧を有する。このダイオード22によつて伝送
線路からのサージが抑制される。なお、ダイオー
ド22,23間には、定電圧回路10からの電圧
を供給するための端子26が接続される。他の入
力インターフエイス回路3,4,5に関しては上
述のインターフエイス回路2と同様に構成されて
おり、インターフエイス回路3の出力はリセツト
入力優先回路25に与えられ、インターフエイス
回路4,5の出力はトグル入力優先回路27に与
えられる。
リセツト入力優先回路25は、リセツト入力端
子Rから入力インターフエイス回路2を介して入
力されるリセツト信号と、セツト入力端子Sから
入力インターフエイス回路3を介して入力される
セツト信号とが同時に入力されたときに、リセツ
ト信号を優先して次の第1ノイズ除去回路28に
与える回路である。またトグル入力優先回路27
は、トグル入力端子Tからインターフエイス回路
4を介して入力されるトグル信号と、モノステー
ブル入力端子Mからインターフエイス回路5を介
して入力されるモノステーブル信号とが同時に入
力されたときに、トグル信号を優先して第1ノイ
ズ除去回路28に与える回路である。なお、リセ
ツト信号とトグル信号とが同時に入力されたとき
には、後段のフリツプフロツプ29において、リ
セツト信号が優先される。したがつて論理回路1
においては、全体としての信号の優先順位は、リ
セツト信号>セツト信号>トグル信号>モノステ
ーブル信号となる。
子Rから入力インターフエイス回路2を介して入
力されるリセツト信号と、セツト入力端子Sから
入力インターフエイス回路3を介して入力される
セツト信号とが同時に入力されたときに、リセツ
ト信号を優先して次の第1ノイズ除去回路28に
与える回路である。またトグル入力優先回路27
は、トグル入力端子Tからインターフエイス回路
4を介して入力されるトグル信号と、モノステー
ブル入力端子Mからインターフエイス回路5を介
して入力されるモノステーブル信号とが同時に入
力されたときに、トグル信号を優先して第1ノイ
ズ除去回路28に与える回路である。なお、リセ
ツト信号とトグル信号とが同時に入力されたとき
には、後段のフリツプフロツプ29において、リ
セツト信号が優先される。したがつて論理回路1
においては、全体としての信号の優先順位は、リ
セツト信号>セツト信号>トグル信号>モノステ
ーブル信号となる。
第1ノイズ除去回路28は、信号ラインに乗つ
てきた負方向性のノイズを除去する。ここで、負
方向性のノイズとは、第3図でN-と表したノイ
ズであり、入力信号がハイレベルである状態すな
わち動作信号が与えられていない状態において入
力信号をローレベルとするノイズである。また正
方向性のノイズとは、第3図でN+と表したノイ
ズである。なお、第1ノイズ除去回路28には、
各信号が反転されて与えられており、したがつて
第1ノイズ除去回路28においては、負方向性の
ノイズN-はハイレベルであり、正方向性のノイ
ズN+はローレベルである。
てきた負方向性のノイズを除去する。ここで、負
方向性のノイズとは、第3図でN-と表したノイ
ズであり、入力信号がハイレベルである状態すな
わち動作信号が与えられていない状態において入
力信号をローレベルとするノイズである。また正
方向性のノイズとは、第3図でN+と表したノイ
ズである。なお、第1ノイズ除去回路28には、
各信号が反転されて与えられており、したがつて
第1ノイズ除去回路28においては、負方向性の
ノイズN-はハイレベルであり、正方向性のノイ
ズN+はローレベルである。
第1ノイズ除去回路28において、リセツト入
力優先回路25を介するリセツト信号はライン3
0を介してORゲートG3に与えられるとともに
ANDゲートG4の一方の入力端に与えられ、セ
ツト信号はライン31を介してORゲートG3に
与えられるとともにANDゲートG5の一方の入
力端に与えられる。またトグル入力優先回路27
を介するトグル信号はライン32を介してORゲ
ートG3に与えられるとともにANDゲートG6
の一方の入力端に与えられ、モノステーブル信号
はライン33を介してORゲートG3に与えられ
るとともに、ANDゲートG7の一方の入力端に
与えられる。ORゲートG3の出力は遅延回路3
4を介してANDゲートG4,G5,G6,G7
の他方の入力端にそれぞれ与えられる。このよう
な第1ノイズ除去回路28によれば、遅延回路3
4における遅延時間よりも短いパルス幅の小さい
信号すなわちノイズは全て除去される。なお、遅
延回路とANDゲートを用いてノイズを除去する
回路は従来から周知であるが、本件第1ノイズ除
去回路28によれば、遅延回路34を1個設ける
だけで4つの信号ラインのノイズを除去すること
ができ、回路構成が簡単である。
力優先回路25を介するリセツト信号はライン3
0を介してORゲートG3に与えられるとともに
ANDゲートG4の一方の入力端に与えられ、セ
ツト信号はライン31を介してORゲートG3に
与えられるとともにANDゲートG5の一方の入
力端に与えられる。またトグル入力優先回路27
を介するトグル信号はライン32を介してORゲ
ートG3に与えられるとともにANDゲートG6
の一方の入力端に与えられ、モノステーブル信号
はライン33を介してORゲートG3に与えられ
るとともに、ANDゲートG7の一方の入力端に
与えられる。ORゲートG3の出力は遅延回路3
4を介してANDゲートG4,G5,G6,G7
の他方の入力端にそれぞれ与えられる。このよう
な第1ノイズ除去回路28によれば、遅延回路3
4における遅延時間よりも短いパルス幅の小さい
信号すなわちノイズは全て除去される。なお、遅
延回路とANDゲートを用いてノイズを除去する
回路は従来から周知であるが、本件第1ノイズ除
去回路28によれば、遅延回路34を1個設ける
だけで4つの信号ラインのノイズを除去すること
ができ、回路構成が簡単である。
ANDゲートG6の出力は第4図で示す第2ノ
イズ除去回路35に与えられる。第2ノイズ除去
回路35において、ANDゲートG6の出力は反
転回路36に与えられ、反転回路36の出力は遅
延回路37を介して出力されるとともにライン3
8に直接出力され、遅延回路37はライン38に
ワイアードアンド接続される。この第2ノイズ除
去回路35によれば、負論理における正方向性ノ
イズN+が除去される。ANDゲートG7の出力
は、第2ノイズ除去回路35と同様に構成された
第3ノイズ除去回路39に与えられ、この第3ノ
イズ除去回路39においても負論理における正方
向性ノイズN+が除去される。第3ノイズ除去回
路39の出力ライン42はエツジデイテクタ回路
43に接続される。このエツジデイテクタ回路4
3は、入力信号の立ち上りまたは立ち下りに応じ
て1個のパルスを発生するもので、エツジデイテ
クタ回路43の出力はライン44の途中のORゲ
ートG13を介してANDゲートG8の一方の入
力端に接続され、ORゲートG13の一方の入力
端にはライン38が接続される。
イズ除去回路35に与えられる。第2ノイズ除去
回路35において、ANDゲートG6の出力は反
転回路36に与えられ、反転回路36の出力は遅
延回路37を介して出力されるとともにライン3
8に直接出力され、遅延回路37はライン38に
ワイアードアンド接続される。この第2ノイズ除
去回路35によれば、負論理における正方向性ノ
イズN+が除去される。ANDゲートG7の出力
は、第2ノイズ除去回路35と同様に構成された
第3ノイズ除去回路39に与えられ、この第3ノ
イズ除去回路39においても負論理における正方
向性ノイズN+が除去される。第3ノイズ除去回
路39の出力ライン42はエツジデイテクタ回路
43に接続される。このエツジデイテクタ回路4
3は、入力信号の立ち上りまたは立ち下りに応じ
て1個のパルスを発生するもので、エツジデイテ
クタ回路43の出力はライン44の途中のORゲ
ートG13を介してANDゲートG8の一方の入
力端に接続され、ORゲートG13の一方の入力
端にはライン38が接続される。
ANDゲートG4の出力はフリツプフロツプ2
9のクリア端子CLRに接続され、ANDゲートG
5の出力はフリツプフロツプ29のプリセツト端
子PRSに接続される。このように、リセツト信
号およびセツト信号は第1ノイズ除去回路28に
よつて負方向性のノイズN-を除去されるだけで
フリツプフロツプ29に与えられるが、これはフ
リツプフロツプ29がセツトまたはリセツトされ
ると、正方向性のノイズN+によつて何回もセツ
トまたはリセツトが繰返されるだけであり、動作
には影響しないからである。
9のクリア端子CLRに接続され、ANDゲートG
5の出力はフリツプフロツプ29のプリセツト端
子PRSに接続される。このように、リセツト信
号およびセツト信号は第1ノイズ除去回路28に
よつて負方向性のノイズN-を除去されるだけで
フリツプフロツプ29に与えられるが、これはフ
リツプフロツプ29がセツトまたはリセツトされ
ると、正方向性のノイズN+によつて何回もセツ
トまたはリセツトが繰返されるだけであり、動作
には影響しないからである。
オートリセツトあるいはオートセツト端子A
は、ダイオード45を備えるライン46を介して
トランジスタTR10のベースに接続される。ト
ランジスタTR10のコレクタは反転回路47に
接続され、反転回路47の出力はライン48を介
してANDゲートG5の出力ライン49とORゲー
トG14で接続されるとともに、反転回路50に
接続される。この反転回路50の出力はライン5
1を介して、ANDゲートG4の出力ライン52
とORゲートG15で接続される。ライン48,
51の途中には反転回路53の出力がライン11
1,112を介してワイアードアンド接続され
る。反転回路53には反転回路54の出力が与え
られており、反転回路54にはトランジスタTR
11のコレクタが接続される。このトランジスタ
TR11のベースには、遅延時間を長くするため
のダイオード55,56、コンデンサ57、およ
び抵抗58を介して端子59が接続されており、
端子59には定電圧回路10からの電圧が供給さ
れる。反転回路53の出力ライン60には、反転
回路54の出力がライン110を介してワイアー
ドアンド接続されており、ライン60はORゲー
トG12の一方の入力端に接続される。
は、ダイオード45を備えるライン46を介して
トランジスタTR10のベースに接続される。ト
ランジスタTR10のコレクタは反転回路47に
接続され、反転回路47の出力はライン48を介
してANDゲートG5の出力ライン49とORゲー
トG14で接続されるとともに、反転回路50に
接続される。この反転回路50の出力はライン5
1を介して、ANDゲートG4の出力ライン52
とORゲートG15で接続される。ライン48,
51の途中には反転回路53の出力がライン11
1,112を介してワイアードアンド接続され
る。反転回路53には反転回路54の出力が与え
られており、反転回路54にはトランジスタTR
11のコレクタが接続される。このトランジスタ
TR11のベースには、遅延時間を長くするため
のダイオード55,56、コンデンサ57、およ
び抵抗58を介して端子59が接続されており、
端子59には定電圧回路10からの電圧が供給さ
れる。反転回路53の出力ライン60には、反転
回路54の出力がライン110を介してワイアー
ドアンド接続されており、ライン60はORゲー
トG12の一方の入力端に接続される。
なお、ライン46の途中には抵抗62を介して
定電圧回路10からの電圧を与えるための端子6
3が接続されるとともに、リレースイツチ6の一
方端が接続され、このリレースイツチ6の他方端
は接地される。
定電圧回路10からの電圧を与えるための端子6
3が接続されるとともに、リレースイツチ6の一
方端が接続され、このリレースイツチ6の他方端
は接地される。
このような回路は最初の電源投入時あるいは瞬
時停電時からの回復時に、ラツチングリレー8の
初期状態を決定する。すなわち、リレースイツチ
6が導通状態にあるときにはオートセツト回路と
なり、電源投入時においてラツチングリレー8の
以前の状態がリセツトであればセツト状態とな
り、またラツチングリレー8の以前の状態がセツ
ト状態であればラツチングリレー8はそのままと
なる。またリレースイツチ6が遮断しているとき
にはオートリセツト回路となり、電源投入時にお
いてラツチングリレー8の以前の状態がセツトで
あればリセツト状態となり、リセツト状態であれ
ばラツチングリレー8はリセツト状態を保つ。し
たがつて、ラツチングリレー8のリレースイツチ
6を第1図のごとく接続すると、ラツチングリレ
ー8は電源投入時にその以前の状態を保つ。
時停電時からの回復時に、ラツチングリレー8の
初期状態を決定する。すなわち、リレースイツチ
6が導通状態にあるときにはオートセツト回路と
なり、電源投入時においてラツチングリレー8の
以前の状態がリセツトであればセツト状態とな
り、またラツチングリレー8の以前の状態がセツ
ト状態であればラツチングリレー8はそのままと
なる。またリレースイツチ6が遮断しているとき
にはオートリセツト回路となり、電源投入時にお
いてラツチングリレー8の以前の状態がセツトで
あればリセツト状態となり、リセツト状態であれ
ばラツチングリレー8はリセツト状態を保つ。し
たがつて、ラツチングリレー8のリレースイツチ
6を第1図のごとく接続すると、ラツチングリレ
ー8は電源投入時にその以前の状態を保つ。
第5図を参照して動作を説明すると、第5図1
で示すように電源が投入されると、ある電圧値で
第5図2で示すように定電圧回路10が起動され
る。この定電圧回路10の起動に応じて、抵抗5
8を介してコンデンサ57が充電を開始し、その
コンデンサ57の両端の電圧がダイオード55,
56の順方向電圧降下とトランジスタTR11の
ベース、エミツタ間電圧との和に等しくなると、
TR11が導通してコレクタ電圧がローレベルと
なる。それに応じて反転回路54の出力はハイレ
ベルとなり、反転回路53の出力は第5図3で示
すようにローレベルとなる。一方、リレースイツ
チ6がたとえば遮断している状態において、定電
圧回路10が起動されると、トランジスタTR1
0が導通し、それに応じて反転回路47の出力が
第5図4で示すようにハイレベルとなる。なお、
リレースイツチ6が導通しているときには、トラ
ンジスタTR10は遮断しており、出力はハイレ
ベルであり、したがつて反転回路47の出力はロ
ーレベルである。反転回路47の出力がハイレベ
ルとなるのに応じて、反転回路50の出力は第5
図5で示すようにローレベルとなる。
で示すように電源が投入されると、ある電圧値で
第5図2で示すように定電圧回路10が起動され
る。この定電圧回路10の起動に応じて、抵抗5
8を介してコンデンサ57が充電を開始し、その
コンデンサ57の両端の電圧がダイオード55,
56の順方向電圧降下とトランジスタTR11の
ベース、エミツタ間電圧との和に等しくなると、
TR11が導通してコレクタ電圧がローレベルと
なる。それに応じて反転回路54の出力はハイレ
ベルとなり、反転回路53の出力は第5図3で示
すようにローレベルとなる。一方、リレースイツ
チ6がたとえば遮断している状態において、定電
圧回路10が起動されると、トランジスタTR1
0が導通し、それに応じて反転回路47の出力が
第5図4で示すようにハイレベルとなる。なお、
リレースイツチ6が導通しているときには、トラ
ンジスタTR10は遮断しており、出力はハイレ
ベルであり、したがつて反転回路47の出力はロ
ーレベルである。反転回路47の出力がハイレベ
ルとなるのに応じて、反転回路50の出力は第5
図5で示すようにローレベルとなる。
ライン48には、反転回路47と反転回路53
の出力とがワイアードアンドして導出されるの
で、ライン48に導出される信号は第5図6で示
すようになる。このライン48の信号は反転回路
53の出力がハイレベルとなつている時間だけす
なわちコンデンサ57が最終充電電圧まで充電さ
れる間だけ、ハイレベルであり、このハイレベル
の信号によつてフリツプフロツプ29がリセツト
される。この間ライン51に導出される信号は第
5図7で示すようにローレベルのままである。な
お、リレースイツチ6が導通している場合には、
フリツプフロツプ29はリセツトされる。
の出力とがワイアードアンドして導出されるの
で、ライン48に導出される信号は第5図6で示
すようになる。このライン48の信号は反転回路
53の出力がハイレベルとなつている時間だけす
なわちコンデンサ57が最終充電電圧まで充電さ
れる間だけ、ハイレベルであり、このハイレベル
の信号によつてフリツプフロツプ29がリセツト
される。この間ライン51に導出される信号は第
5図7で示すようにローレベルのままである。な
お、リレースイツチ6が導通している場合には、
フリツプフロツプ29はリセツトされる。
一方、反転回路53,54の遅延による出力を
アンドタイすることにより、コンデンサ57が充
電を完了した時点において、ライン60には第5
図8で示すトリガパルスが導出される。このトリ
ガパルスはORゲートG12を介して単安定回路
9に与えられ、単安定回路9からパルスが1個導
出される。このパルスは、ANDゲートG1,G
2に与えられ、今ラツチングリレー8がリセツト
されているとすると、フリツプフロツプ29のリ
セツト出力が半導体スイツチング回路7に与え
られて、ラツチングリレー8がリセツトされる。
アンドタイすることにより、コンデンサ57が充
電を完了した時点において、ライン60には第5
図8で示すトリガパルスが導出される。このトリ
ガパルスはORゲートG12を介して単安定回路
9に与えられ、単安定回路9からパルスが1個導
出される。このパルスは、ANDゲートG1,G
2に与えられ、今ラツチングリレー8がリセツト
されているとすると、フリツプフロツプ29のリ
セツト出力が半導体スイツチング回路7に与え
られて、ラツチングリレー8がリセツトされる。
フリツプフロツプ29のセツト出力QはAND
ゲートG1の一方の入力端に接続されるととも
に、エツジデイテクタ回路61に接続される。エ
ツジデイテクタ回路61はフリツプフロツプ29
のセツト出力Qの立ち上りまたは立ち下りのふち
を検出してパルスを発生するものであり、このパ
ルスはORゲートG12を介して単安定回路9に
与えられる。
ゲートG1の一方の入力端に接続されるととも
に、エツジデイテクタ回路61に接続される。エ
ツジデイテクタ回路61はフリツプフロツプ29
のセツト出力Qの立ち上りまたは立ち下りのふち
を検出してパルスを発生するものであり、このパ
ルスはORゲートG12を介して単安定回路9に
与えられる。
第6図は単安定回路9の構成を示す回路図であ
る。単安定回路9において、ORゲートG12の
出力は、トランジスタTR12のベースに与えら
れる。トランジスタTR12のエミツタには、抵
抗65およびダイオード66から成る直列回路を
介して端子67から定電圧回路10の出力が与え
られる。抵抗65、ダイオード66およびトラン
ジスタTR12から成る直列回路と並列に、抵抗
68、トランジスタTR13、抵抗69およびト
ランジスタTR14から成る直列回路、抵抗7
0、ダイオード71、抵抗72から成る直列回
路、ならびにトランジスタTR15、抵抗73お
よび抵抗74から成る直列回路が接続される。ま
たトランジスタTR16,TR17,TR18およ
び抵抗75から成る直列回路が前記各直列回路と
並列に設けられ、トランジスタTR16,TR1
7と並列にトランジスタTR19,TR20から
成る直列回路が接続される。トランジスタTR1
2のエミツタはダイオード76を介してトランジ
スタTR14のベースに接続され、トランジスタ
TR13のコレクタはコンデンサ77に接続され
る。トランジスタTR13,TR16,TR19の
各ベースは共通に接続されており、トランジスタ
TR14のコレクタはトランジスタTR17のベ
ースに接続され、トランジスタTR16,TR1
7の接続点はトランジスタTR15のベースに接
続され、ダイオード71および抵抗72の接続点
はトランジスタTR20のベースに接続される。
抵抗73,74の接続点はトランジスタTR21
のベースに接続され、このトランジスタTR21
のコレクタに接続されたライン78に出力パルス
が導出される。トランジスタTR18のベースに
はトランジスタTR22のベースおよびコレクタ
が接続されており、トランジスタTR22のベー
スは抵抗79を介して端子67に接続される。
る。単安定回路9において、ORゲートG12の
出力は、トランジスタTR12のベースに与えら
れる。トランジスタTR12のエミツタには、抵
抗65およびダイオード66から成る直列回路を
介して端子67から定電圧回路10の出力が与え
られる。抵抗65、ダイオード66およびトラン
ジスタTR12から成る直列回路と並列に、抵抗
68、トランジスタTR13、抵抗69およびト
ランジスタTR14から成る直列回路、抵抗7
0、ダイオード71、抵抗72から成る直列回
路、ならびにトランジスタTR15、抵抗73お
よび抵抗74から成る直列回路が接続される。ま
たトランジスタTR16,TR17,TR18およ
び抵抗75から成る直列回路が前記各直列回路と
並列に設けられ、トランジスタTR16,TR1
7と並列にトランジスタTR19,TR20から
成る直列回路が接続される。トランジスタTR1
2のエミツタはダイオード76を介してトランジ
スタTR14のベースに接続され、トランジスタ
TR13のコレクタはコンデンサ77に接続され
る。トランジスタTR13,TR16,TR19の
各ベースは共通に接続されており、トランジスタ
TR14のコレクタはトランジスタTR17のベ
ースに接続され、トランジスタTR16,TR1
7の接続点はトランジスタTR15のベースに接
続され、ダイオード71および抵抗72の接続点
はトランジスタTR20のベースに接続される。
抵抗73,74の接続点はトランジスタTR21
のベースに接続され、このトランジスタTR21
のコレクタに接続されたライン78に出力パルス
が導出される。トランジスタTR18のベースに
はトランジスタTR22のベースおよびコレクタ
が接続されており、トランジスタTR22のベー
スは抵抗79を介して端子67に接続される。
このような単安定回路9において、トランジス
タTR12は通常の状態では導通しており、抵抗
65およびダイオード66を介して電流が流れて
いる。この消費電力を低減するためには、抵抗6
5の値を大きくする必要があるが、この抵抗65
の値をむやみに大きくすることはモノリシツク
IC等においてはチツプサイズおよび精度の点か
ら好ましくない。ところが、抵抗65にダイオー
ド66が直列に接続されているので、抵抗65に
かかる電圧が等価的に減少せしめられ、それに応
じて消費電流が低減される。
タTR12は通常の状態では導通しており、抵抗
65およびダイオード66を介して電流が流れて
いる。この消費電力を低減するためには、抵抗6
5の値を大きくする必要があるが、この抵抗65
の値をむやみに大きくすることはモノリシツク
IC等においてはチツプサイズおよび精度の点か
ら好ましくない。ところが、抵抗65にダイオー
ド66が直列に接続されているので、抵抗65に
かかる電圧が等価的に減少せしめられ、それに応
じて消費電流が低減される。
一般的に単安定回路の出力のパルス幅は、モノ
リシツクIC等においては外付の抵抗とコンデン
サとによつて決められる。ここで、実装の関係上
外付部品を低減する必要がある場合においては、
図示のごとく抵抗を内部回路でまかなうようにす
ることができる。ところがそれらの抵抗値は
IMΩ程度のオーダーとなるので、この実施例で
は、抵抗68およびトランジスタTR13から成
る定電流回路からコンデンサ77に充電するよう
にしている。このようにすると、トランジスタ
TR19,TR20、および抵抗75を流れる定
電流回路の電流値が温度変化に応じて変化するの
で、出力パルスが温度条件によつて大きく変化す
る欠点がある。そこで、トランジスタTR18、
抵抗75、抵抗79およびトランジスタTR22
から成る定電流回路を設けるとともに、ダイオー
ド71を設けることにより、トランジスタTR2
0のベース、エミツタ間の電圧を一定にする。そ
れによつて、トランジスタTR19,TR20,
TR18,TR21を流れる電流が温度変化に拘
らず一定となり、したがつて単安定回路9の出力
パルス幅の温度特性がフラツトになる。
リシツクIC等においては外付の抵抗とコンデン
サとによつて決められる。ここで、実装の関係上
外付部品を低減する必要がある場合においては、
図示のごとく抵抗を内部回路でまかなうようにす
ることができる。ところがそれらの抵抗値は
IMΩ程度のオーダーとなるので、この実施例で
は、抵抗68およびトランジスタTR13から成
る定電流回路からコンデンサ77に充電するよう
にしている。このようにすると、トランジスタ
TR19,TR20、および抵抗75を流れる定
電流回路の電流値が温度変化に応じて変化するの
で、出力パルスが温度条件によつて大きく変化す
る欠点がある。そこで、トランジスタTR18、
抵抗75、抵抗79およびトランジスタTR22
から成る定電流回路を設けるとともに、ダイオー
ド71を設けることにより、トランジスタTR2
0のベース、エミツタ間の電圧を一定にする。そ
れによつて、トランジスタTR19,TR20,
TR18,TR21を流れる電流が温度変化に拘
らず一定となり、したがつて単安定回路9の出力
パルス幅の温度特性がフラツトになる。
このような単安定回路9において、ORゲート
G12を介して入力されるトリガパルスに応じて
ライン78に出力パルスが導出される。このパル
スのパルス幅はコンデンサ77の静電容量を変化
することによつて調整され、ラツチングリレー8
が動作するのに必要な時間よりも大に選ばれる。
ライン78に導出されるパルスはANDゲートG
1,G2の他方の入力端に与えられるとともに、
反転回路80を介してANDゲートG8に与えら
れる。したがつて単安定回路9の出力パルスは、
半導体スイツチング回路7のセツト側回路を動作
させるか、あるいはリセツト側回路を動作させる
かの選択をするために用いられる。半導体スイツ
チング回路7は、単安定回路9からパルスが導出
されたときのみ動作してリレーコイル13に電流
が流れ、ラツチングリレー8が動作し終るとリレ
ーコイル13には電流が流れない。したがつて消
費電力が非常に小さい。
G12を介して入力されるトリガパルスに応じて
ライン78に出力パルスが導出される。このパル
スのパルス幅はコンデンサ77の静電容量を変化
することによつて調整され、ラツチングリレー8
が動作するのに必要な時間よりも大に選ばれる。
ライン78に導出されるパルスはANDゲートG
1,G2の他方の入力端に与えられるとともに、
反転回路80を介してANDゲートG8に与えら
れる。したがつて単安定回路9の出力パルスは、
半導体スイツチング回路7のセツト側回路を動作
させるか、あるいはリセツト側回路を動作させる
かの選択をするために用いられる。半導体スイツ
チング回路7は、単安定回路9からパルスが導出
されたときのみ動作してリレーコイル13に電流
が流れ、ラツチングリレー8が動作し終るとリレ
ーコイル13には電流が流れない。したがつて消
費電力が非常に小さい。
ANDゲートG8の出力はフリツプフロツプ2
9のクロツク端子に与えられている。そのため、
単安定回路9からパルスが導出されると、その間
はトグル端子Tおよびモノステーブル端子Mから
の入力信号が受け付けられない。すなわち、第7
図1で示すようにチヤタリングのある入力信号が
ライン44を介してANDゲートG8に与えられ
ても、第7図2で示す単安定回路9の出力パルス
のパルス幅Tの間は、ANDゲートG8からは第
7図3で示すようにフリツプフロツプ29のクロ
ツク端子CKに信号が入力されない。したがつて、
単安定回路9のパルス幅Tよりも短いチヤタリン
グに対しては誤動作を生じないことになる。な
お、リセツト信号およびセツト信号については、
上述のごとき配慮はなされていないが、これは仮
にチヤタリングがあつたとしても、フリツプフロ
ツプ29が一旦動作すると、リセツトおよびセツ
ト動作が何回くり返されても、その状態を保持す
るだけであるからである。
9のクロツク端子に与えられている。そのため、
単安定回路9からパルスが導出されると、その間
はトグル端子Tおよびモノステーブル端子Mから
の入力信号が受け付けられない。すなわち、第7
図1で示すようにチヤタリングのある入力信号が
ライン44を介してANDゲートG8に与えられ
ても、第7図2で示す単安定回路9の出力パルス
のパルス幅Tの間は、ANDゲートG8からは第
7図3で示すようにフリツプフロツプ29のクロ
ツク端子CKに信号が入力されない。したがつて、
単安定回路9のパルス幅Tよりも短いチヤタリン
グに対しては誤動作を生じないことになる。な
お、リセツト信号およびセツト信号については、
上述のごとき配慮はなされていないが、これは仮
にチヤタリングがあつたとしても、フリツプフロ
ツプ29が一旦動作すると、リセツトおよびセツ
ト動作が何回くり返されても、その状態を保持す
るだけであるからである。
第8図は定電圧回路10の構成を示す回路図で
ある。図示しない電源からは、端子81に電源電
圧が供給される。この端子81には、トランジス
タTR23、抵抗82およびトランジスタTR2
4から成る直列回路、トランジスタTR25,
TR26、抵抗83、トランジスタTR27およ
び抵抗84から成る直列回路、トランジスタTR
28,TR29および抵抗85から成る直列回
路、ならびに抵抗86およびダイオード87,8
8,89,90,91,92から成る直列回路が
並列に接続される。トランジスタTR25,TR
26の接続点はトランジスタTR23のベースに
接続され、端子81とトランジスタTR23のベ
ースとの間にはトランジスタTR30が接続され
る。トランジスタTR30,TR25,TR28の
ベースは共通に接続される。トランジスタTR2
6および抵抗83の接続点はトランジスタTR2
9のベースに接続され、トランジスタTR29の
ベースはトランジスタTR31を介して接地され
るとともに、ダイオード93を介してダイオード
89,90の接続点に接続される。トランジスタ
TR31のベースには、抵抗83およびトランジ
スタTR27の接続点が接続される。トランジス
タTR26のベースにはトランジスタTR23お
よび抵抗82の接続点94が接続されており、接
続点94に接続されたライン95からは一定電圧
の供給電圧が端子26,59,63,67に導出
される。
ある。図示しない電源からは、端子81に電源電
圧が供給される。この端子81には、トランジス
タTR23、抵抗82およびトランジスタTR2
4から成る直列回路、トランジスタTR25,
TR26、抵抗83、トランジスタTR27およ
び抵抗84から成る直列回路、トランジスタTR
28,TR29および抵抗85から成る直列回
路、ならびに抵抗86およびダイオード87,8
8,89,90,91,92から成る直列回路が
並列に接続される。トランジスタTR25,TR
26の接続点はトランジスタTR23のベースに
接続され、端子81とトランジスタTR23のベ
ースとの間にはトランジスタTR30が接続され
る。トランジスタTR30,TR25,TR28の
ベースは共通に接続される。トランジスタTR2
6および抵抗83の接続点はトランジスタTR2
9のベースに接続され、トランジスタTR29の
ベースはトランジスタTR31を介して接地され
るとともに、ダイオード93を介してダイオード
89,90の接続点に接続される。トランジスタ
TR31のベースには、抵抗83およびトランジ
スタTR27の接続点が接続される。トランジス
タTR26のベースにはトランジスタTR23お
よび抵抗82の接続点94が接続されており、接
続点94に接続されたライン95からは一定電圧
の供給電圧が端子26,59,63,67に導出
される。
このような定電圧回路10は電源電圧の変化
(4.75V〜15V)に対して、論理回路1、入力イン
ターフエイス回路2〜5などの周辺回路への供給
電圧を一定とする。ここで、従来技術の定電圧回
路ではダイオード87〜89が設けられていなか
つたので、電源投入時において定電圧回路10は
電源電圧がダイオード3個すなわち2.1Vになつ
たときに出力を導出していた。そのため、電源電
圧の立ち上りが遅い場合には、オートセツトある
いはオートリセツトのためのパルスが半導体スイ
ツチング回路7に与えられても、ラツチングリレ
ー8の最小動作電圧よりも供給電圧Vccが低いこ
とが生じ、ラツチングリレー8が動作しないこと
が生じるおそれがあつた。しかし定電圧回路10
では6個のダイオード87〜92を直列に接続し
ているので定電圧回路10の起動電圧は4.2Vと
なる。一方、ラツチングリレー8の最小動作電圧
は約4.0Vである。したがつて、電源電圧のどの
ような立ち上りに対してもオートセツトあるいは
オートリセツト動作が確実に達成される。
(4.75V〜15V)に対して、論理回路1、入力イン
ターフエイス回路2〜5などの周辺回路への供給
電圧を一定とする。ここで、従来技術の定電圧回
路ではダイオード87〜89が設けられていなか
つたので、電源投入時において定電圧回路10は
電源電圧がダイオード3個すなわち2.1Vになつ
たときに出力を導出していた。そのため、電源電
圧の立ち上りが遅い場合には、オートセツトある
いはオートリセツトのためのパルスが半導体スイ
ツチング回路7に与えられても、ラツチングリレ
ー8の最小動作電圧よりも供給電圧Vccが低いこ
とが生じ、ラツチングリレー8が動作しないこと
が生じるおそれがあつた。しかし定電圧回路10
では6個のダイオード87〜92を直列に接続し
ているので定電圧回路10の起動電圧は4.2Vと
なる。一方、ラツチングリレー8の最小動作電圧
は約4.0Vである。したがつて、電源電圧のどの
ような立ち上りに対してもオートセツトあるいは
オートリセツト動作が確実に達成される。
本発明の他の実施例として、第9図に示すよう
なノイズ除去回路を用いてもよい。このノイズ除
去回路95において、反転回路96の出力は反転
回路97にライン98を介して与えられる。また
反転回路97の出力は遅延回路99に与えられ、
遅延回路99の出力はライン98にワイアードア
ンド接続される。反転回路97の出力はライン1
00を介して導出されるとともに、遅延回路10
1に与えられ、遅延回路101の出力はライン1
00にワイアードアンド接続される。
なノイズ除去回路を用いてもよい。このノイズ除
去回路95において、反転回路96の出力は反転
回路97にライン98を介して与えられる。また
反転回路97の出力は遅延回路99に与えられ、
遅延回路99の出力はライン98にワイアードア
ンド接続される。反転回路97の出力はライン1
00を介して導出されるとともに、遅延回路10
1に与えられ、遅延回路101の出力はライン1
00にワイアードアンド接続される。
第10図を参照して、反転回路96に与えられ
る信号の波形を第10図1で示すようにすると、
反転回路96の出力は第10図2で示され、遅延
回路99の出力は第10図3で示される。したが
つて反転回路97に与えられる信号は第10図4
で示されるように正方向性ノイズN+を除去され
ている。反転回路97の出力は第10図5で示さ
れ、遅延回路101の出力は第10図6で示され
る。したがつてノイズ除去回路95から導出され
る信号は、第10図7で示すようにN+、N-のノ
イズを除去されている。
る信号の波形を第10図1で示すようにすると、
反転回路96の出力は第10図2で示され、遅延
回路99の出力は第10図3で示される。したが
つて反転回路97に与えられる信号は第10図4
で示されるように正方向性ノイズN+を除去され
ている。反転回路97の出力は第10図5で示さ
れ、遅延回路101の出力は第10図6で示され
る。したがつてノイズ除去回路95から導出され
る信号は、第10図7で示すようにN+、N-のノ
イズを除去されている。
このようなノイズ除去回路は、第2図で示した
第1ノイズ除去回路28、第2ノイズ除去回路3
5、第3ノイズ除去回路39に代えて、トグル信
号ラインとモノステーブル信号ラインに用いるこ
とができる。しかも、従来からのノイズ除去回路
は第11図に示すように6個の反転回路102〜
107と2個の遅延回路108,109とを必要
とするのに対し、2個の反転回路96,97と2
個の遅延回路99,101とで構成されており、
回路構成が簡単になる。
第1ノイズ除去回路28、第2ノイズ除去回路3
5、第3ノイズ除去回路39に代えて、トグル信
号ラインとモノステーブル信号ラインに用いるこ
とができる。しかも、従来からのノイズ除去回路
は第11図に示すように6個の反転回路102〜
107と2個の遅延回路108,109とを必要
とするのに対し、2個の反転回路96,97と2
個の遅延回路99,101とで構成されており、
回路構成が簡単になる。
上述のごとく本発明によれば非常に簡単な構成
のノイズ除去回路によつて、入力信号に混入した
ノイズを確実に除去することができ、したがつて
誤動作を確実に防止することができる。
のノイズ除去回路によつて、入力信号に混入した
ノイズを確実に除去することができ、したがつて
誤動作を確実に防止することができる。
第1図は本発明の一実施例の全体回路図、第2
図は入力インターフエイス回路7の回路図、第3
図はノイズを説明するための図、第4図は第2ノ
イズ除去回路35の回路図、第5図はオートリセ
ツトあるいはオートセツト端子Aからの信号に応
答した動作を説明するためのタイミングチヤー
ト、第6図は単安定回路9の回路図、第7図はフ
リツプフロツプ29のクロツク端子CKに入力さ
れる信号を説明するためのタイミングチヤート、
第8図は定電圧回路10の回路図、第9図は本発
明の他の実施例のノイズ除去回路95の回路図、
第10図はノイズ除去回路95のタイミングチヤ
ート、第11図は従来からのノイズ除去回路の回
路図である。 1……論理回路、2〜5……入力インターフエ
イス回路、6……リレースイツチ、7……半導体
スイツチング回路、8……ラツチングリレー、9
……単安定回路、10……定電圧回路、11,1
4……ダイオード、28……第1ノイズ除去回
路、29……フリツプフロツプ、35……第2ノ
イズ除去回路、36……第3ノイズ除去回路、9
5……ノイズ除去回路、TR1〜TR31……ト
ランジスタ、R……リセツト端子、S……セツト
端子、T……トグル端子、M……モノステーブル
端子、A……オートリセツトあるいはオートセツ
ト端子。
図は入力インターフエイス回路7の回路図、第3
図はノイズを説明するための図、第4図は第2ノ
イズ除去回路35の回路図、第5図はオートリセ
ツトあるいはオートセツト端子Aからの信号に応
答した動作を説明するためのタイミングチヤー
ト、第6図は単安定回路9の回路図、第7図はフ
リツプフロツプ29のクロツク端子CKに入力さ
れる信号を説明するためのタイミングチヤート、
第8図は定電圧回路10の回路図、第9図は本発
明の他の実施例のノイズ除去回路95の回路図、
第10図はノイズ除去回路95のタイミングチヤ
ート、第11図は従来からのノイズ除去回路の回
路図である。 1……論理回路、2〜5……入力インターフエ
イス回路、6……リレースイツチ、7……半導体
スイツチング回路、8……ラツチングリレー、9
……単安定回路、10……定電圧回路、11,1
4……ダイオード、28……第1ノイズ除去回
路、29……フリツプフロツプ、35……第2ノ
イズ除去回路、36……第3ノイズ除去回路、9
5……ノイズ除去回路、TR1〜TR31……ト
ランジスタ、R……リセツト端子、S……セツト
端子、T……トグル端子、M……モノステーブル
端子、A……オートリセツトあるいはオートセツ
ト端子。
Claims (1)
- 1 ラツチングリレーの動作を制御するための入
力端子およびオートリセツトあるいはオートセツ
ト端子からの各信号に応答する論理回路における
フリツプフロツプのセツト出力およびリセツト出
力を、ラツチングリレーのリレースイツチのスイ
ツチング態様を制御するための半導体スイツチン
グ回路に与えるようにしたラツチングリレーの駆
動回路において、前記入力端子からの信号は入力
インターフエイス回路を介して論理回路に与えら
れ、論理回路において各信号は遅延回路を介する
信号との一致によつて出力を導出するようにして
ノイズを除去するノイズ除去回路に与えられ、し
かもそのノイズ除去回路はフリツプフロツプをセ
ツトあるいはリセツトする信号を除くラインにお
いて正負両方向のノイズを除去すべく構成され、
前記フリツプフロツプのセツトおよびリセツトの
ための信号ラインにおいては前記セツトおよびリ
セツト動作を行なうための信号とは逆方向のノイ
ズのみを除去すべく構成されることを特徴とする
ラツチングリレーの駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57017924A JPS58135540A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | ラツチングリレ−の駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57017924A JPS58135540A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | ラツチングリレ−の駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58135540A JPS58135540A (ja) | 1983-08-12 |
| JPH0210539B2 true JPH0210539B2 (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=11957311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57017924A Granted JPS58135540A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | ラツチングリレ−の駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58135540A (ja) |
-
1982
- 1982-02-05 JP JP57017924A patent/JPS58135540A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58135540A (ja) | 1983-08-12 |
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