JPH02105438A - エピタキシヤル成長層の膜厚測定方法 - Google Patents
エピタキシヤル成長層の膜厚測定方法Info
- Publication number
- JPH02105438A JPH02105438A JP25867088A JP25867088A JPH02105438A JP H02105438 A JPH02105438 A JP H02105438A JP 25867088 A JP25867088 A JP 25867088A JP 25867088 A JP25867088 A JP 25867088A JP H02105438 A JPH02105438 A JP H02105438A
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- JP
- Japan
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- epitaxial growth
- growth layer
- semiconductor substrate
- difference
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はエピタキシャル成長層の膜厚測定方法に関する
。
。
従来、半導体基板上に形成されたエピタキシャル成長層
の膜厚測定方法としては、半導体基板とエピタキシャル
成長層間に形成された不純物高濃度層での赤外線の反射
を利用した赤外線分光法や、半導体基板を襞間し各種の
エツチング液によってエピタキシャル成長層と半導体基
板との境界を表出させる方法、さらに広がり抵抗法など
が用いられている。
の膜厚測定方法としては、半導体基板とエピタキシャル
成長層間に形成された不純物高濃度層での赤外線の反射
を利用した赤外線分光法や、半導体基板を襞間し各種の
エツチング液によってエピタキシャル成長層と半導体基
板との境界を表出させる方法、さらに広がり抵抗法など
が用いられている。
上述した従来のエピタキシャル成長層の膜厚測定方法の
うち、赤外線分光法は、第１にエピタキシャル成長層と
半導体基板との界面に不純物高濃度層を有していないも
のは測定不可能である。第２に赤外線分光法の測定限界
は約０，５μｍであり、半導体装置の高速化に伴うエピ
タキシャル成長層の薄膜化への要求に十分応えることが
できないという欠点がある。
うち、赤外線分光法は、第１にエピタキシャル成長層と
半導体基板との界面に不純物高濃度層を有していないも
のは測定不可能である。第２に赤外線分光法の測定限界
は約０，５μｍであり、半導体装置の高速化に伴うエピ
タキシャル成長層の薄膜化への要求に十分応えることが
できないという欠点がある。
また、半導体基板を襞間し、各種のエツチング液によっ
てエピタキシャル成長層と半導体基板との境界を表出さ
せる方法や広がり抵抗法は、半導体基板を完全に破壊し
なければならないという欠点がある。さらにこのエツチ
ングによる方法は精度が悪く、広がり抵抗法の測定限界
も約０，５μｍであり、エピタキシャル成長層の１膜化
への要求に十分応えることができない。
てエピタキシャル成長層と半導体基板との境界を表出さ
せる方法や広がり抵抗法は、半導体基板を完全に破壊し
なければならないという欠点がある。さらにこのエツチ
ングによる方法は精度が悪く、広がり抵抗法の測定限界
も約０，５μｍであり、エピタキシャル成長層の１膜化
への要求に十分応えることができない。
本発明のエピタキシャル成長層の膜厚測定方法は、半導
体基板上に選択的に絶縁膜を形成する工程と、選択エピ
タキシャル成長法により前記半導体基板上にエピタキシ
ャル成長層を形成する工程と、エピタキシャル成長層が
形成された前記半導体基板上の前記絶縁膜を除去して半
導体基板表面を露出する工程と、露出した前記半導体基
板表面と前記エピタキシャル成長層表面との段差を測定
する工程とを含んで構成される。
体基板上に選択的に絶縁膜を形成する工程と、選択エピ
タキシャル成長法により前記半導体基板上にエピタキシ
ャル成長層を形成する工程と、エピタキシャル成長層が
形成された前記半導体基板上の前記絶縁膜を除去して半
導体基板表面を露出する工程と、露出した前記半導体基
板表面と前記エピタキシャル成長層表面との段差を測定
する工程とを含んで構成される。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
先ず第１図（ａ）に示すように、シリコン基板１２の表
面に厚さ５００〜６００人の酸化膜１１を堆積させる。
面に厚さ５００〜６００人の酸化膜１１を堆積させる。
次に第１図（ｂ）に示すように、約５Ｘ５ｍｎｌの酸化
ｆｊＡ１１Ａを残して他の酸化ｆｉ１．１をフォトリソ
グラフィーによって除去する。
ｆｊＡ１１Ａを残して他の酸化ｆｉ１．１をフォトリソ
グラフィーによって除去する。
次に第１図（Ｃ）に示すように、例えば水素ガス１８０
Ｓ Ｌ Ｍ 、ジクロルシランガス３００３ＣＣＭ、
塩素ガス１．３ＳＬＭ、温度９５０°Ｃ１圧力６７０Ｐ
ａの条件で選択エピタキシャル成長を行ない、シリコン
基板１２の上にエピタキシャル成長層１４を形成させる
。この時分離された酸化膜１１Ａの上にはエピタキシャ
ル成長層は形成されない。
Ｓ Ｌ Ｍ 、ジクロルシランガス３００３ＣＣＭ、
塩素ガス１．３ＳＬＭ、温度９５０°Ｃ１圧力６７０Ｐ
ａの条件で選択エピタキシャル成長を行ない、シリコン
基板１２の上にエピタキシャル成長層１４を形成させる
。この時分離された酸化膜１１Ａの上にはエピタキシャ
ル成長層は形成されない。
次に第１図（ｄ）に示すように、分離された酸化膜１１
Ａを弗酸と弗化アンモニウムと水の混合液でエツチング
除去し、シリコン基板１２の表面にまで達する段部１５
を形成する。
Ａを弗酸と弗化アンモニウムと水の混合液でエツチング
除去し、シリコン基板１２の表面にまで達する段部１５
を形成する。
次にこの段部１５における段差を、例えば段差測定器で
測定し、エピタキシャル成長層１４の膜厚を求める。こ
の段差測定器は数人の段差を測定できるためエピタキシ
ャル成長層を数人にまで薄くすることができる。
測定し、エピタキシャル成長層１４の膜厚を求める。こ
の段差測定器は数人の段差を測定できるためエピタキシ
ャル成長層を数人にまで薄くすることができる。
尚、上記実施例においては段差を形成するための絶縁膜
として酸化膜を用いた場合について説明したが、窒化膜
を用いてもよい。酸化膜を窒化膜にすることにより、エ
ピタキシャル成長工程で酸化膜がキャリアガスとしての
高温の水素によりエツチングされるという影響を受ける
ことが無くなる為、窒化膜の膜厚を、例えば数人まで薄
くすることが可能となり、それに伴ってエピタキシャル
成長層の膜厚も薄くできるという利点がある。
として酸化膜を用いた場合について説明したが、窒化膜
を用いてもよい。酸化膜を窒化膜にすることにより、エ
ピタキシャル成長工程で酸化膜がキャリアガスとしての
高温の水素によりエツチングされるという影響を受ける
ことが無くなる為、窒化膜の膜厚を、例えば数人まで薄
くすることが可能となり、それに伴ってエピタキシャル
成長層の膜厚も薄くできるという利点がある。
以上説明したように本発明は、半導体基板上に選択的に
絶縁膜を形成したのち選択エピタキシャル法でエピタキ
シャル成長層を形成し、次で絶縁膜を除去してエピタキ
シャル成長層表面から半導体基板表面まで達する段差を
形成し、この段差を測定することにより、エピタキシャ
ル成長層の膜厚を数人の厚さまで容易に測定できる。
絶縁膜を形成したのち選択エピタキシャル法でエピタキ
シャル成長層を形成し、次で絶縁膜を除去してエピタキ
シャル成長層表面から半導体基板表面まで達する段差を
形成し、この段差を測定することにより、エピタキシャ
ル成長層の膜厚を数人の厚さまで容易に測定できる。
第１図は本発明の一実施例を説明するための半導体チッ
プの断面図である。 １１、ＩＩＡ・・・酸化膜、１２・・・シリコン基板、
１４・・・エピタキシャル成長層、１５・・・段部。
プの断面図である。 １１、ＩＩＡ・・・酸化膜、１２・・・シリコン基板、
１４・・・エピタキシャル成長層、１５・・・段部。
Claims (1)
- 半導体基板上に選択的に絶縁膜を形成する工程と、選択
エピタキシャル成長法により前記半導体基板上にエピタ
キシャル成長層を形成する工程と、エピタキシャル成長
層が形成された前記半導体基板上の前記絶縁膜を除去し
て半導体基板表面を露出する工程と、露出した前記半導
体基板表面と前記エピタキシャル成長層表面との段差を
測定する工程とを含むことを特徴とするエピタキシャル
成長層の膜厚測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25867088A JPH02105438A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | エピタキシヤル成長層の膜厚測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25867088A JPH02105438A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | エピタキシヤル成長層の膜厚測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02105438A true JPH02105438A (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=17323468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25867088A Pending JPH02105438A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | エピタキシヤル成長層の膜厚測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02105438A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970022206A (ko) * | 1995-10-16 | 1997-05-28 | 김익명 | 막 두께 측정방법 |
| US6010914A (en) * | 1996-10-28 | 2000-01-04 | Nec Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device |
| DE10324551A1 (de) * | 2003-05-30 | 2004-12-30 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Bestimmen der Schichtdicke einer optisch kontrastlos epitaktisch auf ein Halbleitersubstrat aufgewachsenen Schicht |
| KR100850134B1 (ko) * | 2006-11-29 | 2008-08-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 에픽텍셜 공정에서의 표면 단차를 이용한 두께 측정방법 |
| CN102376534A (zh) * | 2010-08-26 | 2012-03-14 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 硅外延膜厚测试标准片的制作方法 |
| CN102569041A (zh) * | 2010-12-29 | 2012-07-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 选择性外延工艺的监控方法 |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP25867088A patent/JPH02105438A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970022206A (ko) * | 1995-10-16 | 1997-05-28 | 김익명 | 막 두께 측정방법 |
| US6010914A (en) * | 1996-10-28 | 2000-01-04 | Nec Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device |
| DE10324551A1 (de) * | 2003-05-30 | 2004-12-30 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Bestimmen der Schichtdicke einer optisch kontrastlos epitaktisch auf ein Halbleitersubstrat aufgewachsenen Schicht |
| KR100850134B1 (ko) * | 2006-11-29 | 2008-08-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 에픽텍셜 공정에서의 표면 단차를 이용한 두께 측정방법 |
| CN102376534A (zh) * | 2010-08-26 | 2012-03-14 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 硅外延膜厚测试标准片的制作方法 |
| CN102569041A (zh) * | 2010-12-29 | 2012-07-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 选择性外延工艺的监控方法 |
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