JPH02105545A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02105545A JPH02105545A JP63258434A JP25843488A JPH02105545A JP H02105545 A JPH02105545 A JP H02105545A JP 63258434 A JP63258434 A JP 63258434A JP 25843488 A JP25843488 A JP 25843488A JP H02105545 A JPH02105545 A JP H02105545A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor pellet
- sealing
- lead
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
従来、樹脂封止型半導体装置は、リードフレームのアイ
ランドに半導体ペレットを銀ペースト等で固着し、ワイ
ヤーボンディングにてリードと半導体ペレットのボンデ
ィングパッドとを接続し、次で樹脂形成により半導体ペ
レット等を封止した後に、タイバー切断、リード形成等
の仕上げを行なっていた。
ランドに半導体ペレットを銀ペースト等で固着し、ワイ
ヤーボンディングにてリードと半導体ペレットのボンデ
ィングパッドとを接続し、次で樹脂形成により半導体ペ
レット等を封止した後に、タイバー切断、リード形成等
の仕上げを行なっていた。
近年、半導体の高集積化により半導体ペレットの単価が
高くなってきており、樹脂封止型半導体装置全体の価格
に占める半導体ペレットの価格の割合が大きくなってき
た。そのため、樹脂封止型半導体装置の封入工程及び仕
上げ工程での不良は、良品の半導体ペレットを無駄にす
ることになり、コストを高めるという欠点がある。
高くなってきており、樹脂封止型半導体装置全体の価格
に占める半導体ペレットの価格の割合が大きくなってき
た。そのため、樹脂封止型半導体装置の封入工程及び仕
上げ工程での不良は、良品の半導体ペレットを無駄にす
ることになり、コストを高めるという欠点がある。
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、少くとも
タイバーに連結されたリードを有するす−ドフレームの
半導体ペレット搭載領域とリードとボンディングパッド
を接続するための配線領域とに空間を残してリードフレ
ームを樹脂封止する工程と、前記半導体ペレット搭載領
域に半導体ペレットを固着したのち前記リードとボンデ
ィングパッド間に配線を形成する工程と、半導体ペレッ
トが搭載され配線が形成された前記空間を樹脂封止する
工程とを含んで構成される。
タイバーに連結されたリードを有するす−ドフレームの
半導体ペレット搭載領域とリードとボンディングパッド
を接続するための配線領域とに空間を残してリードフレ
ームを樹脂封止する工程と、前記半導体ペレット搭載領
域に半導体ペレットを固着したのち前記リードとボンデ
ィングパッド間に配線を形成する工程と、半導体ペレッ
トが搭載され配線が形成された前記空間を樹脂封止する
工程とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための一部を樹脂封止したリードフレームの平面図お
よびＡ−Ａ’線断面図である。
るための一部を樹脂封止したリードフレームの平面図お
よびＡ−Ａ’線断面図である。
まず、吊りリード３に接続されたアイランド２と、この
ア・ｆランド２の周囲にタイバー（図示せず）により連
結された内部リード４と外部リード５とを有するリード
フレームの、アイランド２と内部リード４の先端部とを
露出させ、その周囲を外部封止樹脂１で封止する。
ア・ｆランド２の周囲にタイバー（図示せず）により連
結された内部リード４と外部リード５とを有するリード
フレームの、アイランド２と内部リード４の先端部とを
露出させ、その周囲を外部封止樹脂１で封止する。
次に外部リード５を仕上げ工程により成形する。この成
形は外部封止樹脂による封止前に行ってもよい。
形は外部封止樹脂による封止前に行ってもよい。
次にアイランド２上に半導体ペレット６を銀ペースト等
を用いてダイボンディングを行ったのち、内部リード４
と半導体ペレット６のボンディングパッド間をボンディ
ングワイヤにより接続する。
を用いてダイボンディングを行ったのち、内部リード４
と半導体ペレット６のボンディングパッド間をボンディ
ングワイヤにより接続する。
次に外部封止樹脂１により囲まれた部分を内部封止樹脂
８で封止し、樹脂封止型半導体装置を完成させる。ここ
で用いる内部封止樹脂８は、外部封止樹脂１と同じであ
っても別であってもよい。
８で封止し、樹脂封止型半導体装置を完成させる。ここ
で用いる内部封止樹脂８は、外部封止樹脂１と同じであ
っても別であってもよい。
しかし、例えば、α線対策用樹脂を用いれば、α線に強
い樹脂封止型半導体装置ができ、また、耐湿性向上対策
用樹脂を用いれば、対湿性にすぐれた樹脂封止型半導体
装置が得られる。
い樹脂封止型半導体装置ができ、また、耐湿性向上対策
用樹脂を用いれば、対湿性にすぐれた樹脂封止型半導体
装置が得られる。
このように第１の実施例によれば、外部樹脂形成工程及
び仕上げ工程をダイボンディング工程より先に行なうた
め、樹脂形成工程及び仕上げ工程での不良品に半導体ペ
レットを使用することはなくなり、コストは低減される
。
び仕上げ工程をダイボンディング工程より先に行なうた
め、樹脂形成工程及び仕上げ工程での不良品に半導体ペ
レットを使用することはなくなり、コストは低減される
。
また、多ピンのクワッド・フラット・パッケージなどの
内部リードが細く長いリードフレームにおいては、グイ
ボンディングの前に、樹脂形成にて内部リードを固定で
きるため、グイボンディングの後に、銀ペーストを硬化
させる銀ペーストベークや、配線工程での加熱による内
部リードの熱変形が防止でき、歩留りが向上するという
効果も得られる。
内部リードが細く長いリードフレームにおいては、グイ
ボンディングの前に、樹脂形成にて内部リードを固定で
きるため、グイボンディングの後に、銀ペーストを硬化
させる銀ペーストベークや、配線工程での加熱による内
部リードの熱変形が防止でき、歩留りが向上するという
効果も得られる。
第２図は本発明の第２の実施例を説明するための一部を
樹脂封止したリードフレームの平面図である。
樹脂封止したリードフレームの平面図である。
この第２の実施例では、吊りリード及びアイランドのな
いリードフレームを用いているため、ペレット取付部７
は外部封止樹脂１の表面である。
いリードフレームを用いているため、ペレット取付部７
は外部封止樹脂１の表面である。
すなわち、外部封止樹脂を第１の実施例の場合と同様に
して形成したのち、ペレット取付部７に銀ペースト等の
ペレット接着手段を用い、半導体ペレット６を固定する
。次で内部リード４とボンディングパッドとをボンディ
ングワイヤーでワイヤーボンディングしたのち内部封止
樹脂で封止を行なう。
して形成したのち、ペレット取付部７に銀ペースト等の
ペレット接着手段を用い、半導体ペレット６を固定する
。次で内部リード４とボンディングパッドとをボンディ
ングワイヤーでワイヤーボンディングしたのち内部封止
樹脂で封止を行なう。
この第２の実施例の場合は吊りリードが無いため、内部
リード４の幅を少し太くでき、多ピン化する際に有利で
あると共に、パッケージの耐湿性の面でも有利である。
リード４の幅を少し太くでき、多ピン化する際に有利で
あると共に、パッケージの耐湿性の面でも有利である。
以上説明したように本発明は、リードフレームの半導体
ペレット搭載領域と配線領域とに必要な空間を残して樹
脂封止したのち、半導体ペレットの固着および配線の形
成を行なうことにより、従来の封入工程及び仕上げ工程
で発生する不良により、良品の半導体ペレットを無駄に
するということがなくなるため、コストを低減できると
いう効果がある。
ペレット搭載領域と配線領域とに必要な空間を残して樹
脂封止したのち、半導体ペレットの固着および配線の形
成を行なうことにより、従来の封入工程及び仕上げ工程
で発生する不良により、良品の半導体ペレットを無駄に
するということがなくなるため、コストを低減できると
いう効果がある。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための一部樹脂封止したリードフレームの平面図及び
Ａ−Ａ’線断面図、第２図は本発明の第２の実施例を説
明するための一部樹脂封止したリードフレームの平面図
である。 １・・・外部封止樹脂、２・・・アイランド、３・・・
吊りリード、４・・・内部リード、５・・・外部リード
、６・・・半導体ペレット、７・・・ペレット取付部、
８・・・内部封止樹脂。
るための一部樹脂封止したリードフレームの平面図及び
Ａ−Ａ’線断面図、第２図は本発明の第２の実施例を説
明するための一部樹脂封止したリードフレームの平面図
である。 １・・・外部封止樹脂、２・・・アイランド、３・・・
吊りリード、４・・・内部リード、５・・・外部リード
、６・・・半導体ペレット、７・・・ペレット取付部、
８・・・内部封止樹脂。
Claims (1)
- 少くともタイバーに連結されたリードを有するリードフ
レームの半導体ペレット搭載領域とリードとボンディン
グパッドを接続するための配線領域とに空間を残してリ
ードフレームを樹脂封止する工程と、前記半導体ペレッ
ト搭載領域に半導体ペレットを固着したのち前記リード
とボンディングパッド間に配線を形成する工程と、半導
体ペレットが搭載され配線が形成された前記空間を樹脂
封止する工程とを含むことを特徴とする樹脂封止型半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63258434A JPH02105545A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63258434A JPH02105545A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02105545A true JPH02105545A (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=17320154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63258434A Pending JPH02105545A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02105545A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5343076A (en) * | 1990-07-21 | 1994-08-30 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Semiconductor device with an airtight space formed internally within a hollow package |
-
1988
- 1988-10-14 JP JP63258434A patent/JPH02105545A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5343076A (en) * | 1990-07-21 | 1994-08-30 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Semiconductor device with an airtight space formed internally within a hollow package |
| US6048754A (en) * | 1990-07-21 | 2000-04-11 | Mitsui Chemicals, Inc. | Method of manufacturing a semiconductor device with an airtight space formed internally within a hollow package |
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