JPH02106060A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH02106060A JPH02106060A JP25988688A JP25988688A JPH02106060A JP H02106060 A JPH02106060 A JP H02106060A JP 25988688 A JP25988688 A JP 25988688A JP 25988688 A JP25988688 A JP 25988688A JP H02106060 A JPH02106060 A JP H02106060A
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- Japan
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- lead frame
- film
- semiconductor devices
- insulating film
- semiconductor device
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体装置用リードフレーム、特に、絶縁層
としてフィルムを貼付した半導体装置用リードフレーム
に関する。
としてフィルムを貼付した半導体装置用リードフレーム
に関する。
〈従来の技術〉
リードフレームに絶縁層としてフィルムを貼付すること
により、インナーリードのブレによるボンディングミス
を防止し、またボンディングワイヤとベツドとの短絡を
防止し、あるいはリードの変形を防止したもの等が提案
されているが（例えば、特開昭５８−１８２８５９、同
８０−１６７４５４、同６０−２４１２４２、同８３−
１０５３４号公報参照）、いずれの場合もリードフレー
ムに絶縁層であるフィルムを貼付するためには、リード
フレームを高温にしておき、予め接着剤を塗布しである
フィルムをこのリードフレームに押しつけることによっ
て前記接着剤を溶融させて貼付を行っている。 フィル
ムに使用され・る高温型接着剤の特徴としては、モール
ド等の後工程の加熱に耐えられる、分解によるガス発生
の心配がない等が挙げられる。
により、インナーリードのブレによるボンディングミス
を防止し、またボンディングワイヤとベツドとの短絡を
防止し、あるいはリードの変形を防止したもの等が提案
されているが（例えば、特開昭５８−１８２８５９、同
８０−１６７４５４、同６０−２４１２４２、同８３−
１０５３４号公報参照）、いずれの場合もリードフレー
ムに絶縁層であるフィルムを貼付するためには、リード
フレームを高温にしておき、予め接着剤を塗布しである
フィルムをこのリードフレームに押しつけることによっ
て前記接着剤を溶融させて貼付を行っている。 フィル
ムに使用され・る高温型接着剤の特徴としては、モール
ド等の後工程の加熱に耐えられる、分解によるガス発生
の心配がない等が挙げられる。
このように絶縁層として用いられる前記フィルムは、リ
ードフレーム材に比べ、熱膨張係数が大きく、またフィ
ルムの厚さは、リードフレームの板厚と同程度のものが
一般に用いられている。
ードフレーム材に比べ、熱膨張係数が大きく、またフィ
ルムの厚さは、リードフレームの板厚と同程度のものが
一般に用いられている。
〈発明が解決しようとする課題〉
従来、リードフレームには、鉄系、銅系などが用いられ
、これらの熱膨張係数はそれぞれｔｏｘｔｏ−’ ｔ
７ｘｉｏ−’程度であるのに対し、貼付する絶縁用フィ
ルム、例えばポリイミドフィルムの熱膨張係数は２０Ｘ
１０−’と大きく、その接着温度は高温型接着剤を用い
た場合には３００℃程度と高いため、ポリイミドフィル
ムをリードフレームに接着後、常温まで冷却されるとリ
ードフレームとポリイミドフィルムの熱膨張係数の差に
よる寸法の差が生ずるとともに、熱収縮が生じ、両者の
板厚がほぼ同程度であるため、例えば、第４図に示すよ
うに絶縁用フィルム１の収縮にリードフレーム２が耐え
られず、接着部分に反りを生ずる。
、これらの熱膨張係数はそれぞれｔｏｘｔｏ−’ ｔ
７ｘｉｏ−’程度であるのに対し、貼付する絶縁用フィ
ルム、例えばポリイミドフィルムの熱膨張係数は２０Ｘ
１０−’と大きく、その接着温度は高温型接着剤を用い
た場合には３００℃程度と高いため、ポリイミドフィル
ムをリードフレームに接着後、常温まで冷却されるとリ
ードフレームとポリイミドフィルムの熱膨張係数の差に
よる寸法の差が生ずるとともに、熱収縮が生じ、両者の
板厚がほぼ同程度であるため、例えば、第４図に示すよ
うに絶縁用フィルム１の収縮にリードフレーム２が耐え
られず、接着部分に反りを生ずる。
この反りが大きいと、シリコン等のチップが搭載できな
くなり、半導体装置の歩留りが低下するという問題点が
あった。
くなり、半導体装置の歩留りが低下するという問題点が
あった。
本発明は、前記従来技術の欠点を解消し、フィルム貼付
部分の反りの少ない高品位の半導体装置用リードフレー
ムを提供することを目的としている。
部分の反りの少ない高品位の半導体装置用リードフレー
ムを提供することを目的としている。
く課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するために本発明によれば、スリットを
有する絶縁用フィルムを半導体チップの搭載位置に貼付
したことを特徴とする半導体装置用リードフレームが提
供される。
有する絶縁用フィルムを半導体チップの搭載位置に貼付
したことを特徴とする半導体装置用リードフレームが提
供される。
以下に本発明をさらに詳細に説明する。
本発明に用いる絶縁用フィルムとしては、絶縁性のもの
であって半導体チップを搭載できる程度の強度を有する
ものであればよく、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂、
エポキシ樹脂、ＦＲＰ等を挙げることができる。
であって半導体チップを搭載できる程度の強度を有する
ものであればよく、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂、
エポキシ樹脂、ＦＲＰ等を挙げることができる。
この絶縁用フィルムの表面、即ち、リードフレームに接
着しない面には、スリットが形成されている。
着しない面には、スリットが形成されている。
スリットの形状としては、第１Ａ図および第１Ｂ図に示
すように、未切断部分を周囲に残し、かつフィルムの裏
面まで貫通して１本または複数本の切込み３をフィルム
の幅方向に入れた構造のもの（モード■）、第２Ａ図お
よび第２Ｂ図に示すように、フィルムの幅方向に両端ま
での長さで、かつフィルムの厚さ方向の途中まで１本ま
たは複数本の切込み４を入れた構造のもの（モード■）
または第３Ａ図および第３Ｂ図に示すように、未切断部
分を周囲に残し、かつフィルムの裏面まで貫通してフィ
ルムの幅方向に１本または複数本の切込み３とフィルム
の長さ方向に１本の切込み５を入れた構造のもの（モー
ド■）などを挙げることができるが、これらに限ること
なく反りを生じさせる部分の断面積を減少させてフィル
ムの収縮力を低下させるものであればよく、例えば、フ
ィルムの幅方向または長さ方向に対して適宜の角度をも
つ方向に切込みを入れてもよい。
すように、未切断部分を周囲に残し、かつフィルムの裏
面まで貫通して１本または複数本の切込み３をフィルム
の幅方向に入れた構造のもの（モード■）、第２Ａ図お
よび第２Ｂ図に示すように、フィルムの幅方向に両端ま
での長さで、かつフィルムの厚さ方向の途中まで１本ま
たは複数本の切込み４を入れた構造のもの（モード■）
または第３Ａ図および第３Ｂ図に示すように、未切断部
分を周囲に残し、かつフィルムの裏面まで貫通してフィ
ルムの幅方向に１本または複数本の切込み３とフィルム
の長さ方向に１本の切込み５を入れた構造のもの（モー
ド■）などを挙げることができるが、これらに限ること
なく反りを生じさせる部分の断面積を減少させてフィル
ムの収縮力を低下させるものであればよく、例えば、フ
ィルムの幅方向または長さ方向に対して適宜の角度をも
つ方向に切込みを入れてもよい。
リードフレームに絶縁用フィルムを貼付する際に使用さ
れる接着剤としては各種のものが使用できるが、例えば
、耐熱温度３５０℃程度のポリイミド系、ポリエーテル
アミド系などの高温型接着剤を挙げることができる。
れる接着剤としては各種のものが使用できるが、例えば
、耐熱温度３５０℃程度のポリイミド系、ポリエーテル
アミド系などの高温型接着剤を挙げることができる。
本発明の半導体装置用リードフレームの製造方法として
は、例えば、スリットを有する絶縁用フィルムを所望の
大きさのしてその裏面、即ち、貼付する面に接着剤を塗
布し、これを常法によりリードフレームの半導体チップ
搭載位置に貼付することによって得られる。
は、例えば、スリットを有する絶縁用フィルムを所望の
大きさのしてその裏面、即ち、貼付する面に接着剤を塗
布し、これを常法によりリードフレームの半導体チップ
搭載位置に貼付することによって得られる。
〈実施例〉
以下に本発明を実施例に基づき具体的に説明する。
（実施例１）
厚さ０．２５ｍｍの５０％Ｎｔ−Ｆｅ合金製リードフレ
ームに、１４（長さ）×６（幅）×０．１５（厚さ）ｍ
ｍのポリイミドフィルムを貼付温度３００℃で貼付した
。 フィルムの表面には、第１Ａ図に示すようにモード
■の切込みを３本人れておいた。
ームに、１４（長さ）×６（幅）×０．１５（厚さ）ｍ
ｍのポリイミドフィルムを貼付温度３００℃で貼付した
。 フィルムの表面には、第１Ａ図に示すようにモード
■の切込みを３本人れておいた。
得られたリードフレームは、切込みを入れたことにより
収縮時に生ずる反りが細分化され、フィルム貼付部分中
央の凹みが３μｍであった。 比較のために、実施例１
と同じリードフレームに切込みを入れない同じ大きさの
ポリイミドフィルムを貼付したところ、フィルム貼付部
分中央の凹みは５０μｍであフた。
収縮時に生ずる反りが細分化され、フィルム貼付部分中
央の凹みが３μｍであった。 比較のために、実施例１
と同じリードフレームに切込みを入れない同じ大きさの
ポリイミドフィルムを貼付したところ、フィルム貼付部
分中央の凹みは５０μｍであフた。
（実施例２）
第２Ａ図に示すようにモード■の切込みを板厚の１／２
の深さで３本人れたポリイミドフィルムを用いたほかは
実施例１と同様にしてリードフレームを作成したところ
、絶縁厚さを確保しながら反りを生じさせる部分の断面
積を減少させ、フィルムの収縮力を低下させることがで
き、凹みは２９μｍと小さかった。
の深さで３本人れたポリイミドフィルムを用いたほかは
実施例１と同様にしてリードフレームを作成したところ
、絶縁厚さを確保しながら反りを生じさせる部分の断面
積を減少させ、フィルムの収縮力を低下させることがで
き、凹みは２９μｍと小さかった。
（実施例３）
第３Ａ図に示すようにモード■の切込みを幅方向に３本
、長さ方向に１本人れたポリイミドフィルムを用いたほ
かは実施例１と同様にしてリードフレームを作成したと
ころ、凹みは２７μｍと小さかった。
、長さ方向に１本人れたポリイミドフィルムを用いたほ
かは実施例１と同様にしてリードフレームを作成したと
ころ、凹みは２７μｍと小さかった。
また、幅方向の凹みも１８μｍと小さくなフた。
〈発明の効果〉
本発明は、以上説明したように構成されているので、ス
リットを有する絶縁用フィルムによりて貼付時の絶縁用
フィルムとリードフレーム材の熱膨張差と熱収縮を吸収
し、接着部分の反りを大幅に減少させた高品位の半導体
装置を提供することができる。
リットを有する絶縁用フィルムによりて貼付時の絶縁用
フィルムとリードフレーム材の熱膨張差と熱収縮を吸収
し、接着部分の反りを大幅に減少させた高品位の半導体
装置を提供することができる。
また、絶縁用フィルムは、スリットによって完全には切
離されていないテープ状態で用いられるので、効率的、
かつ高位置精度の貼付作業を行うことができる。
離されていないテープ状態で用いられるので、効率的、
かつ高位置精度の貼付作業を行うことができる。
第１Ａ図および第１Ｂ図は、それぞれ本発明の第１実施
例の半導体装置用リードフレームを示す平面図およびフ
ィルム接着部分の断面図である。 第２Ａ図および第２Ｂ図は、それぞれ本発明の第２実施
例の平面図および断面図である。 第３Ａ図および第３Ｂ図は、それぞれ本発明の第３実施
例の平面図および断面図である。 第４図は、従来の半導体装置用リードフレームにおける
フィルム接着部分の断面図である。 ＦＩＧ、ＩＡ ＦＩＧ、ＩＢ 符号の説明 １・１−絶縁用フィルム、 ２・１争リードフレーム、 ３．４．５・・・・切込み（スリット）ＦＩＧ、２Ａ ＦＩＧ、２Ｂ・ −２； ＦＩＧ、３Ａ ＦＩＧ、３Ｂ フ ＦＩＧ、４ 可３丁目１番１号 日立電線株式会社電
例の半導体装置用リードフレームを示す平面図およびフ
ィルム接着部分の断面図である。 第２Ａ図および第２Ｂ図は、それぞれ本発明の第２実施
例の平面図および断面図である。 第３Ａ図および第３Ｂ図は、それぞれ本発明の第３実施
例の平面図および断面図である。 第４図は、従来の半導体装置用リードフレームにおける
フィルム接着部分の断面図である。 ＦＩＧ、ＩＡ ＦＩＧ、ＩＢ 符号の説明 １・１−絶縁用フィルム、 ２・１争リードフレーム、 ３．４．５・・・・切込み（スリット）ＦＩＧ、２Ａ ＦＩＧ、２Ｂ・ −２； ＦＩＧ、３Ａ ＦＩＧ、３Ｂ フ ＦＩＧ、４ 可３丁目１番１号 日立電線株式会社電
Claims (1)
- （１）スリットを有する絶縁用フィルムを半導体チップ
の搭載位置に貼付したことを特徴とする半導体装置用リ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63259886A JP2569763B2 (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63259886A JP2569763B2 (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02106060A true JPH02106060A (ja) | 1990-04-18 |
| JP2569763B2 JP2569763B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=17340305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63259886A Expired - Lifetime JP2569763B2 (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2569763B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19618976C2 (de) * | 1995-10-30 | 2002-06-27 | Mitsubishi Electric Corp | Mit Harz abgedichtete Halbleitervorrichtung |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60167454A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS62234655A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-14 | Hitachi Ltd | 気密構造体の補修方法 |
| JPS63225203A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-20 | Jushi Insatsushiya:Kk | 暗色鏡および其の製造方法 |
-
1988
- 1988-10-14 JP JP63259886A patent/JP2569763B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60167454A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS62234655A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-14 | Hitachi Ltd | 気密構造体の補修方法 |
| JPS63225203A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-20 | Jushi Insatsushiya:Kk | 暗色鏡および其の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19618976C2 (de) * | 1995-10-30 | 2002-06-27 | Mitsubishi Electric Corp | Mit Harz abgedichtete Halbleitervorrichtung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2569763B2 (ja) | 1997-01-08 |
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