JPS5834932A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5834932A JPS5834932A JP56133480A JP13348081A JPS5834932A JP S5834932 A JPS5834932 A JP S5834932A JP 56133480 A JP56133480 A JP 56133480A JP 13348081 A JP13348081 A JP 13348081A JP S5834932 A JPS5834932 A JP S5834932A
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- Japan
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- element substrate
- substrate
- resin film
- support substrate
- semiconductor device
- Prior art date
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- Pending
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/07331—Connecting techniques
- H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
- H10W72/07338—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy hardening the adhesive by curing, e.g. thermosetting
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- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/351—Materials of die-attach connectors
- H10W72/353—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics
- H10W72/354—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics comprising polymers
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- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/381—Auxiliary members
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は支持基板に素子基板が取り付けられている半
導体装置に関する。
導体装置に関する。
第１図（Ａ） 、 （Ｂ）に従来の支持基板に対する素
子基板の取り付は方法を示す。なお、第１図（Ａ）はそ
の平面図であり、同図（Ｂｌは同図（Ａｌのｘ−ｘ’に
おける断面図である。図中、１は支持基板を示している
。この支持基板１には接合部材２を介して素子基板３が
接合されている。このとき、素子基板３．接合部材２．
支持基ｇ１１それぞれの素材の線膨張係数、ヤング率等
がそれぞれ異なるために素子基＠３には、接合温度と実
使用温度との差により歪が生じる。この素子基板３に生
じる歪は、素子基′８３．接合部材２．支持基板１の素
材の線膨張係数の差が小さい程小さい事は明らかである
。
子基板の取り付は方法を示す。なお、第１図（Ａ）はそ
の平面図であり、同図（Ｂｌは同図（Ａｌのｘ−ｘ’に
おける断面図である。図中、１は支持基板を示している
。この支持基板１には接合部材２を介して素子基板３が
接合されている。このとき、素子基板３．接合部材２．
支持基ｇ１１それぞれの素材の線膨張係数、ヤング率等
がそれぞれ異なるために素子基＠３には、接合温度と実
使用温度との差により歪が生じる。この素子基板３に生
じる歪は、素子基′８３．接合部材２．支持基板１の素
材の線膨張係数の差が小さい程小さい事は明らかである
。
したがつ゛て、従来より上記の事を考慮して、支持基＠
１の素材として線膨張係数が素子基板３に近い４２アロ
イ、コバール等が用いられてきた。しかしながら、これ
らの材料は熱伝導率が小さく、素子基板３が取り付けら
れた支持基板１を樹脂封止した場合には、熱抵抗が大き
くなってしまう。そこで、熱抵抗を小さくするために、
熱伝導率の大きい銅系の素材を用いることが考えられる
が、銅系の素材は線膨張係数が大きいため、素子基板内
に生じる歪が大きくなり、最悪の場合には素子基板に割
れが生じてしまう。
１の素材として線膨張係数が素子基板３に近い４２アロ
イ、コバール等が用いられてきた。しかしながら、これ
らの材料は熱伝導率が小さく、素子基板３が取り付けら
れた支持基板１を樹脂封止した場合には、熱抵抗が大き
くなってしまう。そこで、熱抵抗を小さくするために、
熱伝導率の大きい銅系の素材を用いることが考えられる
が、銅系の素材は線膨張係数が大きいため、素子基板内
に生じる歪が大きくなり、最悪の場合には素子基板に割
れが生じてしまう。
第１表に各種素材の諸性質および樹脂封止した場合の熱
抵抗の一例を示す。
抵抗の一例を示す。
第 １ 表
たとえば、４２アロイを素材とした支持基板１ａを用い
た場合、素子基板３との間に生じる変形が、第２図（Ａ
）に示す程度であるとすると、銅系素材の支持基板１ｂ
を用いた場合の素子基板３との間に生じる変形は、第２
図（Ｂ）に示すようになる。すなわち、銅系素、材の支
持基板１を用いた場合の方がより大きな変形を生じる。
た場合、素子基板３との間に生じる変形が、第２図（Ａ
）に示す程度であるとすると、銅系素材の支持基板１ｂ
を用いた場合の素子基板３との間に生じる変形は、第２
図（Ｂ）に示すようになる。すなわち、銅系素、材の支
持基板１を用いた場合の方がより大きな変形を生じる。
なお、素子基板３には線膨張差による収縮とバイメタル
効果による反りが生じる。
効果による反りが生じる。
第２表は、３ｓＢ″′の素子基板を４２アロイあるいは
燐脱酸鋼を素材とした支持基板に、各？＋；接着材料を
用いて接着した時に、素子基政表面に生じる応力の大き
さを示している。なお、この表において、＋は引張応力
を示し、−は圧縮応力を示している。
燐脱酸鋼を素材とした支持基板に、各？＋；接着材料を
用いて接着した時に、素子基政表面に生じる応力の大き
さを示している。なお、この表において、＋は引張応力
を示し、−は圧縮応力を示している。
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、
素子基板を支持基板に取り付けたききの素子基板に生じ
る歪を緩和することができる半導体装置を提供すること
を目的とする。
素子基板を支持基板に取り付けたききの素子基板に生じ
る歪を緩和することができる半導体装置を提供すること
を目的とする。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第３図はこの発明の一実施例の半導体装置を示す断面図
である。図中、１１は支持基板で、この支持基板１１に
は、接着剤１２を介して例えばポリイミド樹脂からなる
高耐熱性の樹脂フィルム１３が接合されている。そして
、この樹脂フィルム１３の上面側には、接着剤１４を介
して樹脂フィルム１３の主面よりその主面の面積が小さ
い素子基板１５が接合されている。
である。図中、１１は支持基板で、この支持基板１１に
は、接着剤１２を介して例えばポリイミド樹脂からなる
高耐熱性の樹脂フィルム１３が接合されている。そして
、この樹脂フィルム１３の上面側には、接着剤１４を介
して樹脂フィルム１３の主面よりその主面の面積が小さ
い素子基板１５が接合されている。
次に、上記実施例の製造工程を説明する。高耐熱性の樹
脂フィルム１３の両面に例えばエポキシ樹脂からなる熱
硬化性の接着剤１２．１４を塗布し、これを支持基板１
１にのせた後、その上に素子基板１５をのせ、加圧加熱
することにより、素子基板１５および支持基板１１間に
、樹脂フィルム１３が介在されたかたちで接着される。
脂フィルム１３の両面に例えばエポキシ樹脂からなる熱
硬化性の接着剤１２．１４を塗布し、これを支持基板１
１にのせた後、その上に素子基板１５をのせ、加圧加熱
することにより、素子基板１５および支持基板１１間に
、樹脂フィルム１３が介在されたかたちで接着される。
なお、支持基板１１にエポキシペーストからなる接着剤
により樹脂フィルム１３を接着した後、樹脂フィルム１
３と素子基ｉ＆１５をエポキシペーストにより接着して
もよい。
により樹脂フィルム１３を接着した後、樹脂フィルム１
３と素子基ｉ＆１５をエポキシペーストにより接着して
もよい。
このような半導体装置では、素子基板１５と支持基板１
１間に生じる応力を樹脂フィルム１３がほとんど吸収し
てしまうため、素子基板１５内にほとんど歪が残ること
はない。また、上記樹脂フィルム１３の厚さが増せば増
すほど、素子基板１５内に残る歪は少なくなる。
１間に生じる応力を樹脂フィルム１３がほとんど吸収し
てしまうため、素子基板１５内にほとんど歪が残ること
はない。また、上記樹脂フィルム１３の厚さが増せば増
すほど、素子基板１５内に残る歪は少なくなる。
さらに、従来では、第２図（Ａ） 、 （Ｂｌに示す様
な状態で樹脂封止した場合、素子基板内では極めて複雑
な応力分布を示すことになるが、上記実施例の場合、樹
脂封止したとしても樹脂フィルム１３が変形して素子基
板１５内に複雑な応力を残すことがない。
な状態で樹脂封止した場合、素子基板内では極めて複雑
な応力分布を示すことになるが、上記実施例の場合、樹
脂封止したとしても樹脂フィルム１３が変形して素子基
板１５内に複雑な応力を残すことがない。
以上述べたようにこの発明によれば、素子基板を支持基
板に取り付けたときの素子基板に生じる歪を緩和させる
ことができる半導体装置を提供することができる。
板に取り付けたときの素子基板に生じる歪を緩和させる
ことができる半導体装置を提供することができる。
第１図（Ａ）は従来の半導体装置の平面図、第１図（Ｂ
ｌは第１図（Ａ）におけるｘ −ｘ’における断面図、
第２図（Ａｌ 、 （Ｂｌはそれぞれ支持基板に異なっ
た材料を用いた場合の変形を示す図、第３図はこの発明
の一実施例の断面図である。 １１・・・支持基板、１２．１４・・・接着部、１３・
・・樹脂フィルム、１５・・・素子基板。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 章節１図 （Ｂ） 第２図 （Ａ） （Ｂ） 第”３図 ５
ｌは第１図（Ａ）におけるｘ −ｘ’における断面図、
第２図（Ａｌ 、 （Ｂｌはそれぞれ支持基板に異なっ
た材料を用いた場合の変形を示す図、第３図はこの発明
の一実施例の断面図である。 １１・・・支持基板、１２．１４・・・接着部、１３・
・・樹脂フィルム、１５・・・素子基板。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 章節１図 （Ｂ） 第２図 （Ａ） （Ｂ） 第”３図 ５
Claims (1)
- 素子基板と支持基板間に耐熱性樹脂フィルムを接着した
状態で介在させたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133480A JPS5834932A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133480A JPS5834932A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5834932A true JPS5834932A (ja) | 1983-03-01 |
Family
ID=15105753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56133480A Pending JPS5834932A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5834932A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6184841A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の外囲器 |
| JPH01162237U (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-10 | ||
| JPH03185741A (ja) * | 1989-12-14 | 1991-08-13 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-08-26 JP JP56133480A patent/JPS5834932A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6184841A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の外囲器 |
| JPH01162237U (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-10 | ||
| JPH03185741A (ja) * | 1989-12-14 | 1991-08-13 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
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