JPH02106084A - 分布反射形半導体レーザ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、例えば光通信用の光源として用い得る分布
反射形半導体レーザに関するもので、特に当該半導体レ
ーザの出力モニタ用受光器を集積した分布反射形半導体
レーザに関するものである。

（従来の技術） 長距離光通信及び大容量光通信を実現するためにはスペ
クトル幅が小さい光源が不可欠であり、従って、単一縦
モード発振する半導体レーザが望まれている０分布反射
形半導体レーザは、そのような半導体レーザの一種とし
て知られており、その従来例が例えば文献（電子通信学
会技術研究報告０ＱＥ８５−７　（＋９８５）　）　Ｐ
、４７）に開示されている。

第４図（Ａ）〜（Ｃ）は、この文献に開示されている分
布反射形半導体レーザ（以下半導体レーザと略称するこ
ともある。）の構造を概略的に示した図であり、第４図
（Ａ）はこの半導体レーザをレーザストライプに沿って
切って示した断面図、第４図（Ｂ）はこの半導体レーザ
の活性領域１３が在る部分をレーザストライプに直交す
る方向に沿って切って示した断面図、第４図（Ｃ）はこ
の半導体レーザの分布反射器１５が在る部分をレーザス
トライプに直交する方向に沿って切って示した断面図で
ある。以下、これらの図を参照して従来の分布反射形半
導体レーザの構造につき簡単に説明する。

この従来の半導体レーザは、下地であるｎ型ＩｎＰ基板
１１上に、活性領域１３と、この活性領域からの光が結
合される分布反射器であって１次の回折格子１５ａ　￥
ｒ具える分布反射器１５とが集積化されているものであ
った。この構造を詳細に説明すれば以下の通りである。

ｎ型ＩｎＰ基板１１の所定領域上にはＩｎＧａＡｓＰ活
性層１３ａ及びｐ型ＩｎＰ低屈折率保護層１７がこの順
で積層されており、この基板１１の活性＃１３ａと導波
路方向で隣接する領域には１次の回折格子１５ａが形成
されていた。ざらに、このｐ型ＩｎＰ低屈折率層１７よ
及び１次の回折格子１５ａ上にはｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光
導波路層１９、亜鉛ドープのｐ型ＩｎＰクラッド層２１
及び亜鉛ドープのｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２３が
この順で積層されていた。さらに、基板１１の下側には
ｎ型電極２５が、キャップ層２３の活性層１３ａ（こ対
応する領域上にはｎ型電極２７が形成され、このｐ側電
極２７の下側にはｐ型ＩｎＰクラッド層２１に至る亜鉛
拡散領域２９（図中点々模様で示す領１ｆｉ）が形成さ
れていた。

またさらにこの半導体レーザにおいては、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層１３ａ、ｐ型１ｎＰ低屈折率層１７、ｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓＰ光導波路層１９、ｐ型ＩｎＰクラッド層２１
及びキヤ・ンブ層２３から成る積層体が、ストライプ状
に然もストライプ方向と直交する方向にとった断面が逆
メサ型形状にされていた。そして基板１１の、このスト
ライプ状の積層体３１の両側領域にこの積層体３１を埋
め込むようにｐ型１ｎＰ電流狭窄層３３及びｎ型１ｎＰ
電流狭窄層３５がこの順に形成されていた。

ここで上述の分布反射器１５は、回折格子１５ａとｐ型
１ｎＧａＡｓＰ光導波路層１９とで構成される訳である
が、周知の通り、下記０式を満足する波長λの光に対し
てのみ大きな反射率を持つ（但し０式中入は光の波長、
ｎ　＊ｔｔは分布反射器の実効屈折率、△は回折格子の
周期、ｍは回折光の次数（ｍ＝　１．２，３．−・・・
・・）をそれぞれ表す、）。

ｍ・λ＝２　ｎ　ｏｆｆ　　・△・・・■従ってこの半
導体レーザでは０式を満足するλを持った縦モードのみ
が安定に発揚することになる。また、この半導体レーザ
では、良好な出力特性を得るため、活性層１３ａ上と回
折格子１５ａ上とにｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層１９
を設すた構造を採用しく　ＢＩＧ：Ｂｕｎｄｌｅ−Ｉｎ
ｔｅｑｒａｔｅｄ−Ｇｕｉｄｅと称している。）活性領
域１３と分布反射器１５との間の導波路の結合を大きく
していた。

なお、第４図に示した半導体レーザの場合は活性領域の
一方の側にのみ分布反射器が設けられた構造となってい
るが、上記文献には活性領域の両側に分布反射器を設け
たものも示されている。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述した従来の分布反射形半導体レーザ
の構造では、自動出力制御（Δｕｔｏ　已ｏｗｅｒにｏ
ｎｔｒｏｌ　　以下ＡＰＣと略称する）を行なう場合、
モニタ光として有効なレベルのレーザ出力は活性領域の
端面若しくは分布反射器側の端面からしか得られない、
従って、受光器を外部に別途に設けなければならず、そ
のため、レーザ出力を高効率でモニタするためには受光
器の受光面と、半導体レーザの光軸とを高精度に合わせ
なければならず、その作業が非常に大変になるという問
題点があった。また、端面に対向させた受光器から半導
体レーザに戻る光（戻り光）がレーザ発揚に悪影ＶＩを
及ぼすという問題点があった。

また、チップ検査ｌこ用い得る程度のレベルのレーザ光
は端面からしか得られないから、基板上に形成した多数
の半導体レーザの特性は、基板を努開した後でないと測
定出来ない、従って、チップ選別に時間がかかるという
問題点もあった。

この発明はこのような点に鑑みなされたものであり、従
ってこの発明の目的は、上述した問題点を除去し、単一
縦モード発振し容易に＾ＰＣを行なえる分布反射形半導
体レーザを提供することにある。

（問題点を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明によれば、下地上
に活性領域と、該活性領域からの光が結合される分布反
射器とを具える分布反射形半導体レーザにおいて、 分布反射器は２次の回折格子またはこれより高次の回折
格子を具え、 この分布反射器の上方にこの分布反射器からの回折光を
受光する受光器を具えたこと を特徴とする。

（作用） この発明の分布反射形半導体レーザの作用につき具体例
を挙げで説明する。第２図は、この発明の半導体レーザ
の分布反射器が２次の回折格子を具えた場合の様子を、
特に分布反射器の周辺に着目し然もこの時の光の挙動を
併せて示したものである。なお、第２図中４１は下地と
しての例えばＩｎＰ基板、４３ａは２次の回折格子、４
５は光導波路層としての例えばＩｎＧａＡｓＰ層、４７
はクラッド層としての例えばＩｎＰ層である０回折格子
４３ａと、先導波路層４５とで分布反射器４３ヲ構成し
ている。また、２次の回折格子とは、下記■式中のｎを
２として求まるピッチ八〇を有する回折格子のことであ
る。但し、ｎ５ｆｆは分布反射器４３の在る部分の実効
屈折率、λは発振波長である。

△ｎ＝（λ・ｎ）　／　２　ｎａｆｙ　・・・■第２図
に示したような構造において、活性領域（図示せず）で
発した光５１が２次の回折格子４３ａを具える分布反射
器４３に入ると、入射光５１の２次の回折光５１ａは活
性領域側に戻り、０次の回折光５１ｂはそのまま透過し
、１次の回折光５１ｃは入射光５１に対し垂直な方向こ
の場合はＩｎＰ基板４１側の方向とクラッド層４７等が
積層された側の方向とに回折されるという現象が生じる
。従って、端面でない側にもある程度の光が出ることに
なり特に、クラ・ンド層側に回折された光は、分布反射
器４３の上方に設けである受光器（図示せず）へ入射す
るようになる。このため受光器ではこの１次回折光５１
ｃの強度を知ることが出来、この１次回折光は活性領域
で発するレーザ光の強度に比例するのでレーザ光の強度
をモニタすることが出来るようになる。また、２次の回
折光５１ａが活性領域に戻ることにより分布反射器４３
における反射率の選択性が生じ、この半導体レーザは従
来と同様単一縦モード発振する。

回折格子を２次より高い次数の回折格子とした場合でも
、クラッド層側にはその回折格子の次数に応じた回折光
が出るので、２次の回折格子を具えた場合と同様受光器
でモニタが出来る。

（実施例） 以下、図面を参照してこの発明の分布反射形半導体レー
ザの実施例につき説明する。なお以下の説明に用いる各
図はこの発明が理解できる程度に概略的に示しであるに
すぎず、従って、この発明が図中の各構成成分の寸法、
形状、寸法比等に限定されるものでないことは理解され
たい。また、以下の実施例は、第４図を用いて説明した
分布反射形半導体レーザにこの発明を適用した例で説明
する。しかし、これも例示にすぎず、導電型を反対導電
型としても良く、ざらには、分布反射器を有する他の構
造の半導体レーザに対しても、また、ＩｎＧａＡｓＰ／
ＩｎＰ系以外の材料例えばＧａＡｓ１ｆｒ用いた半導体
レーザに対してもこの発明を適用出来ることは明らかで
ある。

゛　　レー　　　１ 先ず、実施例の分布反射形半導体レーザの構造につき説
明する。第１図（Ａ）〜（Ｃ）はその構造を概略的に示
した図であり、第１図（Ａ）はこの半導体レーザをレー
ザストライプに沿って切って示した断面図、第１図（Ｂ
）はこの半導体レーザの活性領域５３が在る部分（図中
Ｐで示す付近）をレーザストライプに直交する方向に沿
って切って示した断面図、第１図（Ｃ）はこの半導体レ
ーザの分布反射器４３が在る部分（図中Ｑで示す付近）
をレーザストライプに直交する方向に沿って切って示し
た断面図である。

第１図に示した実施例の半導体レーザの概略構造は次の
通りである。下地としてのｎ型ＩｎＰ基板４１上に、活
性層５３ａによって領域が主に決まる活性領域５３と、
この活性領域５３からの光が結合される分布反射器４３
であってこの場合２次の回折格子４３ａ及び光導波路層
４５で主に構成した分布反射器４３とを集積してあり、
然も、この分布反射器４３の上方に受光器５５を具えた
構造になっている。その構造を詳細に説明すれば以下の
通りである。

ｎ型ＩｎＰ基板４１の所定領域上にはＩｎＧａＡｓＰ活
性層５３ａ及びｐ型ＩｎＰ低屈折率保護層５７をこの順
で積層してあり、さらにこの基板４１の活性層５３ａと
導波路方向で１ＩｓＩ接する領域には２次の回折格子４
３ａを形成しである。なおこの２次の回折格子４３ａの
ピッチは約４８００人としている。このピッチは、ｎ次
の回折格子のどツチ△、ｌを求める下記０式中のｎを２
とし、半導体レーザの発振波長λを１．５５ｕ　ｍとし
、分布反射器４３の在る部分の実効屈折率ｎｅｆｆ　＝
３．２〜３．３に設定して求めた。

Δｎ　＝（λ−ｎ）　／２　ｎｅｆｆ−・・■また、上
述のｐ型１ｎＰ低屈折率＃５？よ及び２次の回折格子４
３ａ上にはｐ型ｒｎＧａＡｓＰ光導波路層４５、亜鉛ド
ープのｐ型ＩｎＰクラッド層５９及び亜鉛ドープのｐ型
１ｎＧａＡｓＰキャップ層６１をこの順で積層しである
。さらに、キヤ・ンブ層６１の分布反射器４３に対応す
る領域上の所定領域には、活性層５３ａより小さいエネ
ルギーギャップを持つ組成から成る受光器５５を構成す
るためのｐ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層５５ａ　、　ｎ型Ｉ
ｎＧａＡｓ光吸収層５５ｂ及び受光器用のｎ型電極５５
ｃをこの順で積層しである。なお光吸収層５５ａ、５５
ｂを設ける所定領域とは分布反射器４３からの回折光を
効率的に吸収出来る領域であり、設計に応じ変更出来る
ものであるが、この場合分布反射器４３の真上に相当す
る領域を含む領域としている。また光吸収層５５ａ、５
５ｂの面積は、広すぎるとノイズの影響を受は易くなる
し狭すぎると所望の出力が得られないのでこの点を考慮
した適正な面積としである。

また、ｎ型ＩｎＰ基板４１の下側にはｎ型電極６３を、
キャップ層６１の活性層５３ａに対応する領域上にはｐ
型電極６５ヲ形成してあり、キャップ層６１上の受光器
５５の近傍には受光器５５用のｐ全電極５５ｄを形成し
てあり、さらに、各ｐ型電極５５ｄ　、６５の下側には
ｐ型ＩｎＰクラッド層５９に至る亜鉛拡散領域６７ａ、
６７ｂ　　（図中点々模様で示す領域）を形成しである
。

また、ＩｎＧａＡｓＰ活性層５３ａ、Ｉ）型１ｎＰ低屈
折率層５７、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層４５、ｐ型
ＩｎＰクラッド層５９、キャップ層６１及び受光器用光
吸収層５５ａ、５５ｂから成る積層体はストライブ状に
然もストライプ方向と直交する方向にとった断面が逆メ
サ型の形状になっており、このストライブ状の積層体の
両側領域にこの積層体を埋め込むようにｐ型１ｎＰ電流
狭窄層６９及びｎ型１ｎＰ低屈折率層７１がこの順に形
成しである。

第１図に示した構造の分布反射形半導体レーザにあいで
は、半導体レーザ用のｎ型電極６３及びｐ型電極６５闇
に順バイアスをかけると活性層５３ａに電流が注入され
発光再結合が起こる。そしてここで放出された光は！！
ｇ開により形成した活性領域側の端面５３ｂ及び分布反
射器４３によりそれぞれ反射を受はレーザ発振が起こる
。このとき分布反射器４３は既に説明した０式を満足す
る波長λを持った光に対してのみ反射率が大きくなるの
で、この半導体レーザはその波長λ（この実施例では１
．５５μｍ）で安定な単一モード動作する。また、第２
図を用いて既に説明したように、受光部５５は、分布反
射器４３からの１次の回折光を受光するので、受光器用
のｐ全電極５５ｄ及びｎ型電極５５ｃ間には電位差が生
じ、この結果レーザ光のモニタが行なえる。

袈簿１廊Ｉ欠帆朋 次にこの発明の理解を深めるため第１図に示した実施例
の分布反射形半導体レーザの製造方法の一例につき説明
する。第３図（Ａ）〜（Ｊ）は、その説明に供する製造
工程図であり、製造工程中の主な工程における素子の様
子を第３図（Ａ）〜（Ｆ）、（Ｉ）及び（Ｊ）は斜視図
を以って、第３図（Ｇ）及び（Ｈ）は側面図を以って示
した図である。なお、これら図は、説明の都合上すでに
間開が終了したかの如く示しであるが、実際の製造にお
いては、多数の半導体レーザを基板に作製した後に弼開
をし個々の半導体レーザを得る手順であることは理解さ
れたい。

先ず例えば液相気相成長法等の好適な結晶成長法により
、ｎ型ＩｎＰ基板４１上に活性層用ＩｎＧａＡｓＰ層５
３ｙ、低屈折率保護層用ｐ型１ｎＰ層５７ｙ及びｐ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰ表面保護層７２ヲこの順で成長させる（第
３図（Ａ）’）。

次に、表面保護層７２上の所定領域を覆うＳｉＯ□膜７
３を従来公知の方法で形成し、その復このＳｉＯ□膜７
３から露出している部分をｎ型１ｎＰ基板４１が露出す
るまで、ＩｎＰ層に対しては塩酸系のエッチャントで、
ＩｎＧａＡｓＰ層に対しでは硫酸系のエッチャントでエ
ツチングする（第３図（Ｂ））。

次に、露出したｎ型ＩｎＰ基板４１表面に２光束干渉露
光法等の好適な方法により２次の回折格子４３ａ（ピッ
チは約４８００人のもの）を形成する（第３図（Ｃ））
。

次に、５ｉｎ２膜７３ヲ除去しざらにｐ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐ表面保護層７１を塩酸系の選択エッチャントにより除
去し、その後、２度目の結晶成長工程により光導波路層
用ｐ型１ｎＧａＡｓＰ層４５ｙ、クラッド層用亜鉛ドー
プｐ型ＩｎＰ層５９Ｖ、キャップ層用亜鉛ドープｐ型１
ｎＧａＡｓＰ層ａｎｙ、　ｐ型光吸収層用ＩｎＧａＡｓ
層５５ｘ及びｎ型光吸収層用ＩｎＧａＡｓ層５５ｙをこ
の順に成長させる（第３図（Ｄ））。

次に、ｎ型光吸収層用ＩｎＧａＡｓ層５５ｙの回折格子
４３ａに対応する領域上を覆う５ｉ０２膜７５１Ｆｒ従
来公知の方法で形成し、その後硫酸系のエッチャントを
用いｎ型及びｐ型光吸収層用の各半導体層５５ｙ。

５５ｘのＳｉＯ２膜７５から露出しでいる部分をエツチ
ングする（第３図（Ｅ））。

次に、ＳｉＯ□膜７５ヲ除去し、その復従来公知の方法
によりキャップ層用ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層６１ｙ上及び
ｎ型光吸収層用ＩｎＧａＡｓ層５５ｙ上に渡るストライ
ブ方向が＜０１１＞でありストライプ幅Ｗが３〜４ｕｍ
であるストライブ状のＳｉＯ□膜７７ヲ新たに形成する
。そしてこのストライブ状のＳｉＯ□膜７７ヲエツチン
グマスクにし、このＳ　ｉｏｚ膜７７から露出している
部分ｔａｒ−ＣＨ３叶系のエッチャントによりｎ型Ｉｎ
Ｐ基板４１に至るまで断面形状が逆メサになるようにエ
ツチングする。この結果、ＩｎＧａＡｓＰ活性層５３ａ
　、　Ｏ型ＩｎＰ低屈折率保護層５７、ｐ型ＩｎＧａＡ
ｓＰ光導波路層４５、亜鉛ドープ−型ＩｎＰクラッド層
５９、亜鉛ドープｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層６１及
び分布反射器４３を得る（第３図（Ｆ））。

次に、５ｉ０２膜７７８つけたままの状態で、ｎ型Ｉｎ
Ｐ基板４１の逆メサの積層体の両側部分に、３回目の結
晶成長工程でｐ型ＩｎＰ電流狭窄層６９、ｎ型ＩｎＰ電
流狭窄層７１をこの順で成長させる。第３図（Ｇ）は、
各電流狭窄層の成長が終了した半導体レーザの中間体の
様子を、第３図（Ｆ）にして示した方向から見た側面図
、第３図（Ｈ）は、同じものを第３図（Ｆ）にＲで示し
た方向から見た側面図である。

次に、ＳｉＯ□膜７７ヲ従来公知の方法で除去し、その
後、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層６１の、第１図を用
いて説明した半導体レーザ用ｐ型電極６５及び受光器用
ｐ型電極５５ｄ　！形成する予定領域（この場合は第３
図（Ｉ）中斜線を付した領域）にこの表面からｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層に至るように亜鉛を拡散させ亜鉛拡散領域
６７ａ、６７ｂを形成する（第３図（Ｉ））。

次に、ｎ型ＩｎＰ基板４１の下側にｎ型電極６３ヲ、ｐ
型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層６１の所定領域上に半導体
レーザ用ｐ型電極６５及び受光器用ｐ型電極５５ｄを、
従来公知の方法でそれぞれ形成する（第３図（Ｊ））。

以上の手順により第１図に示した実施例の分布反射形半
導体レーザを得ることが出来る。なあ、実施例の半導体
レーザの大きざであるが、この実施例の場合第３図（Ｊ
）にＷ。で示す総幅を３００〜４ｏｏｕｍ、β１で示す
活性領域の長さを２００〜４００Ｌ１ｍ、β２で示す分
布反射器の長さを２００〜４００ｕｍとしでいる。しか
しこれら値はこれに限られるものではなく設計に応じ変
更出来ることは明らかである。

なお、この発明は分布反射形半導体レーザについでなさ
れたものであるが、活性領域の構造は問わない０例えば
、活性領域に回折格子を有するいわゆる分布帰還形半導
体レーザに本発明のような２次の回折格子或いはそれよ
り高次の回折格子を具えた分布反射器を集積化した半導
体レーザであっても同様な効果を期待出来る。

（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明の分布反
射形半導体レーザによれば、２次の回折格子或いはそれ
より高次の回折格子を具えた分布反射器を有しているた
め、レーザ光の回折光が活性層、クラッド層等が積層さ
れた積層方向にも出るようになる。ざらにこのような回
折光の出る方向に受光器を造り付けた構造になっている
ので、半導体レーザと受光器とが一体になったＡＰＣが
容易（こ行なえる半導体レーザになる。従って従来のよ
うな困ａな光軸合わせは全く不要となり、また、戻り光
による悪杉奮も全くない、ざらにレーザ発振そのものは
従来の分布反射形半導体レーザと同様な原理で行なわれ
るので単一縦モードで安定に発振する。

また、分布反射形半導体レーザを製造する際は一般に基
板上に多数の半導体レーザを作り込む。

従って、襞間前でも活性領域と、分布反射器とが交互に
並んだ状態になっているから、ある特定のチップの電極
に通電するとその活性領域では両側の部分布反射器を反
射鏡としてレーザ発振が起こる。このため、当該チップ
の受光器には回折光が入射するのでこれを用いたチップ
検査が出来る。

従って、凭開前にチップ選別することも可能１こなる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例の分布反射形半導体レ
ーザの構造説明に供する図、 第２図は、分布反射器が２次の回折格子を具えた場合に
よるこの発明の詳細な説明するための図、 第３図（Ａ）〜（Ｊ）は、実施例の分布反射形半導体レ
ーザの製造方法の一例を示す工程図、第４図（Ａ）〜（
Ｃ）は、従来の分布反射形半導体レーザの構造説明１こ
供する図である。 ４１・・・下地（ｎ型ＩｎＰ基板） ４３−・・分布反射器 ４３ａ・・・２次の回折格子或いはそれより高次の回折
格子 ４５−・・先導波路層（ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層）４５ｙ
・・・光導波路層用ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層５１・・・入
射光、　　　　　５１ａ・・・２次の回折光５１ｂ・・
・０次の回折光、　５１ｃ・・・１次の回折光５３・・
・活性領域 ５３ａ　”−活性層ＣＩｎＧａＡｓＰ層）５３ｙ　・・
・活性層用ＩｎＧａＡｓＰ層５５・・・受光器 ５５ａ　”−光吸収層（ｐ型１ｎＧａＡｓ層）５５ｂ−
・・光吸収層（ｎ型ＩｎＧａＡｓ層）５５ｃ・・・受光
器用ｐ型電極 ５５ｄ・・・受光器用ｎ型電極 ５５Ｘ　＝光吸収層用ｐ型ＩｎＧａＡｓ層５５ｙ　・・
・光吸収層用ｎ型ＩｎＧａＡｓ層５７・・・低屈折率保
護層（ｐ型１ｎＰ層）５７ｙ　＝低屈折率保護層用ｐ型
ＩｎＰ層５９・・・クラッド層（ｐ型１ｎＰ層）５９ｙ
・・・クラッド層用ｐ型ＩｎＰ層６１−・・キｔツブ層
（ｐ型１ｎＧａＡｓＰ層）６１ｙ・・・キャップ層側ｐ
型ＩｎＧａＡｓＰ層６３・・・半導体レーザ用ｎ型電極 ６５・・・半導体レーザ用ｐ型電極 ６？ａ、６７ｂ　＝亜１８拡散領域 ６９・・・ｐ型電流狭窄層、　　７１・・・ｎ型電流狭
窄層７２　・・・表面保護層（ｐ型１ｎＧａＡｓＰ層）
７３、７５・・・５ＩＯ２膜 ７７−・・ストライブ状の５ｉ０２膜。 特許出願人　　　　沖電気工業株式会社４１・・・下地
（ｎ型ＩｎＰ基板） ４３・・・分布反射器 ４３ａ・・・２次の回折格子或はそれより高次の回折格
子 ４５−・・先導波路層（ｐ型１ｎＧａＡｓＰ層）５３・
・・活性領域 ５３ａ−活性層（ＩｎＧａＡｓＰ層） ５５・・・受光器 ５５ａ　・＝光吸収層（ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層）５５ｂ
−・・光吸収層（ｎ型ｒｎＧａＡｓＰ層）５５ｃ・・・
受光器用ｐ型電極 ５５ｄ・・・受光器用ｎ型電極 ５７・・・低屈折率保護層（ｐ型ＩｎＰ層）５９・・・
クラッド層（ｐ型ＩｎＰ層）６１・・・キーｐツブ層（
ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層）６３・・・半導体レーザ用ｎ型
電極 ６５・・・半導体レーザ用ｐ型電極 ６ｈ月７ｂ・・・亜鉛拡散領域 ６９・・・ｐ型電流狭窄層　　７１・・・ｎ型電流狭窄
層５１：入射光 ５１ａ：２次の回折光 ５１ｂ：　０次の回折光 １ｃ １次の回折光 この発明の詳細な説明に供する図 第２図 第１ ＜Ｏ１＋＞ 製造方法の一例を示す工程図 第３ン 製造方法の一例を示す工程図 第３ 図 製造方法の一例を示す工程図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）下地上側に活性領域と、該活性領域からの光が結
   合される分布反射器とを具える分布反射形半導体レーザ
   において、 分布反射器は２次の回折格子またはこれより高次の回折
   格子を具え、 該分布反射器の上方に該分布反射器からの回折光を受光
   する受光器を具えたこと を特徴とする分布反射形半導体レーザ。