JPH02106928A - 集積回路製造装置 - Google Patents
集積回路製造装置Info
- Publication number
- JPH02106928A JPH02106928A JP25938788A JP25938788A JPH02106928A JP H02106928 A JPH02106928 A JP H02106928A JP 25938788 A JP25938788 A JP 25938788A JP 25938788 A JP25938788 A JP 25938788A JP H02106928 A JPH02106928 A JP H02106928A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- nozzle
- center
- purity water
- rotating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は集積回路・製置のウェハー洗浄工程〃中で行ｔ
わする。ウェハー上面に高圧超純水をノズルから噴射さ
せてＡ物を除去する乗積回路製、竜袋崖。
わする。ウェハー上面に高圧超純水をノズルから噴射さ
せてＡ物を除去する乗積回路製、竜袋崖。
（従来の技術）
現在一般的に（受用されている第５図のよつにウェハー
２を回転させながら高圧超純水ノズル５をウエノ・−半
径または直匝範囲にスキャンさせる方法に３いては、＠
４図に示すように、ウェハー中心部蚤こ０．２μｍ以下
の異物９が集中して残る問題があう九〇 （発明が解決しようとする課題） 従来技術では第５図のように高ＩＥ超純水の噴射がウェ
ハー上面全体に当る様にウニ／・−を回転させながらノ
ズルをウェハーの半径まｔは直匝の範囲で往復させてい
念が、高圧超純水の噴射がウェハーの中心を通る様に精
度よく調整するのが難しく、ウェハー中心を通らなけれ
ば＠４図の様にウェハー中心部の異物県中が避けら１１
ない課題があり九〇 〔発明の構成〕 （昧＠８解決する几めの手段） 本発明はウェハーを回転させながら、高圧超純水の噴射
をウェハー中心８Ｂを自りながらウエノ・−上面全体Ｅ
こ当る様に往復させながらノズルの支点をＴｖＪｉまた
は左右に５〜２０ｒｒｒｎ往復させる。
２を回転させながら高圧超純水ノズル５をウエノ・−半
径または直匝範囲にスキャンさせる方法に３いては、＠
４図に示すように、ウェハー中心部蚤こ０．２μｍ以下
の異物９が集中して残る問題があう九〇 （発明が解決しようとする課題） 従来技術では第５図のように高ＩＥ超純水の噴射がウェ
ハー上面全体に当る様にウニ／・−を回転させながらノ
ズルをウェハーの半径まｔは直匝の範囲で往復させてい
念が、高圧超純水の噴射がウェハーの中心を通る様に精
度よく調整するのが難しく、ウェハー中心を通らなけれ
ば＠４図の様にウェハー中心部の異物県中が避けら１１
ない課題があり九〇 〔発明の構成〕 （昧＠８解決する几めの手段） 本発明はウェハーを回転させながら、高圧超純水の噴射
をウェハー中心８Ｂを自りながらウエノ・−上面全体Ｅ
こ当る様に往復させながらノズルの支点をＴｖＪｉまた
は左右に５〜２０ｒｒｒｎ往復させる。
（作用）
ウェハーを回転させながら、高圧超純水の噴射をウェハ
ー中心部を通りなからウニ・・−上面全体に当る様に往
復させながらノズルの支点を前後または左右１こ５〜２
０ｍｍａ復させることによりウェハー中心部にも高圧超
純水の噴射が必ず当り、ウェハー中心部の異物集中を避
けることが出来る。
ー中心部を通りなからウニ・・−上面全体に当る様に往
復させながらノズルの支点を前後または左右１こ５〜２
０ｍｍａ復させることによりウェハー中心部にも高圧超
純水の噴射が必ず当り、ウェハー中心部の異物集中を避
けることが出来る。
（実施例）
以下１本宅間の一実施例を詳細に説明する。第１図およ
び第２図は本発明による集積口１２）製造装置を不す図
である。この装置は、右回転の方向ｌに回転するウェハ
ー２の表面を高圧超純水噴射４によりて清浄する時に使
用されるものである。高圧超純水噴射４は高圧超純水パ
イプ７に連通ずるノズル５から行なわれ、ノズル支点６
を中心に回動し、ρ）つ＠麦稈＠装置１０によりて、ノ
ズル前後移動範囲８の方向に勧き、高圧超純水噴射移動
範囲３Ｉこ超純水を噴射できるように構成されている。
び第２図は本発明による集積口１２）製造装置を不す図
である。この装置は、右回転の方向ｌに回転するウェハ
ー２の表面を高圧超純水噴射４によりて清浄する時に使
用されるものである。高圧超純水噴射４は高圧超純水パ
イプ７に連通ずるノズル５から行なわれ、ノズル支点６
を中心に回動し、ρ）つ＠麦稈＠装置１０によりて、ノ
ズル前後移動範囲８の方向に勧き、高圧超純水噴射移動
範囲３Ｉこ超純水を噴射できるように構成されている。
使用材料はウェハー２が５インチ・シリコンウェハーと
超純水。使用装置はウエノ１−処理装置が東芝機械（株
）製のＡＰＦ−６８４１Ｆ 、ウエノ１−ゴミ検査装置
が東京光学（□□□！ＩＷＭ−１０００であう几。
超純水。使用装置はウエノ１−処理装置が東芝機械（株
）製のＡＰＦ−６８４１Ｆ 、ウエノ１−ゴミ検査装置
が東京光学（□□□！ＩＷＭ−１０００であう几。
条件としてはウェハーを毎分１０００回転させながら１
５秒間、２７ｋｇ／ｃｍ”にグロ圧し念超純水を０．２
２μｍを通し、ノズル憂こより噴射させこのノズルをウ
ェハー中心部を通る様に円弧状擾こ往復させ更にこのノ
ズルの支点を前後に２０ｍｍ往復させ九つ次にウェハー
を毎分５００回転させながら１０秒間加圧しない超純水
をパイプによりウニＩ・−中央部に５５０ｃｃ／ｍｉｎ
滴下させ友。次にウニＩ・−を毎分５０００回転させて
ウェハー上の水分を除去し九。次番こ１６０℃のホット
グレートで１２０秒間熱した。次にゴミ検査装置ＷＭ−
１０００で０．１１７μｍ以上の＾物検査を行なう危。
５秒間、２７ｋｇ／ｃｍ”にグロ圧し念超純水を０．２
２μｍを通し、ノズル憂こより噴射させこのノズルをウ
ェハー中心部を通る様に円弧状擾こ往復させ更にこのノ
ズルの支点を前後に２０ｍｍ往復させ九つ次にウェハー
を毎分５００回転させながら１０秒間加圧しない超純水
をパイプによりウニＩ・−中央部に５５０ｃｃ／ｍｉｎ
滴下させ友。次にウニＩ・−を毎分５０００回転させて
ウェハー上の水分を除去し九。次番こ１６０℃のホット
グレートで１２０秒間熱した。次にゴミ検査装置ＷＭ−
１０００で０．１１７μｍ以上の＾物検査を行なう危。
＠３図の様に高圧超純水の噴射がウエノ・−中心部から
外れて往復する様ｆＬ ”ｊＡ付はウエノ・−中心部に
０．１１７μｍ以上の異物９がｗＸ４図の様に残るが本
発明の様Ｅこノズルを左右に回動させながら支点を前後
に往復させる事によりウェハー中心部の０．１１７μｍ
以上の異物９の集中７ｉ−第３図の様に防ぐことが出来
た。
外れて往復する様ｆＬ ”ｊＡ付はウエノ・−中心部に
０．１１７μｍ以上の異物９がｗＸ４図の様に残るが本
発明の様Ｅこノズルを左右に回動させながら支点を前後
に往復させる事によりウェハー中心部の０．１１７μｍ
以上の異物９の集中７ｉ−第３図の様に防ぐことが出来
た。
第１図は本発明の一実施例を示すもので、ノズルから噴
射し九高圧超純水が回転中のウェハー上を円弧状に往復
しながらノズルの支点が前後に往復している正面図、第
２図は第１図のノズルから噴射し友高圧超純水が回転中
のウェハーの中心に当っている側面図、第３図は杢発明
舎こより洗浄し九ウェハーの表面の異物の分布を示す子
面図、第４図は従来技術により洗浄したウェハー表面の
０．１１７μｍ以上の異物の分布を示す平面図、第５図
は従来技術のノズルから噴射し几高圧超純水が回転中の
ウェハー上をウェハーの中心部から外ｒて円弧状に往復
している正面図であるう１・・・ウェハーの回転方向、
２・・・ウェハー ３・・・高圧超純水噴射移動範囲、
４・・・高圧超純水噴射。 ５・・・ノズル、６・・・ノズル支点、７・・・高圧超
純水パイプ、８・・・ノズル前後移動範囲、９・・・異
物、１０・・・前後移ｖＪ装置。
射し九高圧超純水が回転中のウェハー上を円弧状に往復
しながらノズルの支点が前後に往復している正面図、第
２図は第１図のノズルから噴射し友高圧超純水が回転中
のウェハーの中心に当っている側面図、第３図は杢発明
舎こより洗浄し九ウェハーの表面の異物の分布を示す子
面図、第４図は従来技術により洗浄したウェハー表面の
０．１１７μｍ以上の異物の分布を示す平面図、第５図
は従来技術のノズルから噴射し几高圧超純水が回転中の
ウェハー上をウェハーの中心部から外ｒて円弧状に往復
している正面図であるう１・・・ウェハーの回転方向、
２・・・ウェハー ３・・・高圧超純水噴射移動範囲、
４・・・高圧超純水噴射。 ５・・・ノズル、６・・・ノズル支点、７・・・高圧超
純水パイプ、８・・・ノズル前後移動範囲、９・・・異
物、１０・・・前後移ｖＪ装置。
Claims (1)
- 集積回路製造のウェハー洗浄工程でウェハー上面に高圧
超純水をノズルから噴射させて洗浄する方法において、
ウェハーを回転させながらノズルをウェハー上面全体に
高圧超純水噴射が当る様に往復させながら、このノズル
の支点を前後または左右に動かすことによりウェハー上
面全体を清浄にすることを特徴とする集積回路製造装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25938788A JPH02106928A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 集積回路製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25938788A JPH02106928A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 集積回路製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02106928A true JPH02106928A (ja) | 1990-04-19 |
Family
ID=17333436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25938788A Pending JPH02106928A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 集積回路製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02106928A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008171923A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Sharp Corp | ウェハ洗浄装置、ウェハ洗浄方法 |
| CN110164795A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-08-23 | 德淮半导体有限公司 | 湿法处理装置及晶圆湿法处理方法 |
-
1988
- 1988-10-17 JP JP25938788A patent/JPH02106928A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008171923A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Sharp Corp | ウェハ洗浄装置、ウェハ洗浄方法 |
| CN110164795A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-08-23 | 德淮半导体有限公司 | 湿法处理装置及晶圆湿法处理方法 |
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