JPH02106932A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は半導体製造装置、例えばＭＯＳ）ランジスタの
製造装置の改良に関する。

〈従来の技術〉 従来のＭＯＳ）ランジスタの製造装置としては、例えば
その製造プロセスに対応して第２図に示すようなものが
知られていた。

この図において、１１はゲート酸化膜成長用の酸化炉で
あり、１３は例えばポリシリコン膜からなるゲート電極
形成用のＣＶＤ成長炉である。ウェハ１５は各炉１１．
１３の出入口２１．２３より炉１１．１３内に出入され
る。２５．２７はそのシャッタである。

したがってζ工程順に従って酸化炉１１においてウェハ
１５にゲート酸化膜を形成後、ウェハ１５を移送してＣ
ＶＤ成長炉１３においてゲート電極をそのゲート酸化膜
上に成長、被着することとなる。

ただし、このウェハ１６を移し変える場合等、ウェハ１
５は外気にさらされることとなっている。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、このような従来の半導体製造装置にあっ
ては、酸化炉とＣＶＤ炉とは完全に分離して設置されて
いる。このため、各炉へのウェハの出し入れにあってウ
ェハが外気にさらされる結果、以下の不具合が生じてい
た。例えばウェハ酸化前の外気の巻き込みによって自然
酸化膜が成長し、酸化膜形成後には外気巻き込みによっ
て界面電荷（Ｑｓｓ）のコントロールが難しいという問
題点があった。また、酸化炉からＣＶＤ炉にウェハを移
す場合にウェハ上に形成した酸化膜をクリーンな状態に
保持し難いものであった。

そこで、本発明は、酸化炉、ＣＶＤ炉へのウェハの出し
入れについて外気の影響を受けることのない半導体製造
装置を提供することを、その目的としている。

〈課題を解決するための手段〉 本発明は、ウェハ上に酸化膜を形成する酸化炉と、ウェ
ハ上に薄膜を成長させる成長炉と、を備えた半導体製造
装置において、上記酸化炉のウェハ出入口と成長炉のウ
ェハ出入口とにそれぞれ連通ずるとともに、外部と隔成
されたロードロック室を設けた半導体製造装置である。

〈作用〉 本発明に係る半導体製造装置にあっては、酸化炉のウェ
ハ出入口と成長炉のウェハ出入口とをロードロック室に
よってそれぞれ連通している。このロードロック室は外
部と隔絶されている。したがって、酸化炉において酸化
膜が形成されたウェハを、成長炉に移す場合にあっても
、このロードロック室に酸・化したウェハを一旦いれて
から成長炉に装入されることとなる。また、各炉中にウ
ェハを出し入れする場合にもロードロック室から行う。

これらの結果、ウェハ上に形成された半導体装置は外気
に対して隔絶された例えば非酸化雰囲気中に保持される
こととなり、外気巻き込みによるウェハ表面への自然酸
化膜の形成、水分の吸収等による装置への悪影響を避け
ることができる。

〈実施例〉 以下、本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。

第１図は本発明の第１実施例に係る半導体製造装置の概
略構成を示すその縦断面図である。

第１図において、５１は縦形の酸化炉（酸化膜形成炉）
であり、５３は同じく縦形のＣＶＤ炉（薄膜成長炉）を
示している。これらの炉５１．５３は互いに隣接して配
置されており、共に下端部に出入口５５．５７を有して
構成されている。５９．６１はそ、れぞれの出入口５５
．５７を開閉するシャッタである。

また、図中６３は複数のウェハを示している。

ウェハ６３は各戸５１．５３の内部すなわち処理室に介
装される。

ここで、上記酸化炉５１の出入口５５、および、ＣＶＤ
炉５３の出入口５７は、ともにロードロック室（真空予
備室）６５によって外部と隔絶されている。このロード
ロック室６５は、上記酸化炉５１およびＣＶＤ炉５３の
各処理室を大気中に開放しないでウェハ６３の取入れ、
取り出しを行うためのものである。また、この室６５は
、これらの処理室の出入口５５．５７にシャッタ５９．
６１を介して連通ずるように配置され、図示していない
真空排気系動作との組合せでその内部を常に真空に保持
することができる。

以上の構成に係る半導体製造装置にあっては、ＭＯＳ）
ランジスタの製造工程に沿って、まず酸化炉５１内にウ
ェハ６３が介装、載置される。この場合、ウェハ６３は
例えば非酸化雰囲気のロードロック室６・５にまず装入
され、それから酸化炉５１内に介装される。このため、
ウェハ６３表面のゲート酸化膜形成予定領域に自然酸化
膜が形成されることはない。

そして、酸化炉５１においてゲート酸化膜が形成された
後には、ウェハ６３は上記非酸化雰囲気のロードロック
室６５に搬出される。この結果、ゲート酸化膜形成後の
ウェハ６３が例えばＮａ等の不純物の影響を受けること
がなくなり、完成後のＭＯＳ）ランジスタにあって界面
電荷Ｑｓｓのコントロールが容易となっている。

さらに、次の工程に対応して、ウェハ６３はこのロード
ロック室６５からＣＶＤ炉５３に移される。この場合、
ロードロック室６５はＮ２パージすることによって炉５
３内と同一雰囲気とする。そして、ＣＶＤ炉５３におい
てゲート電極用のポリシリコン膜を上記ゲート酸化膜上
に被着形成する。

〈効果〉 以上説明してきたように、本発明によれば、酸化炉、Ｃ
Ｖ　Ｄ、・炉へのウェハの出し入れ、それらの間の移送
についてウェハは外気の影響を受けることがない。した
がって、ウェハの酸化前、酸化後の外気巻き込みを防止
でき、自然酸化膜の成長防止、界面電荷Ｑｓｓのコント
ロールの容易化、酸化膜の清浄化、さらに、良質なＣＶ
Ｄ膜の生成等を得ることができる。

すその縦断面図である。

５１　・　・　・　・ ５３　・　・　・　・ ５５．５７昏 ６３　・　・　・　・ ６５　・　・　・　・ 酸化炉、 ＣＶＤ炉（成長炉）、 ウェハ出入口、 ウェハ、 ロードロック室。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ウェハ上に酸化膜を形成する酸化炉と、ウェハ上
   に薄膜を成長させる成長炉と、を備えた半導体製造装置
   において、 上記酸化炉のウェハ出入口と成長炉のウェハ出入口とに
   それぞれ連通するとともに、外部と隔成されたロードロ
   ック室を設けたことを特徴とする半導体製造装置。