JPH02106979A - 波長分波型光検出器 - Google Patents
波長分波型光検出器Info
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- JPH02106979A JPH02106979A JP63261874A JP26187488A JPH02106979A JP H02106979 A JPH02106979 A JP H02106979A JP 63261874 A JP63261874 A JP 63261874A JP 26187488 A JP26187488 A JP 26187488A JP H02106979 A JPH02106979 A JP H02106979A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分咀！ｔ〕
この発明は、光通信用の波長分波型光検出器に関するも
のである。
のである。
波長ｉ、ｏ〜１．７μｍ帯の光フアイバ低損失領域では
、複数の波長の光を１本の光ファイバに伝送して通信容
量を多くとる波長多重通信方式が利用できる。波長多重
通信を行うために、以前から光合波器と光分波器を使用
する方法がとられているが、これに対し複数の波長の光
を独立に放出できる１つの光源と、波長分波機能を持っ
た１つの光検出器を用いれば、システムを−コンパクト
にまとめることができるとともに、上記の光学機器での
損失をも低減することができる。ここではこの光検出器
について説明する。
、複数の波長の光を１本の光ファイバに伝送して通信容
量を多くとる波長多重通信方式が利用できる。波長多重
通信を行うために、以前から光合波器と光分波器を使用
する方法がとられているが、これに対し複数の波長の光
を独立に放出できる１つの光源と、波長分波機能を持っ
た１つの光検出器を用いれば、システムを−コンパクト
にまとめることができるとともに、上記の光学機器での
損失をも低減することができる。ここではこの光検出器
について説明する。
第３図は、例えば化合物半導体デバイスハンドブック（
昭和６１年、サイエンスフォーラム社発行）に示されｔ
コ従来の波長分波機能付き光検出器を示す断面構造図で
あり、図において、１はｎ −ＩｎＰ基板、２はｎ −
Ｉ ｎ Ｐバッファ層、３は波長λ１の光を吸収するＩ
ｎＧａＡｓＰからなるフォトダイオードであ呼、３ａは
ｎ −１ｎ Ｈ−ｍａＧ ａ ｘａＡ ！１ ＊−ｙ
ａ Ｐ ｙａ 層、 ３ ｂは ｐ Ｉ
ｎ トｘ＊ ＧａｚａＡＳＩ−ｙ＠Ｐｙａ層、４は
ｐ −Ｉ ｎ Ｐ層、５は波長λｂの光を吸収するＩｎ
ＧａＡｓＰからなるフォトダイオードであり、５ａはｐ
−１ｎ １−＊ｂＧ ａ ＊ｂＡｓｌ−ｙｂＰｙｂＪ
ｉ！、５ｂはｎ Ｉｎ１−ｘｂＧａ、。
昭和６１年、サイエンスフォーラム社発行）に示されｔ
コ従来の波長分波機能付き光検出器を示す断面構造図で
あり、図において、１はｎ −ＩｎＰ基板、２はｎ −
Ｉ ｎ Ｐバッファ層、３は波長λ１の光を吸収するＩ
ｎＧａＡｓＰからなるフォトダイオードであ呼、３ａは
ｎ −１ｎ Ｈ−ｍａＧ ａ ｘａＡ ！１ ＊−ｙ
ａ Ｐ ｙａ 層、 ３ ｂは ｐ Ｉ
ｎ トｘ＊ ＧａｚａＡＳＩ−ｙ＠Ｐｙａ層、４は
ｐ −Ｉ ｎ Ｐ層、５は波長λｂの光を吸収するＩｎ
ＧａＡｓＰからなるフォトダイオードであり、５ａはｐ
−１ｎ １−＊ｂＧ ａ ＊ｂＡｓｌ−ｙｂＰｙｂＪ
ｉ！、５ｂはｎ Ｉｎ１−ｘｂＧａ、。
Ａｓ１□ｂＰｙｂ層、１１は前記フォトダイオード３か
らの信号を取り出すｎ側の端子、１２は前記フォトダイ
オード３およびフォトダイオード５のｐ側の共通の端子
、１３は前記フォトダイオード５からの信号を取り出す
ｎ側の端子、１４は前記ｎ −１ｎ Ｐ基板１に形成さ
れたｎ側電極、１５は前記ｐ −Ｉ ｎ Ｐ層４上に形
成されたｐ ＯＮ電極、１６は前記ｎ −１ｎ Ｇ ｕ
Ａ ｓ Ｐ層５ｂ上に形成されたｎ側電極である。
らの信号を取り出すｎ側の端子、１２は前記フォトダイ
オード３およびフォトダイオード５のｐ側の共通の端子
、１３は前記フォトダイオード５からの信号を取り出す
ｎ側の端子、１４は前記ｎ −１ｎ Ｐ基板１に形成さ
れたｎ側電極、１５は前記ｐ −Ｉ ｎ Ｐ層４上に形
成されたｐ ＯＮ電極、１６は前記ｎ −１ｎ Ｇ ｕ
Ａ ｓ Ｐ層５ｂ上に形成されたｎ側電極である。
第４図はこの光検出器に基板１側よ）Ｊ ０．６〜１．
６μｍの波長の光を入射した際の感度スペクトルを示す
もので、横軸に波長、縦軸に量子効率を示している。図
中左側のスペクトルは端子１１−１２間の出力、つまり
フォ１−ダイオード３の感度スペクトル、右側のスペク
トルは端子１２−１３間の出力、つまり７第１・ダイオ
ード５の感度スペクトルをそれぞれ示している。
６μｍの波長の光を入射した際の感度スペクトルを示す
もので、横軸に波長、縦軸に量子効率を示している。図
中左側のスペクトルは端子１１−１２間の出力、つまり
フォ１−ダイオード３の感度スペクトル、右側のスペク
トルは端子１２−１３間の出力、つまり７第１・ダイオ
ード５の感度スペクトルをそれぞれ示している。
次に動作について説明する。
この構造は吸収端波長、つまりバンドギャップの異なる
２つの７第１・ダイオード３，５を入射光に沿ってｆＩ
Ｓ積したもので、光入射側となるフォトダイオード３は
、もう一方のフォトダイオード５よりバンドギャップが
大きく、フォトダイオードとして働くと同時に、波長多
重通信における２つの波長の短波長λ、のみを吸収する
反面、長波長λｂを通過させるフィルタの役割も果して
いる。
２つの７第１・ダイオード３，５を入射光に沿ってｆＩ
Ｓ積したもので、光入射側となるフォトダイオード３は
、もう一方のフォトダイオード５よりバンドギャップが
大きく、フォトダイオードとして働くと同時に、波長多
重通信における２つの波長の短波長λ、のみを吸収する
反面、長波長λｂを通過させるフィルタの役割も果して
いる。
この光検出器においては、フォトダイオード３でλ、＜
ｔ、ａμｍの短波長が吸収され、フォトダイオード５で
は１．３＜λｔ、＜１．５３μｍの長波長が吸収される
ようになっている。例えば波長多重通信の波長としてλ
１を１．０μｍ、λ、を１．４μｍとすると、波長λ、
の光はフォトダイオード３により吸収され、端子１１−
１２間に起電力を生じ、抵抗等の負荷を接続すると電流
を生じ′る。この際の光電変換の量子効率は１．０μｍ
の波長で約５０％である。
ｔ、ａμｍの短波長が吸収され、フォトダイオード５で
は１．３＜λｔ、＜１．５３μｍの長波長が吸収される
ようになっている。例えば波長多重通信の波長としてλ
１を１．０μｍ、λ、を１．４μｍとすると、波長λ、
の光はフォトダイオード３により吸収され、端子１１−
１２間に起電力を生じ、抵抗等の負荷を接続すると電流
を生じ′る。この際の光電変換の量子効率は１．０μｍ
の波長で約５０％である。
一方、λ、より波長の長いλ、はバンドギャップの大き
なフォトダイオード３には殆ど吸収されず透過し、バン
ドギャップの小さなフォトダイオード５に吸収され、フ
ォトダイオード３と同様に光電変換され、１．４μｍの
波長でも約５０％の量子効率を得るようになる。このよ
うに波長λ１の光信号は端子１１−１２より検出され、
波長λｂの光信号は端子１２−１３より検出されるので
、この素子は波長分波型のモ、ノリシック光検出器とし
て動作し、多重連イεの光検出器として有効な素子であ
る。
なフォトダイオード３には殆ど吸収されず透過し、バン
ドギャップの小さなフォトダイオード５に吸収され、フ
ォトダイオード３と同様に光電変換され、１．４μｍの
波長でも約５０％の量子効率を得るようになる。このよ
うに波長λ１の光信号は端子１１−１２より検出され、
波長λｂの光信号は端子１２−１３より検出されるので
、この素子は波長分波型のモ、ノリシック光検出器とし
て動作し、多重連イεの光検出器として有効な素子であ
る。
従来の波長分波型光検出器は以上のように！＋’４成さ
れているので、短波長のλ、がフォトダイオード３で十
分に吸収されずに７第１・ダイオード５にまで達してし
まった場合、７第１・ダイオード５は波長λ１とλ、の
両方の光信号を検知してしまうことになり、漏話が大き
くなってしまう欠点がある。第４図に示した左右のスペ
クトルの重なる領域がそのことを示している。したがっ
て、波長λ、を１．２μｍ、波長λｂを１．４μｍとし
、多重通信を行ったとすれば、フォトダイオード５は本
来フォトダイオード３により検知されるべき波長λ、に
も強い感度を持つようになってしまうなどの欠点があっ
た。
れているので、短波長のλ、がフォトダイオード３で十
分に吸収されずに７第１・ダイオード５にまで達してし
まった場合、７第１・ダイオード５は波長λ１とλ、の
両方の光信号を検知してしまうことになり、漏話が大き
くなってしまう欠点がある。第４図に示した左右のスペ
クトルの重なる領域がそのことを示している。したがっ
て、波長λ、を１．２μｍ、波長λｂを１．４μｍとし
、多重通信を行ったとすれば、フォトダイオード５は本
来フォトダイオード３により検知されるべき波長λ、に
も強い感度を持つようになってしまうなどの欠点があっ
た。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、波長多重通信におけろ漏話が小さな波長分
波型光検出器を得ることを目的とする。
れたもので、波長多重通信におけろ漏話が小さな波長分
波型光検出器を得ることを目的とする。
この発明に係る波長分波型光検出器は、複数のフォトダ
イオードのそれぞれの間に分波すべき光の波長に応じて
格子間隔を決定した回折格子をそれぞれ挿入したもので
ある。
イオードのそれぞれの間に分波すべき光の波長に応じて
格子間隔を決定した回折格子をそれぞれ挿入したもので
ある。
この発明における波長分波型光検出器は、複数のフォト
ダイオードの間に分波すべき光の波長に応じて格子間隔
を決定した回折格子をｔｉｐ人したことから、この回折
格子において複数の波長の入射光を選択的に分波するた
め、複数の光検出器相互の漏話が低減される。
ダイオードの間に分波すべき光の波長に応じて格子間隔
を決定した回折格子をｔｉｐ人したことから、この回折
格子において複数の波長の入射光を選択的に分波するた
め、複数の光検出器相互の漏話が低減される。
以下、この発“明の−実り色例を図面について説明する
。
。
第１図はこの発明の一実施例を示す波長分波型光検出器
の断面図である。第１図において、第３図と同一符号は
同−溝成部分を示し、８は前記基板１表面に対してθの
角度を持つ斜面、９はその斜面８上に形成された回折１
８子、１７は光の入射部に形成された５ｉ０２１１Ｑで
ある。
の断面図である。第１図において、第３図と同一符号は
同−溝成部分を示し、８は前記基板１表面に対してθの
角度を持つ斜面、９はその斜面８上に形成された回折１
８子、１７は光の入射部に形成された５ｉ０２１１Ｑで
ある。
第２図はこの発明における波長分波型光検出器の感度ス
ペクトルを示ずものであり、第２図についての説明は従
来例で示した通りである。
ペクトルを示ずものであり、第２図についての説明は従
来例で示した通りである。
次に製造方法について説明する。
ｎ −１ｎ Ｐ基板１上にｎ −Ｉ ｎ Ｐバラフッ層
２ 、１１ Ｉ ｎ １−１＠Ｇ ｎ
ｚａＡ Ｓ ＋−ｙａＰｙａ層３ ａ Ｘ ｐＩ
ｎ ＋−＊ａＧ ａ ｘａＡ Ｓ １−ｙａＰ ｙａ層
３ｂを順次結晶成長する。その後、フォトリソグラフィ
ー技術とエツチング技術を用いて成長面に対してθの角
度を持つ三角形状の溝を密に形成することによって斜面
８を形成する。このときの角度θは結晶面を利用すると
作製しやすい。次に、この三角形状の溝の斜面８上に薄
いレジストを塗布し、２光束の干渉露光法によって干渉
縞を転写し、さらに、エツチングによって波状の回折格
子９を形成する。
２ 、１１ Ｉ ｎ １−１＠Ｇ ｎ
ｚａＡ Ｓ ＋−ｙａＰｙａ層３ ａ Ｘ ｐＩ
ｎ ＋−＊ａＧ ａ ｘａＡ Ｓ １−ｙａＰ ｙａ層
３ｂを順次結晶成長する。その後、フォトリソグラフィ
ー技術とエツチング技術を用いて成長面に対してθの角
度を持つ三角形状の溝を密に形成することによって斜面
８を形成する。このときの角度θは結晶面を利用すると
作製しやすい。次に、この三角形状の溝の斜面８上に薄
いレジストを塗布し、２光束の干渉露光法によって干渉
縞を転写し、さらに、エツチングによって波状の回折格
子９を形成する。
なお、この回折格子９のピッチｄは、斜面８に対してθ
の入射角で入射してくろλ、の波長の光をブラッグ反射
するような条件に設定してお（。ここでは、＾１を１．
２μｍとし、この波長λ、の光をブラッグ反射するよう
に、θおよびｄを設定する。次に光の入射部のみにＩｎ
ＰやＩｎＧａＡｓＰよりずっと屈折率の小さい材料を形
成するが、ここではＳ ｉ Ｏ＊ １１１Ａ１７を用い
た。２回目の結晶成長として、この上にｐ −１ｎ Ｐ
層４．ｐ−Ｉｎ１−ｘｂ Ｇ ａｘｂ Ａｓ １−ｙｂ
ＰｙｂＮＩ５ （１，ｎ Ｉ ｎｌ−ＨｂＧ ａ ｚ
ｈＡ Ｓ Ｉ−ｙｂＰ ｙｂ層５ｂを順次成長させるが
、５ｉＯｚｌｌＩＡ１７上には直接結晶成長することは
不可能であるため、５ｉｎｓ膜１７が形成されていない
部分、すなわちｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層３ｂを成長核とし
て横方向成長により５ｉｆｔ膜１７上にフォトダイオー
ド５を結晶成長する。この場合の成長方法は、横方向成
長が容易な液相成長法を用いるのが望ましい。
の入射角で入射してくろλ、の波長の光をブラッグ反射
するような条件に設定してお（。ここでは、＾１を１．
２μｍとし、この波長λ、の光をブラッグ反射するよう
に、θおよびｄを設定する。次に光の入射部のみにＩｎ
ＰやＩｎＧａＡｓＰよりずっと屈折率の小さい材料を形
成するが、ここではＳ ｉ Ｏ＊ １１１Ａ１７を用い
た。２回目の結晶成長として、この上にｐ −１ｎ Ｐ
層４．ｐ−Ｉｎ１−ｘｂ Ｇ ａｘｂ Ａｓ １−ｙｂ
ＰｙｂＮＩ５ （１，ｎ Ｉ ｎｌ−ＨｂＧ ａ ｚ
ｈＡ Ｓ Ｉ−ｙｂＰ ｙｂ層５ｂを順次成長させるが
、５ｉＯｚｌｌＩＡ１７上には直接結晶成長することは
不可能であるため、５ｉｎｓ膜１７が形成されていない
部分、すなわちｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層３ｂを成長核とし
て横方向成長により５ｉｆｔ膜１７上にフォトダイオー
ド５を結晶成長する。この場合の成長方法は、横方向成
長が容易な液相成長法を用いるのが望ましい。
最後に各電極１４，１５，１８を従来例と同様に形成す
れば波長分波型光検出器の作製が完了する。
れば波長分波型光検出器の作製が完了する。
次に動作について説明する。
この発明は、従来例で示した７第１・ダイオード３と５
の間に回折格子９によるブラッグ反射を利用した光学〕
、ｆルタを挿入（７たものである。
の間に回折格子９によるブラッグ反射を利用した光学〕
、ｆルタを挿入（７たものである。
多重通信用の２波長、λ１．λｂが基板１側より入射さ
れると、短い波長λ、は７第１・ダイオード３にて吸収
されろ。ここで十分に吸収されなかった波長＾、の光は
回折格子９によってブラッグ反射され、さらにフォトダ
イオード３で再吸収されろ。一方、λトはフォトダイオ
ード３では吸収されず透過し、回折格子９においてもブ
ラッグ反射されないため、フォトダイオード５に到達し
、そこで吸収される。したがって、この素子の感度スペ
クトルは、第２図に示すように、１．２μｍ付近に回折
格子９に反射を用いたフィルタの効果が現れ、乙の波長
における端子１１−１２間の出力（よ強められ、端子１
１−１２間の出力は弱められるようになる。このように
従来の素子構造ではクロスト−りが大きな波長領域でも
本構造のフィルタ効果により漏話の小さな波長領域を得
ろことができるので、λ、を１．２μｍ、λｂを１．４
μｍの波長の光として多重通信を行っても従来の素子よ
り漏話を小さくできる。
れると、短い波長λ、は７第１・ダイオード３にて吸収
されろ。ここで十分に吸収されなかった波長＾、の光は
回折格子９によってブラッグ反射され、さらにフォトダ
イオード３で再吸収されろ。一方、λトはフォトダイオ
ード３では吸収されず透過し、回折格子９においてもブ
ラッグ反射されないため、フォトダイオード５に到達し
、そこで吸収される。したがって、この素子の感度スペ
クトルは、第２図に示すように、１．２μｍ付近に回折
格子９に反射を用いたフィルタの効果が現れ、乙の波長
における端子１１−１２間の出力（よ強められ、端子１
１−１２間の出力は弱められるようになる。このように
従来の素子構造ではクロスト−りが大きな波長領域でも
本構造のフィルタ効果により漏話の小さな波長領域を得
ろことができるので、λ、を１．２μｍ、λｂを１．４
μｍの波長の光として多重通信を行っても従来の素子よ
り漏話を小さくできる。
なお、上記実施例ではＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系の材料
について示したが、ＡｊＧａＡｓ／ＧａＡｓ系といった
他の材料であってもよく、上記実施例と同様の効果を奏
する。
について示したが、ＡｊＧａＡｓ／ＧａＡｓ系といった
他の材料であってもよく、上記実施例と同様の効果を奏
する。
また、上記実施例では２つのフォトダイオード３．５と
その間に１つの回折格子９を押入して２波長分波型のも
のについて示したが、３つのフォトダイオードと各フォ
トダイオード間に２つの回折格子を挿入した３波長分波
型、４つのフォトダイオード間に３つの回折格子を挿入
した４波長分波型など多波長の分波型光検出器としても
適用できる。
その間に１つの回折格子９を押入して２波長分波型のも
のについて示したが、３つのフォトダイオードと各フォ
トダイオード間に２つの回折格子を挿入した３波長分波
型、４つのフォトダイオード間に３つの回折格子を挿入
した４波長分波型など多波長の分波型光検出器としても
適用できる。
以上説明したようにこの発明は、複数のフォトダイオー
ドのそれぞれの間に分波すべき光の波長に応じて格子間
隔を決定した回折格子を設けたので、多重通信における
波長分波が１つの光検出器によって可能となるとともに
、漏話も小さ（することができる利点がある。
ドのそれぞれの間に分波すべき光の波長に応じて格子間
隔を決定した回折格子を設けたので、多重通信における
波長分波が１つの光検出器によって可能となるとともに
、漏話も小さ（することができる利点がある。
第１図２よとの発明の一実施例による波長分波型光検出
器を示す断面図、第２図はこの発明の感度スペクトルを
示ず図、第３図は従来の光検出器を示す断面図、第４図
は従来の光検出器の感度スペクトルを示す図である。 図において、１はｎ −Ｉ ｎ Ｐ基板、２はｎ−Ｉｎ
Ｐバッファ層、３は波長λ、の光を吸収するＩｎＧｎＡ
ｓＰからなるフォトダイオード、３ａはｎ Ｉ ｎｌ
−Ｘａ Ｇ ａｘ、Ａｓ ５−ｙａ ｒ’ｙａ ＦＩＪ
ｓ ３ ｂはｐ−Ｉ ｎｔ−ｘａ ＧａＸＡＡｓｌ−ｙ
＠ ｐ、、層、４はｐ−ＩｎＰＭ、５は波長λｂの光を
吸収するｆｎＧａＡｓＰからなる７ オ＋−ダイオード
、５ａはｐＩ ｎ １−ｘｂ Ｇ ａ ｘｂ Ａ ｓ
５−ｙｂ Ｐ ｘｂ層、５ ｂ １１．ｔ ｎＩ ｎ
１−ｘｂ Ｇ ａ ｘｂ Ａｓ１−ｙｋ Ｐｙｂ Ｈｚ
８は斜面、９は回折格子、１１はフォトダイオ−１：
からの信号を取り出すｎ側の端子、１２はｐ側の共通の
端子、１３はフォトダイオードからの信号を取り出すｎ
側の端子、１４，１６は１側電極、１５はｐ６１電極、
１７はＳｉ０ｇ膜、λ、、λｂは波長である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 一波長（んｍ） 第３図
器を示す断面図、第２図はこの発明の感度スペクトルを
示ず図、第３図は従来の光検出器を示す断面図、第４図
は従来の光検出器の感度スペクトルを示す図である。 図において、１はｎ −Ｉ ｎ Ｐ基板、２はｎ−Ｉｎ
Ｐバッファ層、３は波長λ、の光を吸収するＩｎＧｎＡ
ｓＰからなるフォトダイオード、３ａはｎ Ｉ ｎｌ
−Ｘａ Ｇ ａｘ、Ａｓ ５−ｙａ ｒ’ｙａ ＦＩＪ
ｓ ３ ｂはｐ−Ｉ ｎｔ−ｘａ ＧａＸＡＡｓｌ−ｙ
＠ ｐ、、層、４はｐ−ＩｎＰＭ、５は波長λｂの光を
吸収するｆｎＧａＡｓＰからなる７ オ＋−ダイオード
、５ａはｐＩ ｎ １−ｘｂ Ｇ ａ ｘｂ Ａ ｓ
５−ｙｂ Ｐ ｘｂ層、５ ｂ １１．ｔ ｎＩ ｎ
１−ｘｂ Ｇ ａ ｘｂ Ａｓ１−ｙｋ Ｐｙｂ Ｈｚ
８は斜面、９は回折格子、１１はフォトダイオ−１：
からの信号を取り出すｎ側の端子、１２はｐ側の共通の
端子、１３はフォトダイオードからの信号を取り出すｎ
側の端子、１４，１６は１側電極、１５はｐ６１電極、
１７はＳｉ０ｇ膜、λ、、λｂは波長である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 一波長（んｍ） 第３図
Claims (1)
- 基板上に複数のフォトダイオード構造が積層され、その
積層面に対して垂直方向に入射される複数の波長の複数
の光信号を波長分波することによって信号を検出する光
検出器において、前記複数のフォトダイオードのそれぞ
れの間に分波すべき光の波長に応じて格子間隔を決定し
た回折格子を設けたことを特徴とする波長分波型光検出
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63261874A JPH02106979A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 波長分波型光検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63261874A JPH02106979A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 波長分波型光検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02106979A true JPH02106979A (ja) | 1990-04-19 |
Family
ID=17367960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63261874A Pending JPH02106979A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 波長分波型光検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02106979A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009123921A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Doshisha | 波長選択フィルタ付き受光センサ |
| US7741691B2 (en) * | 2008-04-28 | 2010-06-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor photodetector |
| JP2010192815A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Fujitsu Ltd | イメージセンサ |
| JP2018506861A (ja) * | 2015-02-27 | 2018-03-08 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン | 中間光学フィルターを有するメカニカルスタック型タンデム光起電力セル |
-
1988
- 1988-10-17 JP JP63261874A patent/JPH02106979A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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