JPH04213876A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
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- JPH04213876A JPH04213876A JP2409684A JP40968490A JPH04213876A JP H04213876 A JPH04213876 A JP H04213876A JP 2409684 A JP2409684 A JP 2409684A JP 40968490 A JP40968490 A JP 40968490A JP H04213876 A JPH04213876 A JP H04213876A
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体受光素子に関し
、特に、複数の異なる波長の光を受光して別々の信号と
して取り出すことのできる半導体受光素子に関する。
、特に、複数の異なる波長の光を受光して別々の信号と
して取り出すことのできる半導体受光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムにおいては、大容量化の
ために異なる波長の複数の信号光を合成してこれを単一
の光ファイバにより伝送する波長分割多重（ＷＤＭ：Ｗ
ａｖｅ Ｌｅｎｇｔｈ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉ
ｐｌｅｘｉｎｇ）方式が採用されている。ＷＤＭ方式が
採用された場合、受信方式としては合成波を光分波器に
より波長毎に分離する場合と、受光素子自体に波長選択
性をもたせて単一の受光素子により合成波から直接複数
の信号を取り出すようにする場合とがある。
ために異なる波長の複数の信号光を合成してこれを単一
の光ファイバにより伝送する波長分割多重（ＷＤＭ：Ｗ
ａｖｅ Ｌｅｎｇｔｈ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉ
ｐｌｅｘｉｎｇ）方式が採用されている。ＷＤＭ方式が
採用された場合、受信方式としては合成波を光分波器に
より波長毎に分離する場合と、受光素子自体に波長選択
性をもたせて単一の受光素子により合成波から直接複数
の信号を取り出すようにする場合とがある。
【０００３】図３は、後者の受信方式において用いられ
る半導体受光素子の断面図である。これは、波長：λ１
＝１．３μｍの信号光と、波長：λ２＝１．５５μｍの
信号光との合成波を受信するように構成された素子であ
って、このような素子は例えばＴｒａｎｓ． ＩＥＣＥ
Ｊａｐａｎ， ｖｏ１． ６３−Ｃ， ｎｏ．３，
ｐｐ．１９２−１９７， Ｍａｒ．，１９８０ に記載
されている。
る半導体受光素子の断面図である。これは、波長：λ１
＝１．３μｍの信号光と、波長：λ２＝１．５５μｍの
信号光との合成波を受信するように構成された素子であ
って、このような素子は例えばＴｒａｎｓ． ＩＥＣＥ
Ｊａｐａｎ， ｖｏ１． ６３−Ｃ， ｎｏ．３，
ｐｐ．１９２−１９７， Ｍａｒ．，１９８０ に記載
されている。
【０００４】この素子は、ｎ−ＩｎＰ基板３１上にｎ−
ＩｎＧａＡｓ層（光吸収層）３２とｎ−ＩｎＰ層３３と
を積層し、ｎ−ＩｎＰ層３３内にガードリング３４とｐ
型半導体領域（アバランシェ領域）３５とを形成したの
ち、さらにｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層（光吸収層）３６とｐ
−ＩｎＰ層３７とを積層し、ｐ−ＩｎＰ層３７内にガー
ドリング３８、ｎ型半導体領域（アバランシェ領域）３
９を形成し、最後に表面保護膜３１１、電極３１２、３
１３、３１４を形成することによって構成されたもので
ある。
ＩｎＧａＡｓ層（光吸収層）３２とｎ−ＩｎＰ層３３と
を積層し、ｎ−ＩｎＰ層３３内にガードリング３４とｐ
型半導体領域（アバランシェ領域）３５とを形成したの
ち、さらにｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層（光吸収層）３６とｐ
−ＩｎＰ層３７とを積層し、ｐ−ＩｎＰ層３７内にガー
ドリング３８、ｎ型半導体領域（アバランシェ領域）３
９を形成し、最後に表面保護膜３１１、電極３１２、３
１３、３１４を形成することによって構成されたもので
ある。
【０００５】この素子において、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層
３６およびｎ−ＩｎＧａＡｓ層３２の組成をその基礎吸
収端波長λｇ１、λｇ２がそれぞれ λ１≦λｇ１＜λ２≦λｇ２ を満足するように選べば、表面保護膜３１１から入射さ
れた信号光は、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層３６でλｇ１より
短波長であるλ１＝１．３μｍの信号光のみが吸収され
、λ２＝１．５５μｍの信号光はそのまま透過してｎ−
ＩｎＧａＡｓ層３２で吸収される。
３６およびｎ−ＩｎＧａＡｓ層３２の組成をその基礎吸
収端波長λｇ１、λｇ２がそれぞれ λ１≦λｇ１＜λ２≦λｇ２ を満足するように選べば、表面保護膜３１１から入射さ
れた信号光は、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層３６でλｇ１より
短波長であるλ１＝１．３μｍの信号光のみが吸収され
、λ２＝１．５５μｍの信号光はそのまま透過してｎ−
ＩｎＧａＡｓ層３２で吸収される。
【０００６】従って、この波長分割多重伝送用受光素子
を用いれば、光分波器によって合成波を個々の信号光に
分離しなくとも、電極３１２−３１３間からは波長λ１
の信号を、また電極３１３−３１４間からは波長λ２の
信号を別々に取り出すことが可能となる。
を用いれば、光分波器によって合成波を個々の信号光に
分離しなくとも、電極３１２−３１３間からは波長λ１
の信号を、また電極３１３−３１４間からは波長λ２の
信号を別々に取り出すことが可能となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の波長分
割多重伝送用受光素子では、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層３６
に入射されたλ１＝１．３μｍの信号光のうち、通常約
８５％〜９０％はここで吸収され信号出力として取り出
されるが、残り約１０％〜１５％の信号光はそのまま透
過してしまうため、高い光電変換効率（量子効率）を得
ることができず、ひいては受信感度の低下を招いていた
。その上この透過光はλ２＝１．５５μｍの信号光とと
もにｎ−ＩｎＧａＡｓ層３２で吸収されるため、そのク
ロストークによってλ２＝１．５５μｍの信号光の実効
受信感度を著しく劣化させる。
割多重伝送用受光素子では、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層３６
に入射されたλ１＝１．３μｍの信号光のうち、通常約
８５％〜９０％はここで吸収され信号出力として取り出
されるが、残り約１０％〜１５％の信号光はそのまま透
過してしまうため、高い光電変換効率（量子効率）を得
ることができず、ひいては受信感度の低下を招いていた
。その上この透過光はλ２＝１．５５μｍの信号光とと
もにｎ−ＩｎＧａＡｓ層３２で吸収されるため、そのク
ロストークによってλ２＝１．５５μｍの信号光の実効
受信感度を著しく劣化させる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体受光素子
は、波長λ２の信号光を吸収することのできる第１の受
光素子と、波長λ１（ただし、λ１＜λ２）の信号光を
吸収するとのできる第２の受光素子とが、波長λ１の信
号光に対しては反射膜として働き波長λ２の信号光に対
しては透過膜として働く干渉膜を介して積層されたもの
である。
は、波長λ２の信号光を吸収することのできる第１の受
光素子と、波長λ１（ただし、λ１＜λ２）の信号光を
吸収するとのできる第２の受光素子とが、波長λ１の信
号光に対しては反射膜として働き波長λ２の信号光に対
しては透過膜として働く干渉膜を介して積層されたもの
である。
【０００９】この干渉膜は、膜厚ｄが
ｄ≒ｍ・λ１／（２・ｎ）
（ただし、ｍは正の整数、ｎはその材料の屈折率）であ
る半導体膜または絶縁膜を、互いに隣接する膜同士では
屈折率が互いに異なっている態様で複数層積層したもの
である。
る半導体膜または絶縁膜を、互いに隣接する膜同士では
屈折率が互いに異なっている態様で複数層積層したもの
である。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実施例を示
す断面図である。
て詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実施例を示
す断面図である。
【００１１】本実施例の半導体受光素子は、波長：λ１
＝１．３μｍの信号光と、波長：λ２＝１．５５μｍの
信号光との合成波を受光することを意図されたものであ
って、この受光素子は、ｎ−ＩｎＰ基板１１上にｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓ層（光吸収層）１２、ｎ−ＩｎＰ層１３を積
層し、ｎ−ＩｎＰ層１３内にガードリング１４とｐ型半
導体領域（アバランシェ領域）１５とを形成し、次に、
ｐ型半導体領域１５上にｐ−ＩｎＰ層１１５、１１７と
ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層１１６、１１８からなる４層の周
期構造を形成したのち、さらにその上にｐ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ層（光吸収層）１６とｐ−ＩｎＰ層１７とを積層し
、ｐ−ＩｎＰ層１７内にガードリング１８とｎ型半導体
領域（アバランシェ領域）１９とを形成し、最後に表面
保護膜１１１、電極１１２、１１３、１１４を形成する
ことによって構成されたものである。
＝１．３μｍの信号光と、波長：λ２＝１．５５μｍの
信号光との合成波を受光することを意図されたものであ
って、この受光素子は、ｎ−ＩｎＰ基板１１上にｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓ層（光吸収層）１２、ｎ−ＩｎＰ層１３を積
層し、ｎ−ＩｎＰ層１３内にガードリング１４とｐ型半
導体領域（アバランシェ領域）１５とを形成し、次に、
ｐ型半導体領域１５上にｐ−ＩｎＰ層１１５、１１７と
ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層１１６、１１８からなる４層の周
期構造を形成したのち、さらにその上にｐ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ層（光吸収層）１６とｐ−ＩｎＰ層１７とを積層し
、ｐ−ＩｎＰ層１７内にガードリング１８とｎ型半導体
領域（アバランシェ領域）１９とを形成し、最後に表面
保護膜１１１、電極１１２、１１３、１１４を形成する
ことによって構成されたものである。
【００１２】ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層１６とｎ−ＩｎＧａ
Ａｓ層１２の基礎吸収端波長をそれぞれλｇ１、λｇ２
、ｐ−ＩｎＰ層１１５、１１７の基礎吸収端波長をλｇ
ａ、その屈折率をｎａ、またその半導体層の厚さをｄａ
とし、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層１１６、１１８の基礎吸収
端波長をλｇｂ、その屈折率をｎｂ、またその半導体層
の厚さをｄｂとしたとき、 λｇａ、λｇｂ＜λ１≦λｇ１＜λ２≦λ
ｇ２ …■
ｎａ≠ｎｂ
…■を満足し、かつ ｄａ≒ｍａ・λ１／（２・ｎａ）
…■ ｄｂ≒ｍｂ・λ１／（２・ｎｂ）
…■（ただし、ｍａ、ｍｂ＝１、２、３、…）
を満足するように各半導体層の組成を選ぶ。
Ａｓ層１２の基礎吸収端波長をそれぞれλｇ１、λｇ２
、ｐ−ＩｎＰ層１１５、１１７の基礎吸収端波長をλｇ
ａ、その屈折率をｎａ、またその半導体層の厚さをｄａ
とし、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層１１６、１１８の基礎吸収
端波長をλｇｂ、その屈折率をｎｂ、またその半導体層
の厚さをｄｂとしたとき、 λｇａ、λｇｂ＜λ１≦λｇ１＜λ２≦λ
ｇ２ …■
ｎａ≠ｎｂ
…■を満足し、かつ ｄａ≒ｍａ・λ１／（２・ｎａ）
…■ ｄｂ≒ｍｂ・λ１／（２・ｎｂ）
…■（ただし、ｍａ、ｍｂ＝１、２、３、…）
を満足するように各半導体層の組成を選ぶ。
【００１３】上記各条件を満たすように構成された受光
素子においては、表面保護膜１８から入射された信号光
はｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層１６でその基礎吸収端波長λｇ
１より短波長であるλ１＝１．３μｍの信号光のみが吸
収され、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層１６で吸収されなかった
λ１＝１．３μｍ成分およびλ２＝１．５５μｍの信号
はそのまま透過してｐ−ＩｎＰ層１１５、１１７とｐ−
ＩｎＧａＡｓＰ層１１６、１１８からなる周期構造に至
る。ここで、この周期構造は■、■式を満足しているた
めに、波長λ１の近傍の波長の光に対して選択的に反射
する反射鏡となるが、一方、λ２の波長の信号光に対し
ては反射鏡としては作用せず、そのまま透過させる。半
導体層１１５〜１１８を透過した波長λ２の信号光はｎ
−ＩｎＧａＡｓ層１２で吸収される。
素子においては、表面保護膜１８から入射された信号光
はｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層１６でその基礎吸収端波長λｇ
１より短波長であるλ１＝１．３μｍの信号光のみが吸
収され、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層１６で吸収されなかった
λ１＝１．３μｍ成分およびλ２＝１．５５μｍの信号
はそのまま透過してｐ−ＩｎＰ層１１５、１１７とｐ−
ＩｎＧａＡｓＰ層１１６、１１８からなる周期構造に至
る。ここで、この周期構造は■、■式を満足しているた
めに、波長λ１の近傍の波長の光に対して選択的に反射
する反射鏡となるが、一方、λ２の波長の信号光に対し
ては反射鏡としては作用せず、そのまま透過させる。半
導体層１１５〜１１８を透過した波長λ２の信号光はｎ
−ＩｎＧａＡｓ層１２で吸収される。
【００１４】この波長分割多重伝送用受光素子を用いれ
ば、光分波器を用いずに電極１１２−１１３間からはλ
１の信号を、また電極１１３−１１４間からはλ２の信
号を別々に取り出すことが可能となる。そして、その素
子内にはλ１＝１．３μｍの信号光に対してのみ選択的
に作用する反射鏡が形成されているために、λ１の信号
光に対する量子効率が改善される。また、波長λ１の信
号光の、波長λ２の信号光に対する吸収層であるｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓ層１２への漏洩が回避できるため、この吸収
層におけるクロストークによる実効的受信感度の劣化を
防ぐことができる。
ば、光分波器を用いずに電極１１２−１１３間からはλ
１の信号を、また電極１１３−１１４間からはλ２の信
号を別々に取り出すことが可能となる。そして、その素
子内にはλ１＝１．３μｍの信号光に対してのみ選択的
に作用する反射鏡が形成されているために、λ１の信号
光に対する量子効率が改善される。また、波長λ１の信
号光の、波長λ２の信号光に対する吸収層であるｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓ層１２への漏洩が回避できるため、この吸収
層におけるクロストークによる実効的受信感度の劣化を
防ぐことができる。
【００１５】実際に本実施例の構造を用いて周期構造が
４層の波長分割多重伝送用受光素子を試作・評価した結
果、波長１．３μｍと１．５５μｍの２つの波長の信号
光に対して選択的に反射鏡を介在せしめたことによる量
子効率の向上によって、波長１．３μｍの信号光につい
ては平均で受信感度が約０．５ｄＢ改善され、また波長
１．５５μｍの信号光についてはクロストークが抑制さ
れたことによってＳ／Ｎが約１．０ｄＢ改善された。
４層の波長分割多重伝送用受光素子を試作・評価した結
果、波長１．３μｍと１．５５μｍの２つの波長の信号
光に対して選択的に反射鏡を介在せしめたことによる量
子効率の向上によって、波長１．３μｍの信号光につい
ては平均で受信感度が約０．５ｄＢ改善され、また波長
１．５５μｍの信号光についてはクロストークが抑制さ
れたことによってＳ／Ｎが約１．０ｄＢ改善された。
【００１６】図２は、本発明の第２の実施例を示す断面
図である。本実施例も、λ１＝１．３μｍ、λ２＝１．
５５μｍの２波長のＷＤＭ方式に適合された受光素子に
関するものである。図２において、２１乃至２９および
２１１乃至２１４はそれぞれ図１の１１乃至１９および
１１１乃至１１４と同等のものを指しているので、これ
らの部分に関する説明は省略する。
図である。本実施例も、λ１＝１．３μｍ、λ２＝１．
５５μｍの２波長のＷＤＭ方式に適合された受光素子に
関するものである。図２において、２１乃至２９および
２１１乃至２１４はそれぞれ図１の１１乃至１９および
１１１乃至１１４と同等のものを指しているので、これ
らの部分に関する説明は省略する。
【００１７】本実施例では、図１の実施例でのｐ−Ｉｎ
Ｐ層１１５、１１７とｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層１１６、１
１８からなる周期構造に代えてＳｉＯ２ 層２１５、２
１７とＴｉＯ２ 層２１６、２１８からなる周期構造が
形成されている。ＴｉＯ２ 層２１８とｐ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ層２６との間にはさらにｐ−ＩｎＰ層２１９が形成
されている。
Ｐ層１１５、１１７とｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層１１６、１
１８からなる周期構造に代えてＳｉＯ２ 層２１５、２
１７とＴｉＯ２ 層２１６、２１８からなる周期構造が
形成されている。ＴｉＯ２ 層２１８とｐ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ層２６との間にはさらにｐ−ＩｎＰ層２１９が形成
されている。
【００１８】ここで、ＳｉＯ２ 層１２５、１２７の屈
折率をｎｃ、またその厚さをｄｃとし、ＴｉＯ２ 層１
２６、１２８の屈折率をｎｄ、またその厚さをｄｄとし
て、 ｄｃ≒ｍｃ・λ１／（２・ｎｃ） ｄｄ≒ｍｄ・λ１／（２・ｎｄ） （ただし、ｍｃ、ｍｄ＝１、２、３、…）を満足するよ
う各誘電体層を形成すれば、この周期構造は、先の実施
例と同様に、波長λ１の近傍の波長の光に対しては反射
鏡として作用し、波長λ２の光信号に対しては透過膜と
して機能するので、本実施例も先の実施例と同様の効果
を奏することができる。さらに、本実施例においては周
期構造を誘電体多層膜で構成しているため、電子ビーム
蒸着法等を用いて膜厚を制御性よくコントロールするこ
とができ、波長λ１の光信号に対する高い反射率と波長
λ２の光信号に対する高い透過率を有する周期構造を容
易に形成することができる。なお、本実施例においては
ｐ−ＩｎＰ層２１９の膜厚を上記■式を満たすものとす
ることができる。
折率をｎｃ、またその厚さをｄｃとし、ＴｉＯ２ 層１
２６、１２８の屈折率をｎｄ、またその厚さをｄｄとし
て、 ｄｃ≒ｍｃ・λ１／（２・ｎｃ） ｄｄ≒ｍｄ・λ１／（２・ｎｄ） （ただし、ｍｃ、ｍｄ＝１、２、３、…）を満足するよ
う各誘電体層を形成すれば、この周期構造は、先の実施
例と同様に、波長λ１の近傍の波長の光に対しては反射
鏡として作用し、波長λ２の光信号に対しては透過膜と
して機能するので、本実施例も先の実施例と同様の効果
を奏することができる。さらに、本実施例においては周
期構造を誘電体多層膜で構成しているため、電子ビーム
蒸着法等を用いて膜厚を制御性よくコントロールするこ
とができ、波長λ１の光信号に対する高い反射率と波長
λ２の光信号に対する高い透過率を有する周期構造を容
易に形成することができる。なお、本実施例においては
ｐ−ＩｎＰ層２１９の膜厚を上記■式を満たすものとす
ることができる。
【００１９】上記各実施例において、半導体受光素子と
してアバランシェフォトダイオードを用いていたが、本
発明はこれに限定されたものではなく、他の型の受光素
子を用いることができる。また、各実施例において、λ
２の信号光に対する反射鏡を追加形成することもできる
。さらに、半導体層（１１５〜１１８）、誘電体膜（２
１５〜２１８）に関しては、４層の構造に限定されるも
のではなく、また２種の半導体乃至誘電体に限定される
ものでもない。また、半導体の受光素子は２信号光受信
用に限定されるものではない。３信号光以上の合成波を
受信する素子の場合には、信号光の数分だけの受光素子
を設け、それらの受光素子間に特定の波長の信号光を選
択的に反射することのできる干渉膜を介在せしめるよう
にすればよい。
してアバランシェフォトダイオードを用いていたが、本
発明はこれに限定されたものではなく、他の型の受光素
子を用いることができる。また、各実施例において、λ
２の信号光に対する反射鏡を追加形成することもできる
。さらに、半導体層（１１５〜１１８）、誘電体膜（２
１５〜２１８）に関しては、４層の構造に限定されるも
のではなく、また２種の半導体乃至誘電体に限定される
ものでもない。また、半導体の受光素子は２信号光受信
用に限定されるものではない。３信号光以上の合成波を
受信する素子の場合には、信号光の数分だけの受光素子
を設け、それらの受光素子間に特定の波長の信号光を選
択的に反射することのできる干渉膜を介在せしめるよう
にすればよい。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体受
光素子は、２つ以上の吸収層の間に屈折率の異なる半導
体層あるいは屈折率の異なる誘電体層からなる干渉膜を
介在せしめ、この干渉膜により異なる波長の信号光を選
択的に透過、反射せしめるものであるので、本発明によ
れば、ＷＤＭ方式における一つの信号光に対して量子効
率を向上させることができるとともに、その信号光の漏
洩光を抑制し、他の信号光における実効受信感度の劣化
を防ぐことができる。
光素子は、２つ以上の吸収層の間に屈折率の異なる半導
体層あるいは屈折率の異なる誘電体層からなる干渉膜を
介在せしめ、この干渉膜により異なる波長の信号光を選
択的に透過、反射せしめるものであるので、本発明によ
れば、ＷＤＭ方式における一つの信号光に対して量子効
率を向上させることができるとともに、その信号光の漏
洩光を抑制し、他の信号光における実効受信感度の劣化
を防ぐことができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す断面図。
【図２】本発明の第２の実施例を示す断面図。
【図３】従来例の断面図。
１１、２１、３１ ｎ−ＩｎＰ基板
１２、２２、３２ ｎ−ＩｎＧａＡｓ層（光吸収層）
１３、２３、３３ ｎ−ＩｎＰ層 １４、２４、３４、１８、２８、３８ ガードリング
１５、２５、３５ ｐ型半導体領域（アバランシェ領
域） １６、２６、３６ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層（光吸収層
）１７、２７、３７ ｐ−ＩｎＰ層 １９、２９、３９ ｎ型半導体領域（アバランシェ領
域） １１１、２１１、３１１ 表面保護膜１１２〜１１４
、２１２〜２１４、３１２〜３１４ 電極 １１５、１１７ ｐ−ＩｎＰ層 １１６、１１８ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層２１５、２１
７ ＳｉＯ２ 膜 ２１６、２１８ ＴｉＯ２ 膜 ２１９ ｐ−ＩｎＰ層
１３、２３、３３ ｎ−ＩｎＰ層 １４、２４、３４、１８、２８、３８ ガードリング
１５、２５、３５ ｐ型半導体領域（アバランシェ領
域） １６、２６、３６ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層（光吸収層
）１７、２７、３７ ｐ−ＩｎＰ層 １９、２９、３９ ｎ型半導体領域（アバランシェ領
域） １１１、２１１、３１１ 表面保護膜１１２〜１１４
、２１２〜２１４、３１２〜３１４ 電極 １１５、１１７ ｐ−ＩｎＰ層 １１６、１１８ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層２１５、２１
７ ＳｉＯ２ 膜 ２１６、２１８ ＴｉＯ２ 膜 ２１９ ｐ−ＩｎＰ層
Claims (2)
- 【請求項１】 第１のバンドギャップ幅を有する第１
の半導体を光吸収層とする第１の受光素子と、第１バン
ドギャップ幅より大きい第２のバンドギャップ幅を有す
る第２の半導体を光吸収層とする第２の受光素子とが、
第２の半導体により吸収される光に対しては反射膜とし
て働き第１の半導体により吸収される光に対しては透過
膜として働く干渉膜を介して積層されている半導体受光
素子。 - 【請求項２】 前記干渉膜が、膜厚ｄがｄ≒ｍ・λ／
（２・ｎ）（ただし、ｍは正の整数、λは第２の半導体
により吸収される光の波長、ｎはその材料の屈折率）で
ある膜を、互いに隣接する膜同士では屈折率が互いに異
なっている態様で複数層積層したものである請求項１記
載の半導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2409684A JPH04213876A (ja) | 1990-12-11 | 1990-12-11 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2409684A JPH04213876A (ja) | 1990-12-11 | 1990-12-11 | 半導体受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04213876A true JPH04213876A (ja) | 1992-08-04 |
Family
ID=18518990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2409684A Pending JPH04213876A (ja) | 1990-12-11 | 1990-12-11 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04213876A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002203986A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-07-19 | Korea Electronics Telecommun | アバランシェ光検出器 |
| US6521968B2 (en) | 2000-08-01 | 2003-02-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodiode |
| JP2010045417A (ja) * | 2009-11-27 | 2010-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子 |
-
1990
- 1990-12-11 JP JP2409684A patent/JPH04213876A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6521968B2 (en) | 2000-08-01 | 2003-02-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodiode |
| US6696740B2 (en) | 2000-08-01 | 2004-02-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodiode |
| JP2002203986A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-07-19 | Korea Electronics Telecommun | アバランシェ光検出器 |
| JP2010045417A (ja) * | 2009-11-27 | 2010-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子 |
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