JPH0210859A - 半導体リードフレーム - Google Patents
半導体リードフレームInfo
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- JPH0210859A JPH0210859A JP63162015A JP16201588A JPH0210859A JP H0210859 A JPH0210859 A JP H0210859A JP 63162015 A JP63162015 A JP 63162015A JP 16201588 A JP16201588 A JP 16201588A JP H0210859 A JPH0210859 A JP H0210859A
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- JP
- Japan
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- tin
- lead
- layer
- solder
- lead frame
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体用リードフレームに関し、特に、リード
フレームの品質を向上して半導体装置の信頬性を向上し
た半導体用リードフレームに関する。
フレームの品質を向上して半導体装置の信頬性を向上し
た半導体用リードフレームに関する。
一般にｒｃパッケージを製造する場合、素子固定部、イ
ンナーリード部、アウターリード部、外枠等よりなるリ
ードフレームを用いて行われている。これは第４図に示
すように、ＩＣチップ固定部７上にＩＣチップ１６をチ
ップボンディングした後、ＩＣチップ１６とインナーリ
ード５の先端部６のＡｇめっき１Ｊ１２をＡｕ、ＡＩ、
Ｃｕ等の極細線１５でワイヤボンディングする。これは
、次の理由による。即ち、リードフレームは銅条（ＣＡ
１９４ 、Ｃ５０５、リン青銅等）、鉄条（４２合金、
コバール、ステンレス等）等の金属基体から形成されて
おり、この金属基体のままではＡｕ線等のワイヤボンデ
ィングが困難もしくは不可能に近くなるため、ボンディ
ングする部分のみにボンディング性の良い貴金属（Ａｇ
層１２）を部分的にめっきしている。このように、■Ｃ
チップ１６とインナーリード５の先端部６がワイヤボン
ディングされた後、第５図に示すように、プラスチック
樹脂１８でモールドされる。この後、更に半導体装置（
ＩＣパッケージ）をプリント基板等に取り付ける際の接
着性を付与するため、アウターリード部３を含む部分に
錫、半田（錫−鉛合金等）の完成品めっき層１１が設け
られ、最後に外枠部を切り落として完成品とする。
ンナーリード部、アウターリード部、外枠等よりなるリ
ードフレームを用いて行われている。これは第４図に示
すように、ＩＣチップ固定部７上にＩＣチップ１６をチ
ップボンディングした後、ＩＣチップ１６とインナーリ
ード５の先端部６のＡｇめっき１Ｊ１２をＡｕ、ＡＩ、
Ｃｕ等の極細線１５でワイヤボンディングする。これは
、次の理由による。即ち、リードフレームは銅条（ＣＡ
１９４ 、Ｃ５０５、リン青銅等）、鉄条（４２合金、
コバール、ステンレス等）等の金属基体から形成されて
おり、この金属基体のままではＡｕ線等のワイヤボンデ
ィングが困難もしくは不可能に近くなるため、ボンディ
ングする部分のみにボンディング性の良い貴金属（Ａｇ
層１２）を部分的にめっきしている。このように、■Ｃ
チップ１６とインナーリード５の先端部６がワイヤボン
ディングされた後、第５図に示すように、プラスチック
樹脂１８でモールドされる。この後、更に半導体装置（
ＩＣパッケージ）をプリント基板等に取り付ける際の接
着性を付与するため、アウターリード部３を含む部分に
錫、半田（錫−鉛合金等）の完成品めっき層１１が設け
られ、最後に外枠部を切り落として完成品とする。
しかし、このＩＣパッケージの製造方法ではプラスチッ
ク樹脂でモールドした後に行う完成品めっき工程の前処
理として、酸、アルカリ等を使用するため、樹脂と金属
リード材の隙間に酸等が侵入し、これによって塩の残留
等が発生する。また、熔融めっき時には２００℃を越え
る熱衝撃を与えるため、樹脂封止材にクランクが発生す
る等の種々の問題が提起されている。このため、この完
成品めっき工程がＩＣパッケージの信頼性を低下させる
要因となっている。また、組立て後、めっきメーカー等
へ移動するため、作業工程が複雑となり、コストアンプ
の原因となる。
ク樹脂でモールドした後に行う完成品めっき工程の前処
理として、酸、アルカリ等を使用するため、樹脂と金属
リード材の隙間に酸等が侵入し、これによって塩の残留
等が発生する。また、熔融めっき時には２００℃を越え
る熱衝撃を与えるため、樹脂封止材にクランクが発生す
る等の種々の問題が提起されている。このため、この完
成品めっき工程がＩＣパッケージの信頼性を低下させる
要因となっている。また、組立て後、めっきメーカー等
へ移動するため、作業工程が複雑となり、コストアンプ
の原因となる。
そこで、このような問題を解決するため、特開昭５１−
１１５７７５号公報に示されるものが提案されている。
１１５７７５号公報に示されるものが提案されている。
これはボンディング性の良い貴金属（Ａｇ層１２）を部
分的に設けたリードフレームに予めアウターリード部に
錫−鉛合金層を設けたものである。また、この他に特開
昭５８−５２８６０号公報に示されるように、アウタリ
ート部の半田付は性を向−トするため、アウターリード
部に鉛層と錫層の２層を設ける方法も提案されている。
分的に設けたリードフレームに予めアウターリード部に
錫−鉛合金層を設けたものである。また、この他に特開
昭５８−５２８６０号公報に示されるように、アウタリ
ート部の半田付は性を向−トするため、アウターリード
部に鉛層と錫層の２層を設ける方法も提案されている。
〔発明が解決しようとする課題］
しかし、従来の半導体用リードフレームによると、以下
の問題点を有している。
の問題点を有している。
（１）特開昭５１−１１５７７５号の場合ＩＣの高集積
化および高機能化に伴いｒｃチップが大型化しており、
樹脂モールドエリアと半田めっきエリアの重なりが狭く
なっている。このため、半田めっきエリアの位置精度の
面から樹脂モールド外でリードフレーム素材が露出する
ことがあり、この露出面から鉄条の４２合金あるいはＣ
ｕ合金材の腐食が発生する恐軌がある。また、樹脂モー
ルドの前にめっき層を設けるため、金型に接する部分に
もめっき層が存在し、金型封止圧力と１８０℃に近い熱
によりこのめっき層が太き（変形し、モールド金型内に
半田が付着したり、ダムバー切断時に変形により生じる
半田パリが残るという問題もある。
化および高機能化に伴いｒｃチップが大型化しており、
樹脂モールドエリアと半田めっきエリアの重なりが狭く
なっている。このため、半田めっきエリアの位置精度の
面から樹脂モールド外でリードフレーム素材が露出する
ことがあり、この露出面から鉄条の４２合金あるいはＣ
ｕ合金材の腐食が発生する恐軌がある。また、樹脂モー
ルドの前にめっき層を設けるため、金型に接する部分に
もめっき層が存在し、金型封止圧力と１８０℃に近い熱
によりこのめっき層が太き（変形し、モールド金型内に
半田が付着したり、ダムバー切断時に変形により生じる
半田パリが残るという問題もある。
（２）特開昭５８−５２８６０号の場合アウターリード
部に鉛と錫の２Ｎを形成するが、インナーリード部には
貴金属めっきが施されていないため、Ａｕ線を用いたＩ
Ｃチップとインナーリード部の配線が困難である。
部に鉛と錫の２Ｎを形成するが、インナーリード部には
貴金属めっきが施されていないため、Ａｕ線を用いたＩ
Ｃチップとインナーリード部の配線が困難である。
また、樹脂モールド近傍にはリードフレーム素材が露出
する欠点がある。
する欠点がある。
従って、本発明の目的は半田めっき層の変形を抑え、金
型への半田付着をなくして品質を向上することができる
半導体用リードフレームを提供することである。
型への半田付着をなくして品質を向上することができる
半導体用リードフレームを提供することである。
本発明の他の目的は樹脂近傍でリードフレーム素材の露
出を防止し、半導体装置の信頼性を向上した半導体用リ
ードフレームを提供することである。
出を防止し、半導体装置の信頼性を向上した半導体用リ
ードフレームを提供することである。
本発明は以上述べた目的を実現するため、金属基板上に
３μｍ以下の厚さで錫もしくは錫−鉛合金の第１層を形
成し、かつ、アウターリード部のみ厚さが３μｍを越え
るように更に錫もしくは錫−鉛合金の第２Ｎを形成した
半導体用リードフレームを提供する。
３μｍ以下の厚さで錫もしくは錫−鉛合金の第１層を形
成し、かつ、アウターリード部のみ厚さが３μｍを越え
るように更に錫もしくは錫−鉛合金の第２Ｎを形成した
半導体用リードフレームを提供する。
即ち、本発明の半導体用リードフレームはリードフレー
ム金属基板上に３μｍ以下の厚さで錫あるいは錫−鉛合
金等の薄い半田めっき層が設けられており、更に、薄い
半田めっき層上のアウターリード部のみに合計厚が３μ
ｍを越えるように錫あるいは錫−鉛合金の厚い半田めっ
き層が設けられている。また、インナーリード先端部に
はボンディング性の良い貴金属めっき層（本実施例では
Ａｇめっき層）が設けられており、ＩＣチップとインナ
ーリード部の配線を容易にしている。薄い半田めっき層
の厚さを３μｍ以下で設けることにより樹脂封止の際、
モールド金型による錫あるいは錫−銅合金等の半田めっ
き層の変形を抑えることができ、これによりモールド金
型への半田の付着および半田ばりの発生がなくなる。ま
た、インナーリード部にも半田めっき層が設けられてい
るため、樹脂封止の際、樹脂近傍でリードフレーム素材
が露出するのを防ぐことができる。厚い半田めっき層の
厚さを３μｍを越えるようにすると、組立工程での熱履
歴を経た後も良好な半田濡れ性を確保することができる
。また、必要に応じて、金属基体に予め銅めっき層を０
．５μｍ程度設けてから薄い半田めっき層および厚い半
田めっき層を設けても良く、これによって金属基体と半
田めっき層の密着性を向上させることができる。
ム金属基板上に３μｍ以下の厚さで錫あるいは錫−鉛合
金等の薄い半田めっき層が設けられており、更に、薄い
半田めっき層上のアウターリード部のみに合計厚が３μ
ｍを越えるように錫あるいは錫−鉛合金の厚い半田めっ
き層が設けられている。また、インナーリード先端部に
はボンディング性の良い貴金属めっき層（本実施例では
Ａｇめっき層）が設けられており、ＩＣチップとインナ
ーリード部の配線を容易にしている。薄い半田めっき層
の厚さを３μｍ以下で設けることにより樹脂封止の際、
モールド金型による錫あるいは錫−銅合金等の半田めっ
き層の変形を抑えることができ、これによりモールド金
型への半田の付着および半田ばりの発生がなくなる。ま
た、インナーリード部にも半田めっき層が設けられてい
るため、樹脂封止の際、樹脂近傍でリードフレーム素材
が露出するのを防ぐことができる。厚い半田めっき層の
厚さを３μｍを越えるようにすると、組立工程での熱履
歴を経た後も良好な半田濡れ性を確保することができる
。また、必要に応じて、金属基体に予め銅めっき層を０
．５μｍ程度設けてから薄い半田めっき層および厚い半
田めっき層を設けても良く、これによって金属基体と半
田めっき層の密着性を向上させることができる。
以下、本発明の半導体用リードフレームを詳細に説明す
る。
る。
第１図（ａ）、（ｂｌは本発明の一実施例を示し、４２
合金を素材とした金属条をプレス加工によって打ち抜く
ことにより、リードフレーム外枠２、アウターリード部
３、ダムバー４、インナーリード部５、ＩＣチップ固定
部７およびパイロットホール８を所定パターンで形成し
てリードフレーム１用の金属基体とする。
合金を素材とした金属条をプレス加工によって打ち抜く
ことにより、リードフレーム外枠２、アウターリード部
３、ダムバー４、インナーリード部５、ＩＣチップ固定
部７およびパイロットホール８を所定パターンで形成し
てリードフレーム１用の金属基体とする。
この金属基体上には錫が７０％混入した錫−鉛合金の薄
い半田めっき層１０が２μｍの厚さで設けられており、
更に、薄い半田めっき層１０上のアウターリード部３の
みに同じく錫が７０％混入した錫−鉛合金の厚い半田め
っきＪｉｉｌｌが６μｍの厚さで設けられている。また
、インナーリード先端部６にはＡｇめっきＦＪ１２が６
μｍの１７さて設けられており、ＩＣチップ（図示せず
）との配線接続時にワイヤ接続が容易に行えるようにな
ついる。これは特にＡｇめっき層に限定するものではな
く、ボンディング性の良い貴金属めっきであれば良く、
Ａｕめっき層でも良い。
い半田めっき層１０が２μｍの厚さで設けられており、
更に、薄い半田めっき層１０上のアウターリード部３の
みに同じく錫が７０％混入した錫−鉛合金の厚い半田め
っきＪｉｉｌｌが６μｍの厚さで設けられている。また
、インナーリード先端部６にはＡｇめっきＦＪ１２が６
μｍの１７さて設けられており、ＩＣチップ（図示せず
）との配線接続時にワイヤ接続が容易に行えるようにな
ついる。これは特にＡｇめっき層に限定するものではな
く、ボンディング性の良い貴金属めっきであれば良く、
Ａｕめっき層でも良い。
第２図はこのリードフレームを用いてＩＣパンケージに
組立てた状態を示し、ＩＣチップ固定部７上にＡｇペー
スト１７を介してＩＣチップ１６が設けられており、こ
のＩＣチップ１６とインナーリード先端部６上のＡｇめ
っき層１２とがＡｕワイヤ１５によってワイヤボンディ
ングされている。また、厚い半田めっき層１１０近くま
でモールド樹脂１８が施されており、ＩＣチップ１６等
がその内部で樹脂封止されている。外枠部２やダムバー
４は樹脂封止の後、切断される。
組立てた状態を示し、ＩＣチップ固定部７上にＡｇペー
スト１７を介してＩＣチップ１６が設けられており、こ
のＩＣチップ１６とインナーリード先端部６上のＡｇめ
っき層１２とがＡｕワイヤ１５によってワイヤボンディ
ングされている。また、厚い半田めっき層１１０近くま
でモールド樹脂１８が施されており、ＩＣチップ１６等
がその内部で樹脂封止されている。外枠部２やダムバー
４は樹脂封止の後、切断される。
このような半導体リードフレームはアウターリード部３
以外に３μｍ以下の厚さで薄い半田めっき層１０が設け
られているため、樹脂封止の際、モールド金型の内部で
は薄い半田めっき層１０の部分でリードフレーム１を支
持すれば良いので薄い半田めっきＮｉ１ｌが変形するこ
ともなく、これによって金型へのめっきの付着がなくな
り、また、半田パリの発生を防ぐことができる。また、
アウターリード部３は厚さ３μｍを越えるように厚い半
田めっき層１１が設けられているため、組立工程での熱
履歴を受けても良好な半田濡れ性を確保することができ
る。このことは、後述する実験結果で明らかとなってい
る。更に、インナーリード部５にも半田めっきＮ１０が
設けられているため、樹脂近傍からリードフレーム素材
が露出することがない。
以外に３μｍ以下の厚さで薄い半田めっき層１０が設け
られているため、樹脂封止の際、モールド金型の内部で
は薄い半田めっき層１０の部分でリードフレーム１を支
持すれば良いので薄い半田めっきＮｉ１ｌが変形するこ
ともなく、これによって金型へのめっきの付着がなくな
り、また、半田パリの発生を防ぐことができる。また、
アウターリード部３は厚さ３μｍを越えるように厚い半
田めっき層１１が設けられているため、組立工程での熱
履歴を受けても良好な半田濡れ性を確保することができ
る。このことは、後述する実験結果で明らかとなってい
る。更に、インナーリード部５にも半田めっきＮ１０が
設けられているため、樹脂近傍からリードフレーム素材
が露出することがない。
第３図は本発明の第２の実施例を示し、プレス加工によ
って打ち抜いたリードフレーム１に所定の前処理を施し
た後、シアン化銅めっき浴によって０．５μｍの銅めっ
きＮ１３を設けたものであり、この後、厚さ２μｍの錫
−鉛合金の薄い半田めっき層１０を設け、更にアウター
リード部３のみに厚さ６μｍの錫−鉛合金の厚い半田め
っき層１１を設ける。この両半田めっき層１０．１１の
形成前に銅めっき層１３を設けることによって薄い半田
めっきＪＷＩＯと金属基体との密着性を向上させること
ができる。
って打ち抜いたリードフレーム１に所定の前処理を施し
た後、シアン化銅めっき浴によって０．５μｍの銅めっ
きＮ１３を設けたものであり、この後、厚さ２μｍの錫
−鉛合金の薄い半田めっき層１０を設け、更にアウター
リード部３のみに厚さ６μｍの錫−鉛合金の厚い半田め
っき層１１を設ける。この両半田めっき層１０．１１の
形成前に銅めっき層１３を設けることによって薄い半田
めっきＪＷＩＯと金属基体との密着性を向上させること
ができる。
次表は以上述べた第１および第２の実施例および従来の
半導体用リードフレームの実験結果を示し、半田めっき
厚と、モールド金型への半田付着およびパッケージ耐湿
性との関係を表す。
半導体用リードフレームの実験結果を示し、半田めっき
厚と、モールド金型への半田付着およびパッケージ耐湿
性との関係を表す。
（１１モ一ルド金型半田付着
半田層の融点１８３℃以下の１７５℃でモールドした場
合に金型への半田付着の発生の有無で判定を行う。
合に金型への半田付着の発生の有無で判定を行う。
○：半田イ」着なし ×：半田付着有り（２）パッケ
ージ耐湿性 ＩＣパンケージ完成後、１２１’Ｃ２気圧飽和水蒸気下
で耐湿性を評価する。
ージ耐湿性 ＩＣパンケージ完成後、１２１’Ｃ２気圧飽和水蒸気下
で耐湿性を評価する。
○： ２００ ｈｒ以上合格
Ｘ ： ２００ ｈｒ以下で腐食発生
以上の結果から明らかなように、従来例と比較して完成
品めっきを無くすことにより半導体の耐湿性を大幅に向
上することができることが判る。また、樹脂封止の際、
金型付着によるトラブルがなくなり、品質を向上させる
こともできる。
品めっきを無くすことにより半導体の耐湿性を大幅に向
上することができることが判る。また、樹脂封止の際、
金型付着によるトラブルがなくなり、品質を向上させる
こともできる。
以上説明した通り、本発明の半導体用リードフレームに
よると、金属基板上に３μｍ以下の厚さで錫もしくは錫
−鉛合金の第１層を形成し、アウターリード部のみ厚さ
が３μｍ以上となるように更に錫もしくは錫−鉛合金の
第２層を形成したため、樹脂封止の際、モールド金型に
よる半田めっきの変形を抑え、モールド金型内への半田
付着をなくして品質を向上することができる。また、樹
脂近傍でリードフレーム素材の露出を防止し、半導体装
置の信顧性を向上することができる。
よると、金属基板上に３μｍ以下の厚さで錫もしくは錫
−鉛合金の第１層を形成し、アウターリード部のみ厚さ
が３μｍ以上となるように更に錫もしくは錫−鉛合金の
第２層を形成したため、樹脂封止の際、モールド金型に
よる半田めっきの変形を抑え、モールド金型内への半田
付着をなくして品質を向上することができる。また、樹
脂近傍でリードフレーム素材の露出を防止し、半導体装
置の信顧性を向上することができる。
第１図（ａｌ、（ｂｌは本発明の一実施例を示し、（ａ
）はその平面図、Ｔｂ）は側面図、第２図は本発明のリ
ードフレームを用いた組立て状態を示す説明図、第３図
は本発明の第２の実施例を示す説明図、第４図および第
５図は従来の半導体用リードフレームを示す断面図。 符号の説明 １−・−・・−−−−一半導体用リードフレーム２−−
−−−−−−−−−リードフレーム外枠３−・・−−−
−−アウトリード部 ４・−−−一一一−−−−−ダムバー
）はその平面図、Ｔｂ）は側面図、第２図は本発明のリ
ードフレームを用いた組立て状態を示す説明図、第３図
は本発明の第２の実施例を示す説明図、第４図および第
５図は従来の半導体用リードフレームを示す断面図。 符号の説明 １−・−・・−−−−一半導体用リードフレーム２−−
−−−−−−−−−リードフレーム外枠３−・・−−−
−−アウトリード部 ４・−−−一一一−−−−−ダムバー
Claims (2)
- （１）打ち抜き加工により外枠、インナーリード部、ア
ウターリード部、および素子固定部等を形成された金属
基板によって構成された半導体用リードフレームにおい
て、 前記金属基板の全面に３μｍ以下の厚さで 形成された錫もしくは錫−鉛合金の第１のめっき層と、
前記アウターリード部のみに前記第１層との合計層で３
μｍ以上の厚さで形成された錫もしくは錫−鉛合金の第
２のめっき層を有することを特徴とする半導体用リード
フレーム。 - （２）前記金属基板の全面に前記第１層の形成に先立っ
て銅めっき層が形成されている請求項第１項記載の半導
体用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63162015A JP2503595B2 (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体リ―ドフレ―ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63162015A JP2503595B2 (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体リ―ドフレ―ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210859A true JPH0210859A (ja) | 1990-01-16 |
| JP2503595B2 JP2503595B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=15746429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63162015A Expired - Lifetime JP2503595B2 (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体リ―ドフレ―ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2503595B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH034554A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-10 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレーム |
| JPH04165659A (ja) * | 1990-10-30 | 1992-06-11 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62105457A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP63162015A patent/JP2503595B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62105457A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH034554A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-10 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレーム |
| JPH04165659A (ja) * | 1990-10-30 | 1992-06-11 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2503595B2 (ja) | 1996-06-05 |
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