JPH02109384A - 半導体レーザの光出力安定化装置 - Google Patents

半導体レーザの光出力安定化装置

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JPH02109384A
JPH02109384A JP26226188A JP26226188A JPH02109384A JP H02109384 A JPH02109384 A JP H02109384A JP 26226188 A JP26226188 A JP 26226188A JP 26226188 A JP26226188 A JP 26226188A JP H02109384 A JPH02109384 A JP H02109384A
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JP
Japan
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semiconductor laser
output
optical output
circuit
voltage
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Pending
Application number
JP26226188A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Fukazawa
深澤 孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、半導体レーザの光出力安定化装置に関する
ものである。
[従来の技術] 第4図は、従来の半導体レーザの光安定化装置の概w8
楕成を示すブロック線図であり1図において、(1)は
半導体レーザ、(2)は半導体レーザ(1)の光出力端
子、(3)は半導体レーザ(1)の光出力の一部(以下
モニタ光と呼ぶ)を検出する光電変換素子、(4)は光
出力を所定値に設定する光出力設定回路、(5)は一定
の基準電圧を発生する基準電圧回路、(6)は光電変換
素子(3)の出力を基準電圧回路(5)及び光出力設定
回路(4)の出力電圧と比較する比較回路、(7)は半
導体レーザ(1)に電流を流す駆動回路、(8)は例え
ばゼナーダイオードからなる定電圧素子、(9)は所要
の電流を定電圧素子(8)に流す抵抗器、 (10)、
(11)は基準電圧出力用の分圧抵抗器である。
次に動作について説明する。駆動回路(7)によって半
導体レーザ(1)に駆動電流が流れ、その駆動電流に応
じた光出力(2)を得る。この光出力(2)を所定値に
保つため、半導体レーザ(1)のモニタ光を光電変換素
子(3)に入力し、光出力の大きさに比例した電流値と
して検出し電圧に変換して出力する。この検出電圧は比
較回路(6)に入力され。
基準電圧回路(5)から比較回路(6)に入力された基
準電圧を光出力設定回路(4)から入力された設定電圧
により!I!I整した所定の電圧レベルと比較され。
その差が誤差として増幅され、駆動回路(7)に入力さ
れる。
ここで基準電圧回路(5)は、電源電圧Vccが変動し
ても基準電圧が一定になるように定電圧素子(8)を内
蔵している。その端子電圧vZDが分圧抵抗器(10)
、(1,1)で分圧されて基準電圧VRとして出力され
ている。
したがって、光電変換素子(3)の出力が比較回路(6
)で比較されて駆動回路(7)へ入力される信号により
、光電変換素子(3)の出力が増加した場合は、光出力
端子(2)への光出力が減する方向に。
光電変換素子(3)の出力が減少した場合は、光出力が
増加する方向に制御され、光出力が所定値に安定化され
る。
[発明が解決しようとする課題] 従来の半導体レーザの光出力安定化装置は以−トのよう
に構成されているので、温度変化によって光電変換素子
の出力特性が変化した場合は、比較回路から出力される
誤差信号も温度によって変化し、これにより光出力を変
化させるよう制御されるので、所定の一定先出力が得ら
れないという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、温度変化があっても光出力を安定化できる光
出力安定化装置を得ることを目的とする。
[課題を解決するための手段] この発明に係る半導体レーザの光出力安定化装置は、基
準電圧回路の出力電圧として定電圧素子の端子電圧を感
温可変抵抗器を介して取出すようにしたものである。
また、この発明の別の発明に係る半導体レーザの先出7
3安定化装置は、光出力設定回路の出力電圧として設定
電圧を感温可変抵抗器を介して取出すようにしたもので
ある。
[作 用] この発明における半導体レーザの光出力安定化装置は、
基準電圧が感温可変抵抗器の特性により温度に対して変
化するので、光電変換素子の出力特性の温度変化を補正
し光出力を温度に対して安定化する。
また、この発明の別の発明における半4体レーザの光出
力安定化装置は、設定電圧が感温可変抵抗器の特性によ
り温度に対して変化するので、光電変換素子の出力特性
の温度変化を補正し光出力を温度に対して安定化する。
[実施例] 第1図はこの発明の一実施例の概略構成を示すブロック
線図で0図において、(1)は半導体レーザ、(2)は
半導体レーザ(1)の光出力端子、(3)は光電変換素
子、(4)は光出力設定回路、(6)は比較回路、(7
)は駆動回路、(8)は定電圧素子、 (9)。
(11)は抵抗器で1以上は第4図に示す従来例と同様
のものである。 (12)はこの実施例の基準電圧回路
で、従来例の基P!電圧回路(5)の分圧抵抗器(10
)の代りに、感温可変抵抗器(T3)を設けたものであ
る。
第2図はこの実施例の動作を説明するための光電変換素
子の特性図で、I mT1は温度T、における光出力P
に対する光電変換電流Imの特性を、I mT2は温度
T、より高い温度T2における特性をそれぞれ示してい
る。第3図はこの実施例における基準電圧回路出力の温
度特性図である。
次に動作について説明する。光出力(2)を制御するた
め、モニタ光を光電変換素子(3)に入力し。
その出力を比較回路(6)に負帰還入力させる動作は、
従来の装置と同様である。この実施例では。
基準電圧回路(12)の出力を、定電圧素子(8)の端
子電圧を感温可変抵抗器(13)と抵抗器(11)から
なる分圧抵抗器で分圧して取出している。
今、出力基準電圧をVR1定電圧素子の端子電圧をVZ
D、感温可変抵抗器(13)及び抵抗器(11)の抵抗
値をそれぞれR2′、R1とすれば、となる。また、感
温可変抵抗器(13)の抵抗温度係数をα、温度変化を
ΔT、基準温度における抵抗値をR2゜とすれば Ra’ ” (1+ a X△TxRzo)となるので
、基準電圧VRの温度特性は第3図のようになる。従っ
て、第2図のような光電変検素Iの光電変換電流Isが
光出力の大きさPoにおいて温度T□より温度T2への
温度変化(例えば増加)により工llT1゜からr m
T、。に変化(例えば減少)しても、基準電圧も温度変
化に対して変化(例えば減少)シ、光市変換素子(3)
の出力の温度特性変化が相殺される。
なお、上記実施例では、基準電圧回路(12)に感温可
変抵抗器を設けたものを示したが、光出力設定回路(4
)に感湿可変抵抗器を設け、設定電圧を感温可変抵抗器
を介して取出すようにしても、比較回路(6)にて光電
変換素子(3)の出力と比較される設定電圧も温度変化
に対して変化するので、上記実施例と同様に、光電変換
素子(3)の出力の温度特性変化が相殺される。
[発明の効果] 以上のように、この発明によれば、基1?11を圧回路
、又は光出力設定回路の出力電圧として、定電圧又は設
定電圧を感温可変抵抗器を介して取出すようにしたので
、光電変換素子の出力の温度特性変化が相殺され、温度
変化に対しても常に安定した光出力が得られる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例の概略構成を示すブロック
線図、第2図はこの実施例の動作を説明するための光電
変換素子の特性図、第3図はこの実施例における基N!
!電圧回路出力の温度特性図、第4図は、従来の半導体
レーザの光安定化装置の概略構成を示すブロック線図で
ある。 図において、(1)は半導体レーザ、(2)は光出力端
子、(3)は光電変換素子、(4)は光出力設定回路、
(6)は比較回路、(7)は駆動回路、(8)は定電圧
素子、 (9)、(11)は抵抗器、 (12)は基準
電圧回路。 (13)は感温可変抵抗器である。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 第1図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)所定の光出力を得る半導体レーザ、この半導体レ
    ーザのモニタ光を検出する光電変換素子、上記半導体レ
    ーザの光出力を設定する光出力設定回路、基準電圧回路
    、上記光電変換素子の出力信号を上記基準電圧回路及び
    光出力設定回路からの出力電圧と比較する比較回路、及
    びこの比較回路の出力に応じ上記半導体レーザに駆動電
    流を流す駆動回路とを備えた半導体レーザの光出力安定
    化装置において、上記基準電圧回路の出力電圧として定
    電圧素子の端子電圧を感温可変抵抗器を介して取出すよ
    うにしたことを特徴とする半導体レーザの光出力安定化
    装置。
  2. (2)所定の光出力を得る半導体レーザ、この半導体レ
    ーザのモニタ光を検出する光電変換素子、上記半導体レ
    ーザの光出力を設定する光出力設定回路、基準電圧回路
    、上記光電変換素子の出力信号を上記基準電圧回路及び
    光出力設定回路からの出力電圧と比較する比較回路、及
    びこの比較回路の出力に応じ上記半導体レーザに駆動電
    流を流す駆動回路とを備えた半導体レーザの光出力安定
    化装置において、上記光出力設定回路の出力電圧として
    設定電圧を感温可変抵抗器を介して取出すようにしたこ
    とを特徴とする半導体レーザの光出力安定化装置。
JP26226188A 1988-10-18 1988-10-18 半導体レーザの光出力安定化装置 Pending JPH02109384A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5563898A (en) * 1994-02-28 1996-10-08 Fujitsu Limited Semiconductor laser drive
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WO2016161874A1 (zh) * 2015-04-09 2016-10-13 西安华科光电有限公司 一种激光器驱动电路

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