JPH02109418A - 計時回路 - Google Patents

計時回路

Info

Publication number
JPH02109418A
JPH02109418A JP26315088A JP26315088A JPH02109418A JP H02109418 A JPH02109418 A JP H02109418A JP 26315088 A JP26315088 A JP 26315088A JP 26315088 A JP26315088 A JP 26315088A JP H02109418 A JPH02109418 A JP H02109418A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
level
rom
time
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP26315088A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2809650B2 (ja
Inventor
Hideaki Ito
秀明 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP63263150A priority Critical patent/JP2809650B2/ja
Publication of JPH02109418A publication Critical patent/JPH02109418A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2809650B2 publication Critical patent/JP2809650B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的コ (産業上の利用分野) この発明は所定の時間を計時し、計時完了信号を出力す
る計時回路に関する。
(従来の技術) 例えば、VTR(ビデオ瞳テープ中レコーダ)では、記
録テープの走行速度の基準値としてクロックパルスをカ
ウントする計時回路が利用されている。第3図はこのよ
うな用途に使用される従来の計時回路の構成を示す回路
図である。図において、縦続接続された4個のフリップ
フロップ51〜54はクロックパルスCPをカウントす
る4ビツトのカウンタ回路55を構成している。上記カ
ウンタ回路54の各ビット出力はそれぞれ2個の排他的
NOR回路56と57.58と59.6oと61及び8
2と63ニ供給される。また、64はそれぞれ4ビツト
の2進データA1〜A4、B1〜B4を記憶しているR
OMである。このROMの一方の4ビツトデータA1〜
A4のそれぞれは上記4個の各排他的NOR回路58.
58.80. [12ニ供給される。また、上記ROM
の他方の4ビツトデータB1〜B4のそれぞれは上記4
個の各排他的NOR回路57.59゜61、B3に供給
される。上記各4個の排他的NOR回路58.5g、 
60.62及び57.59.81.63の出力は2個の
AND回路85.86にそれぞれ並列に供給される。
上記従来回路において、ROM64には一方の4ビツト
データA1〜A4として例えばA1−“1″レベル、A
2■“O”レベル、A3−“12 レベル、A2−“0
#レベルが、他方の4ビツトデータB1〜B4として例
えばBl−”0°レベル、B2−“1″レベル、B3−
“0“レベル、B2−“1゛レベルがそれぞれ記憶され
ているとする。
そして、計時はカウンタ回路55にリセット信号RSを
供給して各フリップフロップを初期化した後、クロック
パルスCPを供給することにより行われる。すなわち、
カウンタ回路55がクロックパルスを5回カウントする
と、Qlが″1″レベル、Q2が“Onレベル、Q37
)<’1”L、ベル、Q4が“0°レベルとなり、予め
ROM64に記憶されている一方のデータA1〜A4と
一致する。このとき、4個の排他的NOR回路58.5
8.60.82の出力が全て′12レベルとなり、AN
D回路65の出力C1も″1ルベルとなって一方のデー
タA1〜A4に対応した計時が完了する。すなわち、出
力信号C1が“1″レベルになった時点でクロックパル
スCPの周期の5倍の時間の計時が完了したことになる
。さらに計時が進み、カウンタ回路55がクロックパル
スを10回カウントすると、出力Q1が“0”レベル、
Q2が1”レベル、Q3が“0″レベル、Q4が“1″
レベルとなり、予めROM64に記憶されている他方の
データ81〜B4と一致する。このとき、4個の排他的
NOR回路57.59.61.83の出力が全て“1″
レベルとなり、AND回路66の出力C2も′1ルベル
となって他方のデータB1〜B4に対応した計時が完了
する。すなわち、出力信号C2が“1ルベルになった時
点でクロックパルスCPの周期の10倍の時間の計時が
完了したことになる。
(発明が解決しようとする課題) このように従来では、カウンタ回路の出力とROMの記
憶データを排他的NOR回路で比較することによって所
定時間の計時を行なうようにしているので、(カウンタ
回路のビット数)×(計時時間の種類)の数だけ排他的
NOR回路が必要となる。このため従来では、カウンタ
回路のビット数が多く、かつ計時すべき時間の種類が多
い場合には排他的NOR回路の数が極めて多くなり、集
積回路化する際のチップ面積が増大するという゛問題が
ある。
この発明は上記のような事情を考慮してなされたもので
あり、その目的は、計時すべき時間の種類が多い場合で
も集積回路化する際のチップ面積の増大を防止すること
ができる計時回路を提供することにある。
[発明の構成] (課題を解決するための手段とその作用)この発明の計
時回路は、任意のビット数からなりクロックパルスを計
数するカウンタ回路と、直列接続された複数個のメモリ
セルトランジスタからなり計時すべき時間に対応して所
定位置にデータが予め書き込まれ、上記カウンタ回路の
出力がアドレスとして供給されるプリチャージ型NAN
D−ROM回路とを具備し、上記ROM回路の読み出し
データを計時完了信号として取り出すように構成したこ
とを特徴する。
この発明によれば、カウンタ回路の出力が計時時間に対
応した状態になると、ROM回路の論理が成立してその
出力か反転し、計時が完了する。
(実施例) 以下、図面を参照してこの発明を実施例により説明する
第1図はこの発明に係る計時回路を2FIi類の時間計
時を行なうものに実施した場合の構成を示す回路図であ
る。図において、縦続接続された4個のフリップフロッ
プ11〜14はクロックパルスCPをカウントする4ビ
ツトのカウンタ回路15を構成している。このカウンタ
回路15内の4個のフリップフロップ11〜14の内部
状態はリセット信号R5によって初期化されるようにな
っている。上記カウンタ回路15の4ビツトの出力Q1
〜Q4はプリチャージ型NAND−ROM回路20にア
ドレスとして供給される。
ROM回路20には、ソース・ドレイン間が直列接続さ
れたそれぞれ4個のメモリセル用のNチャネルMO5)
ランジスタ21〜24及び31〜34が設けられている
。これら各4個のトランジスタ21〜24.31〜34
はデータの書き込み時、計時を行なう時間に対応して所
定位置のものが選択的にデプレッション型に設定され、
残りはエンハンスメント型に設定される。例えば計時を
行なう2種類の時間の一方がクロックパルスCPの周期
の5倍の時間である場合には一方の4個のトランジスタ
21〜24のうち、元々エンハンスメント型のものであ
るトランジスタ22と24のチャネル領域に選択的にチ
ャネルインプラが行われ、両トランジスタ22.24が
選択的にデプレッション型に設定される。また、計時時
間の他方がクロックパルスCPの周期の10倍の時間で
ある場合には他方の4個のトランジスタ31〜34のう
ち、元々エンハンスメント型のものであるトランジスタ
31と33のチャネル領域に選択的にチャネルインプラ
が行われ、両トランジスタ31、33が選択的にデプレ
ッション型に設定される。
上記各4個のトランジスタ21〜24.31〜34のゲ
ートには上記カウンタ回路I5からの4ビツトの出力Q
1〜Q4が供給される。上記直列接続された4個のトラ
ンジスタ21〜24及び31〜34の各一端は接地電圧
GNDに接続されており、各他端はデータ読み出し制御
用のNチャネルMOSトランジスタ25.35の各一端
に接続されている。上記データ読み出し制御用のトラン
ジスタ25.35の他端はプリチャージ用のPチャネル
MoSトランジスタ26.36それぞれを介して電源電
圧VDDに接続されている。また、上記データ読み出し
制御用のトランジスタ25.35及びプリチャージ用の
トランジスタ26.36の各ゲートにはリード信号RD
が供給される。上記トランジスタ25と26の直列接続
点27の信号D1はインバータ28に供給される。さら
にこのインバータ28の出力E1はセット・リセット型
のフリップフロップ29にセット信号として供給される
。同様に、上記トランジスタ35と3fiの直列接続点
37の信号D2はインバータ38に供給され、このイン
バータ38の出力E2はセット・リセット型のフリップ
フロップ39にセット信号として供給される。上記両フ
リップフロップ29.39にはリセット信号として上記
信号RSが供給される。また、上記リセット信号R8,
リード信号RD及びクロックパルスCPはタイミング回
路16からそれぞれ出力される。
次に上記のように構成された回路の動作を第2図のタイ
ミングチャートを併用して説明する。まず始めに、タイ
ミング回路16からのリセット信号R5が“02レベル
に低下する。これによりカウンタ回路15内の各フリッ
プフロップ11〜14が初期化され、4ビツトの出力Q
1〜Q4が“0#レベルに設定される。また、リセット
信号R8が“0″レベルに低下することにより、フリッ
プフロップ29.39がリセットされ、両出力C1、C
2が共に“02 レベルに設定される。次にタイミング
回路16からクロックパルスCPとリード信号RDが順
次出力され、クロックパルスCPがカウンタ回路15で
カウントされる。なお、このクロックパルスCPとリー
ド信号RDとの関係は、リード信号RDの“1″レベル
期間がクロックパルスCPの“1“レベル期間に入って
いるものであればどのような関係になっていてもよい。
他方、リード信号RDが“0“レベルの期間テはROM
回路20内のプリチャージ用のトランジスタ2B、 3
6がオンし、各接続点27.37は電源電圧VDDによ
って′1ルベルにプリチャージされ、リード信号RDが
“1″レベルの期間ではROM回路20内のデータ読み
出し制御用のトランジスタ25.35がオンし、各接続
点27.37の電位がメモリセル用のトランジスタ21
〜24及び31〜34の記憶データに応じて設定される
そして、カウンタ回路15がクロックパルスを5回カウ
ントすると、ビット出力Q1が“1″レベル、ビット出
力Q2が“0ルベル、ビット出力Q3が″1″レベル、
ビット出力Q4が“02レベルとなる。これら4ビツト
の出力がROM回路20に供給されることにより、直列
接続された4個のトランジスタ21〜24のうちエンハ
ンスメント型のトランジスタ21と23が始めて共にオ
ン状態になる。これにより、リード信号RDの“0# 
レベル期間に″1ルベルにプリチャージされた接続点2
5の信号D1は、トランジスタ25のオン期間に″O°
レベルに低下する。また、この信号を受けるインバータ
28の出力E1は“1″レベルとなる。
そして、このインバータ28の出力E1の“1ルベルへ
の立上がりに同期してフリップフロップ29がセットさ
れ、その出力C1が“0”レベルから′12レベルに反
転することによって計時が完了する。すなわち、出力信
号C1が“1゛レベルになった時点でクロックパルスC
Pの周期の5倍の時間の計時が完了したことになる。
さらに計時が進み、カウンタ回路I5がクロックパルス
を10回カウントすると、ビット出力Q1が“0゛レベ
ル、ビット出力Q2が“1″レベル、ビット出力Q3が
“0″レベル、ビット出力Q4が″lルベルとなる。こ
れら4ビツトの出力がROM回路20に供給されること
により、直列接続された4個のトランジスタ31〜34
のうちエンハンスメント型のトランジスタ32と34が
始めて共にオン状態になる。これにより、リード信号R
Dの″00ルベル間に″1ルベルにプリチャージされた
接続点35の信号D2が、トランジスタ35のオン期間
に“0°レベルに低下する。また、この信号を受けるイ
ンバータ38の出力E2は“1”レベルとなる。そして
、このインバータ38の出力E2の゛1″レベルへの立
上がりに同期してフリップフロップ39がセットされ、
その出力C2が″0ルベルから″1″レベルに反転する
ことによって計時が完了する。すなわち、出力信号C2
が“1”レベルになった時点でクロックパルスCPの周
期の10倍の時間の計時が完了したことになる。そして
、信号C1、C2は、次にリセット信号RSが“0″レ
ベルに低下するまで“1”レベルを維持する。
このように上記実施例回路によれば、所定の時間を計時
するために従来のような排他的NOR回路を必要としな
い。ここで、上記実施例回路と従来回路とを集積回路化
する際のチップ面積を比較すると、カウンタ回路15の
構成は従来と同じであるためこの部分の占有面積は同じ
である。また、RO〜1回路20については、従来のR
OM回路が1ビツトのデータを記憶するために最低1個
のメモリセル用トランジスタを必要とするため、両者の
占有面積の差はほとんどない。また、タイミング回路1
Gについては、従来回路では図示されていないが同然必
要であり、しかも両者の機能にそれ程の差がないために
占a面積の差もほとんど生じない。従って、上記実施例
回路は従来回路に比べて、排他的NOR回路を必要とし
ない分だけチップ面積を縮小化することができる。しか
も従来回路では、計時すべき時間の種類が増加するのに
伴って排他的NOR回路の数が増加するため、より多く
の種類の時間を計時するような場合に上記実施例回路は
極めて有効である。
なお、この発明は上記実施例に限定されるものではなく
種々の変形が可能であることはいうまでもない。例えば
上記実施例回路ではフリップフロ・ンブ29.39を設
け、これらの出力C1、C2を計時完了信号として得る
場合について説明したが、これはインバータ28.38
の出力E1、C2を計時完了信号としてもよい。その理
由は、カウンタ回路15がそれぞれの計時時間に対応し
た数のタロツクパルスをカウンタした後に両信号El、
C2が始めて“1”レベルになり、それ以前では“0″
レベルのままになっているからである。
さらに上記実施例では2種類の時間を計時する場合につ
いて説明したが、それ以上の種類の時間計時が可能なこ
とはもちろんである。また、ROM回路20において、
読み出し制御用のトランジスタ25.35を省略するこ
ともできる。
[発明の効果] 以上説明したようにこの発明によれば、計時すべき時間
の種類が多い場合でも集積回路化する際のチップ面積の
増大を防止することができる計時回路を提供することが
できる。
【図面の簡単な説明】 第1図はこの発明の一実施例による構成を示す回路図、
第2図はその動作を説明するためのタイミングチャート
、第3図は従来回路の回路図である。 l5・・・カウンタ回路、1G・・・タイミング回路、
20・・・プリチャージ型NAND−ROM回路、29
゜ 39・・・セラ ト リセッ ト型フリップフロップ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 任意のビット数からなりクロックパルスを計数するカウ
    ンタ回路と、 直列接続された複数個のメモリセルトランジスタからな
    り計時すべき時間に対応して所定位置にデータが予め書
    き込まれ、上記カウンタ回路の出力がアドレスとして供
    給されるプリチャージ型NAND−ROM回路とを具備
    し、 上記ROM回路の読み出しデータを計時完了信号として
    取り出すように構成したことを特徴とする計時回路。
JP63263150A 1988-10-19 1988-10-19 計時回路 Expired - Fee Related JP2809650B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63263150A JP2809650B2 (ja) 1988-10-19 1988-10-19 計時回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63263150A JP2809650B2 (ja) 1988-10-19 1988-10-19 計時回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02109418A true JPH02109418A (ja) 1990-04-23
JP2809650B2 JP2809650B2 (ja) 1998-10-15

Family

ID=17385500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63263150A Expired - Fee Related JP2809650B2 (ja) 1988-10-19 1988-10-19 計時回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2809650B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0470752U (ja) * 1990-10-30 1992-06-23

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59132236A (ja) * 1983-01-18 1984-07-30 Nec Corp プログラマブル・タイマ回路
JPS59187237U (ja) * 1983-05-30 1984-12-12 株式会社日立製作所 タイマ−回路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59132236A (ja) * 1983-01-18 1984-07-30 Nec Corp プログラマブル・タイマ回路
JPS59187237U (ja) * 1983-05-30 1984-12-12 株式会社日立製作所 タイマ−回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0470752U (ja) * 1990-10-30 1992-06-23

Also Published As

Publication number Publication date
JP2809650B2 (ja) 1998-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0187822B1 (en) Content addressable semiconductor memory arrays
EP0162083B1 (en) Glitch lockout circuit for memory array
KR960001327B1 (ko) 테스트모드기능 내장 다이내믹 랜덤 액세스 메모리장치
JPS5942396B2 (ja) 半導体メモリ装置
US4661930A (en) High speed testing of integrated circuit
JPS62232218A (ja) ドミノ形mos論理ゲ−ト
JPS62208491A (ja) 半導体記憶装置
EP0023847A2 (en) Semiconductor circuit for a dynamic random access memory
US20020080668A1 (en) Current controlled multi-state parallel test for semiconductor device
US6813741B1 (en) Address counter test mode for memory device
US4802134A (en) Semiconductor memory device having serial addressing scheme
JPH01137500A (ja) 埋込み2進パターンを有するメモリ・アレイ装置
EP0062547A2 (en) Memory circuit
JPH02109418A (ja) 計時回路
US5365482A (en) Semiconductor memory device with provision of pseudo-acceleration test
JPS60119698A (ja) 半導体メモリ
JP2960752B2 (ja) 半導体記憶装置
US4918657A (en) Semiconductor memory device provided with an improved precharge and enable control circuit
US3528065A (en) Double-rail random access memory circuit for integrated circuit devices
US20230015255A1 (en) Integrated counter in memory device
JPS58128090A (ja) ダイナミツクicメモリ
US5424984A (en) Semiconductor memory incorporating a plurality of data input buffers for multi-bit operation
JPS63183687A (ja) 半導体記憶装置
US6381718B1 (en) Current controlled multi-state parallel test for semiconductor device
JP2901152B2 (ja) 半導体メモリ装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees