JPH0211022B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0211022B2 JPH0211022B2 JP55172553A JP17255380A JPH0211022B2 JP H0211022 B2 JPH0211022 B2 JP H0211022B2 JP 55172553 A JP55172553 A JP 55172553A JP 17255380 A JP17255380 A JP 17255380A JP H0211022 B2 JPH0211022 B2 JP H0211022B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias
- current path
- magnetic field
- switch device
- ferromagnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
- H03K17/945—Proximity switches
- H03K17/95—Proximity switches using a magnetic detector
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、強磁性体の接近により作動する磁気
センサスイツチ装置に関し、特に、強磁性磁気抵
抗効果による抵抗特性を利用した三端子型磁気抵
抗素子によつて磁気検出を行うようにした磁気セ
ンサスイツチ装置に関するものである。
センサスイツチ装置に関し、特に、強磁性磁気抵
抗効果による抵抗特性を利用した三端子型磁気抵
抗素子によつて磁気検出を行うようにした磁気セ
ンサスイツチ装置に関するものである。
従来より、磁場に感じて出力電圧が変化する磁
電変換素子が、磁気スケールや磁気的に設定され
た定点の読み取り装置、モータ等の回転制御用周
波数発生器、あるいは無接点スイツチや無接点ボ
リウムなど計測機器や民生機器の分野に広く使用
されている。
電変換素子が、磁気スケールや磁気的に設定され
た定点の読み取り装置、モータ等の回転制御用周
波数発生器、あるいは無接点スイツチや無接点ボ
リウムなど計測機器や民生機器の分野に広く使用
されている。
上述の如き磁電変換素子としては、強磁性金属
の強磁性磁気抵抗効果を利用した感磁原理に基づ
いた強磁性磁気抵抗素子や半導体の半導体磁気抵
抗効果を利用した感磁原理に基づいた半導体磁気
抵抗素子、あるいはホール素子が知られている。
従来、上記磁電変換素子としては、上記半導体を
使用した半導体磁気抵抗素子やホール素子が主に
用いられている。
の強磁性磁気抵抗効果を利用した感磁原理に基づ
いた強磁性磁気抵抗素子や半導体の半導体磁気抵
抗効果を利用した感磁原理に基づいた半導体磁気
抵抗素子、あるいはホール素子が知られている。
従来、上記磁電変換素子としては、上記半導体を
使用した半導体磁気抵抗素子やホール素子が主に
用いられている。
強磁性金属の強磁性磁気抵抗効果は、２種類の
効果に大別することができる。その第１の効果
は、外磁界による自発磁化の変化を通して生ずる
抵抗変化であり、Mottの理論でよく説明できる
ものである。一般に、磁場が大きくなると抵抗が
直線的に減少する負性磁気抵抗効果で、磁場の方
向に対して等方的である。この効果は、自発磁化
の激しいキユリー温度近傍で大きくなるが、大き
な磁場を作用させない限り無視できる。
効果に大別することができる。その第１の効果
は、外磁界による自発磁化の変化を通して生ずる
抵抗変化であり、Mottの理論でよく説明できる
ものである。一般に、磁場が大きくなると抵抗が
直線的に減少する負性磁気抵抗効果で、磁場の方
向に対して等方的である。この効果は、自発磁化
の激しいキユリー温度近傍で大きくなるが、大き
な磁場を作用させない限り無視できる。
また、第２の効果は、比較的小さな磁場で観測
されるもので、その磁化方向と電流方向のなす角
度によつて抵抗が異方的に変化するものである。
この変化は、自発磁化の温度変化が小さい温度領
域で大きく、キユリー温度に向かつて小さくな
る。一般の強磁性金属にあつては、電流と磁化方
向が平行になつたときに抵抗最大で、直交したと
きが最小になる。これを一般式にて表した、 Ｒ（Θ）＝Ｒ ⊥・sin2Θ＋Ｒ ・cos2Θ …(1) なる第１式は、Viogt−Thomsonの式として知
られている。なお、上記第１式においてΘは電流
と飽和磁化のなす角度であり、Ｒ ⊥は電流と飽和
磁化が直交したときの抵抗、Ｒ は電流と飽和磁
化が平行のときの抵抗である。この第２の効果を
利用した強磁性金属磁気抵抗素子が一部実用化さ
れている。上述の如き強磁性磁気抵抗効果を有す
る強磁性金属としては、NiCo合金、NiFe合金、
NiAl合金、NiMn合金あるいはNiZn合金等が知
られている。
されるもので、その磁化方向と電流方向のなす角
度によつて抵抗が異方的に変化するものである。
この変化は、自発磁化の温度変化が小さい温度領
域で大きく、キユリー温度に向かつて小さくな
る。一般の強磁性金属にあつては、電流と磁化方
向が平行になつたときに抵抗最大で、直交したと
きが最小になる。これを一般式にて表した、 Ｒ（Θ）＝Ｒ ⊥・sin2Θ＋Ｒ ・cos2Θ …(1) なる第１式は、Viogt−Thomsonの式として知
られている。なお、上記第１式においてΘは電流
と飽和磁化のなす角度であり、Ｒ ⊥は電流と飽和
磁化が直交したときの抵抗、Ｒ は電流と飽和磁
化が平行のときの抵抗である。この第２の効果を
利用した強磁性金属磁気抵抗素子が一部実用化さ
れている。上述の如き強磁性磁気抵抗効果を有す
る強磁性金属としては、NiCo合金、NiFe合金、
NiAl合金、NiMn合金あるいはNiZn合金等が知
られている。
第１図は、上述の如き強磁性磁気抵抗効果を利
用した磁気抵抗素子１０を用いて構成した磁気セ
ンサスイツチ装置の一従来例の原理図である。第
１図に示した従来例において、磁気抵抗素子１０
は、それぞれ強磁性金属にて形成した第１の電流
通路部１と第２の電流通路部２とを直列接続し、
両端にバイアス電流用の端子３，４を設けるとと
もに、その接続中点に出力端子５を設けた三端子
型の構成となつている。また、上記第１の電流通
路部１と第２の電流通路部２は互いに直交するよ
うに配列形成されており、この磁気抵抗素子１０
に固着されたバイアス磁石６による飽和バイアス
磁果HBが第１の電流通路部１にはバイアス電流
の方向に直交する方向に与えられ、第２の電流通
路部２にはバイアス電流の方向に平行な方向に与
えられている。
用した磁気抵抗素子１０を用いて構成した磁気セ
ンサスイツチ装置の一従来例の原理図である。第
１図に示した従来例において、磁気抵抗素子１０
は、それぞれ強磁性金属にて形成した第１の電流
通路部１と第２の電流通路部２とを直列接続し、
両端にバイアス電流用の端子３，４を設けるとと
もに、その接続中点に出力端子５を設けた三端子
型の構成となつている。また、上記第１の電流通
路部１と第２の電流通路部２は互いに直交するよ
うに配列形成されており、この磁気抵抗素子１０
に固着されたバイアス磁石６による飽和バイアス
磁果HBが第１の電流通路部１にはバイアス電流
の方向に直交する方向に与えられ、第２の電流通
路部２にはバイアス電流の方向に平行な方向に与
えられている。
そして、上記磁気抵抗素子１０は、強磁性材料
にて形成された被検出部材としての強磁性体棒７
と相対移動自在に配設され、この強磁性体棒７が
接近することによつて生ずる各電流通路部１，２
におけるバイアス磁界HBの方向の変化を検出す
る。
にて形成された被検出部材としての強磁性体棒７
と相対移動自在に配設され、この強磁性体棒７が
接近することによつて生ずる各電流通路部１，２
におけるバイアス磁界HBの方向の変化を検出す
る。
上記磁気抵抗素子１０は、その端子３，４間に
外部抵抗１１，１２が接続され抵抗ブリツジ回路
を構成しており、図示しないバイアス電源からバ
イアス電流が供給されている。上記磁気抵抗素子
１０の出力端子５と外部抵抗１１，１２の接続中
点に設けた出力端子１３との間に得られる不平衡
出力が演算増幅器１４にて構成した差動増幅回路
１５を介して出力される。
外部抵抗１１，１２が接続され抵抗ブリツジ回路
を構成しており、図示しないバイアス電源からバ
イアス電流が供給されている。上記磁気抵抗素子
１０の出力端子５と外部抵抗１１，１２の接続中
点に設けた出力端子１３との間に得られる不平衡
出力が演算増幅器１４にて構成した差動増幅回路
１５を介して出力される。
上述の如き構成の従来の磁気センサスイツチ装
置では、強磁性体棒７が磁気抵抗素子１０に接近
すると、該強磁性体棒７がバイアス磁界HBによ
つて磁化されることによりバイアス磁界HBと直
交する方向の磁界を与え、第１図中に鎖線にて示
す矢印方向の動作磁界を上記磁気抵抗素子１０の
各電流通路部１，２に生起する。そこで、各電流
通路部１，２は、与えられる磁界の方向変化に応
じて上述の第１式に従つた抵抗特性を呈し、出力
端子５，１３間に、 ΔV＝Ｋ・Vo・cos2ΔΘ …(2) なる第２式にて示される不平衡出力電圧ΔVを出
力する。
置では、強磁性体棒７が磁気抵抗素子１０に接近
すると、該強磁性体棒７がバイアス磁界HBによ
つて磁化されることによりバイアス磁界HBと直
交する方向の磁界を与え、第１図中に鎖線にて示
す矢印方向の動作磁界を上記磁気抵抗素子１０の
各電流通路部１，２に生起する。そこで、各電流
通路部１，２は、与えられる磁界の方向変化に応
じて上述の第１式に従つた抵抗特性を呈し、出力
端子５，１３間に、 ΔV＝Ｋ・Vo・cos2ΔΘ …(2) なる第２式にて示される不平衡出力電圧ΔVを出
力する。
ところで、上述の如き従来の磁気センサスイツ
チ装置では、バイアス磁界HBの方向が第２式に
おけるΘ＝90゜の方向に設定されており、上記強
磁性体棒７の接近による磁界の方向変化がΘ＝
90゜に対して±15゜程度で、さらに、実際のスイツ
チ動作点が出力レベルの１／３程度に設定される
ので、Θ＝90゜に対して±10゜程度の磁界方向変化
を検出してスイツチ動作を行うことになる。そし
て、上記第２式に示される出力電圧ΔVは、第２
図に破線にて示すようなＫ・Vo・cos2Θの特性
曲線上に実線にて示した範囲で上記スイツチ動作
に利用されることになる。このような動作特性を
有する従来の磁気センサスイツチ装置は、スイツ
チ動作点近傍における出力電圧ΔVの温度特性を
実測したところ、100〜200mV／10℃程度の温度
依存性を有していることが判明した。
チ装置では、バイアス磁界HBの方向が第２式に
おけるΘ＝90゜の方向に設定されており、上記強
磁性体棒７の接近による磁界の方向変化がΘ＝
90゜に対して±15゜程度で、さらに、実際のスイツ
チ動作点が出力レベルの１／３程度に設定される
ので、Θ＝90゜に対して±10゜程度の磁界方向変化
を検出してスイツチ動作を行うことになる。そし
て、上記第２式に示される出力電圧ΔVは、第２
図に破線にて示すようなＫ・Vo・cos2Θの特性
曲線上に実線にて示した範囲で上記スイツチ動作
に利用されることになる。このような動作特性を
有する従来の磁気センサスイツチ装置は、スイツ
チ動作点近傍における出力電圧ΔVの温度特性を
実測したところ、100〜200mV／10℃程度の温度
依存性を有していることが判明した。
そこで、本発明は、上述の如き従来の問題点に
鑑み、強磁性体棒の接近による磁界方向の変化に
対する出力電圧の変化率を大きくして検出感度の
向上を図るとともに、温度変化による出力電圧の
変化すなわち温度依存性を小さくするようにした
新規な構成の磁気センサスイツチ装置を提供する
ものである。
鑑み、強磁性体棒の接近による磁界方向の変化に
対する出力電圧の変化率を大きくして検出感度の
向上を図るとともに、温度変化による出力電圧の
変化すなわち温度依存性を小さくするようにした
新規な構成の磁気センサスイツチ装置を提供する
ものである。
以下、本発明について一実施例を示す図面に従
い詳細に説明する。
い詳細に説明する。
第３図は本発明に係る磁気センサスイツチ装置
の原理的な構成を示す構成図である。すなわち、
第３図において、磁気抵抗素子２０は、それぞれ
強磁性磁気抵抗材料にて形成した第１の電流通路
部２１と第２の電流通路部２２とを直列接続し、
その両端部分にバイアス用端子２３，２４を設
け、その接続中点に出力端子２５を設けた三端子
型構成となつている。上記磁気抵抗素子２０のバ
イアス用端子２３，２４間にはバイアス電源２６
が接続されており、該バイアス電源２６からバイ
アス電流IBが供給されている。そして、上記磁気
抵抗素子２０の各電流通路部２１，２２には、強
磁性体棒２８の接近によつてバイアス電流IBの方
向に対してバイアス磁界HB1，HB2の方向が微小
偏移角±ΔΘだけ変化される場合に、（2n＋１）・
π／４（但し、ｎは整数）近傍の角度Θoに微小偏
移角ΔΘcを減じたΘo−ΔΘcなる方向のバイアス
磁界HB1が第１の電流通路部２１に印加され、ま
た、Θo＋ΔΘcなる方向のバイアス磁界HB2が第２
の電流通路部２２にて印加されている。
の原理的な構成を示す構成図である。すなわち、
第３図において、磁気抵抗素子２０は、それぞれ
強磁性磁気抵抗材料にて形成した第１の電流通路
部２１と第２の電流通路部２２とを直列接続し、
その両端部分にバイアス用端子２３，２４を設
け、その接続中点に出力端子２５を設けた三端子
型構成となつている。上記磁気抵抗素子２０のバ
イアス用端子２３，２４間にはバイアス電源２６
が接続されており、該バイアス電源２６からバイ
アス電流IBが供給されている。そして、上記磁気
抵抗素子２０の各電流通路部２１，２２には、強
磁性体棒２８の接近によつてバイアス電流IBの方
向に対してバイアス磁界HB1，HB2の方向が微小
偏移角±ΔΘだけ変化される場合に、（2n＋１）・
π／４（但し、ｎは整数）近傍の角度Θoに微小偏
移角ΔΘcを減じたΘo−ΔΘcなる方向のバイアス
磁界HB1が第１の電流通路部２１に印加され、ま
た、Θo＋ΔΘcなる方向のバイアス磁界HB2が第２
の電流通路部２２にて印加されている。
この実施例において、上記強磁性体棒２８は、
上記磁気抵抗素子２０を用いた磁気センサスイツ
チ装置に接近すると、バイアス磁石３０にて与え
られる各バイアス磁界HB1，HB2の磁束が第３図
中に細線の矢印にて示すように流れることによ
り、同図中に太線の矢印にて示す向きに磁化され
る。そして、上記磁気抵抗素子２０の各電流通路
部２１，２２に作用する磁界は、上述のように磁
化される上記強磁性体棒２８による磁界と上記バ
イアス磁石３０による各バイアス磁界HB1，HB2
との合成磁界となり、上記強磁性体棒２８の接近
により、第３図中一点鎖線の矢印にて示すように
微小偏移角±ΔΘだけ変化する。
上記磁気抵抗素子２０を用いた磁気センサスイツ
チ装置に接近すると、バイアス磁石３０にて与え
られる各バイアス磁界HB1，HB2の磁束が第３図
中に細線の矢印にて示すように流れることによ
り、同図中に太線の矢印にて示す向きに磁化され
る。そして、上記磁気抵抗素子２０の各電流通路
部２１，２２に作用する磁界は、上述のように磁
化される上記強磁性体棒２８による磁界と上記バ
イアス磁石３０による各バイアス磁界HB1，HB2
との合成磁界となり、上記強磁性体棒２８の接近
により、第３図中一点鎖線の矢印にて示すように
微小偏移角±ΔΘだけ変化する。
ここで、上記角度Θoが45゜であり、バイアス電
源２６により磁気抵抗素子２０の両端子２３，２
４間に印加される電圧をVoとすると、出力端子
２５と接地端子２４との間に得られる出力電圧Ｖ
（ΔΘ）は、次のようになる。すなわち、第１の
電流通路部２１では上述のVoigt−Thomsonの
式に従つて、 RA（ΔΘ）＝Ｒ ⊥・sin2（45゜−ΔΘc＋ΔΘ） ＋Ｒ ・cos2（45゜−ΔΘc＋ΔΘ） …(3) なる第３式にて示される抵抗値RAを呈し、同様
に、第２の電流通路部２２では、 RB（ΔΘ）＝Ｒ ⊥・sin2（45゜＋ΔΘc−ΔΘ） ＋Ｒ ・cos2（45゜＋ΔΘc−ΔΘ） …(4) なる第４式にて示される抵抗値RBを呈する。従
つて、出力電圧Ｖ（ΔΘ）は、 Ｖ（ΔΘ）＝RB（ΔΘ）／RA（ΔΘ）＋RB（ΔΘ）・
Vo＝Vo／２・｛１−（Ｒ ⊥−Ｒ ）・sin2（ΔΘc−ΔΘ）／（Ｒ ⊥＋Ｒ ）｝ …(5) なる第５式にて示すことができる。
源２６により磁気抵抗素子２０の両端子２３，２
４間に印加される電圧をVoとすると、出力端子
２５と接地端子２４との間に得られる出力電圧Ｖ
（ΔΘ）は、次のようになる。すなわち、第１の
電流通路部２１では上述のVoigt−Thomsonの
式に従つて、 RA（ΔΘ）＝Ｒ ⊥・sin2（45゜−ΔΘc＋ΔΘ） ＋Ｒ ・cos2（45゜−ΔΘc＋ΔΘ） …(3) なる第３式にて示される抵抗値RAを呈し、同様
に、第２の電流通路部２２では、 RB（ΔΘ）＝Ｒ ⊥・sin2（45゜＋ΔΘc−ΔΘ） ＋Ｒ ・cos2（45゜＋ΔΘc−ΔΘ） …(4) なる第４式にて示される抵抗値RBを呈する。従
つて、出力電圧Ｖ（ΔΘ）は、 Ｖ（ΔΘ）＝RB（ΔΘ）／RA（ΔΘ）＋RB（ΔΘ）・
Vo＝Vo／２・｛１−（Ｒ ⊥−Ｒ ）・sin2（ΔΘc−ΔΘ）／（Ｒ ⊥＋Ｒ ）｝ …(5) なる第５式にて示すことができる。
上述の如き磁気抵抗素子２０を用いた磁気セン
サスイツチ装置では、例えば上述の従来例と同様
にブリツジ回路によつてVo／２なる基準電圧に
対する不平衡電圧を検出出力電圧ΔVとして出力
することにより、 ΔV＝K1・Vo・sin2（ΔΘc−ΔΘ） …(6) なる出力電圧ΔVが得られる。この出力電圧ΔV
は、第４図に示すようなK1・Vo・sin2Θの特性
曲線上の実線にて示され、Θo＝45゜に設定した状
態ではΔΘc−ΔΘ＝0゜のときに原理的に温度ドリ
フトが零となり、しかも、ΔΘに対する変化率が
最大で、高感度で安定したスイツチ動作を可能に
する。
サスイツチ装置では、例えば上述の従来例と同様
にブリツジ回路によつてVo／２なる基準電圧に
対する不平衡電圧を検出出力電圧ΔVとして出力
することにより、 ΔV＝K1・Vo・sin2（ΔΘc−ΔΘ） …(6) なる出力電圧ΔVが得られる。この出力電圧ΔV
は、第４図に示すようなK1・Vo・sin2Θの特性
曲線上の実線にて示され、Θo＝45゜に設定した状
態ではΔΘc−ΔΘ＝0゜のときに原理的に温度ドリ
フトが零となり、しかも、ΔΘに対する変化率が
最大で、高感度で安定したスイツチ動作を可能に
する。
なお、実用的な磁気抵抗素子２０では、第５図
に示すように、各電流通路部２１，２２が大きな
抵抗値RA、RBを呈するようにそれぞれ折線パタ
ーン状に形成される。
に示すように、各電流通路部２１，２２が大きな
抵抗値RA、RBを呈するようにそれぞれ折線パタ
ーン状に形成される。
また、上述の実施例では、各電流通路部２１，
２２に流れるバイアス電流IBの方向を一致せし
め、このバイアス電流IBの方向に対してバイアス
磁界HB1，HB2の方向を45゜±ΔΘcとなるように設
定したが、第６図に示すように各電流通路部２
１，２２の配向をずらして、バイアス磁界HB1，
HB2の方向を一致せしめるようにしても同様な動
作を行うことができる。このようにバイアス磁界
HB1，HB2の方向を一致させるように構成すれば、
第７図に示す具体的な構成例のように、１個のバ
イアス磁石３０にて各電流通路部２１，２２にバ
イアス磁界HB1，HB2の印加を行うことができる
ので、構成が簡単になる。ここで、第７図におい
て磁気抵抗素子２０は、バイアス磁石３０上に配
置した状態でケース３１内に収納されており、各
端子２３，２４，２５に接続された接続ケーブル
３２を介して図示しないバイアス電源や検出回路
等の外部装置に接続されている。また、上記バイ
アス磁石３０には、その端部に磁気ヨーク３３が
被検出部材である強磁性体棒２８に対して平行に
配設されている。
２２に流れるバイアス電流IBの方向を一致せし
め、このバイアス電流IBの方向に対してバイアス
磁界HB1，HB2の方向を45゜±ΔΘcとなるように設
定したが、第６図に示すように各電流通路部２
１，２２の配向をずらして、バイアス磁界HB1，
HB2の方向を一致せしめるようにしても同様な動
作を行うことができる。このようにバイアス磁界
HB1，HB2の方向を一致させるように構成すれば、
第７図に示す具体的な構成例のように、１個のバ
イアス磁石３０にて各電流通路部２１，２２にバ
イアス磁界HB1，HB2の印加を行うことができる
ので、構成が簡単になる。ここで、第７図におい
て磁気抵抗素子２０は、バイアス磁石３０上に配
置した状態でケース３１内に収納されており、各
端子２３，２４，２５に接続された接続ケーブル
３２を介して図示しないバイアス電源や検出回路
等の外部装置に接続されている。また、上記バイ
アス磁石３０には、その端部に磁気ヨーク３３が
被検出部材である強磁性体棒２８に対して平行に
配設されている。
この具体例においても、上記強磁性体棒２８
は、上記磁気抵抗素子２０を用いた磁気センサス
イツチ装置に接近すると、バイアス磁石３０にて
与えられる各バイアス磁界HB1，HB2の磁束が第
７図中に細線の矢印にて示すように流れることに
より、同図中に太線の矢印にて示す向きに磁化さ
れる。そして、上記磁気抵抗素子２０の各電流通
路部２１，２２に作用する磁界は、上述のように
磁化される上記強磁性体棒２８による磁界と上記
バイアス磁石３０による各バイアス磁界HB1，
HB2との合成磁界となり、上記強磁性体棒２８の
接近により、第３図中一点鎖線の矢印にて示すよ
うに微小偏移角±ΔΘだけ変化する。
は、上記磁気抵抗素子２０を用いた磁気センサス
イツチ装置に接近すると、バイアス磁石３０にて
与えられる各バイアス磁界HB1，HB2の磁束が第
７図中に細線の矢印にて示すように流れることに
より、同図中に太線の矢印にて示す向きに磁化さ
れる。そして、上記磁気抵抗素子２０の各電流通
路部２１，２２に作用する磁界は、上述のように
磁化される上記強磁性体棒２８による磁界と上記
バイアス磁石３０による各バイアス磁界HB1，
HB2との合成磁界となり、上記強磁性体棒２８の
接近により、第３図中一点鎖線の矢印にて示すよ
うに微小偏移角±ΔΘだけ変化する。
ここで、上述の各実施例では原理的に出力電圧
ΔVの温度ドリフトが零となる理想的な角度とし
てΘo＝45゜の方向に対して±ΔΘを加えた方向に
バイアス磁界HB1、HB2とバイアス電流IBを配向
したが、上記角度Θoは45゜でなくとも、45゜の奇数
倍の角度（2n＋１）・π／４（但し、ｎは整数）
近傍であれば、温度ドリフトの減少およびΔΘに
対する出力電圧ΔVの変化率の向上を図ることが
できる。
ΔVの温度ドリフトが零となる理想的な角度とし
てΘo＝45゜の方向に対して±ΔΘを加えた方向に
バイアス磁界HB1、HB2とバイアス電流IBを配向
したが、上記角度Θoは45゜でなくとも、45゜の奇数
倍の角度（2n＋１）・π／４（但し、ｎは整数）
近傍であれば、温度ドリフトの減少およびΔΘに
対する出力電圧ΔVの変化率の向上を図ることが
できる。
第１図は磁気センサスイツチ装置の従来例の構
成を示す模式的な構成図であり、第２図は上記従
来例の動作特性を示す特性線図である。第３図は
本発明に係る磁気センサスイツチ装置の原理的な
構成を示す実施例の模式図であり、第４図は上記
実施例の動作特性を示す特性線図であり、第５図
は上記実施例に適用される磁気抵抗素子の電流通
路部の実用的な配列パターンを示す模式図であ
る。第６図は本発明に係る磁気センサスイツチ装
置の他の実施例を示す模式図であり、第７図は上
記実施例の具体的な構成例を示す要部断面図であ
る。 ２０……磁気抵抗素子、２１，２２……電流通
路部、２３，２４……バイアス用端子、２５……
出力端子、２６……バイアス電源、２８……強磁
性体棒、３０……バイアス磁石、HB1，HB2……
バイアス磁界、IB……バイアス電流。
成を示す模式的な構成図であり、第２図は上記従
来例の動作特性を示す特性線図である。第３図は
本発明に係る磁気センサスイツチ装置の原理的な
構成を示す実施例の模式図であり、第４図は上記
実施例の動作特性を示す特性線図であり、第５図
は上記実施例に適用される磁気抵抗素子の電流通
路部の実用的な配列パターンを示す模式図であ
る。第６図は本発明に係る磁気センサスイツチ装
置の他の実施例を示す模式図であり、第７図は上
記実施例の具体的な構成例を示す要部断面図であ
る。 ２０……磁気抵抗素子、２１，２２……電流通
路部、２３，２４……バイアス用端子、２５……
出力端子、２６……バイアス電源、２８……強磁
性体棒、３０……バイアス磁石、HB1，HB2……
バイアス磁界、IB……バイアス電流。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 強磁性磁気抵抗材料にて形成した電流通路部
を直列接続し、その接続中点に出力端子を設けて
成る三端子型磁気抵抗素子を備え、上記電流通路
部にバイアス電流を流すとともにバイアス磁界を
印加し、強磁性体の接近によるバイアス磁界の方
向の微小偏移角ΔΘに応じた上記電流通路部の抵
抗変化により作動する磁気センサスイツチ装置に
おいて、上記バイアス電流の方向とバイアス磁界
の方向とが、直列接続された一方の電流通路部で
は（2n＋１）・π／４（但し、ｎは整数）近傍の
角度Θoに微小偏移角ΔΘcを与えたΘo＋ΔΘcなる
角度をなし、また、他方の電流通路部ではΘo−
ΔΘcなる角度をなすように、上記電流通路部の
配向およびバイアス磁界の方向を設定したことを
特徴とする磁気センサスイツチ装置。 ２ 上記各電流通路部に流されるバイアス電流の
方向を互いに等しくしたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の磁気センサスイツチ装
置。 ３ 上記各電流通路部に印加するバイアス磁界の
方向を互いに等しくしたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の磁気センサスイツチ装
置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55172553A JPS5797230A (en) | 1980-12-09 | 1980-12-09 | Magnetic sensor switch device |
| IT8125412A IT1211140B (it) | 1980-12-09 | 1981-12-02 | Dispositivo commutatore a sensore magnetico. |
| CA000391611A CA1182171A (en) | 1980-12-09 | 1981-12-07 | Magnetic sensor for sensing the proximity of a relatively movable magnetically permeable member |
| CH7845/81A CH657949A5 (de) | 1980-12-09 | 1981-12-08 | Magnetischer annaeherungsschalter. |
| GB8136974A GB2089514B (en) | 1980-12-09 | 1981-12-08 | Magnetic sensor switch device |
| US06/328,613 US4492922A (en) | 1980-12-09 | 1981-12-08 | Magnetic sensor with two series-connected magnetoresistive elements and a bias magnet for sensing the proximity of a relatively movable magnetically permeable member |
| DE19813148754 DE3148754A1 (de) | 1980-12-09 | 1981-12-09 | Magnetische sensor-schaltervorrichtung |
| FR8123042A FR2495859B1 (fr) | 1980-12-09 | 1981-12-09 | Dispositif de commutation a capteur magnetique |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55172553A JPS5797230A (en) | 1980-12-09 | 1980-12-09 | Magnetic sensor switch device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5797230A JPS5797230A (en) | 1982-06-16 |
| JPH0211022B2 true JPH0211022B2 (ja) | 1990-03-12 |
Family
ID=15943989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55172553A Granted JPS5797230A (en) | 1980-12-09 | 1980-12-09 | Magnetic sensor switch device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5797230A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6954063B2 (en) | 2001-03-27 | 2005-10-11 | Denso Corporation | Motion detecting device using magnetoresistive unit |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6061750U (ja) * | 1983-10-03 | 1985-04-30 | 株式会社村田製作所 | 磁電変換回路 |
| JPH0258358U (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-26 | ||
| JPWO2004039717A1 (ja) * | 2002-10-29 | 2006-02-23 | 三菱電機株式会社 | エレベータのブレーキ装置 |
| JP4689489B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2011-05-25 | アルプス電気株式会社 | 磁気スイッチ |
-
1980
- 1980-12-09 JP JP55172553A patent/JPS5797230A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6954063B2 (en) | 2001-03-27 | 2005-10-11 | Denso Corporation | Motion detecting device using magnetoresistive unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5797230A (en) | 1982-06-16 |
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