JPH02111090A - レーザ安定化方法 - Google Patents

レーザ安定化方法

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JPH02111090A
JPH02111090A JP63262877A JP26287788A JPH02111090A JP H02111090 A JPH02111090 A JP H02111090A JP 63262877 A JP63262877 A JP 63262877A JP 26287788 A JP26287788 A JP 26287788A JP H02111090 A JPH02111090 A JP H02111090A
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JP
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etalon
wavelength
laser beam
output
oscillation
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JP63262877A
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English (en)
Inventor
Kenichi Yasuda
憲一 安田
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Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 し産業上の利用分野コ この発明は、複数のエタロンにより狭帯域化されたレー
ザビームの波長及び出力を安定化する方法に関し、特に
発振及び停止を繰り返す運転モードにおいても速やかに
安定1ヒできるレーザ安定化方法に関するものである。
[従来の技術] 第8図は、例エバ雑誌rCAN、J、PHYS、VOL
、63.1985(第214〜219頁)」の[エキシ
マレーザ発振器のスペクトル侠帯域化技術(S pec
tral−narrou+ingtechniques
 for  exciIIIer 1aser osc
illators)」に記載された、−殻内な狭帯域レ
ーザ装置を示す構成図である。
図において、(1)はレーザ媒質、(2)はレーザ媒質
(1)の一端側に設けられた全反射鏡、(3)はレーザ
媒質(1)の他端側に設けられた部分反射鏡であり、こ
れらは光共振器(レーザ発振器)を構成している。
(4)及び(5)はレーザ光路中に配置されたファブリ
ペローエタロン(Fabry−Perot etaro
n)であり、(4)はl用のファブリペローエタロン(
以下、単に粗調エタロンというL(5)は微調用のファ
ブリペローエタロン(以下、単に微調エタロンという)
である。各エタロン(4)及び(5)は、石英ガラス鏡
面を対向させたものであり、粗調エタロン(4)は微調
エタロン(5)よりも鏡面間藤が狭く設定されている。
又、各エタロンく4)及び(5)は、全反射を防ぐため
、レーザ光路に対してわずかに角度をもって配置されて
いる。
(6)は部分反射鏡(3)から放射されるレーザビーム
である。
次に、第8図に示したレーザ装置の動作について説明す
る。
電圧の印加によりレーザ媒質(1)が励起されると、励
起及び遷移の繰り返しによってコヒーレント光が発生し
、この光は、全反射鏡(2)及び部分反射鏡(3)から
なる光共振器中を何度も往復する間に増幅され、最終的
に所定出力のレーザビーム(6)として収り出される。
このようなレーザ装置のうち、エキシマレーザ、半導体
レーザ、色素レーザ、又は一部の固体レーザ等は発振波
長幅が広いが、光共振器中に分光素子を挿入することに
より発振波長幅を狭くできることが知られている。従っ
て、図示したように、複数のエタロン即ち粗調エタロン
(4)及び微調エタロン(5)を挿入すれば、限りなく
単色に近い所望波長のレーザビーム(6)を取り出すこ
とができる。
第9図は波長λに対する各分光特性[Aであり、(a)
は粗調エタロン(4)による透過特性図、(b)は微調
エタロン(5)による透過特性図、(C)はレーザ媒質
(1)によるレーザゲインプロフィール特性図、(d)
は狭帯域化されたレーザビーム(6)の出力特性図であ
る。
第9図(a)及び(b)において、各エタロン(4)及
び(5)の透過特性の冬山のピーク波長λ繭は、λm=
2・n・d−CO8θ/m     −・・■で表わさ
れる。但し、nはエタロンを構成する2枚の鏡面の間に
ある物質の屈折率、dは鏡面の間の距離、θはエタロン
に対する光の入射角、輸はエタロンの次数に相当する整
数であり、複数の山のピーク位置はそれぞれ整数−の違
いに対応している。
ここでは、粗調エタロン(4)のピーク波長をλm1、
微調エタロン(5)側のピーク波長をλm2で示してお
り、これらは、■式から明らかなように、鏡面間物質の
屈折率n、鏡面間隔d、又は光の入射角θを変えること
により任意に変えることができる。
又、冬山のピークとピークとの間の距離は、自由スペク
トル領域FSRと呼ばれ、 FSR−λm / 2 ・n −d−cosθ= 1 
/ m              ・・・■で表わさ
れ、各ピークの半値幅W^は、Wλ=FSR/ア   
    ・・・■で表わされる。但し、アはフィネスと
呼ばれる値(約20程度)であり、エタロンの性質によ
り決定するものである。ここでは、粗調エタロン(4)
の自由スペクトル領域及び半値幅をFSR,及びWλ微
調エタロン(5)の自由スペクトル領域及び半値幅をF
SR2及びWλ2でそれぞれ示している。
一方、レーザ媒質(1)により決定するレーザゲインプ
ロフィールは、第9図(c)に示した通りであり、もし
光共振器中にエタロン等の分光素子が存在しなければ、
ゲインの存在する全ての波長範囲(ゲイン範囲)で光が
増幅されてレーザビーム(6)となる。
ここで、粗調エタロン(4)の1つのピーク波長λm、
が、ゲイン範囲内の任意の設定波長λ。と一致するよう
に、且つ、1つのピーク波長λml以外の他のピーク波
長がゲイン範囲内に存在しないように鏡面間蔭d1等を
設定すれば、設定波長λ。において光損失が少ない状態
が実現し、設定波長λ。の光のみが増幅されて発振する
。第9図では、設定波長λ。がゲイン範囲の中心波長で
ある場合を示している。
ゲイン範囲内に粗調エタロン(4)のピーク波長λm、
を1つのみ存在させるためには、自由スペクトル傾城F
SR,の最低値が制限される。又、フィネスアはエタロ
ンの性質により決定する値であり、せいぜい20程度で
あるから、0式より、1枚の粗調エタロン(4)のみで
狭帯域化できる波長幅には限度がある。
ここで、更に、微調エタロン(5)を設け、そのピーク
波長λm2が設定波長λ。と一致し、且つ、自由スペク
トル領域F S R2が、 FSR2≧Wλ となるように設定すると、第9図(d)のように設定波
長λ。を中心として狭帯域化されたレーザビーム〈6)
が得られる。
こうして、もともと第9図(c)のような分光特性のレ
ーザビームは、各エタロン(4)及び(5)を透過する
ことにより、各ピーク波長λm+及びλm2が重なる設
定波長λ。を中心とする第9図(d)のような狭い波長
範囲で発振する。実際には、発振中に各エタロン(4)
及び(5)を何度も通るため、レーザビーム(6)の線
幅は各エタロン(4)及び(ら)で決定する波長幅の1
72〜1/10となる。
しかし、前述の雑誌にも記載されているように、レーザ
ビーム(6)の短期間の安定性については、光共振器を
改良したり各エタロン(4)及び(5)に対する入射角
θを小さくすることにより改善できるが、長期的には、
熱的な問題、特にレーザビーム(6)が各エタロン(4
)及び(5)を透過するときの発熱による波長シフトが
大きな問題である。
第10図は発熱による波長シフトを示す各分光特性図で
あり、(a)は粗調エタロン(4)のピーク波長λm4
、(b)は微調エタロン(5)のピーク波長λm2、(
c)はレーザビーム(6)の出力の場合をそれぞれ示し
、実線は発振直後の分光特性、破線は経時変化後の分光
特性である。
第10図から明らかなように、発振直t&(実線)は各
ピーク波長λm1及びλm、が設定波長λ。と一致して
いるが、発熱によりエタロンが変形すると、各ギャップ
長く鏡面間隔)dl及びd2が変化して、ピーク波長λ
請、及びλm2は破線のようにシフトする。
このとき、波長シフト量Δλと鏡面間隔dの変化量Δd
との関係は、 八λ−(λm/d)・Δd     ・・・■で表わさ
れ、波長シフトの方向は、エタロンの構造等により決定
する。第10図及び0式から明らかなように、鏡面間隔
d、の小さい粗調エタロン(4)の波長シフト量Δλ1
は、鏡面間隔d2が大きい1紋調エタロン(5)の波長
シフト量Δλ2よりも大きくなる。
このように、発熱により各ピーク波長λm1及びλm、
がシフトすると、 λm、≠λl112 となり、且つ、両者を重ねたときの光透過量は、λm、
−λ論。
の場合と比べて減少する。従って、レーザビーム〈6)
は、第10図(c)に示すように、中心波長が設定波長
λ。から微調エタロン(5)のピーク波長λ+112に
シフトすると共に、出力がΔPだけ減少する。
又、粗調エタロン(4)のピーク波長λm1のシフト量
Δ^lが大きい場合は、微調エタロン(5)の他のピー
ク波長λva2/により、他のモードでの同時発振が発
生する可能性がある。
[発明が解決しようとする課題] 従来の狭帯域レーザ装置は以上のように、レーザ発振中
の熱的な問題を考慮していないので、発振開始時並びに
発振及び停止の繰り返し時におけるレーザビーム(6)
の波長及び出力を安定化することができず、熱的な問題
が起こりにくい低出力の狭帯域レーザ発振装置にしが適
用できないという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、波長シフト補正手段及び出力制御手段を用い
て、システム立上げ時のようなコールドスタート時又は
発振及び停止の繰り返し運転時においても、発振開始時
のレーザビームの波長及び出力を安定化できるレーザ安
定化方法を得ることを目的とする。
[課題を解決するための手段〕 この発明に係るレーザ安定化方法は、レーザビームの波
長情報に基づいて、微調エタロンを調整してレーザビー
ムの波長を安定化する波長制御ステップと、レーザビー
ムの出力情報に基づいて、[1エタロンを調整してレー
ザビームの出力を安定化する出力制御ステップと、シス
テムが投入されたときに各種パラメータを初期化するス
テップと、レーザ発振を開始したときに、コールド状邪
又はホット状態を表わすパラメータKに基づいてコール
ドスタートであるか否かを判定するステップコールドス
タートを判定したときに、一定の印加電圧で発振させな
がら波長制御ステップを実行して暖気運転し且つ粗調エ
タロンの最適位置をサーチ処理するシステム起動制御ス
テップと、レーザビームの波長及び出力がそれぞれ設定
値に対して所定範囲内になったときに、パラメータKを
ホット状態の値に設定するステップと、発振が停止した
ときに、発振停止後の発振停止時間を計算するステップ
と、発振停止時間が設定時間より大きくなったときにパ
ラメータKをコールド状態の値に設定するステップとを
含むものである。
又、この発明の別の発明に係るレーザ安定化方法は、レ
ーザビームの波長情報に基づいて、(敢謂エタロンを調
整してレーザビームの波長を安定化する波長制御ステッ
プと、レーザビームの出力情報に基づいて、粗調エタロ
ンを調整してレーザビームの出力を安定化する出力制(
1ステツプと、システムが投入されたときに各種パラメ
ータを初期化するステップと、コールド状態又はホット
状態を表わすパラメータKに基づいてコールド状態を判
定したときに、波長制御ステップにおける(攻調エタロ
ンの初期制御量Y。を記憶して、パラメータKをホット
状態の値に設定するステップと、波長制御ステップにお
ける微調エタロンのトータル制御紙Yを計算するステッ
プと、出力制御ステップにおける粗調エタロンのトータ
ル制御量Zを計算するステップと、発振が停止したとき
に、発振停止後の発振停止時間を計算するステップと、
発振が停止しているときに、発振停止時間及び熱時定数
に基づいて、微調エタロン及び粗調エタロンの各補正制
御量を計算し、微調エタロン及び粗調エタロンを補正駆
動するステップと、各補正制御量及び初期制御量に基づ
いて各トータル制御量Y及び2を補正するステップと、
発振停止時間が設定時間より大きくなったときにパラメ
ータKをコールド状態の値に設定するステップとを含む
ものである。
[作用] この発明においては、システム立上げ直後等のコールド
スタート時には、微調エタロン制御による暖気運転並び
に粗調エタロン制御によるサーチ処理からなるシステム
起動制御を行ない、慣らし運転した後に通常制御のレー
ザビームを出力することにより、熱変形に起因する不安
定なレーザビームの出力を防止し、又、発振再開時等の
ホットスタート時には、システム起動制御を省略してレ
ーザビームを速やかに安定化させる。
又、この発明の別の発明においては、発振停止後に、発
振定数時間及び熱時定数を考慮して各サーボ機構を補正
駆動し、微調エタロン及び粗調エタロンの制御量を追従
補正することにより、再起動後のレーザビームを速やか
に安定化させる。
[実施例] 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明が適用される帯域レーザ装置を示す構成図
であり、(1)〜(6)は前述と同様のものである。
(7)及び(8)はレーザビーム(6)の一部を反射さ
せるビームスプリッタ、(9)はビームスプリッタく7
)で反射された一部のレーザビーム(6八)に基づいて
レーザビーム(6)の波長情報λKを出力する波長モニ
タ機構、(10)はビームスプリッタ(8)で反射され
た一部のレーザビーム(6B>に基づいてレーザビーム
(6)の出力情報Pを出力する出力モ二タ機構、(11
)は11N調エタロン(4)を調整するための粗調サー
ボ機構、(12)は微調エタロン(5)を調整するため
の微調サーボ機構である。
(13)はCPU及びメモリ等を有しレーザ装置のシス
テム全体を制御するための制御手段であり、出力情報P
に基づいて、レーザ媒M(1)に対する印加電圧指令■
又は粗調サーボ機構(11)に対する粗調指令Cを出力
すると共に、波長情報λにに基づいて、微調サーボ機構
(12)に対する微調指令りを出力するようになってい
る。
又、第2図は第1図内の波長モニタ機構(9)を詳細に
示す構成図であり、(21〉はビームスプリッタ(7)
からのレーザビーム(6^)を弱めたり拡散させたりす
るインテグレータである。
(22)はインテグレータ(21)を通したレーザビー
ム(6^)を分光する手段であり、例えば微調エタロン
(5)よりも更に狭い半値幅(Wλ)の透過特性を有す
るファブリペローエタロン(以下、単にエタロンという
)から構成されている。
(23)はエタロン(22)を通したレーザビーム(6
^)′5:集光させる結像レンズ、(24)は結像レン
ズ(23)により結像されたレーザビーム(6^)の干
渉縞を観測するための一次元イメージセンサからなる撮
像素子、(25)は撮像素子(24)上の干渉縞を解析
するための画像処理部である。
尚、波長モニタfiIl!(9)の分光素子として、エ
タロン(22)を用いたが、例えば雑誌rlEEEジャ
ーナル量子電子工学(Journal Quantum
 Electronics)QE−14(78)47J
に記載されたように、グレーティングやプリズム、又は
フィゾー(Fizeau)の干渉計等を用いてもよい。
次に、第3図の干渉縞分布図を参照しながら、第2図に
示した波長モニタ機構(9)の動作について説明する。
ビームスプリッタ(7)により分割された一部のレーザ
ビーム(6八)は、インテグレータ(21)により弱め
られ又は拡散させられた後、エタロン(22)を通して
結像レンズ〈23)に達する。このとき、インテグレー
タ(21)により生じた発散成分のうち、エタロン(2
2)に対して特定の入射角αを持つ成分のみがエタロン
(22)を透過して結像レンズ(23)に到達する。
そして、結像レンズ(23)により集束されたレーザビ
ーム(6^)は、撮像素子(24)上に結像される。
このとき、結像レンズ(23)の焦点距離をfとすれば
、入射角αの成分を持つレーザビーム(6^)は、焦点
位置において、結像レンズ(23)の軸からfαだけ離
れた位置に集光されて、第3図のように円形の干渉縞を
形成する。ここで、干渉縞出力の各ピーク位置Xはエタ
ロン(22)の次数mの違いに対応しており、冬山のピ
ーク間隔は自由スペクトル領域と呼ばれ、この範囲内で
波長λを一意的に決定することができる。この自由スペ
クトル領域は、エタロン(22)の設計により決定でき
、予測される波長シフト八λの値よりも広く設定されて
いる。
又、干渉縞の中心からの距離即ちピーク位iWxはレー
ザビーム(6^)の波長分布に対応した光強度分布を持
っているので、ピーク位1ffxを観測すれば入射角α
が求まり、更に、前述の0式より波長λを計算すること
ができる。このとき、入射角αを求めるために画像処理
部(25)が用いられる。
尚、制御をかけずに長時間発振動作させると、前述の波
長シフトにより、第3図の破線のように、ピーク位7′
txが設定波長λ。に対応する所定位置x0からシフト
する。このとき、ピーク位置の光強度も減少するので、
この強度変化を測定することにより、波長モニタ機構(
9)が出力モニタ機構(10)を兼用することもできる
次に、第1図〜第3図、並びに第4図及び第5図のフロ
ーチャート図を参照しながら、この発明の一実施例につ
いて説明する。
電源が投入されると、制御手段り13)は、第4図及び
第5図に示すシーケンスを実行するが、まず、システム
を初期化すると共に各種パラメータを初期化しくステッ
プSl)、レーザ発振の開始を待機する(ステップS2
)。
ステップS2においてレーザ発振の開始を判定すると、
コールド(K = O)又はホット(K=1)を示すパ
ラメータKが0であるか否かを判定しくステップS3)
、もしに−1(ホットスタート)であればステップS7
に進む。
又、システム立上げ時の発振開始(コールドスタート)
であれば、初期化ステップS1においてに=0が設定さ
れているので、ステップS2においてコールドスタート
であることを判定してステップS4に進み、暖気運転処
理を実行する。
!0ち、レーザ媒質(1)に対する印加電圧を一定に保
ちながら、波長モニタI講(9)及び微調サーボ機構(
12)を用いて微調エタロン(5)を制御し、レーザビ
ーム(6)の波長λが設定波長λ。と一致するように安
定化すると共に、11調エタロン〈4)を、無制御状態
にするか、又は出力モニタRi(10)及び粗調す−ボ
機構<11)を用いてレーザビーム(6〉の出力が最大
になるように制御する。尚、ITIJエタロンく4)及
び微調エタロン(5)の各制御動作の詳細については?
裔述する。
続いて、出力モニタ機構(lO)及び粗調サーボ機1(
+1>を用いて、粗調エタロン(4)を最適化するため
のサーチ制御、例えば圧力サーチ処理を実行しくステッ
プS5)、このサーチ処理結果に基づいて最適圧力の設
定処理を実行する(ステップS6)。
即ち、粗調エタロン(4)の鏡面間圧力又は角度を特定
の範囲で変化させ、レーザビーム(6)の出力が最大と
なる鏡面間隔d、又は入射角θ2のin位置を検出しく
ステップS5)、この検出結果に基づいて、粗調エタロ
ン(4)の圧力又は角度を最適位置に設定する(ステッ
プS6)。ここでは、サーチステップS5において圧力
を変化させ、最適位置設定ステップS6において最適圧
力に設定する場合を示している。
次に、レーザビーム(6)の出力が設定値に対して所定
の範囲内に入っている(OK)か否かを判定しくステッ
プS7)、又、レーザビーム(6)の波長が設定値に対
して所定の範囲内に入っている(OK)か否かを判定し
くステップS8)、共にOKであればパラメータl(を
1(ホット状態)に設定するくステップS9)。
尚、以上のシステム起動制御ステップ(S4〜S8)の
実行中において、レーザビーム(6)はシャッタ等(図
示せず)により遮断されており、不安定なレーザビーム
(6)が使用されることはない。
こうして、システムがホット状態となってステップS9
でに−1が設定されると、シャッタ等が開放されてレー
ザビーム(6)は実際に使用可能な状態となる。この通
常発振動作中において、制御手段(13)は、レーザビ
ーム(6)の出力及び波長を常に設定値に対して所定の
範囲内となるように制御する(ステップ5tO) 。
レーザ制御ステップSIOの詳細は第5図に示した通り
であり、まず、実行すべきレーザ制御が波長制御である
か、又は出力制御であるかを選択する(ステップSll
>、このとき、各制御は、例えば時分割で選択的に実行
されても、又は、同時に実行されてもよい。
波長制御の場合は、波長モニタ機構(9)を制御して、
一部のレーザビーム(6^)をインテグレータ(21)
により発散させた後、エタロン(22)で分光しくステ
ップ512)、更に、結像レンズ(23)により撮像素
子(24)上に集光する。
続いて、撮像素子(24)及び画像処理部(25)によ
り干渉縞(第3図参照)の−次元光強度分布を測定しく
ステップ513) 、測定データを平滑化してノイズを
除去する等の画像処理を行ない(ステップ514)、最
大強度のピーク位置Xを決定しくステップ515)、こ
れをレーザビーム(6)の波長λに対応する波長情報λ
にとして取得する。
そして、ピーク位置×を設定位置x0と比較して(ステ
ップ5L6)、x=x。の場合は微調エタロン(5)を
制御せずにステップS18に進み、X’i”XQの場合
は微調指令りにより微調サーボ機構(12)を介して微
調エタロン(5)を駆動する(ステップ517)。最後
に、発振停止か否かを判定して(ステップ518)、発
振停止でなければ制御選択ステップSllに戻り、波長
制御ステップSL2〜S17を繰り返す。
こうして、微調エタロン(5)の透過特性の中心波長λ
1112(第10図参照)が設定波長λ。と一致するま
で波長制御が行なわれ、レーザビーム(6)の発振波長
λは一定に保たれる。
一方、出力制御の場合は、出力モニタ機1(10)を駆
動制御して、一部のレーザビーム(6B)によりレーザ
ビーム(6)の出力を測定しくステップ519)、この
測定データを出力情報Pとして取得し、そのN回の平均
値処理により現在出力PNを求め、これを記憶する(ス
テップ520) 。
続いて、現在出力PNと設定出力P。との差の絶対値、 ΔPI−PNP。
を求め(ステップ521)、設定された許容値PAと比
較して(ステップ522)、1ΔP1≦PAの場合は発
振停止判定ステップS[に進み、1ΔPI>PAの場合
はステップS23に進み、レーザ媒質(1)に対する印
加電圧の制御であるか否かを判定する。
もし印加電圧の制御であれば、絶対値1ΔP1から印加
電圧の制御量を計算しくステップ524)、又、出力差
ΔPの極性により制御方向(増加又は減少)を決定しく
ステップ525) L 、これら制御量及び制御方向に
基づいて印加電圧指令Vを出力し、レーザ媒質(1)に
対する印加電圧を変化させる(ステップ526)。
通常は印加電圧の制御が優先するが、もし制御判定ステ
ップS23においてlTl1!エタロン(4)の制御を
判定した場合は、絶対値1ΔP1に基づいて制御量を計
算しくステップ527)、又、出力差ΔPの極性により
制御方向を決定しくステップ528) 、これら制Wt
及び制御方向に基づいて粗調指令Cを出力し、粗調サ一
ボ機fil(11)を介して粗調エタロン(4)を駆動
する(ステップ529)。
以上のように、レーザ発振中において、波長制御ステッ
プS12〜S17、及び出力制(卸ステップS19〜S
29を実行することにより、レーザビーム(6)の波長
及び出力は一定に制御される9 印加電圧の制御ステップS24〜S26.及び粗調エタ
ロン(4)の制御ステップS27〜S29の終了後は、
共に発振停止判定ステップS18に進み、発振が継続し
ている場合は制御選択ステップSllに戻り、発振が停
止した場合は第4図のフローチャート図に戻る。
ステップ318において発振停止が判定された場合は、
発振停止時間Tを計算しくステップ530) 、設定時
間T。と比較して(ステップ531)、T≦T0の場合
はステップS33に進み、T>T、の場合はパラメータ
Kを0に設定しくステップ532) 、システムがコー
ルド状態であることを示す。
そして、発振が再開されたか否かを判定しくステップ5
33)、発振開始した場合はコールドスター1〜判定ス
テップS3に戻り、又、発振開始しない場合はステップ
S34に進み、電源がオフであるか否かを判定する。も
し電源オフであればシステムを停止させ、電源オフでな
ければパラメータKが1であるか否かを判定して(ステ
ップ535)、+< −1であれば停止時間計算ステッ
プS30に戻り、K−0であれば発振開始判定ステップ
S33に戻る。
尚、ステップS34で電源オフを判定した場合は、次の
制御を初期化ステップS1から実行する。
TNT、の状態で発振が再開された場きは、ステップS
3により■ぐ=0(コールドスタート)が判定されるの
で、前述と同様にシステム起動制御ステップ84〜S8
を実行する。
又、T≦T、の状態で発振が再開された場合は、ステッ
プS3によりに=1(ホットスタート)が判定されるの
で、システム起動制御ステップのうちのS4〜S6は実
行せず、出力判定ステップS7及び波長判定ステップS
8のみを実行する。そして、レーザビーム(6)の出力
及び波長が設定値に対して所定範囲内に入ったときに、
レーザビーム(6)を出力し、前述のレーザ制御ステッ
プSIOを実行する。従って、不安定なレーザビーム(
6)が出力されることはない。
次に、第1図〜第3図、並びに第6図及び第7図のフロ
ーチャート図を参照しながら、この発明の別の発明の実
施例について説明する。第6図及び第7図において、各
ステップs1、s2、Sll−S30及びS33は前述
と同様のステップであり、ステップS40はステップS
IOに対応している。
初期化ステップS1の後に、ステップS2によりレーザ
発振開始を判定すると、レーザ制御ステップS40を実
行する。即ち、第7図に詳細に示すように、微調エタロ
ン(5)による波長制御、並びに印加電圧又は粗調エタ
ロン(4)による出力制御を実行する。
まず、波長制御のステップS17においてlt調エタロ
ン(5)を制御した後は、パラメータにの値が0(コー
ルド)であるが否かを判定しくステップ541)、K=
1であればステップS43に進み、K=Oであれば初期
制御量(方向も含む)をYoとして記憶し、Kを1に設
定する(ステップ542)。
そして、微調サーボ機fil(12)のトータル制御量
Yを、 Y−ΣY から計算しくステップ543)、発振停止判定ステップ
318に進む。
又、出力制御のステップS29において↑■mエタロン
(・l)を制御した後は、粗調サーボ機構<11)のト
ータル制御′!EZを、 2−ΣZi から計算しくステップ544) 、ステップ818に進
む。
ステップS18で発振停止を判定した場合は、第6図の
フロチャート図に戻り、ステップS30により発振停止
時間Tを計算した後、微調エタロン(5)及び゛m謂エ
タロン(4)の各熱時定数τ、及びτ、に基づいて、各
エタロン(5)及び(4)に対する補正制御11Ay(
T)及びAz(T)を、 A y(T )= Y ・exp(−T / τs) 
  ・■A z(T )=  Z  −exp(T /
  τ <)      −■から計算する(ステップ
545) 。
そして、0式及び0式に基づいて各サーボ機構(12)
及び(11)を補正駆動し、Illエタロン(5)及び
粗調エタロン(4)を調整する(ステップ846)。
従って、発振停止時に温度が下がり、各エタロン(4)
及び(5)が熱変形しても、自動的に追従して補正する
ことができる。
尚、各エタロン(4)及び(5)の熱時定数τ、及びτ
5をそれぞれ1つの指数関数で表わしたが、複数の関数
で表わすこともできる。又、各熱時定数τ4及びτ、が
指数関数に従わない場合は、予め熱特性を測定しておき
、データとして制御手段(13)に記憶させておけばよ
い。
続いて、ステップS33でレーザ発振の再開を判定した
場合は、発振停止時間Tを設定時間T0と比救してくス
テップ547)、T>T、の場合は各種パラメータを初
期化(ステップ548) してステップS40に戻り、
T≦Toの場合は、1敢調サーボlfi楕(12)及び
粗調サーボ機構(11)の各トータル制御量Y及び2を
、Y=AY(T)+Yo          ・・・■
Z=Az(T)               ・・・
■で与えられる値に設定しくステップ549) 、ステ
ップS40に戻る。
一方、ステップS33において、発振が再開されていな
いことを判定した場合は、発振停止時間Tを設定時間T
0と比較して(ステップ550)、T > T Oの場
合はステップS33に戻り、T≦T0の場合はステップ
S30に戻り発振停止時間Tを継続計算する。
こうして、発振停止時間Tに応じて各トータル制御量Y
及びZが補正されるので、ホットスタートの発振再開時
においても、レーザビーム(6)の出力及び波長を速や
かに安定化するため、不安定なレーザビーム(6)を出
力することはない。
尚、上記実施例では、制御手段(13)が出力制御にお
いて印加電圧指令V又は粗調指令Cを出力し、印加電圧
又は粗調エタロン(4)を調整する場合を示したが、粗
調指令Cにより粗調エタロン(4)のみを調整する場合
でも同等の効果を奏する。
又、波長モニタ機構(9)において干渉縞の光強度分布
を画像処理して、波長シフト量Δλに対応する波長情報
λ×を取得する場合を示したが、画像処理しなくても他
の波長モニタ機構を用いてもよい0画像処理しない方法
としては、例えば、ピーク位置X(第3図参照)がx=
xoとなる位置に光センサを配置し、微調エタロン(5
)を最適状態から所定範囲内で前後に変化させ、このと
きのX:XOにおける位置の光強度の変化から微調エタ
ロン(5)の最適状態の方向を予測して制御をかける方
法が考えられる。
更に、上記各実施例を組み合わせて、コールドスタート
時のシステム起動制御並びに発振停止後の熱時定数によ
る制御量補正を実行すれば、■著な効果を奏することは
言うまでもない。
[発明の効果] 以上のようにこの発明によれば、システムが投入された
ときに各種パラメータを初期化するステップと、レーザ
発振を開始したときに、コールド状態又はホット状態を
表わすパラメータKに基づいてコールドスタートである
か否かを判定するステップコールドスタートを判定した
ときに、一定の印加電圧で発振させながら波長制御ステ
ップを実行して暖気運転し且つ粗調エタロンの最適位置
をサーチ処理するシステム起動制御ステップと、レーザ
ビームの波長及び出力がそれぞれ設定値に対して所定範
囲内になったときに、パラメータKをホット状層の値に
設定するステップと、発振が停止したときに、発振停止
後の発振停止時間を計算するステップと、発振停止時間
が設定時間より大きくなったときにパラメータKをコー
ルド状態の値に設定するステップとを実行し、システム
立上げ直後等のコールドスタート時には慣らし運転した
後に通常制御のレーザビームを出力し、又、発振再開時
等のホットスタート時にはシステム起動制御を省略する
ようにしたので、熱変形に起因する不安定なレーザビー
ムの出力を防止すると共に、レーザビームを速やかに安
定化させるレーザ安定化方法が得られる効果がある。
又、この発明の別の発明によれば、システムが投入され
たときに各種パラメータを初期化するステップと、コー
ルド状態又はホット状態を表わすパラメータKに基づい
てコールド状態を判定したときに、波長制御ステップに
おける微調エタロンの初期制御量Y0を記憶して、パラ
メータKをホヅト状態の値に設定するステップと、波長
制御ステップにおける微調エタロンのトータル制御量Y
を計算するステップと、出力制御ステップにおける粗調
エタロンのトータル制御tzを計算するステップと、発
振が停止したときに、発振停止後の発振停止時間を計算
するステップと、発振が停止しているときに、発振停止
時間及び熱時定数に基づいて、微調エタロン及び粗調エ
タロンの各補正制御量を計算し、微調エタロン及び粗調
エタロンを補正駆動するステップと、各補正制御量及び
初期制御量に基づいて各トータル制御1Y及びZを補正
するステップと、発振停止時間が設定時間より大きくな
ったときにパラメータKをコールド状態の値に設定する
ステップとを実行し、発振停止後のホット状態での熱変
形を考)釘して各エタロンを追従補正駆動するようにし
たので、再起動後のレーザビームを速やかに安定化させ
るレーザ安定化方法が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明が適用されるレーザ装置を示す構成図
、第2図は第1図内の波長モニタ機構を詳細に示す構成
図、第3図は第2図内の撮魔素子上に表われる干渉縞の
光強度分布を示す説明図、第4図及び第5図はこの発明
の一実施例を示すフローチャート図、第6図及び第7図
はこの発明の別の発明の一実施例を示すフローチャート
図、第8図は一般的な狭帯域レーザ装置を示す構成図、
第9図はレーザビームの波長狭帯域化動作を説明するた
めの分光特性図、第10図はレーザビームの波長及び出
力のシフト状邪を示す説明図である。 (4)・・粗調エタロン  (5)・・・微調エタロン
(6)・・・レーザビーム  (9)・・波長モニタ機
構(10)・・・出力モニタ機構 (11)・・m調す
−ボ機構(12)・・微調サーボ機構 (13)・・・
制御手段λK・波長情報     P・・・出力情報C
・・・m調指令     D・・・(微調指令■・・・
印加電圧指令   xo・・・設定位置λ0・・設定波
長     P、・・設定出力T・・発振停止時間  
 To・・・設定時間Y、・・初期制御量 A Y(T )、A z(T )・・補正制御量1く・
・・コールド又はホットを表わすパラメータS1・・・
初期化ステップ S3・・コールドスタート判定ステップS4・・・暖気
運転処理ステップ S5・・サーチ処理ステップ 84〜S8・・・システム起動制御ステップS9・・・
ホット状態に設定するステップS12〜S17・・・波
長制御ステップS19〜S29・・・出力制御ステップ
S30・・・発振停止時間を計算するステップS32.
548・・・コールド状態に設定するステップS42・
・・初期制御量を記憶してホット状態に設定するステッ
プ 343・・・トータル制御fitYを計算するステップ
S44・・・トータル制御量Zを計算するステップS4
6・・エタロンを補正駆動するステップS49・・トー
タル制御量を補正するステップ尚、図中、同一符号は同
−又は相当部分を示す。 第 −図 4;粗調エソロン 5 微調エタロン 6:レーザビーム λχうy乏長情七1トシ V 5mつロ転圧オ旨・全 第 第 図 図 第 3 図 xo:訂疋i直 第 5 ス 訂j1 第 図 第 図 第 図 毛 続 補 正 書 事件の表示 特願昭63−262877号 発明の名称 レーザ安定化方法 F+Ii正分する者 事件との関係  特許出題人 住 所     東京都千代田区丸の内二丁目2番3号
名 称  (601)三菱電機株式会社代表行 志岐守

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)微調エタロン及び粗調エタロンにより狭帯域化さ
    れたレーザビームの波長及び出力を安定化するために、 前記レーザビームの波長情報に基づいて、前記微調エタ
    ロンを調整して前記レーザビームの波長を安定化する波
    長制御ステップと、 前記レーザビームの出力情報に基づいて、前記粗調エタ
    ロンを調整して前記レーザビームの出力を安定化する出
    力制御ステップと、 を有するレーザ安定化方法において、 システムが投入されたときに各種パラメータを初期化す
    るステップと、 レーザ発振を開始したときに、コールド状態又はホット
    状態を表わすパラメータKに基づいてコールドスタート
    であるか否かを判定するステップコールドスタートを判
    定したときに、一定の印加電圧で発振させながら前記波
    長制御ステップを実行して暖気運転し且つ前記粗調エタ
    ロンの最適位置をサーチ処理するシステム起動制御ステ
    ップと、 前記レーザビームの波長及び出力がそれぞれ設定値に対
    して所定範囲内になったときに、前記パラメータKをホ
    ット状態の値に設定するステップと、 発振が停止したときに、発振停止後の発振停止時間を計
    算するステップと、 前記発振停止時間が設定時間より大きくなつたときに前
    記パラメータKをコールド状態の値に設定するステップ
    と、 を含むことを特徴とするレーザ安定化方法。
  2. (2)微調エタロン及び粗調エタロンにより狭帯域化さ
    れたレーザビームの波長及び出力を安定化するために、 前記レーザビームの波長情報に基づいて、前記微調エタ
    ロンを調整して前記レーザビームの波長を安定化する波
    長制御ステップと、 前記レーザビームの出力情報に基づいて、前記粗調エタ
    ロンを調整して前記レーザビームの出力を安定化する出
    力制御ステップと、 を有するレーザ安定化方法において、 システムが投入されたときに各種パラメータを初期化す
    るステップと、 コールド状態又はホット状態を表わすパラメータKに基
    づいてコールド状態を判定したときに、前記波長制御ス
    テップにおける前記微調エタロンの初期制御量Y_oを
    記憶して、前記パラメータKをホット状態の値に設定す
    るステップと、 前記波長制御ステップにおける前記微調エタロンのトー
    タル制御量Yを計算するステップと、前記出力制御ステ
    ップにおける前記粗調エタロンのトータル制御量Zを計
    算するステップと、発振が停止したときに、発振停止後
    の発振停止時間を計算するステップと、 発振が停止しているときに、前記発振停止時間及び熱時
    定数に基づいて、前記微調エタロン及び前記粗調エタロ
    ンの各補正制御量を計算し、前記微調エタロン及び前記
    粗調エタロンを補正駆動するステップと、 前記各補正制御量及び前記初期制御量に基づいて前記各
    トータル制御量Y及びZを補正するステップと、 前記発振停止時間が設定時間より大きくなったときに前
    記パラメータKをコールド状態の値に設定するステップ
    と、 を含むことを特徴とするレーザ安定化方法。
JP63262877A 1988-10-20 1988-10-20 レーザ安定化方法 Pending JPH02111090A (ja)

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US07/372,834 US4947398A (en) 1988-10-20 1989-06-29 Laser device with wavelength stabilization control and method of operating the same
CA000612761A CA1286711C (en) 1988-10-20 1989-09-25 Laser device with wavelength stabilization control and method of operating the same
KR1019890014193A KR930004636B1 (ko) 1988-10-20 1989-10-04 레이저 파장 안정화 방법 및 파장 안정화 레이저 장치
DE3935081A DE3935081A1 (de) 1988-10-20 1989-10-20 Lasergeraet und verfahren zur steuerung

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005252806A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Furukawa Electric Co Ltd:The 光送信器、光送信システムおよび出力制御方法

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