JPH0211121B2 - - Google Patents
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- JPH0211121B2 JPH0211121B2 JP57127403A JP12740382A JPH0211121B2 JP H0211121 B2 JPH0211121 B2 JP H0211121B2 JP 57127403 A JP57127403 A JP 57127403A JP 12740382 A JP12740382 A JP 12740382A JP H0211121 B2 JPH0211121 B2 JP H0211121B2
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- layer
- refractive index
- film
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- substrate
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
- G02B1/115—Multilayers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Description
本発明は、赤外線領域の光学部材として用いら
れるゲルマニユウム基板の赤外反射防止膜に関す
る。 従来の色消し反射防止膜の構成の例としては、
基板側から数えて第１層ないし第３層をn1、n2、
n3、空気及び基板の屈折率をnp、nsとするとき、 n1n3＝n22＝npns を満たす屈折率の物質をλ／４の厚さで蒸着する
ものが知られている。しかし、赤外反射防止膜と
してこれを満たす第３層の物質はいずれも耐久性
が低いかあるいは赤外線吸収率が高いかどちらか
の欠点を有する。耐久性の低い材料については反
射防止膜最上層に用いることは好ましくなく、ま
た吸収率の大きい材料についてはできるだけ薄い
膜厚にする必要がある。 従来の赤外線反射防止膜の例としては、米国特
許第3468594号に記載された三層反射防止膜が知
られており、これは基板側から数えて第１層がSi
膜、第２層がZnS、第３層がBaF2の各膜からな
るものである。ところで、この第１層のSiは活性
があるため、蒸着の際の蒸発源に電子銃を使用す
る必要があり、一方一定の生産能率を上げるため
に蒸着速度をある程度高くする必要がある。しか
し、蒸着速度を上げるために電子銃の出力を大き
くするとSiが不均一に加熱され、気体でないSiが
飛散して基板に付着するため、蒸着膜の品質の低
下あるいは生産能率を向上させることができない
等の問題を有する。 さらに、上記第３務のBaF2は、水に対する耐
久性が低くしかも第１表に示すようにヌープ硬さ
も低いため、本従来技術は耐久性に乏しい問題も
有する。
れるゲルマニユウム基板の赤外反射防止膜に関す
る。 従来の色消し反射防止膜の構成の例としては、
基板側から数えて第１層ないし第３層をn1、n2、
n3、空気及び基板の屈折率をnp、nsとするとき、 n1n3＝n22＝npns を満たす屈折率の物質をλ／４の厚さで蒸着する
ものが知られている。しかし、赤外反射防止膜と
してこれを満たす第３層の物質はいずれも耐久性
が低いかあるいは赤外線吸収率が高いかどちらか
の欠点を有する。耐久性の低い材料については反
射防止膜最上層に用いることは好ましくなく、ま
た吸収率の大きい材料についてはできるだけ薄い
膜厚にする必要がある。 従来の赤外線反射防止膜の例としては、米国特
許第3468594号に記載された三層反射防止膜が知
られており、これは基板側から数えて第１層がSi
膜、第２層がZnS、第３層がBaF2の各膜からな
るものである。ところで、この第１層のSiは活性
があるため、蒸着の際の蒸発源に電子銃を使用す
る必要があり、一方一定の生産能率を上げるため
に蒸着速度をある程度高くする必要がある。しか
し、蒸着速度を上げるために電子銃の出力を大き
くするとSiが不均一に加熱され、気体でないSiが
飛散して基板に付着するため、蒸着膜の品質の低
下あるいは生産能率を向上させることができない
等の問題を有する。 さらに、上記第３務のBaF2は、水に対する耐
久性が低くしかも第１表に示すようにヌープ硬さ
も低いため、本従来技術は耐久性に乏しい問題も
有する。
【表】
本発明は、上記従来の問題を鑑みなされたもの
であつて、赤外反射防止の効果が優れており、高
速の蒸着が可能で、かつ容易に高品質の蒸着膜を
得ることができる赤外反射防止膜を提供すること
を目的とする。 本発明の他の目的は、赤外線の吸収が少なくま
た耐久性の高い赤外反射防止膜を提供することで
ある。 本発明は、上記目的を達成するために次の構成
上の特徴を有する。すなわち、ゲルマニユウム基
板の反射防止膜において、基板側から数えて第１
層に中間屈折率のZnS膜、第２層に高屈折率の
Ge、第３層に上記中間屈折率のZnS膜、第４層
に低屈折率のLaF3、BaF2あるいはMgF2、第５
層に上記中間屈折率のZnS膜を配したことであ
る。また、本発明の望ましい実施例としては、上
記第１層ないし第５層の各厚さをd1、d2、d3、
d4、d5各屈折率をn1、n2、n3、n4、n5とすると
き、n1d1：n2d2：n3d3：n4d4：n5d5≒１：２：
4.2：2.5：0.7とすることである。 以下本発明の実施例を説明する。第１実施例
は、 基 板 Ge 第１層 ZnS 光学膜厚(nd) 0.4μｍ 第２層 Ge 光学膜厚 0.8μｍ 第３層 ZnS 光学膜厚 1.7μｍ 第４層 LaF3 光学膜厚 1.0μｍ 第５層 ZnS 光学膜厚 0.3μｍ である。この分光特性は、計算値が第１図に示さ
れ、実験値が第２図に示されるように、赤外域に
おける大気の窓8μｍから12μｍについて高透過率
を得ることができる。なお、第１図ないし第４図
は、縦軸が波長（単位：μｍ）、横軸が透過率
（単位：％）である。 第２実施例は、 基 板 Ge 第１層 ZnS 光学膜厚(nd) 0.4μｍ 第２層 Ge 光学膜厚 0.8μｍ 第３層 ZnS 光学膜厚 1.7μｍ 第４層 BaF2 光学膜厚 1.0μｍ 第５層 ZnS 光学膜厚 0.3μｍ である。この分光特性は、第３図に示されるよう
に、8μｍから12μｍについて高透過率を得ること
ができる。 第３実施例は、 基 板 Ge 第１層 ZnS 光学膜厚 0.4μｍ 第２層 Ge 光学膜厚 0.8μｍ 第３層 ZnS 光学膜厚 1.7μｍ 第４層 MgF2 光学膜厚 1.0μｍ 第５層 ZnS 光学膜厚 0.3μｍ である。この分光特性は、第４図に示されるよう
に、4μｍから15μｍについて高透過率を得ること
ができる。 上記実施例と上記従来例の最上層をBaF2とし
たものとの耐湿テストの結果は、以下の通りであ
り、本発明の耐久性の向上の一端を知ることがで
きる。なお、このテストは50℃、相対湿度95％の
中で行われた。
であつて、赤外反射防止の効果が優れており、高
速の蒸着が可能で、かつ容易に高品質の蒸着膜を
得ることができる赤外反射防止膜を提供すること
を目的とする。 本発明の他の目的は、赤外線の吸収が少なくま
た耐久性の高い赤外反射防止膜を提供することで
ある。 本発明は、上記目的を達成するために次の構成
上の特徴を有する。すなわち、ゲルマニユウム基
板の反射防止膜において、基板側から数えて第１
層に中間屈折率のZnS膜、第２層に高屈折率の
Ge、第３層に上記中間屈折率のZnS膜、第４層
に低屈折率のLaF3、BaF2あるいはMgF2、第５
層に上記中間屈折率のZnS膜を配したことであ
る。また、本発明の望ましい実施例としては、上
記第１層ないし第５層の各厚さをd1、d2、d3、
d4、d5各屈折率をn1、n2、n3、n4、n5とすると
き、n1d1：n2d2：n3d3：n4d4：n5d5≒１：２：
4.2：2.5：0.7とすることである。 以下本発明の実施例を説明する。第１実施例
は、 基 板 Ge 第１層 ZnS 光学膜厚(nd) 0.4μｍ 第２層 Ge 光学膜厚 0.8μｍ 第３層 ZnS 光学膜厚 1.7μｍ 第４層 LaF3 光学膜厚 1.0μｍ 第５層 ZnS 光学膜厚 0.3μｍ である。この分光特性は、計算値が第１図に示さ
れ、実験値が第２図に示されるように、赤外域に
おける大気の窓8μｍから12μｍについて高透過率
を得ることができる。なお、第１図ないし第４図
は、縦軸が波長（単位：μｍ）、横軸が透過率
（単位：％）である。 第２実施例は、 基 板 Ge 第１層 ZnS 光学膜厚(nd) 0.4μｍ 第２層 Ge 光学膜厚 0.8μｍ 第３層 ZnS 光学膜厚 1.7μｍ 第４層 BaF2 光学膜厚 1.0μｍ 第５層 ZnS 光学膜厚 0.3μｍ である。この分光特性は、第３図に示されるよう
に、8μｍから12μｍについて高透過率を得ること
ができる。 第３実施例は、 基 板 Ge 第１層 ZnS 光学膜厚 0.4μｍ 第２層 Ge 光学膜厚 0.8μｍ 第３層 ZnS 光学膜厚 1.7μｍ 第４層 MgF2 光学膜厚 1.0μｍ 第５層 ZnS 光学膜厚 0.3μｍ である。この分光特性は、第４図に示されるよう
に、4μｍから15μｍについて高透過率を得ること
ができる。 上記実施例と上記従来例の最上層をBaF2とし
たものとの耐湿テストの結果は、以下の通りであ
り、本発明の耐久性の向上の一端を知ることがで
きる。なお、このテストは50℃、相対湿度95％の
中で行われた。
第１図は第１実施例の計算による分光特性を示
すグラフ、第２図は第１実施例の実験値の分光特
性を示すグラフ、第３図は第２実施例の計算によ
る分光特性を示すグラフ、第４図は第３実施例の
計算による分光特性を示すグラフである。
すグラフ、第２図は第１実施例の実験値の分光特
性を示すグラフ、第３図は第２実施例の計算によ
る分光特性を示すグラフ、第４図は第３実施例の
計算による分光特性を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ゲルマニユウム基板の反射防止膜において、
基板側から数えて第１層に中間屈折率のZnS膜、
第２層に高屈折率のGe、第３層に上記中間屈折
率のZnS膜、第４層に低屈折率のLaF3、BaF2あ
るいはMgF2、第５層に上記中間屈折率のZnS膜
を配したことを特徴とする基板ゲルマニウムの赤
外反射防止膜。 ２ 上記第１層ないし第５層の各厚さをd1、d2、
d3、d4、d5各屈折率をn1、n2、n3、n4、n5とする
とき、 n1d1：n2d2：n3d3：n4d4：n5d5≒１：２：4.2：
2.5：0.7 である特許請求の範囲第１項記載の基板ゲルマニ
ユウムの赤外線反射防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57127403A JPS5917502A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | ゲルマニユウム基板の赤外反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57127403A JPS5917502A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | ゲルマニユウム基板の赤外反射防止膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917502A JPS5917502A (ja) | 1984-01-28 |
| JPH0211121B2 true JPH0211121B2 (ja) | 1990-03-13 |
Family
ID=14959122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57127403A Granted JPS5917502A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | ゲルマニユウム基板の赤外反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917502A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9575216B2 (en) | 2011-05-24 | 2017-02-21 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Infrared-transmitting film, method for producing infrared-transmitting film, infrared optical component, and infrared device |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2586527B2 (ja) * | 1987-11-26 | 1997-03-05 | ミノルタ株式会社 | 反射防止膜 |
| JP2009086533A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Sumitomo Electric Hardmetal Corp | 赤外用多層膜、赤外反射防止膜及び赤外レーザ用反射ミラー |
| TR201000297A2 (tr) * | 2010-01-14 | 2011-08-22 | Aselsan Elektron�K Sanay� Ve T�Caret Anon�M ��Rket� | Bir kızılötesi mercek. |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP57127403A patent/JPS5917502A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9575216B2 (en) | 2011-05-24 | 2017-02-21 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Infrared-transmitting film, method for producing infrared-transmitting film, infrared optical component, and infrared device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5917502A (ja) | 1984-01-28 |
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