JPH0211170B2 - - Google Patents
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- JPH0211170B2 JPH0211170B2 JP15612883A JP15612883A JPH0211170B2 JP H0211170 B2 JPH0211170 B2 JP H0211170B2 JP 15612883 A JP15612883 A JP 15612883A JP 15612883 A JP15612883 A JP 15612883A JP H0211170 B2 JPH0211170 B2 JP H0211170B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- section
- turns
- conductor
- delay line
- inductance
- Prior art date
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Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 39
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 32
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 32
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 32
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/30—Time-delay networks
- H03H7/32—Time-delay networks with lumped inductance and capacitance
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はインダクタンス素子とコンデンサとを
梯子形に組合せてなる電磁遅延線に係り、特に立
上がり時間が100ps以下の超高速のものから10ns
程度の比較的高速のものまで広範囲の立上がり特
性を得ることが可能で、デイジタル回路およびア
ナログ回路に用いることの可能な電磁遅延線の改
良に関する。
梯子形に組合せてなる電磁遅延線に係り、特に立
上がり時間が100ps以下の超高速のものから10ns
程度の比較的高速のものまで広範囲の立上がり特
性を得ることが可能で、デイジタル回路およびア
ナログ回路に用いることの可能な電磁遅延線の改
良に関する。
このような比較的立上がり時間の速い電磁遅延
線としては、複数のインダクタンスを直列接続し
てインダクタンス素子を形成するとともに、隣合
うインダクタンス間とアースとの間に各々コンデ
ンサを接続して梯子形に形成してなる構成があ
り、特に、形状の小型化を図る場合には、それら
インダクタンスを棒状ボビン上に所定の間隔で共
軸的に巻いて構成したものがある。
線としては、複数のインダクタンスを直列接続し
てインダクタンス素子を形成するとともに、隣合
うインダクタンス間とアースとの間に各々コンデ
ンサを接続して梯子形に形成してなる構成があ
り、特に、形状の小型化を図る場合には、それら
インダクタンスを棒状ボビン上に所定の間隔で共
軸的に巻いて構成したものがある。
このような電磁遅延線は、隣り合うインダクタ
ンス間に形成される係合係数をa1、１つおいたイ
ンダクタンス間に形成される結合係数をa2、２つ
おいたインダクタンス間に形成される結合係数を
a3、（ｎ−１）個おいたインダクタンス間に形成
される結合係数をaoとすると、特に結合係数a1，
a2が電磁遅延線の遅延特性に大きく影響すること
が知られている。
ンス間に形成される係合係数をa1、１つおいたイ
ンダクタンス間に形成される結合係数をa2、２つ
おいたインダクタンス間に形成される結合係数を
a3、（ｎ−１）個おいたインダクタンス間に形成
される結合係数をaoとすると、特に結合係数a1，
a2が電磁遅延線の遅延特性に大きく影響すること
が知られている。
そして従来から、結合係数a1の値をa1＝0.1〜
0.2、結合係数a2の値をa2＝−0.015〜−0.03、結
合係数a3の値をa3＝0.01〜0.02程度に各々選定す
ることにより、良好な遅延特性を得ることができ
るとされている。
0.2、結合係数a2の値をa2＝−0.015〜−0.03、結
合係数a3の値をa3＝0.01〜0.02程度に各々選定す
ることにより、良好な遅延特性を得ることができ
るとされている。
このような良好な遅延特性を得るために従来
は、電磁遅延線を構成する各インダクタンスの結
合の向きを工夫し、正の結合係数a1およびを負の
結合係数a2を得ていた。
は、電磁遅延線を構成する各インダクタンスの結
合の向きを工夫し、正の結合係数a1およびを負の
結合係数a2を得ていた。
しかし、電磁遅延線を構成する場合、現実には
インダクタンス素子におけるインダクタンス間の
結合係数a1，a2の値として上述したような理論的
最適値もしくはこれに近い値を得ることが困難で
あり、特に棒状ボビン上に複数のインダクタンス
を共軸的に巻いて直列接続する場合には、結合係
数a1，a2の値が大きくなり易い。
インダクタンス素子におけるインダクタンス間の
結合係数a1，a2の値として上述したような理論的
最適値もしくはこれに近い値を得ることが困難で
あり、特に棒状ボビン上に複数のインダクタンス
を共軸的に巻いて直列接続する場合には、結合係
数a1，a2の値が大きくなり易い。
しかも、結合係数a1，a2の最適値を得るために
インダクタンスの捲線方向を変える等して結合の
方向を変えると、インダクタンスの構造が複雑と
なり易く、製造も面倒となる欠点がある。
インダクタンスの捲線方向を変える等して結合の
方向を変えると、インダクタンスの構造が複雑と
なり易く、製造も面倒となる欠点がある。
本発明はこのような状況のもとになされたもの
で、結合係数の最適値を得ることが容易で良好な
遅延特性が得られるうえ、構造も簡単な電磁遅延
線の提供を目的とする。
で、結合係数の最適値を得ることが容易で良好な
遅延特性が得られるうえ、構造も簡単な電磁遅延
線の提供を目的とする。
すなわち本発明は、導体を巻いたインダクタン
ス素子と、前記導体とアース間に接続されたコン
デンサとを具備し、複数区間を有する電磁遅延線
において、前記インダクタンス素子が、前記導体
を整数ターンを巻いた第１の区間およびこの第１
の区間より0.5ターン異なる第２の区間を交互に
配置し、かつ前記第１および第２の区間相互の導
体間にて正の相互誘導と負の相互誘導の数を異な
らせたものである。
ス素子と、前記導体とアース間に接続されたコン
デンサとを具備し、複数区間を有する電磁遅延線
において、前記インダクタンス素子が、前記導体
を整数ターンを巻いた第１の区間およびこの第１
の区間より0.5ターン異なる第２の区間を交互に
配置し、かつ前記第１および第２の区間相互の導
体間にて正の相互誘導と負の相互誘導の数を異な
らせたものである。
このような本発明の構成によれば、インダクタ
ンス素子を形成するインダクタンス間の最適な結
合係数を得ることが容易となり、例えば高速の立
上がり時間等の良好な遅延特性を得ることができ
るうえ、構成も簡単となる利点を有する。
ンス素子を形成するインダクタンス間の最適な結
合係数を得ることが容易となり、例えば高速の立
上がり時間等の良好な遅延特性を得ることができ
るうえ、構成も簡単となる利点を有する。
以下、本発明の詳細を説明する。
第１図および第２図は本発明の電磁遅延線の一
実施例を示す概略正面図および概略側面図であ
り、第３図はその等価回路図である。
実施例を示す概略正面図および概略側面図であ
り、第３図はその等価回路図である。
第１図および第２図において、断面長方形の偏
平なボビン１には、導体２が単層ソレノイド状に
ピツチＰでスペース巻きされ、インダクタンス素
子３が形成されている。なお、図中符号Ｗはボビ
ン１の長辺方向における導体２間の距離であり、
符号Ｔはボビン１の短辺方向における導体２間の
距離である。
平なボビン１には、導体２が単層ソレノイド状に
ピツチＰでスペース巻きされ、インダクタンス素
子３が形成されている。なお、図中符号Ｗはボビ
ン１の長辺方向における導体２間の距離であり、
符号Ｔはボビン１の短辺方向における導体２間の
距離である。
インダクタンス素子３において、例えば、第１
図中ボビン１の下面左側の導体２（A1点）を基
準として順に1.5ターン目、１ターン目、…の導
体２（各々A2点、A3点）−以下1.5ターン目およ
び１ターン目の繰り返し−とアース間にコンデン
サＣが梯子状に接続され、電磁遅延線４が形成さ
れている。
図中ボビン１の下面左側の導体２（A1点）を基
準として順に1.5ターン目、１ターン目、…の導
体２（各々A2点、A3点）−以下1.5ターン目およ
び１ターン目の繰り返し−とアース間にコンデン
サＣが梯子状に接続され、電磁遅延線４が形成さ
れている。
このように構成された電磁遅延線４は、1.5タ
ーン分の捲線をインダクタンスＬの第２の区間と
し、１ターン分の捲線をインダクタンスL′の第１
の区間とし、これらが交互に配置された第３図に
示すような構成となつている。
ーン分の捲線をインダクタンスＬの第２の区間と
し、１ターン分の捲線をインダクタンスL′の第１
の区間とし、これらが交互に配置された第３図に
示すような構成となつている。
インダクタンスＬの第２の区間と他の第１およ
び第２の区間では、隣合う区間から順に結合係数
a1，a2，a3，…で結合し、インダクタンスL′の第
１の区間と他の第１および第２の区間との間で
は、隣合う区間から順に結合係数a1，a2′，a3，
…で結合している。すなわち、偶数番目の結合に
あつては、第１および第２の区間との間では異な
つた値を有することとなる。
び第２の区間では、隣合う区間から順に結合係数
a1，a2，a3，…で結合し、インダクタンスL′の第
１の区間と他の第１および第２の区間との間で
は、隣合う区間から順に結合係数a1，a2′，a3，
…で結合している。すなわち、偶数番目の結合に
あつては、第１および第２の区間との間では異な
つた値を有することとなる。
なお、第３図においては、図中左側の区間に着
目してその右側の結合を示しているが、実際は左
側の結合も存在して左右対称になつている。
目してその右側の結合を示しているが、実際は左
側の結合も存在して左右対称になつている。
次に、このように構成された電磁遅延線を詳細
に検討する。
に検討する。
第４図は、第１図のＸ−X′の断面における導
体２のみを示したもので、左上の斜線で示される
導体（Ｗ側上面の長さ√2＋（２）2の導体を
意味する）を基準に、その右側に位置するＷ側上
面の下面の導体間の相互誘導関係を示してもので
ある。
体２のみを示したもので、左上の斜線で示される
導体（Ｗ側上面の長さ√2＋（２）2の導体を
意味する）を基準に、その右側に位置するＷ側上
面の下面の導体間の相互誘導関係を示してもので
ある。
同図において、同じ列とでは電流の向きが同じ
であるので正結合となつて順にM01、M02、M03、
…となり、他の列とでは電流の向きが逆であるの
で負の結合となつてM11、M12、M13、…を持つ。
なお、図中その左にも対称的に同じ結合があり、
斜線で示した以外の導体もすべて同様の結合を持
つている。
であるので正結合となつて順にM01、M02、M03、
…となり、他の列とでは電流の向きが逆であるの
で負の結合となつてM11、M12、M13、…を持つ。
なお、図中その左にも対称的に同じ結合があり、
斜線で示した以外の導体もすべて同様の結合を持
つている。
説明を容易にするために、Ｗに対してＴが小さ
いものとして、Ｔ側を省略できる場合を考えて示
すと、第４図中破線で囲んだ部分が１区間を構成
する導体群となる。
いものとして、Ｔ側を省略できる場合を考えて示
すと、第４図中破線で囲んだ部分が１区間を構成
する導体群となる。
左側の導体群は導体３本からなるインダクタン
スＬとなり、その次の導体群は導体２本からなり
インダクタンスL′構成し、以下、順に３本、２本
の導体群を繰り返す。ここで、１つ置きの３本の
導体群は0.5ターンの部分が上下交互に配置され
る。
スＬとなり、その次の導体群は導体２本からなり
インダクタンスL′構成し、以下、順に３本、２本
の導体群を繰り返す。ここで、１つ置きの３本の
導体群は0.5ターンの部分が上下交互に配置され
る。
この場合、第３図の各インダクタンスＬ，L′と
結合係数a1、a2、a2′、a3の関係は、導体１本の
インダクタンスをLsとすると、次の式で表すこ
とができる。
結合係数a1、a2、a2′、a3の関係は、導体１本の
インダクタンスをLsとすると、次の式で表すこ
とができる。
Ｌ＝３・Ls＋２・M01−４・M11 ………(1)
L′＝２・Ls−２・M11 ………(2)
a2＝２・M02＋２・M03−M12−３・M13−M14
／Ｌ………(4) a2′＝M02＋M03−２・M13／L′ ………(5) 上述の(3)〜(6)式の各式中の正負の相互誘導の数
に着目すると、奇数番目の結合係数a1およびa3で
は正負各３つ存在していることが判る。これに対
して、偶数番目の結合係数a2では正が４つ、負が
５つ存在し、結合係数a2′は正負とも各々２つ存
在している。すなわち、結合係数a2のみが負の相
互誘導の数が１つだけ多い。相互誘導の値は、導
体２間の距離が近い程大きくなるが、各式におけ
る同じ式中各相互誘導の値が同じ導体群に属する
ものであるから、値はあまり大きくは異ならず、
少しづつ異なる複数の相互誘導から構成されてい
る。
／Ｌ………(4) a2′＝M02＋M03−２・M13／L′ ………(5) 上述の(3)〜(6)式の各式中の正負の相互誘導の数
に着目すると、奇数番目の結合係数a1およびa3で
は正負各３つ存在していることが判る。これに対
して、偶数番目の結合係数a2では正が４つ、負が
５つ存在し、結合係数a2′は正負とも各々２つ存
在している。すなわち、結合係数a2のみが負の相
互誘導の数が１つだけ多い。相互誘導の値は、導
体２間の距離が近い程大きくなるが、各式におけ
る同じ式中各相互誘導の値が同じ導体群に属する
ものであるから、値はあまり大きくは異ならず、
少しづつ異なる複数の相互誘導から構成されてい
る。
従つて、従来の電磁遅延線ではＬ＝L′でa2＝
a2′となるが、上述の本発明の構成では一般的に
a1＞a2′＞a3＞０でa2＜０となる。そこで、｜a2｜
＞a2′となるようにすれば、a2′の正の値をa2の負
の値で補償して、総合的にa2とa2′の組合せで負
の値の理想特性を持つようにすることができる。
a2′となるが、上述の本発明の構成では一般的に
a1＞a2′＞a3＞０でa2＜０となる。そこで、｜a2｜
＞a2′となるようにすれば、a2′の正の値をa2の負
の値で補償して、総合的にa2とa2′の組合せで負
の値の理想特性を持つようにすることができる。
このように本発明は、各区間相互における導体
２間の負の相互誘導の数を正の相互誘導の数より
も多くすることで、容易に負の結合を実現するこ
とに特徴があり、インダクタンス素子３の構造が
非常に単純になる。
２間の負の相互誘導の数を正の相互誘導の数より
も多くすることで、容易に負の結合を実現するこ
とに特徴があり、インダクタンス素子３の構造が
非常に単純になる。
なお、上述の構成では、導体２を1.5ターン巻
いた第２の区間および導体２を１ターン巻いた第
１の区間とを交互に配置させた例、すなわち第１
の区間を整数ターンとし、これより0.5ターン多
い第２の区間による例を示した。しかし、本発明
にあつては、整数ターンが２ターン以上の第１の
区間と、これより0.5ターン多い第２の区間との
組合せ等でも実施可能である。
いた第２の区間および導体２を１ターン巻いた第
１の区間とを交互に配置させた例、すなわち第１
の区間を整数ターンとし、これより0.5ターン多
い第２の区間による例を示した。しかし、本発明
にあつては、整数ターンが２ターン以上の第１の
区間と、これより0.5ターン多い第２の区間との
組合せ等でも実施可能である。
本発明者は、線径0.1mmの裸導線をＷ＝６mm、
Ｔ＝0.4mm、Ｐ＝3.1mmで単層ソレノイド状に45タ
ーンスペース巻きし、整数ターンが２ターンのイ
ンダクタンスL′およびそれに0.5ターン加えた2.5
ターンのインダクタンスＬが交互に配置されるよ
うに容量値2.3pFのコンデンサＣを接続し、イン
ダクタンスＬ，L′の区間が交互に10区間づつ計20
区間配置された電磁遅延線を構成した。
Ｔ＝0.4mm、Ｐ＝3.1mmで単層ソレノイド状に45タ
ーンスペース巻きし、整数ターンが２ターンのイ
ンダクタンスL′およびそれに0.5ターン加えた2.5
ターンのインダクタンスＬが交互に配置されるよ
うに容量値2.3pFのコンデンサＣを接続し、イン
ダクタンスＬ，L′の区間が交互に10区間づつ計20
区間配置された電磁遅延線を構成した。
この場合、理論値で結合線a1＝0.114、a2＝−
0.047、a2′＝0.031、a3＝0.019となり、特性インピ
ーダンスは100Ω、遅延時間はインダクタンスＬ
の区間が１区間当たり250ps、インダクタンス
L′の区間が１区当たり200ps、合計20区間の遅延
時間が4.5nsで、立上り時間が400psの高速性が得
られた。第５図は本発明の電磁遅延線の他の実施
例を示すものである。
0.047、a2′＝0.031、a3＝0.019となり、特性インピ
ーダンスは100Ω、遅延時間はインダクタンスＬ
の区間が１区間当たり250ps、インダクタンス
L′の区間が１区当たり200ps、合計20区間の遅延
時間が4.5nsで、立上り時間が400psの高速性が得
られた。第５図は本発明の電磁遅延線の他の実施
例を示すものである。
ボビン１に導線２を巻回したインダクタンス素
子３の構造は、第１図と同様である。そして、整
数ターンA2点およびA3点間の１ターンも同じで
あり、ただA1点およびA2点間が整数ターンより
も0.5ターン少ない0.5ターンで構成されている。
子３の構造は、第１図と同様である。そして、整
数ターンA2点およびA3点間の１ターンも同じで
あり、ただA1点およびA2点間が整数ターンより
も0.5ターン少ない0.5ターンで構成されている。
このような構成の電磁遅延線も第３図と同じ等
価回路で表され、第４図と同じ導体間の相互誘導
で第３図を表現すると、 Ｌ＝Ls ………(7) L′＝２・Ls−２・M11 ………(8) a2＝−M12／Ｌ ………(10) a2′＝M01＋M02−２・M12／L′ ………(11) となり、a2の(10)式のみが正の相互誘導がなく、負
の相互誘導１つしか存在しないので、負の相互誘
導の数が正の相互誘導の数より多くなつており、
その他は正と負の相互誘導の数が等しくなる。
価回路で表され、第４図と同じ導体間の相互誘導
で第３図を表現すると、 Ｌ＝Ls ………(7) L′＝２・Ls−２・M11 ………(8) a2＝−M12／Ｌ ………(10) a2′＝M01＋M02−２・M12／L′ ………(11) となり、a2の(10)式のみが正の相互誘導がなく、負
の相互誘導１つしか存在しないので、負の相互誘
導の数が正の相互誘導の数より多くなつており、
その他は正と負の相互誘導の数が等しくなる。
従つて、結合係数a2のみが負でその他の結合係
数a1、a2′、a3は正となる。この場合も｜a2｜＞
a2′とすれば、良好な結合係数を容易に得ること
ができる。
数a1、a2′、a3は正となる。この場合も｜a2｜＞
a2′とすれば、良好な結合係数を容易に得ること
ができる。
ところで、本発明にあつては、整数ターンが２
ターン以上の場合でもそれより0.5ターン少ない
巻数と交互に組合せることで、いろいろの組合せ
が考えられる。要は導体を整数ターンを巻いた第
１の区間およびこの第１の区間より0.5ターン異
なる第２の区間を交互に配置しすれば本発明の目
的達成が可能である。
ターン以上の場合でもそれより0.5ターン少ない
巻数と交互に組合せることで、いろいろの組合せ
が考えられる。要は導体を整数ターンを巻いた第
１の区間およびこの第１の区間より0.5ターン異
なる第２の区間を交互に配置しすれば本発明の目
的達成が可能である。
以上の実施例にあつては説明を容易にするた
め、インダクタンス素子３においてＴ側を無視で
きるようＷ≫Ｔの場合で説明したが、ＷとＴの比
は任意に決めてもピツチＰや導体２の線径等を適
当に選択すれば良い遅延特性を実現できる。
め、インダクタンス素子３においてＴ側を無視で
きるようＷ≫Ｔの場合で説明したが、ＷとＴの比
は任意に決めてもピツチＰや導体２の線径等を適
当に選択すれば良い遅延特性を実現できる。
また、ボビン１は四角形でなく、円形、楕円形
等任意の形状で実施可能であり、導体２も断面円
形の他に導体条やその他エツチングによる形成等
も可能である。
等任意の形状で実施可能であり、導体２も断面円
形の他に導体条やその他エツチングによる形成等
も可能である。
以上説明したように本発明の電磁遅延線は、導
体を整数ターン巻いた第１の区間およびこの第１
の区間より0.5ターン異なる第２の区間を交互に
配置し、かつ前記第１および第２の区間相互の導
体間にて正負の相互誘導の数を異ならせたインダ
クタンス素子を有するので、インダクタンス素子
の各区間の最適な結合係数を得ることが容易とな
つて良好な遅延特性が得られるし、インダクタン
ス素子の構成が単純化される。
体を整数ターン巻いた第１の区間およびこの第１
の区間より0.5ターン異なる第２の区間を交互に
配置し、かつ前記第１および第２の区間相互の導
体間にて正負の相互誘導の数を異ならせたインダ
クタンス素子を有するので、インダクタンス素子
の各区間の最適な結合係数を得ることが容易とな
つて良好な遅延特性が得られるし、インダクタン
ス素子の構成が単純化される。
第１図および第２図は本発明の電磁遅延線の一
実施例を示す概略正面図および概略側面図、第３
図は第１図に示す電磁遅延線の等価回路図、第４
図は第１図に示す電磁遅延線の区間相互の結合を
説明する図、第５図は本発明の電磁遅延線の他の
実施例を示す概略断面図である。 １……ボビン、２……導体、３……インダクタ
ンス素子、a1，a2，a2′，a3……結合係数、Ｃ…
…コンデンサ、Ｌ，L′……インダクタンス。
実施例を示す概略正面図および概略側面図、第３
図は第１図に示す電磁遅延線の等価回路図、第４
図は第１図に示す電磁遅延線の区間相互の結合を
説明する図、第５図は本発明の電磁遅延線の他の
実施例を示す概略断面図である。 １……ボビン、２……導体、３……インダクタ
ンス素子、a1，a2，a2′，a3……結合係数、Ｃ…
…コンデンサ、Ｌ，L′……インダクタンス。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導体を巻いたインダクタンス素子と、前記導
体とアース間に接続されたコンデンサとを具備
し、複数区間を有する電磁遅延線において、前記
インダクタンス素子が、前記導体を整数ターン巻
いた第１の区間およびこの第１の区間より0.5タ
ーン異なる第２の区間を交互に配置し、かつ前記
第１および第２の区間相互の導体間にて正の相互
誘導と負の相互誘導の数を異ならせてなることを
特徴とする電磁遅延線。 ２ 第２の区間が、第１の区間より0.5ターン多
く巻かれてなる特許請求の範囲第１項記載の電磁
遅延線。 ３ 第２の区間が、第１の区間より0.5ターン少
なく巻かれてなる特許請求の範囲第１項記載の電
磁遅延線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15612883A JPS6047510A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 電磁遅延線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15612883A JPS6047510A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 電磁遅延線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047510A JPS6047510A (ja) | 1985-03-14 |
| JPH0211170B2 true JPH0211170B2 (ja) | 1990-03-13 |
Family
ID=15620932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15612883A Granted JPS6047510A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 電磁遅延線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047510A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63247589A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-10-14 | ドーサン エ コンパーニュ | 溶融金属を収容するためのタンディツシュもしくは鋳造用取鍋およびそのライニング形成方法 |
| JPH021553U (ja) * | 1988-06-10 | 1990-01-08 |
-
1983
- 1983-08-25 JP JP15612883A patent/JPS6047510A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6047510A (ja) | 1985-03-14 |
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