JPH0211168B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0211168B2 JPH0211168B2 JP13549783A JP13549783A JPH0211168B2 JP H0211168 B2 JPH0211168 B2 JP H0211168B2 JP 13549783 A JP13549783 A JP 13549783A JP 13549783 A JP13549783 A JP 13549783A JP H0211168 B2 JPH0211168 B2 JP H0211168B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- inductance element
- delay line
- distance
- electromagnetic delay
- Prior art date
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Links
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- 239000011295 pitch Substances 0.000 claims 1
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/30—Time-delay networks
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はインダクダンス素子とコンデンサを組
み合わせた電磁遅延線に係り、特に、超高周波で
の使用に適し遅延時間の比較的大きな電磁遅延線
の改良に関する。
み合わせた電磁遅延線に係り、特に、超高周波で
の使用に適し遅延時間の比較的大きな電磁遅延線
の改良に関する。
この種の電磁遅延線としては、第１図および第
２図に示す構成のものがある。
２図に示す構成のものがある。
すなわち、偏平な棒状ボビン１に、線径Ｄの導
線２を所定のピツチＰで単層ソレノイド状にスペ
ース巻きしてインダクタンス素子３を形成し、細
長い誘電体板４の一主面にアース電極５を設ける
とともに対向主面に前記導線２と同ピツチで容量
電極６を設けてコンデンサＣを形成し、そのコン
デンサＣの容量電極６とインダクタンス素子３の
導線２とを接続して複数区間を有する集中定数型
に構成したものである。
線２を所定のピツチＰで単層ソレノイド状にスペ
ース巻きしてインダクタンス素子３を形成し、細
長い誘電体板４の一主面にアース電極５を設ける
とともに対向主面に前記導線２と同ピツチで容量
電極６を設けてコンデンサＣを形成し、そのコン
デンサＣの容量電極６とインダクタンス素子３の
導線２とを接続して複数区間を有する集中定数型
に構成したものである。
なお、両図において符号Ｗはボビン１における
断面長辺方向の距離であり、符号Ｂはボビン１の
断面短辺方向の距離であり、さらに符号Ｔは、ボ
ビン１の断面短辺方向における電流の向きが異な
る導線２の中心間の距離を示している。
断面長辺方向の距離であり、符号Ｂはボビン１の
断面短辺方向の距離であり、さらに符号Ｔは、ボ
ビン１の断面短辺方向における電流の向きが異な
る導線２の中心間の距離を示している。
このように構成された電磁遅延線は、距離Ｔ，
Ｂ，Ｄの間に Ｔ＝Ｂ＋Ｄ ………(1) なる関係があり、ピツチＰと距離Ｔの比を適当
（例えば0.2＜Ｐ／Ｔ＜1.9程度）に選定すること
により、良好な遅延特性例えば超高速の立ち上が
り特性を得ることが可能である。このような関係
については本出願人が既に特願昭57−27135号を
もつて開示した。
Ｂ，Ｄの間に Ｔ＝Ｂ＋Ｄ ………(1) なる関係があり、ピツチＰと距離Ｔの比を適当
（例えば0.2＜Ｐ／Ｔ＜1.9程度）に選定すること
により、良好な遅延特性例えば超高速の立ち上が
り特性を得ることが可能である。このような関係
については本出願人が既に特願昭57−27135号を
もつて開示した。
そして、このような電磁遅延線にあつて、超高
速で遅延時間の比較的大きなものを得るために
は、巻数（区間数）を多くしなければならない。
速で遅延時間の比較的大きなものを得るために
は、巻数（区間数）を多くしなければならない。
例えば100程度の区間数を有する電磁遅延線に
おいては、導線２の損失による超高周波域での減
衰が無視できなくなり、それを防ぐために導線２
の断面積を大きくする必要がある。
おいては、導線２の損失による超高周波域での減
衰が無視できなくなり、それを防ぐために導線２
の断面積を大きくする必要がある。
しかし、上述の(1)式から明らかなように、導線
２の断面積を大きくするために線径Ｄを増やす
と、距離Ｔも大きくなつてピツチＰと距離Ｔの関
係が遅延特性を良好にする上述の条件からずれて
くる。
２の断面積を大きくするために線径Ｄを増やす
と、距離Ｔも大きくなつてピツチＰと距離Ｔの関
係が遅延特性を良好にする上述の条件からずれて
くる。
もっとも、ボビン１の距離Ｂを小さくて距離Ｄ
を増やしても距離Ｔが大きくならないようにすれ
ばよいが、ボビン１に導線２を巻く構成の電磁遅
延線にあつては、ボビン１の距離Ｂを零とするこ
とができず、(1)式から Ｂ＝Ｔ−Ｄ＞０ ………(2) の関係があり、結局、 Ｔ＞Ｄ ………(3) すなわち、導線２の距離Ｔが線径Ｄより大きく
なつていた。
を増やしても距離Ｔが大きくならないようにすれ
ばよいが、ボビン１に導線２を巻く構成の電磁遅
延線にあつては、ボビン１の距離Ｂを零とするこ
とができず、(1)式から Ｂ＝Ｔ−Ｄ＞０ ………(2) の関係があり、結局、 Ｔ＞Ｄ ………(3) すなわち、導線２の距離Ｔが線径Ｄより大きく
なつていた。
そのため、比較的遅延時間が大きい、換言すれ
ば区間数の多い電磁遅延線を構成する場合には、
導線２の損失を抑え、かつピツチＰと距離Ｔの寸
法双方を上述した関係に選定するとともに小さく
して超小型および超高速の電磁遅延線を実現する
には限界がある。
ば区間数の多い電磁遅延線を構成する場合には、
導線２の損失を抑え、かつピツチＰと距離Ｔの寸
法双方を上述した関係に選定するとともに小さく
して超小型および超高速の電磁遅延線を実現する
には限界がある。
本発明はこのような状況の下になされたもの
で、インダクタンス素子における導体の幅を大き
く保つたまま上述したピツチＰや導体間の距離Ｔ
の寸法を小さくすることが可能で、損失が少な
く、超小型および超高速で構造の簡単な電磁遅延
線の提供を目的とする。
で、インダクタンス素子における導体の幅を大き
く保つたまま上述したピツチＰや導体間の距離Ｔ
の寸法を小さくすることが可能で、損失が少な
く、超小型および超高速で構造の簡単な電磁遅延
線の提供を目的とする。
この目的を達成するために本発明は、導体を単
層ソレノイド状にスペース巻きした偏平なインダ
クタンス素子と、このインダクタンス素子の所定
のターン毎にアースとの間に接続したコンデンサ
を備具してなる電磁遅延線において、前記導体の
幅をＤとし、前記インダクタンス素子の短辺方向
で対向する前記導体の中心間の間隔をＴとし、前
記インダクタンス素子がＤ≧Ｔなる関係に設定さ
れてなるものである。
層ソレノイド状にスペース巻きした偏平なインダ
クタンス素子と、このインダクタンス素子の所定
のターン毎にアースとの間に接続したコンデンサ
を備具してなる電磁遅延線において、前記導体の
幅をＤとし、前記インダクタンス素子の短辺方向
で対向する前記導体の中心間の間隔をＴとし、前
記インダクタンス素子がＤ≧Ｔなる関係に設定さ
れてなるものである。
このような本発明の構成によれば、インダクタ
ンス素子における導体の幅を大きく保つたままピ
ツチＰおよび距離Ｔの寸法を共に小さくすること
が可能となり、導体の損失を抑えてインダクタン
ス素子の望ましい結合係数を得ることができる。
ンス素子における導体の幅を大きく保つたままピ
ツチＰおよび距離Ｔの寸法を共に小さくすること
が可能となり、導体の損失を抑えてインダクタン
ス素子の望ましい結合係数を得ることができる。
そのため、超高周波域での信号の減衰が少な
く、かつ良好な遅延特性例えば超高速の立ち上が
り特性が得られるとともに超小型化を図ることが
極めて容易となる。
く、かつ良好な遅延特性例えば超高速の立ち上が
り特性が得られるとともに超小型化を図ることが
極めて容易となる。
特に、区間数の多い電磁遅延線にあつては、導
体の損失が極めて少なくなるので、有用である。
体の損失が極めて少なくなるので、有用である。
以下本発明の詳細を説明する。
第３図および第４図は本発明の一実施例を示す
平面図および断面図である。
平面図および断面図である。
両図において、絶縁体からなり偏平で細長いボ
ビン７の幅の広い両主面（図中上面および下図）
には、幅方向に複数の巻溝８，９が所定のピツチ
Ｐで形成されている。ボビン７の上面および下面
に形成された巻溝８，９は、互いに若干オーバー
ラツプする深さ、かつ上面および下面の間で各々
半ピツチ分ずれるようにして形成されている。
ビン７の幅の広い両主面（図中上面および下図）
には、幅方向に複数の巻溝８，９が所定のピツチ
Ｐで形成されている。ボビン７の上面および下面
に形成された巻溝８，９は、互いに若干オーバー
ラツプする深さ、かつ上面および下面の間で各々
半ピツチ分ずれるようにして形成されている。
ボビン７の巻溝８，９には、巻溝８，９の幅と
略同じ幅すなわち線径Ｄを有する導線１０が単層
ソレノイド状にスペース巻きされており、インダ
クタンス素子１１が形成されている。そして、巻
溝８，９が互いに若干オーバーラツプする深さで
形成されているので、巻かれたインダクタンス素
子１１は、ボビン７の短辺方向の導線１０の中心
間の距離Ｔが導線１０の線径Ｄよりも小さく、Ｔ
＜Ｄとなつている。
略同じ幅すなわち線径Ｄを有する導線１０が単層
ソレノイド状にスペース巻きされており、インダ
クタンス素子１１が形成されている。そして、巻
溝８，９が互いに若干オーバーラツプする深さで
形成されているので、巻かれたインダクタンス素
子１１は、ボビン７の短辺方向の導線１０の中心
間の距離Ｔが導線１０の線径Ｄよりも小さく、Ｔ
＜Ｄとなつている。
インダクタンス素子１１の一側面（ボビン７の
短辺方向の一側面）において、第４図に示すよう
に、誘電体板１２の一主面にアース電極１３を形
成しかつ対向主面に導線１０と同ピツチで容量電
極１４を形成してなるコンデンサ素子Ｃが、その
容量電極１４を導線１０に半田付けして接続され
ており、複数区間を有する集中定数型の電磁遅延
線が構成されている。
短辺方向の一側面）において、第４図に示すよう
に、誘電体板１２の一主面にアース電極１３を形
成しかつ対向主面に導線１０と同ピツチで容量電
極１４を形成してなるコンデンサ素子Ｃが、その
容量電極１４を導線１０に半田付けして接続され
ており、複数区間を有する集中定数型の電磁遅延
線が構成されている。
なお第３図中符号Ｐは、ボビン７の両主面各々
における隣合う導体１０の中心間の間隔であり、
上述した第１図の電磁遅延線のピツチＰに相当す
る。
における隣合う導体１０の中心間の間隔であり、
上述した第１図の電磁遅延線のピツチＰに相当す
る。
このように構成された電磁遅延線においては、
インダクタンス素子１１が、ボビン７の短辺方向
の導線１０の中心間の距離Ｔを導線１０の線径Ｄ
よりも小さく、すなわちＴ＜Ｄとしているので、
導線１０の線径Ｄが大きくても導線１０の中心間
の距離Ｔの寸法が小さくなる。
インダクタンス素子１１が、ボビン７の短辺方向
の導線１０の中心間の距離Ｔを導線１０の線径Ｄ
よりも小さく、すなわちＴ＜Ｄとしているので、
導線１０の線径Ｄが大きくても導線１０の中心間
の距離Ｔの寸法が小さくなる。
そのため、区間数が多くても導線１０の損失を
抑えることが可能で、ピツチＰおよび距離Ｔを小
さくかつ良好な条件に選定してインダクタンス素
子９における望ましい結合係数も確保することが
できる。
抑えることが可能で、ピツチＰおよび距離Ｔを小
さくかつ良好な条件に選定してインダクタンス素
子９における望ましい結合係数も確保することが
できる。
従つて、超高周波域において、減衰を改良でき
るし、良好な遅延特性例えば超高速の立ち上がり
特性を得ることができ、形状も小型となる。
るし、良好な遅延特性例えば超高速の立ち上がり
特性を得ることができ、形状も小型となる。
しかも、距離Ｔは、第１図のようにボビン１を
介して得られるものではなく、巻溝８，９の深さ
を適当に選択することにより、任意に、特に微小
に選定可能であつて構造が簡単である。
介して得られるものではなく、巻溝８，９の深さ
を適当に選択することにより、任意に、特に微小
に選定可能であつて構造が簡単である。
第５図〜第７図は本発明の電磁遅延線の別の実
施例を示すものである。
施例を示すものである。
この実施例においては、銅箔や銅板からなり所
定の長さＨ−Ｉ，Ｉ−Ｊ，Ｊ−Ｋ，……を有する
幅Ｄの導体片１５〜１７……を、その中心を交互
にずらせて一体的に連結して帯状導体１８を形成
し、第６図に示すように、各導体片１５〜１７の
境界部Ｈ，Ｉ，Ｊ，Ｋ，……をじぐざぐ状に折り
曲げた偏平なインダクタンス素子１１を形成し、
その帯状導体１８の折り曲げ部に、第４図に示す
ようなコンデンサＣの容量電極１４を接続し、複
数区間を有する集中定数型の電磁遅延線が構成さ
れている。
定の長さＨ−Ｉ，Ｉ−Ｊ，Ｊ−Ｋ，……を有する
幅Ｄの導体片１５〜１７……を、その中心を交互
にずらせて一体的に連結して帯状導体１８を形成
し、第６図に示すように、各導体片１５〜１７の
境界部Ｈ，Ｉ，Ｊ，Ｋ，……をじぐざぐ状に折り
曲げた偏平なインダクタンス素子１１を形成し、
その帯状導体１８の折り曲げ部に、第４図に示す
ようなコンデンサＣの容量電極１４を接続し、複
数区間を有する集中定数型の電磁遅延線が構成さ
れている。
このような電磁遅延線は、Ｈ−Ｉ，Ｊ−Ｋ間の
各導体片１５，１７の中心は、第５図に示す仮想
線Ｑ−Ｑの上に位置し、Ｉ−Ｊ間の導体片１６の
中心は仮想線Ｒ−Ｒの上に位置する。そのため、
上述した電磁遅延線の距離Ｔに相当する距離は、
帯状導体１８が折り曲げられた場合に対向する導
体の中心間の距離、すなわち仮想線Ｑ−ＱとＲ−
Ｒ間の距離となる。
各導体片１５，１７の中心は、第５図に示す仮想
線Ｑ−Ｑの上に位置し、Ｉ−Ｊ間の導体片１６の
中心は仮想線Ｒ−Ｒの上に位置する。そのため、
上述した電磁遅延線の距離Ｔに相当する距離は、
帯状導体１８が折り曲げられた場合に対向する導
体の中心間の距離、すなわち仮想線Ｑ−ＱとＲ−
Ｒ間の距離となる。
この場合にも、距離Ｔは、各導体片１５，１７
と導体片１６の中心をずらせるだけで極めて小さ
くすることが可能となるうえ、導体片１５〜１７
の幅Ｄは距離Ｔより広くすることが可能であり、
損失を抑えることができる。
と導体片１６の中心をずらせるだけで極めて小さ
くすることが可能となるうえ、導体片１５〜１７
の幅Ｄは距離Ｔより広くすることが可能であり、
損失を抑えることができる。
さらに、第６図に示すように、導体１８が薄く
ピツチＰも小さくできるので、ピツチＰおよびＴ
を共に極めて小さく選定可能となり、そのため、
高密度化および超小型化を図りつつ良好な遅延特
性を得ることができる。
ピツチＰも小さくできるので、ピツチＰおよびＴ
を共に極めて小さく選定可能となり、そのため、
高密度化および超小型化を図りつつ良好な遅延特
性を得ることができる。
また、上述の実施例においてインダクタンス素
子１１の導線１０や導体片１８の幅Ｄと距離Ｔの
関係をＤ＞Ｔとして構成したが、本発明にあつて
は少なくともＤ≧Ｔなる関係に選定すれば本発明
の目的達成が可能である。
子１１の導線１０や導体片１８の幅Ｄと距離Ｔの
関係をＤ＞Ｔとして構成したが、本発明にあつて
は少なくともＤ≧Ｔなる関係に選定すれば本発明
の目的達成が可能である。
以上説明したように本発明の電磁遅延線は、偏
平なインダクタンス素子を構成する導体の幅をＤ
とし、短辺方向で対向する前記導体の中心間の間
隔をＴとし、前記インダクタンス素子をＤ≧Ｔな
る関係に設定したので、導体の断面積を大きくし
たままＰおよびＴを共に小さくすることが可能と
なり、導体の損失が小さく、超小型化および超高
速化を達成することが可能であり、構造も簡単と
なる。
平なインダクタンス素子を構成する導体の幅をＤ
とし、短辺方向で対向する前記導体の中心間の間
隔をＴとし、前記インダクタンス素子をＤ≧Ｔな
る関係に設定したので、導体の断面積を大きくし
たままＰおよびＴを共に小さくすることが可能と
なり、導体の損失が小さく、超小型化および超高
速化を達成することが可能であり、構造も簡単と
なる。
第１図および第２図は本発明の参考となる電磁
遅延線を示す正面図および側面図、第３図および
第４図は本発明の電磁遅延線の一実施例を示す平
面図および側面図、第５図〜第７図は本発明の電
磁遅延線の他の実施例を示す要部展開図、正面図
および概略側面図である。 １，７……ボビン、２，１０，１８……導体
（導線）、３，１１……インダクタンス素子、４，
１２……絶縁基板（誘電体板）、５，１３……ア
ース電極、６，１４……容量電極、１５〜１７…
…導体片、１８……帯状導体、Ｃ……コンデン
サ。
遅延線を示す正面図および側面図、第３図および
第４図は本発明の電磁遅延線の一実施例を示す平
面図および側面図、第５図〜第７図は本発明の電
磁遅延線の他の実施例を示す要部展開図、正面図
および概略側面図である。 １，７……ボビン、２，１０，１８……導体
（導線）、３，１１……インダクタンス素子、４，
１２……絶縁基板（誘電体板）、５，１３……ア
ース電極、６，１４……容量電極、１５〜１７…
…導体片、１８……帯状導体、Ｃ……コンデン
サ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導体を単層ソレノイド状にスペース巻きした
偏平なインダクタンス素子と、 このインダクタンス素子の所定のターン毎にア
ースとの間に接続したコンデンサを備具してなる
電磁遅延線において、 前記導体の幅をＤとし、前記インダクタンス素
子の短辺方向で対向する前記導体の中心間の間隔
をＴとし、前記インダクタンス素子がＤ≧Ｔなる
関係に設定されてなることを特徴とする電磁遅延
線。 ２ インダクタンス素子が、偏平なボビンの対向
主面に各々所定のピツチで互いにオーバーラツプ
する深さで形成された巻溝に導体を巻いてなる特
許請求の範囲第１項記載の電磁遅延線。 ３ インダクタンス素子が、所定の長さの導体片
複数をその導体片の中心を交互にずらせて一体的
に連続形成するとともに、隣合う導体片の境界部
を順次じぐざぐ状に折り曲げてなる特許請求の範
囲第１項記載の電磁遅延線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13549783A JPS6027214A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 電磁遅延線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13549783A JPS6027214A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 電磁遅延線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027214A JPS6027214A (ja) | 1985-02-12 |
| JPH0211168B2 true JPH0211168B2 (ja) | 1990-03-13 |
Family
ID=15153120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13549783A Granted JPS6027214A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 電磁遅延線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027214A (ja) |
-
1983
- 1983-07-25 JP JP13549783A patent/JPS6027214A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6027214A (ja) | 1985-02-12 |
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