JPH02112224A - 投影露光方法および装置 - Google Patents

投影露光方法および装置

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JPH02112224A
JPH02112224A JP63263893A JP26389388A JPH02112224A JP H02112224 A JPH02112224 A JP H02112224A JP 63263893 A JP63263893 A JP 63263893A JP 26389388 A JP26389388 A JP 26389388A JP H02112224 A JPH02112224 A JP H02112224A
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JP
Japan
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laser beam
projection exposure
light source
laser
optical system
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JP63263893A
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Hiroshi Fukuda
宏 福田
Keiji Kataoka
慶二 片岡
Shinji Okazaki
信次 岡崎
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH02112224A publication Critical patent/JPH02112224A/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体、誘電体、超電導体、磁性体の各固体
素子のりソグラフィを用いた微細加工に好適な、特にレ
ーザ先登光源とする投影露光方法および装置に関するも
のである。
〔従来の技術〕
LSIにおける回路パタンのパタニングなどに現在用い
られているリソグラフィ技術には、主に高圧水銀ランプ
のg線(波長436nm)またはi線(波長365nm
)を光源とする、縮小投影露光法が使用されている。一
方、LSIなどにおける集積度の増大に伴い回路パタン
の寸法は微細化の一途をたどり、上記リソグラフィ技術
にはその解像限界の向上が要求されている。
上記縮小投影露光法における限界解像度は、露光波長に
比例し、投影レンズの開口数(NA)に反比例する。し
たがって、解像限界を向上するためには露光波長を短か
く、投影レンズの開口数を大きくする必要がある。また
、現在光学技術の限界からNAはほぼ上限に達しており
、実際のバタン形成プロセスで重要な指標となる焦点深
度を確保するためにも、短波長化による解像度向上が有
利である。このため、遠紫外波長領域において強力な光
源であるエキシマレーザを用いた投影露光法が有望視さ
れている。この方法は、原理的には0.3μI以下のバ
タン形成も可能にする潜在能力を有している。エキシマ
レーザを用いた投影露光法については、例えば「ソリッ
ド・ステート・テクノロジー」1月号(1987)(S
olid 5tate Technology/Jan
uary (1987) )第71頁から第76頁にお
いて、論じられている。
〔発明が解決しようとする課題〕
エキシマレーザなどの気体レーザにおけるビーム形状は
、レーザの主放電の形状、したがって主放電用電極構造
、特に上記電極間の距離および電極の幅によって定まる
。エキシマレーザにおいて、均一で高出力の放電を得る
ために最適化された電極構造では、一般にレーザビーム
の断面形状(以下、レーザビームの進行方向に垂直な平
面におけるビーム形状をビーt1断面形状と呼ぶ)は縦
横比が異なる矩形形状になる。
一方、一般にレーザビームのフレネル数、すなわち上記
ビームに含まれる横モード数NはλL で表わされる。ここに、dは上記ビームの断面寸法、λ
はレーザ発振波長、Lはレーザ共振器の長さである。上
式に示すように、Nの値はビーム寸法の2乗に比例する
ため、上記縦横比が異なる断面形状を有するビームでは
、上記縦横の各方向に含まれる横モードの数が異なる。
さらに、上記各方向における単位長さ当りのモード数も
異なる。
レーザビームの横モード数は、レーザの空間的コヒーレ
ンシイ(可干渉性)に関係し、一般1こ横モード数が増
大するにしたがって、ビームの空間的コヒーレンシイは
低下する。したがって、従来型の投影露光装置において
、その光源を上記縦横比が異なる断面形状のレーザビー
ムに置き換えて投影露光を行うと、露光光学系の光軸に
垂直な平面内で、特定の方向に対するコヒーレンシイの
大小、すなわち、コヒーレンシイの異方性が生じる。
一方、投影露光法における結像性能は露光光のコヒーレ
ンシイに依存するので、上記コヒーレンシイの異方性に
よりバタン解像力の異方性を生じる。
すなわち、マスク上のパタンの方向によりその解像力に
差を生じる。
従来、等方向かつ実質的に無限大の横モード数を含む高
圧水銀ランプのg線または」線を光源とする投影露光法
においては、一般に照明光学系内の2次光源面に円型ア
パチャを設け、有効光源領域(2次光源)の大きさを規
定することにより、パーシャリーコヒーレン1へな照明
を行っている。
上記円型アパチャの直径を変更することにより、空間的
コヒーレンシイを様々に設定することが可能である。空
間コヒーレンシイを表わすコヒーレンス・ファクターは
、上記アパチャの径の2乗に比例する。
しかしながら、上記エキシマレーザ光のように、上記2
次光源面へ入射するビーム自体がその断面の縦横方向に
異なる空間コヒーレンシイを有する場合には、照明光の
空間コヒーレンシイは上記アパチャの径だけでは決まら
ない。このため、たとえ上記円型アパチャを用いても、
上記縦横方向のコヒーレンシイの差は完全には解消しな
い。また、この場合にはアパチャによりレーザビームの
かなりの部分が遮断され、レーザビームの利用効率が低
下する。このため、エキシマレーザの高出力を最大限に
利用し、露光強度を上げることができない。この問題を
解決するためには1例えばシリンドリカルレンズ等を用
いてレーザビーム断面をほぼ正方形に成形し、上記アパ
チャにより遮断される領域を最小限にすることが有効で
ある。しかしこの場合に、レーザビームの長辺方向が縮
小、または短辺方向が拡大されるため、長辺、短辺方向
における単位長さ当り横モート数の差はさらに大きくな
る。このため、上記コヒーレンシイの異方性はさらに顕
著になるおそれがある。
実際、シリンドリカルレンズを用いて正方形に断面成形
したレーザビームを便用して投影露光を行い、マスク」
二のパタンを基板上に転写したところ、マスク上で互い
に直交する方向にのびるラインアンドスペースバタン(
細長い露光部と遮光部の繰返しパタン)の一方が解像す
るのに対し、もう一方が解像しないという現象が生じた
。また、シリンドリカルレンズによるビーム成形を行わ
ない場合も同様であった。
従来、このような縦横方向の解像力の差は、般に投影レ
ンズの非点収差等により生じるものとされてきた。しか
し、エキシマレーザ投影露光で現れた上記現象は、例え
は投影レンズを90°回転してバタン転写を行っても、
高い解像性を有する方向が変化しないこと、およびエキ
シマレーザから出射するレーザ光束を、光軸を中心とし
て90゜回転させてバタン転写を行うと、高い解像性を
有する方向も90°回転することから、投影レンズの収
差でないことが判る。
一般に1、SI等の回路のパタニングにおいては、縦方
向・横方向ともに微細なパタンを形成する必要がある。
したがって、上記のような結像性能の異方性は大きな障
害になる。
本発明の目的は、上記レーザビームの空間コヒーレンシ
イの異方性に起因するバタン結像性能の異方性、すなわ
ち、マスク」−のパタンの方向性により解像カレこ差を
生しないような露光方法および装置を得ることにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記1」的は、レーザ光を露光光源とする投影露光装置
において、照明光学系内の2次光源面(有効光源領域)
を通過するレーザ光の縦横方向に含まれる横モード数を
、ほぼ等しくすることにより達成される。
元のレーザビームが、その断面の縦横方向に異なる横モ
ード数を含む場合、上記2次光源m」に入射するレーザ
光の各方向に対する横モー1〜数を等しくするためには
、レーザ光源を発したレーザビームを、ビーム進行方向
を軸として、互いに異なる角度回転させた複数のビーt
1を合成する。例えば、90°回転させたビームと元の
ビームを合成するなどすればよい。また、基板上の一露
光領域に対する露光において、上記複数ビームのそれぞ
れを用いて別々に行うか、ビームをその進行方向を軸に
回転しながら行うなどしてもよい。さらに、レーザ共振
器内部に、−辺または直径が元のビーム断面の短辺寸法
より小さい、ほぼ正方形または円型形状のアパチャを、
少なくとも]−個以上並列に挿入し、上記各アパチャを
通して互いに31を行に発振された、少なくとも1個以
」二のレーザビー11の合成ビームを用いて露光を行っ
てもよい。
また、上記目的は、照明光学系内の2次光源面における
有効光源領域の形状を、上記2次光源面に入射するレー
ザビームの断面において、上記ビームに含まれる横モー
ド数が最大の方向に対する寸法が、上記ビームに含まれ
る横モード数最小の方向に対する寸法より小さくなるよ
うにすることにより達成される。
さらにまた、上記有効光源領域の形状を、上記2方向に
含まれる横モー1〜数の比に応じた縦横比を有する矩形
またはだ円形状とすることにより達成される。
〔作  用〕
投影露光装置の照明光学系内2次光源面における光軸対
称な有効光源領域に含まれるレーザ光の横モード数が、
上記領域内の異なる2方向で等しければ、上記2方向に
対する空間的コヒーレンシイを等しくすることができる
。したがって、上記2方向に対して同等のバタン解像力
が得られる。
ここで、レーザ光源を発した矩形断面のレーザビームの
長辺方向(横方向とする)に含まれる横モード数をA、
同様に短辺方向(縦方向とする)に含まれるモード数を
Bとする。例えば、上記ビームをシリンドリカルレンズ
を用いて正方形に成形したのち、ビームスプリッタを用
いて2分割し、その一方を元のビームの進行方向を軸に
90’回転し、再び元のビームと合成したとする。この
とき、合成されたビームに含まれるモード数は、縦横方
向ともにA+Bになる。すなわち、このようなビームの
進行方向を軸とした回転、合成により、その縦横方向に
含まれるモード数をほぼ等しくすることができる。した
がって、上記のような合成光を用いて投影露光を行えば
、マスク上のバタン方向により解像度の差を生じること
がない。
また、レーザ共振器内部へ元のビームの短辺寸法より小
さな正方形または円型アパチャを挿入して、発振するビ
ーム形状の縦横比をほぼ等しくすると、上記フレネル数
の式より明らかなように、ビームの縦横方向に含まれる
横モード数はほぼ等しくなる。したがって、レーザ共振
器内の元のビームの通過領域に上記アパチャをN個(N
22)並列に挿入し、元のビームを8本の縦横比が等し
いビームに分割・成形し、上記8本のビームのそれぞれ
、または合成ビームを用いて投影露光を行えば、マスク
」二のバタンの方向により解像度の差が生しることがな
い。
また、」―記有効光源領域の・」法をビームの横モード
数最小の方向に対して大きく、横モード数最大の方向に
対して小さくすると、上記各方向に対して横モード数が
少ないことによる高いコヒーレンシイは、有効光源領域
の寸法が大きいことにより、また横モード数が多いこと
による低いコヒーレンシイは有効光源領域の寸法が小さ
いことによりそれぞれ相殺され、上記各方向に対して均
一なコヒーレンシイが実現される。これにより、マスク
上のバタンの方向によって解像度の差を生じることがな
い。
〔実施例〕
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。
第1図および第2図は本発明による投影露光装置の第1
実施例における光学系をそれぞれ示す図、第3図は上記
第2図に示した光学系の他の例を示す図、第4図は」−
配光学系のさらに他の例を示す図、第5図は本発明によ
る投影露光装置の第2実施例における光学系を示す図、
第6図および第7図は像回転プリズムの機能をそれぞれ
示す図、第8図は本発明の第3実施例である光学系を示
す図。
第9図は本発明の第4実施例である光学系を示す図、第
10図および第11図は本発明の第7実施例を示す図で
ある。
第1図において、第1実施例の縮小投影露光装置は、エ
キシマレーザ光源1、レーザビーム成形・回転・合成光
学系2、照明光学系3、レチクル4、投影レンズ5、ウ
ェハステージ6、およびその他の縮小投影露光装置に必
要な各種構成要素からなっている。上記レーザビーム成
形・回転・合成光学系2は、第2図に示すように、シリ
ン1〜リカルレンズ21.22、ビームスプリッタ23
.24およびミラー25.26.27.28.29によ
り構成され、図示のように配置されている。
レーザ光源1を発し狭イ(F化されたレーザビー13は
、レーザビーム成形・回転・合成光学系2、照明光学系
3を経て、レチクル4を照射する。レチクル4上のマス
クパタンは、投影レンズ5によリウェハステージ6の近
傍に結像する。レーザ光源]からレーザビー11成形・
回転・合成光学系2に入射した矩形断面を有するレーザ
ビームは、シリンドリカルレンス21.22により、そ
の断面形状をほぼ正方形に成形されたのち、ビームスプ
リッタ23シこより2木の光束31および32に分割さ
れる。上記ビームスプリッタ23をそのまま直進する光
束31は、ビームスプリンタ24を経て照明光学系3に
入射する。上記ビームスプリンタ23により分割された
もう一方の光束32は、ミラー25.26.27.28
、Z9を経て、ビームスプリッタ24により上記光束3
1と再び合成されたのち照明光学系3に入射する。
光束32は、順にビームスプリッタ23、ミラー25.
26、27.28.29およびビームスプリッタ24を
通過することにより、光束31に対して、その進行方向
を軸として90°回転される。したがって、ビームスプ
リッタ24により合成されたのちのレーザビームは、元
のビーlいと、元のビームをビーム進行方向を軸に90
″′回転したビームとの合成ビームになる。ビームスプ
リッタ23により分割される前にレーザビームは正方形
に成形されているので、90゜回転した光束32の断面
は元の光束31の断面とほぼ完全に重なり合う。
本装置を用いてレチクル」二のマスクパタンを、基板上
に形成したレジスト膜に転写した。その結果、上記マス
クの縦方向・横方向のそれぞれに対して解像力の差は見
られず、ともに微細パタンの形成が可能であった。
一方、光束31または32のどちらか一方を遮断して露
光を行った場合には、マスクの縦横方向で解像力に差が
現われ、本発明の効果が確認された、。
なお、本実施例では、従来の投影露光装置同様に照明光
学系2内の2次光源面内に設けた通常の円型アパチャに
より、いbゆるコヒーレンスファクタを0.1〜1の間
で変化させてパタン形成を試みたが、レーザビームの成
形・回転・合成光学系による上記レーザビームの回転・
合成の効果は、いずれの場合にも明らかであった。シリ
ンドリカルレンズによるビーム形状成形は光束31.3
2に分割後、それぞれの光束に刻して独立に行っても構
わない。また、レーザビームの利用効率が小さくても差
支えない場合には、上記ビーム断面形状の成形は必ずし
も必要でない。ただし、この場合には、2つの光束が重
なった領域をアパチャ等を用いて選択し、これにより露
光を行うことが好ましい。
ビームスプリッタ24を通過したのちの光束3】および
32の光強度がほぼ等しくなるように、各ビームスプリ
ンタおよびミラーの反射率、透過率を設定した。また、
光束31の光路内にアテネータを挿入するなどして、上
記各光束の光強度を等しくしてもよい。本実施例では、
レーザビーム成形・回転・合成光学系として第2図に示
したような光学系を用いたが、これとほぼ等価な機能を
有する他の光学系を用いても構わない。
例えば第3図に示したように、第2図のミラー25〜2
9を2個のミラー40.41と1個の像回転プリズム4
2に置き換えてもよい。像回転プリズム42の設置角度
を調整することにより、これを通過するビームを、その
進行方向を軸に90°回転することができる。像回転プ
リズムのビーム回転機能については、第2実施例におい
て説明する。なお、照明光学系3が、いわゆるケラ−照
明の条件を満たしている場合には、光束31と光束32
とは必ずしも重なり合う必要がなく、第2図または第3
図にパしたようなビームスプリッタ23.24に代えて
、例えば第4図に示したようなビームスプリッタ43.
44を用いた構成としてもよい。さらに、ビームの回転
角に関しては本実施例中に示した値に限らず、他の角度
の組合わせでもかまわない。例えば元のビームと、元の
ビームを進行方向を軸にそれぞれ45°、90°、13
5°回転したビームを、重ね合わせるなどしてもよい。
スペックルを抑制するために、露光中照明光学系内のフ
ライアイレンズを光軸に垂直な平面内の縦横方向に揺動
させた。これに関しても、上記フライアイレンズを光軸
を軸として回転させる、あるいはレーザビーム自体を走
査するなど、その他のスペックル抑制手段を用いること
ができる。また、本実施例ではレーザ光をレーザ光源に
おいて狭帯化して用いたが、投影レンズの色収差特性に
よっては必ずしも狭帯化を行う必要はない。本実施例に
よれば、エキシマレーザ光の利用効率を低下させること
なく、解像度の異方性を解消した、すくれた投影露光装
置を得ることができる。
つぎに、本発明の第2実施例を第5図により説明する。
本実施例では、上記第1実施例におけるレーザビーム成
形・回転・合成光学系の代りに、第5図に示すような像
回転プリズム50および像プリズム回転装置51からな
る光学系を設置した。
レーザ光源を出射し適当な形状に断面成形されたレーザ
ビームは、像回転プリズム50の斜面の一方に入射し、
屈折により上記プリズム内で進行方向を変え、上記プリ
ズム底面で反射し、さらに上記プリズム50のもう一方
の斜面に到達し、ここで屈折により再び進行方向を変え
て出射される。上記プリズムは露光中休回転プリズム回
転装置51により光軸を軸として回転する。これに伴い
、上記プリズムを出射したビームは、その進行方向髪軸
に回転する。上記のように、レーザビームをその進行方
向を軸に回転させながら露光を行うことにより、上記レ
ーザビームに含まれる横モー1〜数の異方性が平均化さ
れる。本装置を用いて第1実施例同様の実験を行い、同
様の効果を得た。
つぎに、上記像回転プリズムの機能について。
第6図および第7図により説明する。第6図は像回転プ
リズムを通過したときのレーザビー11の方向変化を示
した図である6第6図および第7図において、矢印は上
記ビー15断面内でビーム固有の特定方向、例えばその
横モード数最大の方向を表わす。第6図(、)は上記特
定の方向が、上記プリズムの底面に垂直に入射した場合
で、図示のようにプリズムを通過することにより、上記
方向が反転することが判る。一方、第6図(b)は、上
記特定の方向がプリズムの底面と平行に入射した場合で
、図示のようにプリズムを通過することによっても上記
の方向は変化しない。
第7図は上記ブリズ11に入射するビーム固有の特定方
向と上記プリズム底面の相対的な角度が、垂直(90’
 )と平行(○°)との間にあるときの、上記方向の像
回転プリズムの通過前後における変化を示したものであ
る。第7図から判るように、上記相対的角度を適当に設
定することにより、上記プリズムに入射するビームを、
その進行方向を軸に任意の角度回転させることができる
なお、第5図中の像回転プリズ11回転装置51はあく
まで概念的な模式図であり、これにより、上記プリズム
の回転方法を規定するものではない。
また、露光中にレーザビームを、その進行方向を軸に回
転さぜることがてきる他の光学系を用いてもよいことは
いうまでもない。さらに、上記回転は本実施例で示した
ような連続的なものに限らず、段階的なものであっても
よい。
つぎに、上記のような例を第3実施例として説明する。
第3実施例は第8図に示すように、上記第1実施例にお
けるレーザビーム成形・回転・合成光学系2内のビーム
スプリンタ23.24に代えて。
回11V1チョッパ16]、62を設けたものである。
−J二部2つの回転チョッパ鏡61と62とを同期させ
ながら回転することにより、光束3■と光束32との切
換えが行われる。したがって、基板上の一露光領域の露
光中に、上記回転チョッパ鏡を回転することにより、上
記露光はビーム進行方向を軸に、ビーム断面の縦横が入
れ替った2つのレーザビームにより交互に行われる。本
実施例により、上記第1実施例と同様の効果が得られた
つぎに、第9図を用いて本発明の第4実施例を説明する
。第9図は縮小投影露光装置におけるエキシマレーザ光
源部を示す構成図である。上記光源部は、放電部を含む
レーザガスキャビティ71、レーザ共振器を形成する一
対の反射鏡72および出力鏡73、狭帯域化用エタロン
74、アパチャ75、ミラー76.77およびハーフミ
ラ−78,79を含むもので、それぞれ第9図に示すよ
うに配置されている。
アパチャ75は、並列に配置された複数の正方形開口部
をもつものであり、上記アパチャ75を介してレーザが
発振することにより、同一の放電部から縦横比が等しい
複数のビー11がi4)られるようになっている。これ
ら複数のビームはミラー76.77およびハーフミラ−
78,79により合成されたのち、上記露光装置の照明
光学系と投影光学系を含む露光光学系に進み、所望のバ
タン露光に供される。
本装置を用いて上記第1実施例と同様の効果を得ること
ができた。なお、上記複数のビームは、必ずしもミラー
75.77およびハーフミラ−78,79を用いて合成
する必要はない。
アパチャ75における複数の各開口部の一辺の寸法は、
上記アパチャ75を設けないときのビーム(以下、元の
ビームと呼ぶ)の短辺寸法より小さくするのが好ましい
。また、並列に配置する開口部の数は、上記元のビーム
の縦横比に応じて設定するのが好ましい。なお、各開口
部の縦横寸法は厳密に等しくなくても構わず、またその
形状も、正方形以外に例えば円形等であってもよい。さ
らに、上記アパチャ75は第9図に示した位置に限らず
、反射鏡72と出力鏡73どの間の設置可能な任意の位
置に配置することができる。
同様に、狭帯域化用エタロン74の配置も本実施例に示
した位置に限らず、さらに他の狭帯域化学段を用いても
構わない。また、使用する投影レンズの色収差特性によ
っては、狭帯域化自体必ずしも必要でないことはいうま
でもない。本実施例では、得られた複数のビームを合成
して1個の露光光学系へ導いていたが、上記合成を行わ
ずに、各ビームをそれぞれ別個の露光光学系に導き、複
数ウェハの露光を並行して行うなどしてもよい。
本発明による投影露光装置の第5実施例は、上記投影露
光装置の露光光源として、ビーム断面内の縦方向および
横方向に対し、ほぼ等しい横モード数を含むレーザビー
ムを出射するレーザ共振器を設けたもので、第1実施例
と同様のバタン形成を行い、同様の効果が得られた。
本発明による投影露光装置の第6実施例は、上記投影露
光装置において、−露光領域の露光中に、露光光源のレ
ーザ共振器を上記共振器の光軸を軸として回転できるよ
うにしたものである。上記第1実施例と同様のバタン形
成を行うことができ、同様の効果を得ることができた。
つぎに、第10図および第11図を用いて本発明の第7
実施例を説明する。本実施例では、上記第1実施例にお
けるレーザビーム成形・回転・合成光学系に代えて、第
10図に示すようなシリンドリカルレンズ81.82か
らなる光学系を設けた。上記シリンドリカルレンズ8I
、82は、光源を発した矩形断面レーザビー1183の
断面を、その長辺方向すなわち横モード数が最大の方向
に対して縮小成形し、上記シリン1〜リ力ルレンズ通過
後の上記方向に対するビーム寸法を、元のビームの短辺
方向寸法(上記レンズ通過後も変らず)より小さくする
一方、照明光学系内2次光源面のアパチャを十分大きく
して、有効光源(2次光源)領域が上記成形されたビー
ム84の断面形状および寸法により、第11図に示すよ
うに決定されるようにした。すなわち、これにより有効
光源領域の形状は、その短辺方向が横モード数最大の方
向に−・致した細長い矩形になる。
また、上記シリンドリカルレンズの前後に適当なだ円型
アパチャを設けるなどして、有効光源領域を、短径方向
が上記構モード数最大の方向に−致した細長いだ円とし
てもよい。さらに、適当なレンズを用いて、上記成形さ
れたビームを拡大縮小することにより、上記2次光源面
内の有効光源領域を拡大縮小することができる。
また、上記2次光源面内にだ円型アパチャを設けること
により、短径方向が上記横モード数最人の方向に一致し
た細長いだ円としてもよい。
なお、本実施例におけるシリンドリカルレンズの光学系
は、同じ機能を有する他の光学系、例えば反射光学系等
におきかえても構わない。本実施例の投影露光装置によ
れば、シリン1〜リカルレンズまたはアパチャを用いて
有効光源領域の縦横比を変えることによって、マスクの
縦横方向に対するコヒーレンシイを調整することが可能
である。
本実施例の装置を用いて、上記第1実施例と同様のバタ
ン形成を行い、同様の効果を得ることができた。
〔発明の効果〕
上記のように本発明による投影露光方法および装置は、
レーザ光を用いてマスクバタンを基板−1ニに投影露光
する投影露光方法および装置において、照明光学系内の
2次光源面を通過するレーザ光に含まれた横モード数を
、上記2次光源面内の互いに直交する2方向でほぼ等し
くするか、上記レーザ光の横モード数が最大の方向に対
する上記有効光源寸法を、他の方向に較へて和対的に小
さくしたことにより、露光に寄り、するレーザ光の空間
的コヒーレンシイを、露光光学系の光軸に垂直な平面内
で等方的にして、マスク上の縦方向および横方向に対す
るバタン解像度の差を解消できるため、エキシマレーザ
等のレーザ光を光源どする投影露光法を、L S I回
路バタン笠の微細バタン形成に適用する際の障害を取除
くことができる。
また、上記の結果として、レーザ光を用いたりソクラフ
ィによる0、3μI11以下のバタン形成が可能になり
、これらの超微細バタンを有する固体素子の製造におけ
る信頼性と経済性とを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による投影露光装置の第1実施例におけ
る光学系を示す図、第2図は−[二部光学系のうち、レ
ーザビーム成形・回転・合成光学系を示す図、第3図は
上記し−ザビー11成形・回転・合成光学系の他の例を
示す図、第4図は上記光学系のさらに他の例を示す図、
第5図は本発明による投影露光装置の第2実施例におけ
る光学系を爪す図、第6図および第7図は(&回転プリ
ズムの機能をそれぞれ示す図、第8図は本発明の第3実
施例である光学系を示す図、第9図は本発明の第4実施
例である光学系を示す図、第10図および第11図は本
発明の第7実施例をそれぞれ示す図である。 1・・レーザ光源 2・・・レーザビーム成形・回転・合成光学系3・照明
光学系 6・ウェハステージ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、レーザ光を用いて、マスクパタンを基板上に投影露
    光する投影露光方法において、照明光学系内の2次光源
    面を通過するレーザ光に含まれた横モード数を、上記2
    次光源面内の互いに直交する2方向で、ほぼ等しくした
    ことを特徴とする投影露光方法。 2、上記レーザ光の露光は、レーザビームの進行方向を
    軸として、それぞれ異なる角度に回転させた複数のビー
    ムの合成光を用いて行うことを特徴とする特許請求の範
    囲第1項に記載した投影露光方法。 3、上記レーザ光の露光は、光源から発したレーザビー
    ムを、ビーム進行方向を軸として回転させながら行うこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載した投影露
    光方法。 4、上記レーザ光の露光は、上記レーザ光を発するレー
    ザ共振器内部にアパチャを設け、上記アパチャを介して
    発振されるレーザビームの断面形状の縦横比が、ほぼ1
    に等しくなるようにしたことを特徴とする特許請求の範
    囲第1項に記載した投影露光方法。 5、上記アパチャは、並列に配置した複数の独立した開
    口部を有し、かつ、上記レーザ光による露光は、上記複
    数の開口部を介して発振したそれぞれ縦横比がほぼ1に
    等しいビーム断面形状を有する複数のレーザ光束の合成
    光束を用いて行うことを特徴とする特許請求の範囲第4
    項に記載した投影露光方法。 6、レーザ光を用いてマスクパタンを基板上に投影露光
    する投影露光方法において、照明光学系内の2次光源面
    を、上記レーザビームが通過する有効光源領域が、上記
    レーザビームの横モード数が最大である方向に対して、
    他の方向の有効光源領域の寸法よりも、相対的に小さい
    寸法を有することを特徴とする投影露光方法。 7.上記有効光源領域は、上記横モード数が最大の方向
    に対して最小寸法を有する、矩形またはだ円型としたこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第6項に記載した投影露
    光方法。 8、レーザ光を用いて、マスクパタンを基板上に投影露
    光する投影露光装置において、レーザ光の進行方向を軸
    に、上記レーザ光束を回転させる機能を有することを特
    徴とする投影露光装置。 9、レーザ光を用いて、マスクパタンを基板上に投影露
    光する投影露光装置において、共振器から発振される少
    なくとも1本以上のレーザ光の、それぞれの断面の縦横
    比をほぼ1にする、少なくとも1個以上の開口部を有す
    るアパチャを、上記レーザ光の共振器内部に備えたこと
    を特徴とする投影露光装置。 10、レーザ光を用いて、マスクパタンを基板上に投影
    露光する投影露光装置において、上記レーザ光は非回転
    対称の形状をもつ有効光源を有することを特徴とする投
    影露光装置。 11、上記非回転対称の形状は、上記レーザ光に含まれ
    る横モード数が最大の方向に対して、ほぼ最小の寸法を
    有することを特徴とする特許請求の範囲第10項記載の
    投影露光装置。 12、上記レーザ光は、該レーザの光束が発振された直
    後の断面形状の長辺方向に対して縮少するか、あるいは
    上記断面形状の短辺方向に対して拡大することにより、
    上記レーザ光束の断面形状における縦横方法の大小関係
    を、逆転させる光学手段を有することを特徴とする特許
    請求の範囲第10項記載の投影露光装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007306007A (ja) * 2007-05-29 2007-11-22 Nikon Corp 照明光学装置および露光装置
JP2018507425A (ja) * 2014-12-15 2018-03-15 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. 光学瞳対称化のための方法および装置

Cited By (2)

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