JPH02113087A - 発光テルビウム活性化硼酸塩 - Google Patents
発光テルビウム活性化硼酸塩Info
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- JPH02113087A JPH02113087A JP1228445A JP22844589A JPH02113087A JP H02113087 A JPH02113087 A JP H02113087A JP 1228445 A JP1228445 A JP 1228445A JP 22844589 A JP22844589 A JP 22844589A JP H02113087 A JPH02113087 A JP H02113087A
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- JP
- Japan
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- borate
- luminescent
- earth metal
- radiation
- activated
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/778—Borates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7743—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing terbium
- C09K11/7755—Borates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/38—Devices for influencing the colour or wavelength of the light
- H01J61/42—Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
- H01J61/44—Devices characterised by the luminescent material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は発光テルビウム活性化アルカリ土類金属稀土類
金属硼酸塩に関するものである。本発明は斯種の硼酸塩
を被着した発光スクリーン及び斯種スクリーンを設けた
低圧水銀蒸気放電ランプにも関するものである。
金属硼酸塩に関するものである。本発明は斯種の硼酸塩
を被着した発光スクリーン及び斯種スクリーンを設けた
低圧水銀蒸気放電ランプにも関するものである。
基本格子が一般弐M=Ln2 (BO+) 3によって
表わされるTb’°により活性化した発光アルカリ土類
金属稀土類金属硼酸塩は英国特許明細書第L453,9
91号から既知である。上式におけるMはアルカリ土類
金属を表わし、又Lnは稀土類金属を表わす。この−綴
代によって表わされる全ての化合物は斜方晶系の結晶構
造を有している。斯種の発光硼酸塩を電子やX線放射や
、又は紫外線、特に短波紫外線によって励起すると、硼
酸塩によって放出される放射のスペクトル分布は、多数
の側面発光で約543nmにて極めて急峻で狭いピーク
(半値幅約10nm)を有する特有のTb”発光のス
ペクトル分布となる。
表わされるTb’°により活性化した発光アルカリ土類
金属稀土類金属硼酸塩は英国特許明細書第L453,9
91号から既知である。上式におけるMはアルカリ土類
金属を表わし、又Lnは稀土類金属を表わす。この−綴
代によって表わされる全ての化合物は斜方晶系の結晶構
造を有している。斯種の発光硼酸塩を電子やX線放射や
、又は紫外線、特に短波紫外線によって励起すると、硼
酸塩によって放出される放射のスペクトル分布は、多数
の側面発光で約543nmにて極めて急峻で狭いピーク
(半値幅約10nm)を有する特有のTb”発光のス
ペクトル分布となる。
これら従来の発光硼酸塩の欠点は、254nmの波長を
有する紫外線での励起時における量子効率及びUV吸収
度が相対的に低いと云うことにある。
有する紫外線での励起時における量子効率及びUV吸収
度が相対的に低いと云うことにある。
これらの硼酸塩は約230nmの波長で最大に励起され
る。しかし、低圧水銀蒸気放電ランプに用いる場合には
、約254nmで励起が最大となるようにするのが望ま
しい。その理由は水銀の共鳴放射が約254nmの波長
の所に位置するからである。
る。しかし、低圧水銀蒸気放電ランプに用いる場合には
、約254nmで励起が最大となるようにするのが望ま
しい。その理由は水銀の共鳴放射が約254nmの波長
の所に位置するからである。
本発明の目的は、特に低圧水銀蒸気放電ランプに使用す
るのが好適で、しかも前記英国特許明細書第1,453
.991号から既知の硼酸塩よりもずっと高効率の新規
な発光硼酸塩を提供することにある。
るのが好適で、しかも前記英国特許明細書第1,453
.991号から既知の硼酸塩よりもずっと高効率の新規
な発光硼酸塩を提供することにある。
本発明は、発光テルビウム活性化アルカリ土類金属稀土
類金属硼酸塩において、該硼酸塩が単斜晶系の結晶構造
を有し、且つMが34モル%までをMgと置換すること
のできる元素Ba、 Sr及びCaの内の少なくとも1
つの元素を表わし、Lnが元素La。
類金属硼酸塩において、該硼酸塩が単斜晶系の結晶構造
を有し、且つMが34モル%までをMgと置換すること
のできる元素Ba、 Sr及びCaの内の少なくとも1
つの元素を表わし、Lnが元素La。
Gd、 Y及びScO内の少なくとも1つの元素を表わ
し、0.005≦x≦1とするとき、前記硼酸塩が次式
、即ち M3Lnl−x Tb、(BOt)3 によって表わされることを特徴とする発光テルビウム活
性化硼酸塩にある。
し、0.005≦x≦1とするとき、前記硼酸塩が次式
、即ち M3Lnl−x Tb、(BOt)3 によって表わされることを特徴とする発光テルビウム活
性化硼酸塩にある。
これらの硼酸塩は波長が254nmO所、又はそれに極
めて近い所にて励起が最大となる。さらに、これらの硼
酸塩は254nmの放射下で高い量子効率を呈し、しか
もこの励起放射の吸収度が高いことを確かめた。
めて近い所にて励起が最大となる。さらに、これらの硼
酸塩は254nmの放射下で高い量子効率を呈し、しか
もこの励起放射の吸収度が高いことを確かめた。
本発明による発光硼酸塩は前述した従来の硼酸塩の構造
(斜方晶系)とは全く異なる短斜晶系の結晶構造を有す
る。Mを示す元素にBa+ Sr及び/又はCaを用い
、且つLnとして元素La、 Gd、 Y及び/又はS
cを選定する場合に、所望な短斜晶系の結晶構造を得る
ことができる。Mで表わす元素の限定量(最大34モル
%)を、結晶構造を維持しながら陶と置換することがで
きる。置換するMgの量が多過ぎると、過剰な側面相(
Side Phase)が形成されることになる。
(斜方晶系)とは全く異なる短斜晶系の結晶構造を有す
る。Mを示す元素にBa+ Sr及び/又はCaを用い
、且つLnとして元素La、 Gd、 Y及び/又はS
cを選定する場合に、所望な短斜晶系の結晶構造を得る
ことができる。Mで表わす元素の限定量(最大34モル
%)を、結晶構造を維持しながら陶と置換することがで
きる。置換するMgの量が多過ぎると、過剰な側面相(
Side Phase)が形成されることになる。
テルビウム含有量Xは上述した範囲内に選定する。Xの
量がo、oos以下だと励起放射の吸収度が低過ぎる物
質が得られ、又Xの最大値を1とすると、Lnがテルビ
ウムによって完全に置換される。
量がo、oos以下だと励起放射の吸収度が低過ぎる物
質が得られ、又Xの最大値を1とすると、Lnがテルビ
ウムによって完全に置換される。
なお、式CazYb(BOx) 3によって表わされる
アルカリ土類金属稀土類金属硼酸塩は論文“5ynth
eseund kristallographisch
e Daten von Yb、Ca3(BOz)4”
(Zeitschrift fiir Kristal
lographie、 Vol、146+pp53−6
0 (1977) 、^kademische Ver
lagsgesellschaft。
アルカリ土類金属稀土類金属硼酸塩は論文“5ynth
eseund kristallographisch
e Daten von Yb、Ca3(BOz)4”
(Zeitschrift fiir Kristal
lographie、 Vol、146+pp53−6
0 (1977) 、^kademische Ver
lagsgesellschaft。
Wiesbaden)から既知である。この論文には“
X相”′として示されるこの化合物の結晶構造について
は河岸記載されておらず、又発光物質を得るために斯か
る硼酸塩を活性化することについても全く記載されてい
ない。
X相”′として示されるこの化合物の結晶構造について
は河岸記載されておらず、又発光物質を得るために斯か
る硼酸塩を活性化することについても全く記載されてい
ない。
さらに、実験により式9a3Y(BOi)iにより表わ
される基本格子が六角形の結晶構造を有しているテルビ
ウム活性化硼酸塩を実現した。出発混合物としてはBa
C0:+、YzO*+ ll3BO3とTb40+の混
合物を用い、これを弱還元雰囲気中にて900°Cの温
度で1時間づつ3度加熱した。この六角形の結晶構造を
有している発光硼酸塩は254nmの放射での励起時に
おけるUV吸収度が低いため、これは低圧水銀蒸気放電
ランプに使用するにはあまり適していない。これに対し
て、後に詳述する本発明による発光硼酸塩は高温での固
相反応により作られ、これは単斜晶形の結晶構造を有し
ており、しかも254nmの波長の放射でのUV吸収度
が高いものである。
される基本格子が六角形の結晶構造を有しているテルビ
ウム活性化硼酸塩を実現した。出発混合物としてはBa
C0:+、YzO*+ ll3BO3とTb40+の混
合物を用い、これを弱還元雰囲気中にて900°Cの温
度で1時間づつ3度加熱した。この六角形の結晶構造を
有している発光硼酸塩は254nmの放射での励起時に
おけるUV吸収度が低いため、これは低圧水銀蒸気放電
ランプに使用するにはあまり適していない。これに対し
て、後に詳述する本発明による発光硼酸塩は高温での固
相反応により作られ、これは単斜晶形の結晶構造を有し
ており、しかも254nmの波長の放射でのUV吸収度
が高いものである。
本発明による発光硼酸塩の好適例では0.05≦x≦0
.50とする。
.50とする。
波長が254nmの放射下での高いU■吸吸収長び高い
量子効率を斯様に相対的に低いテルビウム濃度にて実現
し得ると云うこと以外に低濃度のテルビウムを用いると
云うことは、テルビウムが相当高価なものであると云う
観点からして経済的にも有利である。
量子効率を斯様に相対的に低いテルビウム濃度にて実現
し得ると云うこと以外に低濃度のテルビウムを用いると
云うことは、テルビウムが相当高価なものであると云う
観点からして経済的にも有利である。
Lnにて示す元素はLaとするのが好適である。その理
由は、Laは極めて有効な発光物質が得られると云うこ
ととは別に、Lnにて示される群の内で経済的に最も有
効な元素であるからである。
由は、Laは極めて有効な発光物質が得られると云うこ
ととは別に、Lnにて示される群の内で経済的に最も有
効な元素であるからである。
本発明による発光硼酸塩は高温での固相反応によって得
ることができる。出発混合物は複合酸化物又は温度を上
げた場合にこれらの酸化物を作る化合物(例えば、三酸
化硼素等に対する源としての炭酸塩、硼酸)の混合物と
する。出発混合物では、形成すべき化合物の化学量論が
僅かにずれても(10モル%まで)許容することができ
る。一般に、合成元素の1つ以上を少し多くすると反応
を促進させることができる。特に過剰の三酸化硼素又は
硼酸を用いることは発光硼酸塩の製法にとって有利であ
ることを確かめた。出発混合物は1100°Cと溶融点
との間の温度にて成る時間の間1度又は数回加熱する。
ることができる。出発混合物は複合酸化物又は温度を上
げた場合にこれらの酸化物を作る化合物(例えば、三酸
化硼素等に対する源としての炭酸塩、硼酸)の混合物と
する。出発混合物では、形成すべき化合物の化学量論が
僅かにずれても(10モル%まで)許容することができ
る。一般に、合成元素の1つ以上を少し多くすると反応
を促進させることができる。特に過剰の三酸化硼素又は
硼酸を用いることは発光硼酸塩の製法にとって有利であ
ることを確かめた。出発混合物は1100°Cと溶融点
との間の温度にて成る時間の間1度又は数回加熱する。
この加熱処理は数工程にて行なうのが有利である。先ず
は、混合物を相対的に低い温度、例えば700°Cで予
備加熱し、その後例えば1200〜1250°Cの高い
温度で弱還元雰囲気中にて1回以上加熱処理する。
は、混合物を相対的に低い温度、例えば700°Cで予
備加熱し、その後例えば1200〜1250°Cの高い
温度で弱還元雰囲気中にて1回以上加熱処理する。
以下図面につき本発明を説明する。
第1図に示す低圧水銀蒸気放電ランプは管状のガラス壁
1を有している。この放電ランプの両端におけるランプ
内には電極2及び3を配置し、作動時にこれらの電極間
にて放電を維持せしめる。
1を有している。この放電ランプの両端におけるランプ
内には電極2及び3を配置し、作動時にこれらの電極間
にて放電を維持せしめる。
ランプは少量の水銀と始動ガスとしての稀ガスとを含ん
でいる。ガラス壁1は本発明による発光Tb”活性化硼
酸塩から成る発光層4に対する支持体として用いる。ガ
ラス壁1は発光層4と相俟って発光スクリーンを構成す
る。発光層4はガラス壁1の上に慣例の方法、例えば発
光物質から成る懸濁液によって設けることができる。
でいる。ガラス壁1は本発明による発光Tb”活性化硼
酸塩から成る発光層4に対する支持体として用いる。ガ
ラス壁1は発光層4と相俟って発光スクリーンを構成す
る。発光層4はガラス壁1の上に慣例の方法、例えば発
光物質から成る懸濁液によって設けることができる。
実施炎上
次の成分から混合物を作った。
BaC0:+ 6.349 g
SrCO+ 2.392 g
LazOz 1.795 g
Tb4070.969 g
HJOz 3.155 g (5モル%以上)こ
の混合物を炉内で700’Cにて1時間空気中で加熱し
た。冷却後、焼成生成物を粉砕し、ついで炉内で2度加
熱した。この加熱処理は各々弱還元性雰囲気(N2と数
容積%のH2との混合物)中にて1250°Cの温度で
1時間加熱した。冷却後、生成物を粉砕した。このよう
にして式BatSrLao、6sTbo、 32(BO
:1)3にて表わされる発光Tb活性化硼酸塩を得た。
の混合物を炉内で700’Cにて1時間空気中で加熱し
た。冷却後、焼成生成物を粉砕し、ついで炉内で2度加
熱した。この加熱処理は各々弱還元性雰囲気(N2と数
容積%のH2との混合物)中にて1250°Cの温度で
1時間加熱した。冷却後、生成物を粉砕した。このよう
にして式BatSrLao、6sTbo、 32(BO
:1)3にて表わされる発光Tb活性化硼酸塩を得た。
この化合物は格子パラメータがつぎの測定値を有する単
斜晶系の結晶構造を有した。
斜晶系の結晶構造を有した。
a = 7.37人
b=12.94人
c=4.90人
2β=99.8゜
254nmの励起放射の下での量子効率は90%であり
、U■■収率は94%であった。
、U■■収率は94%であった。
実見■l二訂
実施例1にて述べたと同様な方法で本発明による多数の
Tb’°活性化硼酸塩を作った。これらの硼酸塩に対す
る式及び254nmの励起放射の下での量子効率Q(%
)とUV吸収率A(%)を下記の表に示す。
Tb’°活性化硼酸塩を作った。これらの硼酸塩に対す
る式及び254nmの励起放射の下での量子効率Q(%
)とUV吸収率A(%)を下記の表に示す。
−表一
式 Q(%)BaiGdo
、 a4Tbo、 + b (803) s
84Ba=Yo、 eoTbo、 we(BO
z) x 83BazSrLao、
qsTbo、 zo (BOi) 3
85BazSrLao、 aaTbo、 +6(BO3
)3 90BazSrGdo、 baTb
o、 1t(BO:+) s 82Ba
zSrTb(BOi) x
68Ba2SrYo、 ++oTbo、 I o (
BO3) 3 88Ba2SrYo、
1eTbo、 st (BO3) x
84BazSrSc+、 heTbo、 5t(BO
s) :+ 79BazCaLae、
baTbo、 zz (BOz) s
88BazCaGdo、 aaTbo、 sz (BO
3) 3 88BazCaYo、 1sT
bo、 sz 80Baa、
tssrz、 zsYo、 qoTbo、 + o (
BOt) 3 77BaSrCaLao、 z4
Gdo、 zaYo、 zaTbo、 ze (BOz
) z 78SrtLao、 enTbo、 + b
(BOi) 3 92SrsGda、
5aTba、 +1(BOz)t 8
9Sr3Y、、 fi4ThO,to(BO+) 3
83SrzCaLao、 asTho
、 3! (BOz) s 76BaS
rMgGdo、 1sTb+、 3t (BOz) s
82CazSrY+、 bsTbo、
1t(BOs) 2 89SrCaMg
Lao、 i、tTbo、 st(BOi)371Ca
zMgYa、 asTho、 st (BOi) s
83CazBaLao、 1sTbo
、 5z(BOz)+ 82短波紫外線
(主として254nm)による励起によって、これらの
物質は特有のTb発光を呈した。
、 a4Tbo、 + b (803) s
84Ba=Yo、 eoTbo、 we(BO
z) x 83BazSrLao、
qsTbo、 zo (BOi) 3
85BazSrLao、 aaTbo、 +6(BO3
)3 90BazSrGdo、 baTb
o、 1t(BO:+) s 82Ba
zSrTb(BOi) x
68Ba2SrYo、 ++oTbo、 I o (
BO3) 3 88Ba2SrYo、
1eTbo、 st (BO3) x
84BazSrSc+、 heTbo、 5t(BO
s) :+ 79BazCaLae、
baTbo、 zz (BOz) s
88BazCaGdo、 aaTbo、 sz (BO
3) 3 88BazCaYo、 1sT
bo、 sz 80Baa、
tssrz、 zsYo、 qoTbo、 + o (
BOt) 3 77BaSrCaLao、 z4
Gdo、 zaYo、 zaTbo、 ze (BOz
) z 78SrtLao、 enTbo、 + b
(BOi) 3 92SrsGda、
5aTba、 +1(BOz)t 8
9Sr3Y、、 fi4ThO,to(BO+) 3
83SrzCaLao、 asTho
、 3! (BOz) s 76BaS
rMgGdo、 1sTb+、 3t (BOz) s
82CazSrY+、 bsTbo、
1t(BOs) 2 89SrCaMg
Lao、 i、tTbo、 st(BOi)371Ca
zMgYa、 asTho、 st (BOi) s
83CazBaLao、 1sTbo
、 5z(BOz)+ 82短波紫外線
(主として254nm)による励起によって、これらの
物質は特有のTb発光を呈した。
第2図は実施例1 (BazSrLao、 asTbo
、 1t(BO:+) t)の硼酸塩の発光スペクトル
を示す。この図では波長λ(nm)を水平軸にプロット
し、又発光放射エネルギーE(任意の単位)を縦軸にプ
ロットしである。
、 1t(BO:+) t)の硼酸塩の発光スペクトル
を示す。この図では波長λ(nm)を水平軸にプロット
し、又発光放射エネルギーE(任意の単位)を縦軸にプ
ロットしである。
第1図は本発明によるTb”活性化硼酸塩からなる発光
スクリーンを有している低圧水銀蒸気放電ランプの長手
方向断面図; 第2図は本発明によるrb’°活性化硼酸塩によって放
出される放射のスペクトルエネルギー分布を示す特性図
である。 1・・・ガラス壁 2.3・・・電極 4・・・発光層 Fl[]、1
スクリーンを有している低圧水銀蒸気放電ランプの長手
方向断面図; 第2図は本発明によるrb’°活性化硼酸塩によって放
出される放射のスペクトルエネルギー分布を示す特性図
である。 1・・・ガラス壁 2.3・・・電極 4・・・発光層 Fl[]、1
Claims (5)
- 1.発光テルビウム活性化アルカリ土類金属稀土類金属
硼酸塩において、該硼酸塩が単斜晶系の結晶構造を有し
、且つMが34モル%までをMgと置換することのでき
る元素Ba,Sr及びCaの内の少なくとも1つの元素
を表わし、Lnが元素La,Gd,Y及びScの内の少
なくとも1つの元素を表わし、0.005≦x≦1とす
るとき、前記硼酸塩が次式、即ち M_3Ln_1_−_xTb_x(BO_3)_3 によって表わされることを特徴とする発光テルビウム活
性化硼酸塩。 - 2.0.05≦x≦0.50とすることを特徴とする請
求項1に記載の発光硼酸塩。 - 3.Lnによって表わされる元素をLaとすることを特
徴とする請求項1又は2に記載の発光硼酸塩。 - 4.請求項1,2及び3のいずれかに記載の発光硼酸塩
を上に被着した支持体を具えている発光スクリーン。 - 5.請求項4に記載の発光スクリーンを具えている低圧
水銀蒸気放電ランプ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8802203 | 1988-09-07 | ||
| NL8802203 | 1988-09-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02113087A true JPH02113087A (ja) | 1990-04-25 |
Family
ID=19852865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1228445A Pending JPH02113087A (ja) | 1988-09-07 | 1989-09-05 | 発光テルビウム活性化硼酸塩 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4926091A (ja) |
| EP (1) | EP0358278B1 (ja) |
| JP (1) | JPH02113087A (ja) |
| DE (1) | DE68905888T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100567374B1 (ko) * | 2003-11-21 | 2006-04-03 | 럭스피아 주식회사 | 테르븀 보레이트계 황색 형광체, 그 제조방법 및 그것을 채용한 백색 반도체 발광장치 |
| JP2010285596A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-12-24 | Tohoku Univ | 中性子シンチレータ用酸化物結晶及びこれを用いた中性子シンチレータ |
| JP2013520535A (ja) * | 2010-02-26 | 2013-06-06 | オーシャンズ キング ライティング サイエンスアンドテクノロジー カンパニー リミテッド | テルビウムをドープしたホウ酸ガドリニウム塩緑色発光材料及びその製造方法 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5132043A (en) * | 1991-12-24 | 1992-07-21 | Gte Products Corporation | Method of preparing small particle size borate phosphor |
| US5325016A (en) * | 1992-06-22 | 1994-06-28 | General Electric Company | Mercury vapor lamp with terbium-activated gadolinium borate luminescent layer |
| US5776368A (en) * | 1997-08-22 | 1998-07-07 | Osram Sylvania Inc. | Borate phosphor synthesis using boron nitride |
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