JPH02113452A - 光ディスク用基板およびそれを用いた光ディスク - Google Patents
光ディスク用基板およびそれを用いた光ディスクInfo
- Publication number
- JPH02113452A JPH02113452A JP63263895A JP26389588A JPH02113452A JP H02113452 A JPH02113452 A JP H02113452A JP 63263895 A JP63263895 A JP 63263895A JP 26389588 A JP26389588 A JP 26389588A JP H02113452 A JPH02113452 A JP H02113452A
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- optical disc
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光学的に情報を記録、再生する光ディスクに関
し、特に光記録膜の酸化、変質などによる経時劣化の生
じ難い構造とした寿命の長い光ディスク用基板およびそ
れを用いた信頼性の高い光ディスクに関する。
し、特に光記録膜の酸化、変質などによる経時劣化の生
じ難い構造とした寿命の長い光ディスク用基板およびそ
れを用いた信頼性の高い光ディスクに関する。
現在、光ディスク装置は高密度で大容量の情報の記録装
置として注目されている。この光ディスクが高密度およ
び大容量となる理由は、情報の記録単位であるビットが
光のビーム径だけで決まるため、その形状を1μm程度
の大きさにすることができるからである。しかし、光デ
ィスク装置においては、定まった場所に情報を記録した
り、あるいは定まった場所に記録された情報を再生した
りするためには、光ビームを極めて正確に位置決めしな
ければならなくなる。一般に、再生専用の光ディスクで
は、記録したビットに予め番地情報を入れておくことが
できるので、記録情報を再生しながら光ビームの位置決
めをすることができるが、追加記録光ディスクあるいは
書き換え可能な光ディスクにおいては、情報記録時に番
地情報まで一緒に記録することは極めて困難である。し
たがって、追加記録光ディスクあるいは書き換え可能な
光ディスクでは、光ディスク基板にあらかじめ何らかの
ガイドトラックおよびガイド番地(ガイドパターン)を
入れておくという方法が採用されている。すなわち、デ
ィスク用基板上に凹凸状の溝を形成しておき、この溝に
沿って情報を記録あるいは再生する方法が一般的に採ら
れている。
置として注目されている。この光ディスクが高密度およ
び大容量となる理由は、情報の記録単位であるビットが
光のビーム径だけで決まるため、その形状を1μm程度
の大きさにすることができるからである。しかし、光デ
ィスク装置においては、定まった場所に情報を記録した
り、あるいは定まった場所に記録された情報を再生した
りするためには、光ビームを極めて正確に位置決めしな
ければならなくなる。一般に、再生専用の光ディスクで
は、記録したビットに予め番地情報を入れておくことが
できるので、記録情報を再生しながら光ビームの位置決
めをすることができるが、追加記録光ディスクあるいは
書き換え可能な光ディスクにおいては、情報記録時に番
地情報まで一緒に記録することは極めて困難である。し
たがって、追加記録光ディスクあるいは書き換え可能な
光ディスクでは、光ディスク基板にあらかじめ何らかの
ガイドトラックおよびガイド番地(ガイドパターン)を
入れておくという方法が採用されている。すなわち、デ
ィスク用基板上に凹凸状の溝を形成しておき、この溝に
沿って情報を記録あるいは再生する方法が一般的に採ら
れている。
この凹凸状の溝であるガイドパターンをディスク基板上
に設けた従来の光ディスク用基板は2例えば、厚さが1
、2mm程度のガラスまたはアクリル樹脂などからな
る透明な光ディスク用基板と、ガイドパターンをあらか
じめ形成したNiスタンパとの間に、紫外線硬化型の樹
脂を流し込み、これに紫外線を照射して上記樹脂を硬化
させ、上記Niスタンパを取りはずして2例えば第3図
に示すような断面構造の光ディスク用基板が作製されて
いた。そして、透明な基板1上に設けられたガイドパタ
ーンを有する樹脂層2の上に、希土類元素と遷移金属か
らなる光磁気記録膜、 Bi、 Te、 Se。
に設けた従来の光ディスク用基板は2例えば、厚さが1
、2mm程度のガラスまたはアクリル樹脂などからな
る透明な光ディスク用基板と、ガイドパターンをあらか
じめ形成したNiスタンパとの間に、紫外線硬化型の樹
脂を流し込み、これに紫外線を照射して上記樹脂を硬化
させ、上記Niスタンパを取りはずして2例えば第3図
に示すような断面構造の光ディスク用基板が作製されて
いた。そして、透明な基板1上に設けられたガイドパタ
ーンを有する樹脂層2の上に、希土類元素と遷移金属か
らなる光磁気記録膜、 Bi、 Te、 Se。
Sn、 As、 Sb、Ge、Ga、 Ir、T
Q、 S、 Siなどの元素群から選択される少な
くとも1種の元素よりなる相変化型光記録膜、またはA
Q 、 Crなどの反射膜を積層して光ディスクが構
成されていた(例えば、特開昭55−4793号公報)
。しかし。
Q、 S、 Siなどの元素群から選択される少な
くとも1種の元素よりなる相変化型光記録膜、またはA
Q 、 Crなどの反射膜を積層して光ディスクが構
成されていた(例えば、特開昭55−4793号公報)
。しかし。
これらの光ディスクは、その外周端面部が、第3図に示
されているように、透明な基板1の端面とガイドパター
ンを形成した樹脂層2の端面とが一致して外気に露出さ
れており、上記樹脂層2を通して大気中の水分あるいは
酸素などが光記録膜に浸入し、そのため光記録膜が酸化
、変質などを起して性能劣化が生じ、光ディスクとして
の寿命が短く、信頼性に劣るという欠点があった。
されているように、透明な基板1の端面とガイドパター
ンを形成した樹脂層2の端面とが一致して外気に露出さ
れており、上記樹脂層2を通して大気中の水分あるいは
酸素などが光記録膜に浸入し、そのため光記録膜が酸化
、変質などを起して性能劣化が生じ、光ディスクとして
の寿命が短く、信頼性に劣るという欠点があった。
上述したごと〈従来技術においては、光ディスクの外周
端面部において、大気中の水分あるいは酸素などを比較
的吸収し易い樹脂層(ガイドパターン形成)が外気に露
出されているため、この樹脂層の上に形成された各種の
光記録膜が酸化して錆が発生したり、あるいは変質して
光記録膜の特性が経時劣化し、読み書き不良などのトラ
ブル発生の原因となっていた。
端面部において、大気中の水分あるいは酸素などを比較
的吸収し易い樹脂層(ガイドパターン形成)が外気に露
出されているため、この樹脂層の上に形成された各種の
光記録膜が酸化して錆が発生したり、あるいは変質して
光記録膜の特性が経時劣化し、読み書き不良などのトラ
ブル発生の原因となっていた。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解消し。
光ディスクの外周端面部において樹脂層が露出しない構
造の光ディスク用W板およびそれを用いた光ディスクを
提供することにある。
造の光ディスク用W板およびそれを用いた光ディスクを
提供することにある。
上記本発明の目的を達成するために、ガラスまたはアク
リルなどの樹脂からなる透明な基板上に。
リルなどの樹脂からなる透明な基板上に。
凹凸状の光ディスクの案内溝であるガイドパターン(ガ
イドトラックまたはガイド番地)を有する樹脂層を形成
させる場合において、上記樹脂層の形成領域(エリア)
を、上記透明な基板の内径よりも設定の寸法だけ大きく
シ、かつ外径よりも設定の寸法だけ小さくなるように、
上記樹脂層を形成し、該樹脂層形成エリア上に、設定の
光記録膜。
イドトラックまたはガイド番地)を有する樹脂層を形成
させる場合において、上記樹脂層の形成領域(エリア)
を、上記透明な基板の内径よりも設定の寸法だけ大きく
シ、かつ外径よりも設定の寸法だけ小さくなるように、
上記樹脂層を形成し、該樹脂層形成エリア上に、設定の
光記録膜。
または光記録膜に下地膜、誘電体膜あるいはAQ。
Orなどの反射膜などを積層した積層膜を形成し。
上記光記録膜または積層膜上に、窒化ケイ素、酸化ケイ
素、窒化アルミニウムなどのうちより選択される少なく
とも1種からなる気密性の無機質膜を、上記樹脂層エリ
ア上に形成させた光記録膜または積層膜を包囲するよう
に形成して、光ディスクの内周または外周端面部におい
て上記樹脂層が外気に露出されない構造とし、外気に含
まれる水分および酸素などの光記録膜への浸入を遮断す
る構造としたものである。
素、窒化アルミニウムなどのうちより選択される少なく
とも1種からなる気密性の無機質膜を、上記樹脂層エリ
ア上に形成させた光記録膜または積層膜を包囲するよう
に形成して、光ディスクの内周または外周端面部におい
て上記樹脂層が外気に露出されない構造とし、外気に含
まれる水分および酸素などの光記録膜への浸入を遮断す
る構造としたものである。
また2本発明の光ディスクは、上記基板上に形成したガ
イドパターンを有する樹脂層エリア上に。
イドパターンを有する樹脂層エリア上に。
該樹脂層エリアを包囲するように上記気密性の無機質膜
を形成した後、該無機質膜上に設定の光記録膜、または
光記録膜に下地膜、誘電体膜あるいはAQ、Crなどの
反射膜などを積層した積層膜を形成し、さらに上記光記
録膜または積層膜上に。
を形成した後、該無機質膜上に設定の光記録膜、または
光記録膜に下地膜、誘電体膜あるいはAQ、Crなどの
反射膜などを積層した積層膜を形成し、さらに上記光記
録膜または積層膜上に。
上記樹脂層エリアおよび上記光記録膜または積層膜を包
囲するように、上記気密性の無機質膜を形成させた構造
とすることにより、光記録膜の水分あるいは酸素などか
らの保護をいっそう確実なものとすることができる。
囲するように、上記気密性の無機質膜を形成させた構造
とすることにより、光記録膜の水分あるいは酸素などか
らの保護をいっそう確実なものとすることができる。
本発明の光ディスクを構成する光ディスク用基板におい
て、ガラスまたはアクリル樹脂などからなる透明な基板
上に、凹凸の案内溝であるガイドパターンを有する樹脂
層を形成させる領域は、基板の内径よりも大きく、かつ
外径よりも小さい上記樹脂層領域とし、上記基板と上記
樹脂層領域との間の内径および外径の差が少なくとも1
〜bであることが望ましい。
て、ガラスまたはアクリル樹脂などからなる透明な基板
上に、凹凸の案内溝であるガイドパターンを有する樹脂
層を形成させる領域は、基板の内径よりも大きく、かつ
外径よりも小さい上記樹脂層領域とし、上記基板と上記
樹脂層領域との間の内径および外径の差が少なくとも1
〜bであることが望ましい。
本発明の光ディスクにおいて、ガイドパターンを設けた
樹脂層エリア上、もしくは光記録膜または光記録1漠に
下地膜、誘電体1摸あるいは反射膜などを積層した積層
膜上に形成させる気密性の無機質膜材料として、SiN
+ Si3N4などの窒化ケイ素、SiOx (x=1
−2)などの酸化ケイ素、あるいはAlNなどの窒化ア
ルミニウムなどを好適に用いることができ、またこれら
の混合物であってもよい。なお、上記の無機質材料の他
に、形成した膜に気密性があり、かつ光ディスクの特性
を劣化させない無機質材料であれば本発明に適用するこ
とができることは言うまでもない。
樹脂層エリア上、もしくは光記録膜または光記録1漠に
下地膜、誘電体1摸あるいは反射膜などを積層した積層
膜上に形成させる気密性の無機質膜材料として、SiN
+ Si3N4などの窒化ケイ素、SiOx (x=1
−2)などの酸化ケイ素、あるいはAlNなどの窒化ア
ルミニウムなどを好適に用いることができ、またこれら
の混合物であってもよい。なお、上記の無機質材料の他
に、形成した膜に気密性があり、かつ光ディスクの特性
を劣化させない無機質材料であれば本発明に適用するこ
とができることは言うまでもない。
そして1本発明の光ディスク用基板において。
基板材料として透明なガラスあるいは非吸湿性の合成樹
脂などを用いることができるが、特にガラスを用いるこ
とが好ましい。
脂などを用いることができるが、特にガラスを用いるこ
とが好ましい。
本発明の光ディスクは、消去可能型光ディスクであるT
b−遷移金属系(Tb−Fe、Tb−Coなど)、Gd
−遷移金属系(Gd−Fe、 Gd−Co。
b−遷移金属系(Tb−Fe、Tb−Coなど)、Gd
−遷移金属系(Gd−Fe、 Gd−Co。
Gd−Tb−F″eなど)などの希土類元素と遷移金属
からなる光磁気記録膜を有する光磁気ディスク。
からなる光磁気記録膜を有する光磁気ディスク。
A s −T e −G e系、5e−In−3b系、
TeOx系などのBi、 Te、 Se、 Sn、 A
s、 Sb、 Ge、 Ga。
TeOx系などのBi、 Te、 Se、 Sn、 A
s、 Sb、 Ge、 Ga。
Ir、TQ、S、Siなどの元素群より選択される少な
くとも1種の元素からなる光記録膜を有する相変化型光
ディスク、あるいはTe系材料などからなる穴形成によ
る光記録膜を有する追記型光ディスクや再生専用型光デ
ィスクなどに好適に適用することができる。
くとも1種の元素からなる光記録膜を有する相変化型光
ディスク、あるいはTe系材料などからなる穴形成によ
る光記録膜を有する追記型光ディスクや再生専用型光デ
ィスクなどに好適に適用することができる。
さらに本発明の光ディスクは、単板型光ディスクに限ら
ず、密着タイプあるいはエアーサンドウィッチタイプの
両面型光ディスクにおいても好適に採用することができ
る。
ず、密着タイプあるいはエアーサンドウィッチタイプの
両面型光ディスクにおいても好適に採用することができ
る。
以下に本発明の一実施例を挙げ1図面に基づいて、さら
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
第1図は本発明の光ディスク用基板の断面構造の一例を
示す模式図である。図において、ガラスなどの透明な厚
さ約1 、2mmの基板1と、光ディスクのガイドパタ
ーン(ガイドトラックおよびガイド番地)をあらかじめ
形成したニッケルスタンパ(図示せず)との間に紫外線
硬化型の樹脂を流し込み、紫外線を照射して樹脂を硬化
させ、その後。
示す模式図である。図において、ガラスなどの透明な厚
さ約1 、2mmの基板1と、光ディスクのガイドパタ
ーン(ガイドトラックおよびガイド番地)をあらかじめ
形成したニッケルスタンパ(図示せず)との間に紫外線
硬化型の樹脂を流し込み、紫外線を照射して樹脂を硬化
させ、その後。
上記ニッケルスタンパを取り外し、いわゆる2P法によ
って、上記基板1」二に、凹凸状の案内溝3であるガイ
ドパターンを転写した樹脂層2を形成させた。この時、
基板1の外周径よりも樹脂層2の外周径が約1〜5mm
程度以上小さくなるように」二記樹脂層2を形成させた
。この形成は、上記基板1上にガイドパターンを転写し
た樹脂層2を設ける時に、基板1の外周端部から約1〜
5mm以内の外周部には紫外線が照射されないようにマ
スクを使用して露光を行い、その後、溶剤によって紫外
線硬化しなかった樹脂部分を溶解して除去する方法によ
り行い、光ディスク用基板4を作製した。
って、上記基板1」二に、凹凸状の案内溝3であるガイ
ドパターンを転写した樹脂層2を形成させた。この時、
基板1の外周径よりも樹脂層2の外周径が約1〜5mm
程度以上小さくなるように」二記樹脂層2を形成させた
。この形成は、上記基板1上にガイドパターンを転写し
た樹脂層2を設ける時に、基板1の外周端部から約1〜
5mm以内の外周部には紫外線が照射されないようにマ
スクを使用して露光を行い、その後、溶剤によって紫外
線硬化しなかった樹脂部分を溶解して除去する方法によ
り行い、光ディスク用基板4を作製した。
上記の方法で作製した光ディスク用基板4に光記録膜を
積層した断面を第2図に示す。光ディスク基板4を用い
、真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティングな
どの物理蒸着法によって。
積層した断面を第2図に示す。光ディスク基板4を用い
、真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティングな
どの物理蒸着法によって。
Si、N4.SiOx (x=1〜2)、AuNなどよ
り選ばれる少なくとも1種の無機物層5を、上記ガイド
パターンを設けた樹脂層2を包囲するように形成し、上
記無機物層5上に、光磁気記録膜、相変化型記録膜ある
いは穴形成型記録膜などの光記録膜6を設け、さらに該
光記録膜6上に、すでに成膜した光記録膜6.無機物層
5を包囲するように、上記無機物層7を形成させて光デ
ィスクを作製した。
り選ばれる少なくとも1種の無機物層5を、上記ガイド
パターンを設けた樹脂層2を包囲するように形成し、上
記無機物層5上に、光磁気記録膜、相変化型記録膜ある
いは穴形成型記録膜などの光記録膜6を設け、さらに該
光記録膜6上に、すでに成膜した光記録膜6.無機物層
5を包囲するように、上記無機物層7を形成させて光デ
ィスクを作製した。
本実施例において作製した光ディスクは、長期間放置し
ても光記録膜の水分や酸素などによる特性の劣化が認め
られず、極めて経時安定性に優れた信頼性の高い光ディ
スクが得られた。
ても光記録膜の水分や酸素などによる特性の劣化が認め
られず、極めて経時安定性に優れた信頼性の高い光ディ
スクが得られた。
以上詳細に説明したごとく2本発明による光ディスク用
基板を用いた光ディスクは、光記録膜の酸化、変質をほ
ぼ完全に防止することができるので、光ディスクの使用
寿命を一段と延長することができ、信頼性の高い光ディ
スクが得られる。
基板を用いた光ディスクは、光記録膜の酸化、変質をほ
ぼ完全に防止することができるので、光ディスクの使用
寿命を一段と延長することができ、信頼性の高い光ディ
スクが得られる。
第1−図は本発明の実施例において例示した光ディスク
用基板の断面構造を示す模式図、第2図は本発明の実施
例における光ディスク用基板を用いて作製した光ディス
ク断面構造を示す模式図、第3図は従来の光ディスク用
店板の断面構造を示す模式図である。 1・・基板 2・・・樹脂層3・・・案内
溝 4・・光ディスク用基板5・無機物層
6・・・光記録膜7・・無機物層 7/ 4−・逮テ4スフ月男#反 代理人弁理士 中 村 純之助 第2図
用基板の断面構造を示す模式図、第2図は本発明の実施
例における光ディスク用基板を用いて作製した光ディス
ク断面構造を示す模式図、第3図は従来の光ディスク用
店板の断面構造を示す模式図である。 1・・基板 2・・・樹脂層3・・・案内
溝 4・・光ディスク用基板5・無機物層
6・・・光記録膜7・・無機物層 7/ 4−・逮テ4スフ月男#反 代理人弁理士 中 村 純之助 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、円形状をした透明な基板上に樹脂層を設け、該樹脂
層の円周方向の表面に、凹凸状の光ディスクの案内溝で
あるガイドパターンを有する光ディスク用基板において
、上記樹脂層の形成領域を、上記透明な基板の内径より
も大きく、かつ外径よりも小さい設定の領域となし、該
設定の領域を有する樹脂層を上記透明な基板上に設けた
ことを特徴とする光ディスク用基板。 2、特許請求の範囲第1項記載の光ディスク用基板にお
いて、透明な基板上に形成させる樹脂層の領域が、上記
透明な基板と上記樹脂層の形成領域との間の内径および
外径との差が、1〜5mm以上有することを特徴とする
光ディスク用基板。 3、特許請求の範囲第1項または第2項記載の光ディス
ク用基板において、透明な基板材料としてガラスを用い
たことを特徴とする光ディスク用基板。 4、円形状の透明な基板上に、該透明な基板の内径より
も大きく、かつ外径よりも小さい設定の領域に、表面に
凹凸状の光ディスクの案内溝であるガイドパターンを有
する樹脂層を形成し、該樹脂層の領域上に、設定の光記
録膜、もしくは上記光記録膜に下地膜、誘電体膜、反射
膜のうちより選ばれる少なくとも1種の薄膜を積層した
積層膜を形成し、上記光記録膜もしくは積層膜の上に、
窒化ケイ素、酸化ケイ素、窒化アルミニウムのうちより
選ばれる少なくとも1種からなる気密性の無機質膜を、
上記樹脂層の領域および上記光記録膜もしくは積層膜を
包囲するように形成したことを特徴とする光ディスク。 5、特許請求の範囲第4項記載の光ディスクにおいて、
円形状の透明な基板の内径よりも大きく、かつ外径より
も小さい領域に、ガイドパターンを有する樹脂層を形成
し、該樹脂層の領域上に、窒化ケイ素、酸化ケイ素、窒
化アルミニウムのうちより選ばれる少なくとも1種から
なる気密性の無機質膜を、上記樹脂層の領域を包囲する
ように形成し、上記無機質膜上に、光記録膜、もしくは
光記録膜を含む積層膜を形成し、さらに上記光記録膜も
しくは光記録膜を含む積層膜の上に、上記無機質膜を、
上記無機質膜を形成した樹脂層の領域および上記光記録
膜もしくは光記録膜を含む積層膜を包囲するように形成
したことを特徴とする光ディスク。 6、特許請求の範囲第4項または第5項において、無機
質膜を構成する材料である窒化ケイ素、酸化ケイ素、窒
化アルミニウムは、SiN、 Si_3N_4、SiO_x(x=1〜2)、AlNの
うちより選ばれる少なくとも1種の無機物からなること
を特徴とする光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63263895A JPH02113452A (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | 光ディスク用基板およびそれを用いた光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63263895A JPH02113452A (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | 光ディスク用基板およびそれを用いた光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02113452A true JPH02113452A (ja) | 1990-04-25 |
Family
ID=17395746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63263895A Pending JPH02113452A (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | 光ディスク用基板およびそれを用いた光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02113452A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6154054A (ja) * | 1984-08-23 | 1986-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平板状情報記録担体 |
| JPS62279532A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Hitachi Ltd | 光デイスク |
-
1988
- 1988-10-21 JP JP63263895A patent/JPH02113452A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6154054A (ja) * | 1984-08-23 | 1986-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平板状情報記録担体 |
| JPS62279532A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Hitachi Ltd | 光デイスク |
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