JPH04935B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は光学的に情報を再生することができる
光メモリ素子に関する。
光メモリ素子に関する。
＜従来技術＞
近年、光メモリ素子は高密度で大容量のメモリ
素子として注目されている。この光メモリ素子が
高密度及び大容量となる理由は、情報の記録単位
であるビツトが光のビーム径だけで決まるため、
そのビツト形状を1μｍ程度の大きさにすること
ができるからである。しかしこの事は光メモリ素
子に多くの制限を加えることになる。即ちある定
まつた場所に情報を記入したり、あるいはある定
まつた場所に記録された情報を再生したりするた
めには、光ビームを極めて正確に位置決めしなけ
ればならないのである。一般に再生専用の光メモ
リ素子では記録したビツトを再生しながら光ビー
ムの位置決めを行う事が可能であるが、追加記録
可能メモリや書き換え可能なメモリにおいては、
予め何等かのガイド信号を入れておくことが必要
である。
素子として注目されている。この光メモリ素子が
高密度及び大容量となる理由は、情報の記録単位
であるビツトが光のビーム径だけで決まるため、
そのビツト形状を1μｍ程度の大きさにすること
ができるからである。しかしこの事は光メモリ素
子に多くの制限を加えることになる。即ちある定
まつた場所に情報を記入したり、あるいはある定
まつた場所に記録された情報を再生したりするた
めには、光ビームを極めて正確に位置決めしなけ
ればならないのである。一般に再生専用の光メモ
リ素子では記録したビツトを再生しながら光ビー
ムの位置決めを行う事が可能であるが、追加記録
可能メモリや書き換え可能なメモリにおいては、
予め何等かのガイド信号を入れておくことが必要
である。
第３図に従来の追加記録メモリ（TeOx等を媒
体とするDRAW方式のデイスク）あるいは書き
換え可能なメモリ（希土類・遷移金属合金を媒体
とする光磁気デイスク）に用いられる基板の一部
拡大斜視図を示すが、同図に示す如く基板に凹凸
の溝を形成しておき、この溝にそつて情報を記録
あるいは再生するものである。
体とするDRAW方式のデイスク）あるいは書き
換え可能なメモリ（希土類・遷移金属合金を媒体
とする光磁気デイスク）に用いられる基板の一部
拡大斜視図を示すが、同図に示す如く基板に凹凸
の溝を形成しておき、この溝にそつて情報を記録
あるいは再生するものである。
この凹凸の溝を基板に形成する形成方法として
はすでに何種類か提案されており大きく分けて次
の３種類がある。
はすでに何種類か提案されており大きく分けて次
の３種類がある。
即ち、
(1) アクリル樹脂又はポリカーボネイト樹脂を用
い射出成形によつて上記溝を作成する方法。
い射出成形によつて上記溝を作成する方法。
(2) アクリル樹脂やエポキシ樹脂を上記溝を形成
した型に流し込み温度をかけてかたまらせるキ
ヤステイング法。
した型に流し込み温度をかけてかたまらせるキ
ヤステイング法。
(3) アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ガラス等の基
板を用い上記溝を形成したスパンターとの間に
紫外線硬化形の樹脂を流し込み、上記基板ごし
に紫外線を照射し、その樹脂を硬化させ、その
後スタンパーを取りはずす所謂2P法である。
板を用い上記溝を形成したスパンターとの間に
紫外線硬化形の樹脂を流し込み、上記基板ごし
に紫外線を照射し、その樹脂を硬化させ、その
後スタンパーを取りはずす所謂2P法である。
しかし、これらの方法はいずれも樹脂を用いる
のでその樹脂を通して酸素あるいは水分等が通過
し、基板上に設けた記録膜を劣化させるため、メ
モリ素子の長期信頼性が乏しい。
のでその樹脂を通して酸素あるいは水分等が通過
し、基板上に設けた記録膜を劣化させるため、メ
モリ素子の長期信頼性が乏しい。
特に、記録媒体としてGdTbFeやTbFeCo等の
希土類遷移金属合金膜を用いた光磁気メモリ素子
ではGd、Tbの希土類金属が非常に活性な元素で
あるため上記樹脂を用いた基板は好ましくない。
希土類遷移金属合金膜を用いた光磁気メモリ素子
ではGd、Tbの希土類金属が非常に活性な元素で
あるため上記樹脂を用いた基板は好ましくない。
この欠点に対処するために本発明者等は、既に
ガラス基板上にフオトレジスト材を塗布し、該フ
オトレジスト材に対して光学マスクを介して紫外
線を照射して位置決め用溝パターンを記録し、そ
の後エツチングによつてパターンに合つた溝を形
成する方法を提案している（特開昭59−210547）。
ガラス基板上にフオトレジスト材を塗布し、該フ
オトレジスト材に対して光学マスクを介して紫外
線を照射して位置決め用溝パターンを記録し、そ
の後エツチングによつてパターンに合つた溝を形
成する方法を提案している（特開昭59−210547）。
＜目的＞
本発明は上述した溝形成の為の新しい手法の改
良に関するもので、光メモリ素子の基板として従
来全く用いられたことのない材質のガラスを用
い、もつて上記溝の性能を飛躍的に向上せしめる
ことを目的とするものである。
良に関するもので、光メモリ素子の基板として従
来全く用いられたことのない材質のガラスを用
い、もつて上記溝の性能を飛躍的に向上せしめる
ことを目的とするものである。
＜実施例＞
以下本発明に係る光メモリ素子の実施例を図面
を用いて詳細に説明する。
を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明に係る光メモリ素子の基板の製
法を工程順に示す説明図である。同図に従い本発
明に係る光メモリ素子の基板の製法を工程順に説
明する。
法を工程順に示す説明図である。同図に従い本発
明に係る光メモリ素子の基板の製法を工程順に説
明する。
工程(1)…高精度に研磨された面を有する光メモリ
素子用ガラス基板を洗浄し、該ガラス基板１の
上にフオトレジスト膜２をスピンナー等で塗布
する（第１図ａ）。ここで、ガラス基板１は少
なくともSiO251〜71重量％、Na2O10〜18重量
％、K2O0〜８重量％、Al2O312〜22重量％、
B2O30〜９重量％を含有するガラスから構成さ
れる。
素子用ガラス基板を洗浄し、該ガラス基板１の
上にフオトレジスト膜２をスピンナー等で塗布
する（第１図ａ）。ここで、ガラス基板１は少
なくともSiO251〜71重量％、Na2O10〜18重量
％、K2O0〜８重量％、Al2O312〜22重量％、
B2O30〜９重量％を含有するガラスから構成さ
れる。
工程(2)…上記フオトレジスト膜２を塗布したガラ
ス基板１上に案内溝情報をパターン化したマス
ク板３を密着せしめ該マスク板３ごしに紫外線
Ａを照射しマスク板３のマスクパターンを上記
フオトレジスト膜２に転写する（第１図ｂ）。
ス基板１上に案内溝情報をパターン化したマス
ク板３を密着せしめ該マスク板３ごしに紫外線
Ａを照射しマスク板３のマスクパターンを上記
フオトレジスト膜２に転写する（第１図ｂ）。
工程(3)…上記マスクパターンを書き込んだフオト
レジスト膜２を現像工程に通すことで上記フオ
トレジスト膜２に溝を形成する（第１図ｃ）。
レジスト膜２を現像工程に通すことで上記フオ
トレジスト膜２に溝を形成する（第１図ｃ）。
工程(4)…上記溝を形成したフオトレジスト膜２の
被覆状態においてCF4、CHF3等のエツチング
ガス中でのスパツタリング（リアクチイブ イ
オンエツチング）等のドライエツチングを行
い、ガラス基板１に溝４を形成する（第１図
ｄ）。
被覆状態においてCF4、CHF3等のエツチング
ガス中でのスパツタリング（リアクチイブ イ
オンエツチング）等のドライエツチングを行
い、ガラス基板１に溝４を形成する（第１図
ｄ）。
工程(5)…上記レジスト膜２をアセトン等の溶媒
や、O2中でのスパツタリング等により除去す
る。この結果ガラス基板１に溝４が残る（第１
図ｅ）。
や、O2中でのスパツタリング等により除去す
る。この結果ガラス基板１に溝４が残る（第１
図ｅ）。
以上の工程によつてレーザの案内溝等の溝の入
つたガラス基板１が完成する。
つたガラス基板１が完成する。
次に、第２図にはガラス基板の種類とノイズと
の関係を示す。同図でイは本発明に係る組成のガ
ラス基板、具体的にはSiO261重量％、Na2O13重
量％、K2O3重量％、Al2O317重量％、B2O34重量
％、その他２重量％の組成のガラス基板の特性を
示し、ロは従来の組成のガラス基板、具体的には
SiO272重量％、Na2O15重量％、Al2O32重量％、
CaO7重量％、MgO4重量％の組成のガラス基板
の特性を示す。
の関係を示す。同図でイは本発明に係る組成のガ
ラス基板、具体的にはSiO261重量％、Na2O13重
量％、K2O3重量％、Al2O317重量％、B2O34重量
％、その他２重量％の組成のガラス基板の特性を
示し、ロは従来の組成のガラス基板、具体的には
SiO272重量％、Na2O15重量％、Al2O32重量％、
CaO7重量％、MgO4重量％の組成のガラス基板
の特性を示す。
第２図におけるノイズ量は次のようにして求め
た。即ち溝を形成していない部分Ｄでのノイズを
光ヘツドで再生しスペクトルアナライザーでノイ
ズを周波数分析した時のノイズ量S0を求め、同様
に溝と溝との中間部分Ｂ、溝部分Ｃ両部分でのノ
イズ量S1、S2を求め、これらのノイズ量S0、S1、
S2を用いてＢ部分とＤ部分とのノイズ量の差N1、
及びＣ部分とＤ部分とのノイズ量の差N2を算出
し、S0、N1、N2を図示した。この図よりロのガ
ラス基板の溝部分ＣのノイズはＤの部分に比べて
−70dBm多く、イのガラス基板のＣ部分は−
80dBm多いことが分る。尚、Ｄ部分とＢ部分で
のノイズはイ，ロとも略同じ値であるので両ガラ
スの最初の研磨状態が同一であることも分る。
た。即ち溝を形成していない部分Ｄでのノイズを
光ヘツドで再生しスペクトルアナライザーでノイ
ズを周波数分析した時のノイズ量S0を求め、同様
に溝と溝との中間部分Ｂ、溝部分Ｃ両部分でのノ
イズ量S1、S2を求め、これらのノイズ量S0、S1、
S2を用いてＢ部分とＤ部分とのノイズ量の差N1、
及びＣ部分とＤ部分とのノイズ量の差N2を算出
し、S0、N1、N2を図示した。この図よりロのガ
ラス基板の溝部分ＣのノイズはＤの部分に比べて
−70dBm多く、イのガラス基板のＣ部分は−
80dBm多いことが分る。尚、Ｄ部分とＢ部分で
のノイズはイ，ロとも略同じ値であるので両ガラ
スの最初の研磨状態が同一であることも分る。
上記した如くエツチングによつて溝を形成した
時の両ガラスにおけるノイズの差が生ずるのは、
両ガラスの組成の違いによる。即ち本発明に係る
イのタイプのガラス基板は特にAl2O3を比較的多
く含有するので、エツチングを行なつた後も、エ
ツチングを行なう前とほとんど変わらない面粗度
を保つ。しかし、従来、光メモリ素子の基板とし
て用いられたロのタイプのガラス基板はAl2O3が
少ないためにエツチングを行なつた後の面粗度が
非常に悪くなる。その為にノイズ量が増加するの
である。尚、上述の実施例ではリアクチイブイオ
ンエツチング等のドライエツチングによつて溝を
形成したが、ウエツトエツチングによつても本発
明に係る組成のガラスを用いることで良好な性能
の基板を得ることができる。
時の両ガラスにおけるノイズの差が生ずるのは、
両ガラスの組成の違いによる。即ち本発明に係る
イのタイプのガラス基板は特にAl2O3を比較的多
く含有するので、エツチングを行なつた後も、エ
ツチングを行なう前とほとんど変わらない面粗度
を保つ。しかし、従来、光メモリ素子の基板とし
て用いられたロのタイプのガラス基板はAl2O3が
少ないためにエツチングを行なつた後の面粗度が
非常に悪くなる。その為にノイズ量が増加するの
である。尚、上述の実施例ではリアクチイブイオ
ンエツチング等のドライエツチングによつて溝を
形成したが、ウエツトエツチングによつても本発
明に係る組成のガラスを用いることで良好な性能
の基板を得ることができる。
＜効果＞
以上の本発明によればガラス基板に対しエツチ
ングにより生成した溝内部の面粗度を良好に保つ
ことができ、その結果として光メモリ素子の再生
信号のノイズを低減することができるものであ
る。
ングにより生成した溝内部の面粗度を良好に保つ
ことができ、その結果として光メモリ素子の再生
信号のノイズを低減することができるものであ
る。
第１図は光メモリ素子の製造工程を示す説明
図、第２図ａはノイズ量を示すグラフ図、第２図
ｂはレーザの照射位置を示す説明図、第３図は光
メモリ素子の基板の一部拡大斜視図である。 図中、１：ガラス基板、２：フオトレジスト
膜、３：マスク板、Ａ：紫外線、４：溝。
図、第２図ａはノイズ量を示すグラフ図、第２図
ｂはレーザの照射位置を示す説明図、第３図は光
メモリ素子の基板の一部拡大斜視図である。 図中、１：ガラス基板、２：フオトレジスト
膜、３：マスク板、Ａ：紫外線、４：溝。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板にレーザの位置決め用等の溝が形成され
る光メモリ素子において、 上記基板が少なくとも、SiO251〜71重量％と、
Na2O10〜18重量％と、K2O0〜８重量％と、
Al2O312〜22重量％と、B2O30〜９重量％を含有
するガラスから構成されることを特徴とする光メ
モリ素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60270361A JPS62128944A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 光メモリ素子 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60270361A JPS62128944A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 光メモリ素子 |
Publications (2)
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Family
ID=17485196
Family Applications (1)
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| JP60270361A Granted JPS62128944A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 光メモリ素子 |
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