JPH02113453A - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
- Publication number
- JPH02113453A JPH02113453A JP63266024A JP26602488A JPH02113453A JP H02113453 A JPH02113453 A JP H02113453A JP 63266024 A JP63266024 A JP 63266024A JP 26602488 A JP26602488 A JP 26602488A JP H02113453 A JPH02113453 A JP H02113453A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- reflectance
- light beam
- film
- optical disk
- Prior art date
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- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、記録再生可能な光ディスクに関し。
特に、700〜900nmの近赤外波長領域で高反射率
を有し、再生専用光デイスク装置によっても再生するこ
とが可能な光ディスクに関するものである。
を有し、再生専用光デイスク装置によっても再生するこ
とが可能な光ディスクに関するものである。
[従来の技術]
コンパクトディスク(以下、CDと略す。)あるいはビ
デオディスク等の再生専用の光ディスクは、主に780
nm付近の波長を持つ半導体レーザ等の光ビームを用い
て情報の再生が行なわれており、該波長帯域における光
ディスクの反射率は70〜80%と高反射率である。
デオディスク等の再生専用の光ディスクは、主に780
nm付近の波長を持つ半導体レーザ等の光ビームを用い
て情報の再生が行なわれており、該波長帯域における光
ディスクの反射率は70〜80%と高反射率である。
一方、追記形あるいは書き換え形光ディスクにおいては
、780nmあるいは830nm付近の波長を持つ半導
体レーザ等の光ビームを用いて情報の記録再生が行なわ
れており、該波長帯域における光ディスクの反射率は1
0〜40%と低い。
、780nmあるいは830nm付近の波長を持つ半導
体レーザ等の光ビームを用いて情報の記録再生が行なわ
れており、該波長帯域における光ディスクの反射率は1
0〜40%と低い。
[発明が解決しようとする課題]
上記した様に、従来においては、追記形あるいは書き換
え形光ディスクの780nm付近における反射率が、再
生専用の光ディスクのそれと異なるため、追記形あるい
は書き換え形光ディスクを前述の再生専用光デイスク装
置で再生することは困難であった。
え形光ディスクの780nm付近における反射率が、再
生専用の光ディスクのそれと異なるため、追記形あるい
は書き換え形光ディスクを前述の再生専用光デイスク装
置で再生することは困難であった。
本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を解決し、
再生専用光デイスク装置においても再生可能な追記形あ
るいは書き換え形光ディスクを提供することにある。
再生専用光デイスク装置においても再生可能な追記形あ
るいは書き換え形光ディスクを提供することにある。
[課題を解決するための手段]
上記目的は、記録あるいは消去時の光ビーム波長を再生
時の光ビーム波長よりも短かくし、再生時の波長におけ
る反射率を70%以上に高くするとともに、記録・消去
時の波長における吸収率を高くすることにより、達成さ
れる。
時の光ビーム波長よりも短かくし、再生時の波長におけ
る反射率を70%以上に高くするとともに、記録・消去
時の波長における吸収率を高くすることにより、達成さ
れる。
[作用]
ビデオディスク装置等の再生専用光デイスク装置におけ
る再生時の光ビームの波長は通常780nmであるが、
該装置に適合させるためには該波長において70%以上
の反射率が必要となる。
る再生時の光ビームの波長は通常780nmであるが、
該装置に適合させるためには該波長において70%以上
の反射率が必要となる。
方1反射率を高くすると吸収率が減少し記録が不能とな
る。そこで1本発明では、記録時の光ビーム波長を再生
時の光ビーム波長と異ならせ、吸収率が高くなる様な波
長にする。なお、吸収率は少なくとも60%以上必要で
ある。さらに、波長の短い方が光ビームを絞ることが可
能であり、短い記録ピットを形成できるために、記録時
の光ビーム波長を再生時より短くする。この記録時の光
ビーム波長は再生時の光ビーム波長より100〜200
nm短かくし、600nm付近を用いるのが良い。また
記録時に、フォーカス・トラッキングを安定に制御する
ために、反射率10%以上、望ましくは20%以上必要
である。さらに、高C/Nを得るために、記録後におい
て再生光ビーム波長における反射率は50%以下にする
必要がある。
る。そこで1本発明では、記録時の光ビーム波長を再生
時の光ビーム波長と異ならせ、吸収率が高くなる様な波
長にする。なお、吸収率は少なくとも60%以上必要で
ある。さらに、波長の短い方が光ビームを絞ることが可
能であり、短い記録ピットを形成できるために、記録時
の光ビーム波長を再生時より短くする。この記録時の光
ビーム波長は再生時の光ビーム波長より100〜200
nm短かくし、600nm付近を用いるのが良い。また
記録時に、フォーカス・トラッキングを安定に制御する
ために、反射率10%以上、望ましくは20%以上必要
である。さらに、高C/Nを得るために、記録後におい
て再生光ビーム波長における反射率は50%以下にする
必要がある。
以上をまとめると、780nmの波長において、反射率
70%以上、600nmの波長において、反射率20%
以上、吸収率60%以上を有し、さらに、記録後には7
80nmの波長において反射率50%以下を実現するこ
とにより、再生専用光デイスク装置で再生可能な追記形
あるいは書き換え形光ディスクを得ることができる。
70%以上、600nmの波長において、反射率20%
以上、吸収率60%以上を有し、さらに、記録後には7
80nmの波長において反射率50%以下を実現するこ
とにより、再生専用光デイスク装置で再生可能な追記形
あるいは書き換え形光ディスクを得ることができる。
本発明においては、光ディスクの構造を、記録前後で光
学定数が変化する相変化膜と、干渉膜と、反射膜との多
層構造とすることにより、上記した様な光ディスクを得
る。
学定数が変化する相変化膜と、干渉膜と、反射膜との多
層構造とすることにより、上記した様な光ディスクを得
る。
[実施例]
以下1本発明の一実施例について説明する。
第2図に本発明の一実施例としての光ディスクの部分的
な断面を示す。
な断面を示す。
第2図において、1はアクリル樹脂より成る透明基板、
2はSiNより成る第1干渉膜、3は5b−8e−Bi
膜より成る相変化膜、4はSiO2を主成分とする第2
干渉膜、5はAuより成る反射膜、6は紫外線硬化樹脂
より成る保護層である。
2はSiNより成る第1干渉膜、3は5b−8e−Bi
膜より成る相変化膜、4はSiO2を主成分とする第2
干渉膜、5はAuより成る反射膜、6は紫外線硬化樹脂
より成る保護層である。
各々の屈折率と厚さは、それぞれ、透明基板1が屈折率
1.49.厚さ1.2on、第1干渉膜2が屈折率2.
0、厚さ200nm、第2干渉膜4が屈折率1.5、厚
さ1100n、反射膜5が屈折率0.16iX4.8.
厚さ50nmである。また、相変化膜3は厚さ60 n
mであり、屈折率は記録前4−iX0.5から記録後5
−i X 2に変化する。
1.49.厚さ1.2on、第1干渉膜2が屈折率2.
0、厚さ200nm、第2干渉膜4が屈折率1.5、厚
さ1100n、反射膜5が屈折率0.16iX4.8.
厚さ50nmである。また、相変化膜3は厚さ60 n
mであり、屈折率は記録前4−iX0.5から記録後5
−i X 2に変化する。
第2図に示した光ディスクの反射率および吸収率の波長
特性を第1図に示す。
特性を第1図に示す。
第1図に示すように、記録前においては、波長780n
mで反射率72%、波長600nmで反射率25%、吸
収率72%、記録後においては、波長780nmで反射
率40%を得た。
mで反射率72%、波長600nmで反射率25%、吸
収率72%、記録後においては、波長780nmで反射
率40%を得た。
本実施例の光ディスクに対し、波長600nmの可視光
レーザを用いて記録を行い、780nmの近赤外レーザ
を用いて再生を行ったところ、C/N45dB以上の良
好な信号を得ることができた。
レーザを用いて記録を行い、780nmの近赤外レーザ
を用いて再生を行ったところ、C/N45dB以上の良
好な信号を得ることができた。
なお、780nmの近赤外レーザで記録実験を行なった
が、吸収率が低いために有効な記録ピットを得ることは
困難であった。
が、吸収率が低いために有効な記録ピットを得ることは
困難であった。
ところで、本実施例では、第1図に示した記録前の反射
率の波長特性を得るために、各層の膜厚を以下に述べる
如く最適化した。
率の波長特性を得るために、各層の膜厚を以下に述べる
如く最適化した。
第3図に、第2図における相変化膜の膜厚と反射率、吸
収率との関係を示す。
収率との関係を示す。
第3図において、実線は波長780nmにおける反射率
、破線は波長600nmにおける反射率、−点鎖線は波
長600nmにおける吸収率である。
、破線は波長600nmにおける反射率、−点鎖線は波
長600nmにおける吸収率である。
なお、後述する第4図、第5図においても同様である。
第3図より、波長780nmで反射率70%以上、波長
600nmで反射率20%以上、吸収率60%以上を満
足する相変化膜3の膜厚は、60nmであることがわか
る。
600nmで反射率20%以上、吸収率60%以上を満
足する相変化膜3の膜厚は、60nmであることがわか
る。
第4図に、第2図における第1干渉膜の膜厚と反射率、
吸収率との関係を示す。
吸収率との関係を示す。
第4図より、波長780nmでの反射率および波長60
0nmでの吸収率が共に高い200nmを、第1干渉膜
2の膜厚とした。なお、第1干渉膜2の膜厚がOであっ
ても、反射率70%以上。
0nmでの吸収率が共に高い200nmを、第1干渉膜
2の膜厚とした。なお、第1干渉膜2の膜厚がOであっ
ても、反射率70%以上。
吸収率60%以上を満たしており、従って、第1干渉膜
2を必ずしも設ける必要はないが、しかし、第1干渉膜
2を設け、膜厚を200nmとすることにより、吸収率
を15%以上増大することができるという利点がある。
2を必ずしも設ける必要はないが、しかし、第1干渉膜
2を設け、膜厚を200nmとすることにより、吸収率
を15%以上増大することができるという利点がある。
第5図に、第2図における第2干渉膜の膜厚と反射率、
吸収率との関係を示す。
吸収率との関係を示す。
第5図より、波長600nmで反射率20%以上、波長
780nmで反射率70%以上を満足し、しかも、膜厚
の薄い方を選んで、第2干渉膜4の膜厚を1100nと
した。
780nmで反射率70%以上を満足し、しかも、膜厚
の薄い方を選んで、第2干渉膜4の膜厚を1100nと
した。
第6図に、第2図における反射膜の膜厚と反射率との関
係を示す。
係を示す。
第6図より、反射膜5の膜厚を30nm以上とすれば反
射率はほぼ一定となるため、ここでは膜厚を50nmと
した。
射率はほぼ一定となるため、ここでは膜厚を50nmと
した。
なお、本実施例においては、透明基板1としてアクリル
樹脂を用いたが、これに限るものではなく、ポリ力・−
ボネート樹脂、ガラス、その他の透明基板を用いても良
い。また、相変化膜3として5b−8e−Bi系を用い
たが、Te系、In系等の合金系を用いることもできる
。さらに反射膜5としAuを用いたがこれに限るもので
はなく、AQ+ Ag、Cr、Bi、Pt、Cu等を用
いても良い。
樹脂を用いたが、これに限るものではなく、ポリ力・−
ボネート樹脂、ガラス、その他の透明基板を用いても良
い。また、相変化膜3として5b−8e−Bi系を用い
たが、Te系、In系等の合金系を用いることもできる
。さらに反射膜5としAuを用いたがこれに限るもので
はなく、AQ+ Ag、Cr、Bi、Pt、Cu等を用
いても良い。
また、本実施例においては、相変化膜3として屈折率4
−4 X O,5を持つSb Ss Bl系の相変
化膜を用いたが、Biの含有量をさらに減少させ。
−4 X O,5を持つSb Ss Bl系の相変
化膜を用いたが、Biの含有量をさらに減少させ。
屈折率の虚数部を0.5以下とすることにより。
波長780nmにおける反射率をさらに上昇させること
もできる。例えば、屈折率4−jXo、3を持っ相変化
膜を用いた場合1反射率80%が得られる。
もできる。例えば、屈折率4−jXo、3を持っ相変化
膜を用いた場合1反射率80%が得られる。
また、第1、第2干渉膜2,4の屈折率は、相変化膜3
の屈折率に合わせて任意に設計することができる。
の屈折率に合わせて任意に設計することができる。
一方、比較例として、第7図に、屈折率4−iXlを9
持つ5b−8s−Bi系の相変化膜(膜厚70n m
)を用いた単層構造光ディスクの反射率の波長特性を、
第8図に、透明基板と上記相変化膜(即ち、屈折率4−
i X 1を持ツS b −S e −B i系の相変
化膜)との間に屈折率2のSiN干渉膜(膜厚200
n m )を設けた光ディスクの反射率の波長特性を、
それぞれ示す。いずれの場合も波長780nmで70%
以上の高反射率を得られないことがわかる。
持つ5b−8s−Bi系の相変化膜(膜厚70n m
)を用いた単層構造光ディスクの反射率の波長特性を、
第8図に、透明基板と上記相変化膜(即ち、屈折率4−
i X 1を持ツS b −S e −B i系の相変
化膜)との間に屈折率2のSiN干渉膜(膜厚200
n m )を設けた光ディスクの反射率の波長特性を、
それぞれ示す。いずれの場合も波長780nmで70%
以上の高反射率を得られないことがわかる。
780nmでの高反射率と600nmでの高吸収率を得
るには、本実施例のように、反射膜Sを設けた多層構造
とし、相変化膜3の屈折率、特に虚数部の吸収係数を適
当に設定することにより、反射膜5からの反射光量を制
御する方法が良い。
るには、本実施例のように、反射膜Sを設けた多層構造
とし、相変化膜3の屈折率、特に虚数部の吸収係数を適
当に設定することにより、反射膜5からの反射光量を制
御する方法が良い。
[発明の効果コ
本発明によれば、再生専用光デイスク装置でも再生r+
I能な追記形あるいは書き換え形光ディスクが得られる
ので、光ディスクの用途を大幅に広げることができると
いう効果がある。
I能な追記形あるいは書き換え形光ディスクが得られる
ので、光ディスクの用途を大幅に広げることができると
いう効果がある。
第1図は本発明の一実施例としての光ディスクの反射率
、吸収率の波長特性を示す特性図、第2図は本発明の一
実施例の光ディスクの部分的な断面を示す断面図、第3
図は第2図における相変化膜の膜厚と反射率、吸収率と
の関係を示す特性図、第4図は第2図における第1干渉
膜の膜厚と反射率、吸収率との関係を示す特性図、第5
図は第2図における第2干渉膜の膜厚と反射率、吸収率
との関係を示す特性図、第6図は第2図における反射膜
の膜厚と反射率との関係を示す特性図、第7図、第8図
は比較例としての光ディスクの反射率の波長特性を示す
特性図、である。 4日#端帥# 1・・・透明基板、2・・・第1干渉膜、3・・・相変
化膜、4・・・第2干渉膜、5・・・反射膜。 第 図 4sイ【イとj1喀順ノリL(輔) 第2図 tied也 遍”1干渉月冥順厚(Mτ) 第2子5歩月1黄厚(qtn) 第 反射窄料(7171)
、吸収率の波長特性を示す特性図、第2図は本発明の一
実施例の光ディスクの部分的な断面を示す断面図、第3
図は第2図における相変化膜の膜厚と反射率、吸収率と
の関係を示す特性図、第4図は第2図における第1干渉
膜の膜厚と反射率、吸収率との関係を示す特性図、第5
図は第2図における第2干渉膜の膜厚と反射率、吸収率
との関係を示す特性図、第6図は第2図における反射膜
の膜厚と反射率との関係を示す特性図、第7図、第8図
は比較例としての光ディスクの反射率の波長特性を示す
特性図、である。 4日#端帥# 1・・・透明基板、2・・・第1干渉膜、3・・・相変
化膜、4・・・第2干渉膜、5・・・反射膜。 第 図 4sイ【イとj1喀順ノリL(輔) 第2図 tied也 遍”1干渉月冥順厚(Mτ) 第2子5歩月1黄厚(qtn) 第 反射窄料(7171)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、照射される光ビームにより情報の記録・再生が可能
な光ディスクにおいて、前記光ビームとして波長が78
0nmである光ビームが照射された時の反射率が70%
以上であり、波長が600nmである光ビームが照射さ
れた時の反射率が10%以上、吸収率が60%以上であ
ることを特徴とする光ディスク。 2、前記光ビームとして波長が780nmである光ビー
ムが照射された時の反射率が、情報を記録した後の該情
報の記録部分では、50%以下となることを特徴とする
請求項1記載の光ディスク。 3、照射される光ビームにより情報の記録・再生が可能
な光ディスクにおいて、透明基板上に、第1の干渉膜、
相変化膜、第2の干渉膜、反射膜、保護膜を順次形成し
て成り、前記光ビームとして波長が780nmである光
ビームが照射された時の反射率が70%以上であり、波
長が600nmである光ビームが照射された時の反射率
が10%以上、吸収率が60%以上であることを特徴と
する光ディスク。 4、前記光ビームとして波長が780nmである光ビー
ムが照射された時の反射率が、情報を記録した後の該情
報の記録部分では、50%以下となることを特徴とする
請求項3記載の光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63266024A JPH02113453A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63266024A JPH02113453A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02113453A true JPH02113453A (ja) | 1990-04-25 |
Family
ID=17425326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63266024A Pending JPH02113453A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02113453A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0613128A1 (en) * | 1993-02-18 | 1994-08-31 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical information carrier |
| KR19990042064A (ko) * | 1997-11-25 | 1999-06-15 | 윤종용 | 귀금속 반사층을 구비한 상변화 광디스크 |
| US5962100A (en) * | 1996-07-29 | 1999-10-05 | Denso Corporation | Optical information recording medium |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0233738A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-02 | Fujitsu Ltd | 光ディスク媒体 |
-
1988
- 1988-10-24 JP JP63266024A patent/JPH02113453A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0233738A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-02 | Fujitsu Ltd | 光ディスク媒体 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0613128A1 (en) * | 1993-02-18 | 1994-08-31 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical information carrier |
| US5962100A (en) * | 1996-07-29 | 1999-10-05 | Denso Corporation | Optical information recording medium |
| KR19990042064A (ko) * | 1997-11-25 | 1999-06-15 | 윤종용 | 귀금속 반사층을 구비한 상변화 광디스크 |
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