JPH06243507A - 光情報キャリア - Google Patents

光情報キャリア

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JPH06243507A
JPH06243507A JP6018367A JP1836794A JPH06243507A JP H06243507 A JPH06243507 A JP H06243507A JP 6018367 A JP6018367 A JP 6018367A JP 1836794 A JP1836794 A JP 1836794A JP H06243507 A JPH06243507 A JP H06243507A
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auxiliary layer
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Uijen Cornelis M J Van
マリヌス ヨハネス ファン ウエイエン コルネリス
Fumei Fumei
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Koninklijke Philips Electronics NV
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 書込感度を改善し、小さなレーザエネルギー
で書込みを行いうる書込及び消去可能な光情報キャリア
を提供する。 【構成】 サーボトラックを有する透明基板１と、相変
化材料より成る少なくとも１つの記録層９及び金属より
成る少なくとも１つの反射層１３を有する積層体とを具
え、この積層体３が少なくとも１つの補助層を有し、こ
の補助層の光吸収特性は可逆性の温度依存特性であり、
７０℃よりも低い温度で補助層の光吸収率が零又はほぼ
零であり、７０℃よりも高い温度で補助層の光吸収率、
従って積層体の光吸収率が著しく増大するようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は、サーボトラックを有する透明基
板と、相変化材料より成る少なくとも１つの記録層及び
金属より成る少なくとも１つの反射層を有する積層体と
を具え、レーザ光ビームにより情報を書込み、読出し及
び消去する光情報キャリアに関するものである。
【０００２】コンパクトディスク（ＣＤ；商品名）や、
コンパクトディスク読取専用メモリ（ＣＤ−ＲＯＭ）
や、レーザビジョン（ＬＶ）のような既知の光情報キャ
リアには製造者により情報が与えられ、これら光情報キ
ャリアをユーザが市販の再生装置により読取りうるだけ
である。他の情報キャリアとしてはユーザが１回書込み
しうるものがある（ＣＤ−Ｒ）。ユーザが書込み及び消
去することができ、標準のＣＤプレーヤで読取ることの
できる情報キャリアは多くの分野に用いることができ
る。書込み及び消去のためには特別な書込み／消去装置
が用いられる。この情報キャリアにはユーザ自身がオー
ディオ情報又はデータ情報を書込むことができる。この
情報キャリアには消去後に新たな情報を書込みうる。
【０００３】書込み及び消去可能な情報キャリアを標準
のＣＤプレーヤで読取るための必要条件は、この情報キ
ャリアが標準のＣＤプレーヤに適合すること、すなわち
この情報キャリアがＣＤシステムに対する工業上の標準
規格（以後ＣＤ工業標準規格と称する）を満足すること
である。このことは特に、情報キャリアの未書込領域の
反射率ＲH 及び変調度が特定の最小値を有する必要があ
るということを意味する。書込まれた情報キャリアを集
束されたレーザ光ビームにより読取ると、反射率の差及
び光路長差の双方又はいずれか一方により被変調レーザ
光ビームを生ぜしめ、この被変調レーザ光ビームが、符
号化された書込デジタル情報に応じて検出器により被変
調光電流に変換される。被変調光電流は最低の基本周波
数が１９６ＫＨｚであるＨＦ信号である。光電流のピー
ク−ピーク値をＩ11で表わし、１９６ＫＨｚと関連する
ＨＦ信号の最高レベルをＩtop で表わすと、変調度はＩ
11／Ｉtop で規定され、上述したＣＤ工業標準規格によ
れば少なくとも０．６とする必要がある。被変調光電流
は、情報キャリアの書込領域と未書込領域との間の反射
率の差及び光路長差の双方又はいずれか一方により生ぜ
しめられる。変調が反射率の差のみに基づいている情報
キャリアは、必要変調度を０．６にするために最小の光
コントラストを有する必要がある。光コントラストＣは Ｃ＝１００（ＲH −ＲL ）／ＲH として規定される。この式でＲH の意味は前述した通り
であり、ＲL は情報キャリアの書込領域（ビット）の反
射率である。実際には、変調度はレーザスポットの寸法
の関係上光コントラストよりも小さい。このことは、
０．６の変調度条件を満足するためには光コントラスト
Ｃを６０％よりも高くする必要があるということを意味
する。未書込領域の反射率ＲH は７８０ｎｍ±１０ｎｍ
のレーザ波長に基づいている。この波長の垂直入射平行
レーザ光ビームの場合で、基板表面の反射率（約４％）
も測定される場合には、ＲH は少なくとも７０％にする
必要がある。ＣＤプレーヤで用いられている集束レーザ
光ビームの場合には、最小で６５％の反射率で十分であ
る。すなわち、このような情報キャリアを標準のＣＤプ
レーヤに適合させて再生できる。
【０００４】既知の種類の光情報キャリアはいわゆる相
変化材料より成る記録層を有している。この記録層を集
束されたレーザ光ビームで局部的に加熱し、後にこれを
冷却することにより、これらの材料の結晶状態がレーザ
スポットの位置で変化し、読取可能なビットが形成され
る。記録層の材料に応じて、非晶質材料が結晶質材料に
又はその逆に変化する。ある結晶相を他の結晶相に変換
することも可能である。記録相は例えば結晶質であり、
入射レーザ光を吸収する特性を有する。情報の記録中は
情報キャリアが回転し、書込むべき情報に応じて変調さ
れた集束レーザ光ビームがこの情報キャリアに当てられ
る。その結果、記録層の露光領域に非晶質の情報ビット
が形成され、記録層の未露光領域は結晶質状態に保たれ
る。結晶質材料は非晶質材料と異なる光学特性を有する
為、書込まれた情報を低エネルギー（出力）の集束レー
ザ光ビームにより光コントラストとして反射読取りする
ことができる。ある相変化材料では、加熱により非晶質
領域を結晶質領域に或いはその逆に再変換できる為、書
き込まれた情報は消去される。その後記録層に新たな情
報を再び書込むことができる。
【０００５】いわゆるＣＤ工業標準規格の条件を満足す
る書込可能な情報キャリアを製造するのは極めて困難で
あるということを確かめた。既知の相変化材料の反射率
及びコントラストはあまりにも低く、他の処理を施さな
いと、この相変化材料はＣＤプレーヤに適合しうる情報
キャリアに用いるのに適さない。
【０００６】
【従来の技術】冒頭に記載した種類の情報キャリアは欧
州特許出願公開ＥＰ−Ａ−３５２１０５号明細書に開示
されており既知である。相変化型の既知の情報キャリア
は、らせん型のサーボトラックが設けられた基板と、こ
の基板上に設けられた積層体とを以て構成されており、
この積層体はＩｎＳｂ又はＴｅＧｅ合金より成る記録層
と、例えばＺｎＳより成る誘電体層と、例えばＡｕより
成る反射層とより成っている。既知の情報キャリアの好
適例では、反射率は未書込領域に対し７２％であり、書
込み（書込みが行われた）領域に対し３８％である。従
って既知の情報キャリアの光コントラストＣは１００
（７２−３８）／７２＝４７％である。従って、測定さ
れる光コントラストや前述したようにこの光コントラス
トよりも低い変調度は前記のＣＤ工業標準規格（変調度
＞０．６）を満足しない。
【０００７】欧州特許出願第９２２０３７７．４号（特
開平５−２４２５３１号公報）には、情報キャリアがＣ
Ｄ工業標準規格を満足しうるように、初期反射を高く保
って、この情報キャリアのコントラストを高めるように
する方法が開示されている。この目的のために、光の漏
れのある（光をわずかに透過する）反射層を基板に面し
て積層体に設けることが提案されている。積層体はＭＩ
ＰＩＭの層構造を有するようにするのが好ましい。ここ
に、Ｍは金属層、Ｉは誘電体層、Ｐは相変化記録層であ
る。上述した情報キャリアは基板から見て例えば、薄肉
のＡｕ反射層、Ｔａ2 Ｏ5 誘電体層、（追記型）ＧｅＴ
ｅ記録層、Ｔａ2 Ｏ5 誘電体層及び光の漏れのない（光
を透過しない）Ａｕ層を有している。干渉効果の為に情
報キャリアの初期反射率及びコントラストの双方が増大
する。この層構造の場合、未書込領域及び書込領域の反
射率はそれぞれ７０％及び１２％である。従って、光コ
ントラストＣは８２％となり、ＣＤ工業標準規格を満足
する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＣＤ工業標準
規格を満足する書込みされた情報キャリアには、未書込
領域の反射率を少なくとも６５％とする必要があるとい
う事実の為に未書込領域におけるレーザ光ビームの吸収
率は最大で３５％しか達しないおそれがあるという問題
がある。従って、情報キャリアの書込感度は、書込処理
に通常大きなレーザエネルギー（出力）を必要とする程
度に小さいものとなる。
【０００９】本発明の目的は、特に、ＣＤ工業標準規格
を満足するとともに書込感度を改善した、すなわちわず
かなレーザエネルギーで書込みしうるＣＤ−Ｅ（消去可
能）と称される書込及び消去可能光情報キャリアを提供
せんとするにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、サーボトラッ
クを有する透明基板と、相変化材料より成る少なくとも
１つの記録層及び金属より成る少なくとも１つの反射層
を有する積層体とを具え、レーザ光ビームにより情報を
書込み、読出し及び消去する光情報キャリアにおいて、
前記の積層体が少なくとも１つの補助層を有し、この補
助層の光吸収特性は可逆性の温度依存特性であり、７０
℃よりも低い温度で補助層の光吸収率が零又はほぼ零で
あり、７０℃よりも高い温度で積層体の光吸収率が３５
％よりも高い値に増大するようになっていることを特徴
とする。
【００１１】本発明は、情報キャリアの反射率及び変調
度に関するＣＤ条件は−４０℃及び＋７０℃間の温度、
すなわちＣＤシステムの動作温度範囲に対してのみ適用
されるという認識を基に成したものである。＋７０℃よ
りも高い温度では、反射率の著しい減少、従って吸収率
の著しい増大が許容される。この効果は、情報キャリア
の積層体全体の光特性が＋７０℃よりも高い温度で著し
く温度に依存する場合に達成される。特に、積層体の１
つ以上の層が＋７０℃よりも高い温度で相転移すると、
温度が増大するにつれて情報キャリアの反射率が可成り
減少しうるようになる。相転移の例は、溶融した場合の
ような秩序状態から無秩序状態への転移、或いは結晶質
から非晶質への転移や液晶相から等方性相への転移であ
る。結晶質から結晶質への転移も可能である。上述した
転移は逆方向にも行うことができる。本発明によれば、
相転移を呈する層（以後、補助層と称する）を、大部分
のレーザ光が入射される位置で好ましくは積層体と基板
との間に配置する。温度が７０℃よりも低い温度に減少
すると、もとの光状態を回復するようにする必要があ
る。又、例えば固相及び液相間の頻繁な切換えを可能に
する必要がある。このようにして得られる書込感度の増
大は、達成される吸収率の増大に依存する。吸収率が３
５％の場合、レーザの書込みエネルギーは例えば３０ｍ
Ｗ必要とする。吸収率が７０％まで増大すると、書込エ
ネルギーは１５ｍＷで足りる。ＣＤ工業標準規格の反射
率及び変調度の条件を満足するには、補助層の吸収率を
室温で（すなわち７０℃よりも低い温度で）零又はほぼ
零にする必要がある。
【００１２】本発明による情報キャリアの例では、補助
層がセレン（Ｓｅ）を含有するようにする。セレンの光
学的特性は温度によって決定される。室温や７０℃まで
の温度では、セレンは使用するレーザ波長で殆ど非吸収
性である。セレンの溶融点（２１７℃）よりも高い温度
では、補助層は充分に吸収性となる。セレン補助層を用
いる場合には、情報キャリアの反射率はセレンの溶融点
よりも高い温度で急激に減少する。レーザ光ビームを用
いた書込み又は消去中情報キャリアの温度は例えば６０
０℃まで上昇し、セレン補助層が溶融する。これにより
吸収率を著しく増大させ、小さなレーザエネルギーで書
込処理を行うことができる。セレン補助層は冷却後凝固
し、その吸収率は再びほぼ零となる。消去された情報キ
ャリアの、従って未書込領域の反射率は再び６５％より
も高い値に増大し、従ってＣＤ工業標準規格の条件を満
足する。
【００１３】本発明による情報キャリアの好適例では、
補助層が、１〜６原子％のテルルを加えたセレンを含有
するようにする。テルルを加えることにより、補助層の
吸収係数ｋを溶融相で更に増大させる。３原子％のテル
ルを有するセレン補助層の吸収係数ｋは固相で小さく
（０．０３８）、溶融相で０．１４に増大する。補助層
の厚さを適切に選択することによりこの補助層及び積層
体の他の層の吸収率を増大させることができ、その範囲
を室温での３５％から書込み又は消去中に生じる加熱状
態（約２５０℃）での５５％までとすることができる。
これにより、書込み又は消去に必要とするレーザエネル
ギーを約２５％だけ減少せしめうる。
【００１４】本発明による光情報キャリアの他の例で
は、補助層がｘ＝０．０１〜０．４としたＡｌx Ｇａ
1-x Ａｓ（しばしばＡｌＧａＡｓと称される）を有する
ようにする。この半導体材料やその他の半導体材料の特
性は、スペクトル吸収帯域が温度とともにシフトする特
性である。ＡｌＧａＡｓの吸収帯域は１００℃当り約４
０ｎｍシフトする。更に、ＧａＡｓと適切な濃度のＡｌ
とを混合することにより、室温でのＡｌＧａＡｓの吸収
率を所要のレーザ波長に対してほぼ零となるように調整
しうる。このようにして、２００℃の温度上昇で０．０
００６から０．０６への吸収係数ｋの変化を所望の波長
で達成しうる。この材料には、室温でのその吸収率が数
パーセントのＴｅを有するＳｅの吸収率よりも低くなる
という利点がある。これにより光コントラストに、従っ
て変調度に好ましい効果を及ぼす。又、ＡｌＧａＡｓ層
の厚さを適切に選択することにより７０℃よりも高い温
度で吸収率を高めることができる。１９０ｎｍの厚さの
ＡｌＧａＡｓ補助層の場合、補助層と記録層との全体の
吸収率は２００℃の温度上昇で３０％から４８％に増大
しうる。
【００１５】本発明による情報キャリアの好適例では、
補助層を１つ以上の誘電体層によって画成する。誘電体
層が存在すると、補助層が基板及び金属反射層の双方又
はいずれか一方に直接接触しなくなるため、生じるおそ
れのある不所望な拡散が防止される。更に、誘電体層
は、反射を増大させる干渉層として作用するような厚さ
にすることができる。
【００１６】記録層は、例えば結晶質−非晶質の相転移
を呈する相変化材料を有する。書込みに際しては、結晶
質の記録層中に非晶質の情報ビットが形成される。使用
する相変化材料は可逆性である為、書込まれた情報を消
去でき、その後この材料に再び書込みを行うことができ
る。この種類の既知の材料はＩｎ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｓｅ−
Ｓｂ，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｔｅ−Ｇｅ，Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓ
ｂ，Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ及びＴｅ−Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂの合
金である。このような材料の記録層を本発明による情報
キャリアに用いる場合には、標準のＣＤプレーヤに適合
しうる書込み及び消去可能な情報キャリア（ＣＤ−Ｅ）
が得られる。
【００１７】本発明による情報キャリアの最も簡単な例
はＳＰＨＭ構造を有するものである。ここに、Ｓは基
板、Ｐは記録層、Ｈは１つ以上の誘電体層で画成されて
いてもいなくても良い補助層、Ｍは金属反射層をそれぞ
れ示す。他の例では、記録層と金属反射層との間に誘電
体層Ｉを設け、ＳＨＰＩＭ構造を得る。誘電体層の厚さ
は、この層が光コントラストを増大させる干渉層として
作用するような厚さとしうる。補助層は積層体中の他の
位置に設けてもよい。
【００１８】情報キャリアの好適例では、他の反射層
Ｍ′と他の誘電体層とを基板と記録層との間に配置し、
この他の誘電体層を記録層に隣接させる。これにより得
られる情報キャリアの構造はＳＨＭ′ＩＰＩＭとなる。
誘電体層で画成してもしなくても良い補助層Ｈは積層体
中の他の位置に設けても良い。変形例の構造は、例えば
Ｈを２つの誘電体層で画成したＳＭ′ＨＰＩＭ構造であ
る。前記欧州特許出願第９２２０３７７３．４（特開平
５−２４２５３１号公報）に記載されているように、こ
れにより情報キャリアの反射率及び光コントラストの双
方又はいずれか一方が高くなる。基板側に位置する反射
層Ｍ′は元素Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ又はＡｇの金属又は金属
合金を以って構成しうる。この反射層Ｍ′は光の漏れの
あるもの、すなわち例えば０．２を越える透過係数を有
するものとする。反射層Ｍ′は、屈折率が高い誘電体
層、例えばＴａ2 Ｏ5 と屈折率が低い誘電体層、例えば
ＳｉＯ 2 とを交互に有する誘電体積層体より成る誘電体
反射器とすることもできる。補助層Ｈは誘電体反射器
Ｍ′の積層体の一部を構成するようにしうる。
【００１９】情報キャリアの外側にある反射層Ｍは例え
ば元素Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ又はＡｇの金属又は金属合金よ
り成り光の漏れのない金属層とし、この反射層がレーザ
光をできるだけ透過しないようにし、従って情報キャリ
アの反射率ができるだけ高くなってできるだけ多くのレ
ーザ光を読取りに用いうるようにするのが好ましい。追
加の誘電体層を干渉層として設けることにより反射率及
びコントラストの双方を高める。可能な構造は例えばＳ
ＩＭ′ＩＰＩＭであり、この積層体も補助層Ｈを有す
る。この構造においても、補助層Ｈが誘電体反射器Ｍ′
の積層体の一部を構成するようにしうる。
【００２０】上述したところから明らかなように、情報
キャリアの設計者は光学特性をいかに最適にするかに関
し可成りの自由度を有する。しかし、記録層Ｐと金属反
射層Ｍ（又はＭ′）とは、又ＭとＭ′とは互いに直接接
してはならないことに注意すべきである。
【００２１】誘電体層に対しては、ＳｉＯ2 ，Ｔｉ
Ｏ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＺｎＳ，ＡｌＮ又はＴａ2 Ｏ5 のよ
うな通常の材料を用いることができる。これらの材料の
混合物、例えばＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物も用いるこ
とができる。
【００２２】情報キャリアの基板は少なくとも、７８０
ｎｍ±１０ｎｍのレーザ波長に対し透明とし、例えばポ
リカーボネート、ポリメチルメタクリラート（ＰＭＭ
Ａ）又はガラスを以って構成する。この基板は書込み及
び消去に用いるレーザ波長に対しても透明とする必要が
ある。ＣＤ工業標準規格によれば、基板の厚さは１．２
ｍｍであり、その直径は１２０ｍｍである。
【００２３】基板の表面には、記録層の側に光学的に走
査しうるサーボトラックが設けられる。このサーボドラ
ックは一般にらせん形状の溝であり、注入−型成形又は
プレス成形により基板中に設けられる。複製処理では基
板上に設けられた例えばアクリラートのＵＶ光硬化層よ
り成る別体の合成樹脂層中にこの溝を設けることができ
る。このような溝のピッチは１．６μｍであり、その幅
は例えば０．６μｍである。積層体の最外側層は、所望
に応じ、例えばＵＶ光硬化させたポリ（メタ）アクリラ
ートより成る保護被膜により周囲から遮蔽することがで
きる。
【００２４】
【実施例】
実施例１：図１は本発明による光情報キャリアの断面の
一部を線図的に示す。直径が１２０ｍｍで厚さが１．２
ｍｍのポリカーボネートより成るディスク状基板を１で
示す。この基板の一方の面には、溝の形態のらせん状サ
ーボトラック（図示せず）が設けられている。このサー
ボトラックは適切な型を用いた注入型成形処理でポリカ
ーボネートに形成される。サーボトラックが形成されて
いる側で、この基板にセレンと３原子％のテルルとの合
金よりなる１１２ｎｍの厚さの補助層３が設けられてい
る。この補助層３の上面及び下面に厚さが５ｎｍのＴａ
2 Ｏ5 より成る誘電体層４及び２が設けられている。誘
電体層４上には以下の構成の積層体が設けられている。 −１３ｎｍの厚さのＡｕより成る反射層５ −１９ｎｍの厚さのＴａ2 Ｏ5 より成る誘電体層７ −２０ｎｍの厚さのＴｅ52Ｇｅ39Ｓｂ9 より成る記録層
９ −４５ｎｍの厚さのＴａ2 Ｏ5 より成る誘電体層１１ −１００ｎｍの厚さのＡｕより成る反射層１３ これらの層はスパッタリング又は蒸着により設けること
ができる。スパッタリング処理後の記録層９は非晶質で
あり、これを温度処理により結晶質の層に変換する。反
射層１３上には、スピン被覆処理によりＵＶ（紫外線）
硬化性アクリラートラッカーより成る１０μｍの厚さの
保護層１５が設けられている。記録層９の材料は可逆性
の結晶質−非晶質の相変化材料である。
【００２５】情報を書込み、読取り及び所望に応じ消去
するためのレーザ光ビームは基板１の入射面１７を経て
情報キャリアに入る。このビームを矢印ａで線図的に示
してある。書込み中は情報キャリアが一定の線速度で回
転し、変調されたレーザ光ビームの作用により結晶質の
記録中に非晶質のビットが得られる。上述した層構造体
は室温で６５％の結晶質状態及び２０％の非晶質状態で
反射を行う。この反射及び変調はＣＤ条件を満足する。
従って、上述した情報キャリアはＣＤ工業標準規格を満
足し、標準ＣＤプレーヤで再生しうる。更に、書込処理
中溶融する補助層３を用いている為、積層体の吸収率は
室温での３５％から７０℃よりも高い温度での５５％に
増大し、従って書込みに必要なレーザエネルギー（出
力）は約２５％だけ減少する。情報キャリアに書込みを
行った後、ビットを反射率の差に基づいて通常のＣＤプ
レーヤで読取ることができる。読取り中の低いレーザエ
ネルギーにより発生される温度では、補助層は殆ど透明
である。情報は非晶質ビットを結晶質にすることにより
消去しうる。その後、情報キャリアに再び記録しうるよ
うになる。
【００２６】実施例２：補助層３を３１５ｎｍの厚さの
Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層（ここにｘ＝１３原子％である）
を以って構成して実施例１を繰返す。この補助層は厚さ
が５ｎｍのＴａ 2 Ｏ5 より成る誘電体層２及び４により
画成されている。誘電体層４上には以下の構成の積層体
が設けられている。 −１３ｎｍの厚さのＡｕより成る反射層５ −１０ｎｍの厚さのＴａ2 Ｏ5 より成る誘電体層７ −２２ｎｍの厚さのＴｅ52Ｇｅ39Ｓｂ9 より成る記録層
９ −４４ｎｍの厚さのＴａ2 Ｏ5 より成る誘電体層１１ −１００ｎｍの厚さのＡｕより成る反射層１３ 図２はこの半導電性材料の吸収帯域を線図的に示す。こ
の図２では、吸収係数ｋ（単位は任意）を波長λに対し
プロットしてある。実線曲線は室温Ｔ1 での吸収帯域を
示す。温度が上昇すると、吸収帯域は長波長側へシフト
する。破線曲線は例えば２２０℃（Ｔ2 ）での吸収帯域
を示す。Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ中のｘの値は、書込処理に
対して用いたレーザ波長λL でこの温度上昇時に吸収係
数が０．０００６（ｋ1 ）から０．０６（ｋ2 ）に増大
するように選択する。
【００２７】上述した層構成によれば、室温で７０％の
結晶質状態及び２４％の非晶質状態で反射が得られる。
この反射及び変調がＣＤ条件を満足する。従って、上述
した情報キャリアはＣＤの工業標準規格を満足し、標準
のＣＤプレーヤで再生しうる。補助層の上述した厚さで
は、積層体の吸収率は室温での３０％から７０℃よりも
高い温度での５３％に増大する為、これに応じて書込み
及び消去に必要なレーザエネルギーを減少せしめうる。
吸収帯域のシフトは可逆的である為、室温で補助層の吸
収率は再びほぼ零となる。この場合情報キャリアの未書
込領域は再び７０％の高い反射率を呈する。本発明によ
る情報キャリアは、ＣＤの工業標準規格を満足するとと
もに補助層を用いなかった場合に必要とするよりも低い
レーザエネルギーで書込み及び消去できる、書込可能で
必要に応じ消去可能な光情報キャリア（ＣＤ−Ｅ）とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による光情報キャリアを示す線図的断面
図である。
【図２】本発明により補助層を用いた場合のＡｌＧａＡ
ｓの吸収係数ｋ（単位は任意）を温度Ｔ1 及びＴ2 （Ｔ
2 ＞Ｔ1 ）における波長λの関数として示す線図であ
る。
【符号の説明】
１ 基板 ２，４，７，１１ 誘電体層 ３ 補助層 ５，１３ 反射層 ９ 記録層 １５ 保護層 １７ 入射面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アドリアヌス ペトラス ヨハネス マリ ア ヨンへネリス オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ１

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 サーボトラックを有する透明基板と、 相変化材料より成る少なくとも１つの記録層及び金属よ
    り成る少なくとも１つの反射層を有する積層体とを具
    え、レーザ光ビームにより情報を書込み、読出し及び消
    去する光情報キャリアにおいて、 前記の積層体が少なくとも１つの補助層を有し、この補
    助層の光吸収特性は可逆性の温度依存特性であり、７０
    ℃よりも低い温度で補助層の光吸収率が零又はほぼ零で
    あり、７０℃よりも高い温度で積層体の光吸収率が３５
    ％よりも高い値に増大するようになっていることを特徴
    とする光情報キャリア。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の光情報キャリアにおい
    て、前記補助層がセレンを含有していることを特徴とす
    る光情報キャリア。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の光情報キャリアにおい
    て、前記の補助層がセレンと１〜６原子％のテルルとの
    合金を有していることを特徴とする光情報キャリア。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の光情報キャリアにおい
    て、前記の補助層がＡｌx Ｇａ1-x Ａｓを有し、ｘを
    ０．０１〜０．４の範囲としたことを特徴とする光情報
    キャリア。
  5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか一項に記載の光
    情報キャリアにおいて、前記の補助層が１つ以上の誘電
    体層により画成されていることを特徴とする光情報キャ
    リア。
  6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか一項に記載の光
    情報キャリアにおいて、前記の記録層が、Ｉｎ−Ｓｅ，
    Ｉｎ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｔｅ−Ｇｅ，Ｔ
    ｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ及びＴｅ−Ｇｅ−Ｓ
    ｅ−Ｓｂより成る群から選択した合金を有していること
    を特徴とする光情報キャリア。
  7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか一項に記載の光
    情報キャリアにおいて、前記の反射層と前記の記録層と
    の間に第１の誘電体層が存在し、この記録層が基板側に
    位置していることを特徴とする光情報キャリア。
  8. 【請求項８】 請求項７に記載の光情報キャリアにおい
    て、前記の基板と前記の記録層との間に他の反射層と第
    ２の誘電体層とが位置し、この第２の誘電体層は前記の
    記録層に隣接していることを特徴とする光情報キャリ
    ア。
  9. 【請求項９】 請求項８に記載の光情報キャリアにおい
    て、前記の基板と前記の他の反射層との間に第３の誘電
    体層が存在していることを特徴とする光情報キャリア。
  10. 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれか一項に記載の
    光情報キャリアにおいて、前記の補助層が前記の基板と
    前記の積層体との間に存在していることを特徴とする光
    情報キャリア。
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