JPH02113618A - 集積回路用の小面積で少電流の周波数分割セル - Google Patents
集積回路用の小面積で少電流の周波数分割セルInfo
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- JPH02113618A JPH02113618A JP1226375A JP22637589A JPH02113618A JP H02113618 A JPH02113618 A JP H02113618A JP 1226375 A JP1226375 A JP 1226375A JP 22637589 A JP22637589 A JP 22637589A JP H02113618 A JPH02113618 A JP H02113618A
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000006880 cross-coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- MMOXZBCLCQITDF-UHFFFAOYSA-N N,N-diethyl-m-toluamide Chemical compound CCN(CC)C(=O)C1=CC=CC(C)=C1 MMOXZBCLCQITDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003850 cellular structure Anatomy 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
- H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
- H03K3/286—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
- H03K3/289—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable of the primary-secondary type
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、集積回路用の小面積で少電流の周波数分割器
に関する。
に関する。
[従来の技術]
周知のように、低周波の電気信号の発生には通常極めて
大きなRC時定数か使用されているが、集積回路内では
このような大容量や高抵抗を得ることは極めて困難であ
る。このため、集積回路で低周波信号が必要なときは、
まず、より高い周波数を発生し、この周波数をカスケト
結合のマスター・スレーブ・フリップフロップ・セルを
数段組合わせて作られる周波数分割器を使用することに
よって2分割を繰り返し、所望の周波数を得る方式か選
はれている。
大きなRC時定数か使用されているが、集積回路内では
このような大容量や高抵抗を得ることは極めて困難であ
る。このため、集積回路で低周波信号が必要なときは、
まず、より高い周波数を発生し、この周波数をカスケト
結合のマスター・スレーブ・フリップフロップ・セルを
数段組合わせて作られる周波数分割器を使用することに
よって2分割を繰り返し、所望の周波数を得る方式か選
はれている。
[発明により解決tべき課題]
これらの周波数分割器の各セルは数個のトランジスタの
ほかに数個の抵抗を含んているので、各セルがかなり大
きなスペースを占めることになる。また、高い抵抗値を
もたせることが困難であるので、セルはかなり太きtJ
N流を消費することにもなる。
ほかに数個の抵抗を含んているので、各セルがかなり大
きなスペースを占めることになる。また、高い抵抗値を
もたせることが困難であるので、セルはかなり太きtJ
N流を消費することにもなる。
周波数を1桁逓減するために3〜4個のフリップフロッ
プ・セルが必要であることを考えると、この問題はまず
ます重要なものとなpてくる。
プ・セルが必要であることを考えると、この問題はまず
ます重要なものとなpてくる。
[課題の解決手段]
この発明の主要な目的は、既存の周波数分割器よりも面
積と消費電力か少ないフリップフロップ式の周波数分割
器を提供することにある。
積と消費電力か少ないフリップフロップ式の周波数分割
器を提供することにある。
本発明によれば上記の目的はrc用の周波数分割セルの
使用によって確実に達成されるわけであるか、さらにそ
の他の利点を発することも下記の説明の中て明白になる
。
使用によって確実に達成されるわけであるか、さらにそ
の他の利点を発することも下記の説明の中て明白になる
。
本周波数分割セルは次の要件で構成されることを特徴と
している。
している。
電源装置。
1対の制御用トランジスタ及び1対の記憶用トランジス
タとてあって、それぞれがコレクタ、エミッタ及びベー
スを有し、すべCのコレクタが上記の電源装置と結合し
ており、記憶用トランジスタのエミッタが接地されてお
り、制御用トランジスタのエミッタが記憶用トランジス
タのベースに結合されており、各制御用I・ランジスタ
のコレクタとベースが相互に交差結合され、さらに記憶
用トランジスタのコレクタとベースも交差結合されてい
る1対の制御用トランジスタ及び1対の記憶用トランジ
スタ。
タとてあって、それぞれがコレクタ、エミッタ及びベー
スを有し、すべCのコレクタが上記の電源装置と結合し
ており、記憶用トランジスタのエミッタが接地されてお
り、制御用トランジスタのエミッタが記憶用トランジス
タのベースに結合されており、各制御用I・ランジスタ
のコレクタとベースが相互に交差結合され、さらに記憶
用トランジスタのコレクタとベースも交差結合されてい
る1対の制御用トランジスタ及び1対の記憶用トランジ
スタ。
制御用]−ランシスタの各エミッタと記憶用トランジス
タのコレクタとをそれぞねに結合している各抵抗。
タのコレクタとをそれぞねに結合している各抵抗。
制御用トランジスタ対のコレクタ間で直列背面結合され
た2個のタイオヘート。
た2個のタイオヘート。
エミッタか接地され、コレクタか2個のタイオートの共
通結合点に結合され、ベースが周波数分割セルの入力ピ
ンとして働くコマンドトランジスタ。
通結合点に結合され、ベースが周波数分割セルの入力ピ
ンとして働くコマンドトランジスタ。
第1図は、在来技術による周波数分割セルを系統的に図
示したものである。トランジスタQ2及びQ3は負荷抵
抗R1,R2及び結合抵抗R3,R4と共にマスターす
なわち駆動用のフリップフロップを形成しており、この
セルの人力ピンINを形成するトランジスタQ1のベー
スを通して給電される。トランジスタQ4及びQ5は結
合抵抗R5及びR6と共にスレーブすなわち記憶用フリ
ップフロップを形成する。
示したものである。トランジスタQ2及びQ3は負荷抵
抗R1,R2及び結合抵抗R3,R4と共にマスターす
なわち駆動用のフリップフロップを形成しており、この
セルの人力ピンINを形成するトランジスタQ1のベー
スを通して給電される。トランジスタQ4及びQ5は結
合抵抗R5及びR6と共にスレーブすなわち記憶用フリ
ップフロップを形成する。
回路要素A1.D4.R9は記憶用フリップフロップに
給電する電源装置を構成する。抵抗R7を通して記憶用
フリップフロップによって制御されるI・ランジスタQ
6はレベルシフタを形成しており、その出力信号を次段
のセルのピンINを直接駆動できるようなレベルでピン
OUTに供給している。
給電する電源装置を構成する。抵抗R7を通して記憶用
フリップフロップによって制御されるI・ランジスタQ
6はレベルシフタを形成しており、その出力信号を次段
のセルのピンINを直接駆動できるようなレベルでピン
OUTに供給している。
第1図の回路において、トランジスタQ1のベース1N
への人力信号かローレベルにあるときQlはオフであり
2個のトランジスタQ2及びQ3からなる駆動用フリッ
プフロップセルは作動不能状態である。記憶用フリップ
フロ・・ノブQ4及びQ5は以前の履歴に左右される構
成になっていて、例えはかりに、Q4かオンでありQ5
がオフであれはハイLノヘルの出力か生じでいるとする
。
への人力信号かローレベルにあるときQlはオフであり
2個のトランジスタQ2及びQ3からなる駆動用フリッ
プフロップセルは作動不能状態である。記憶用フリップ
フロ・・ノブQ4及びQ5は以前の履歴に左右される構
成になっていて、例えはかりに、Q4かオンでありQ5
がオフであれはハイLノヘルの出力か生じでいるとする
。
入力信号かローからハイになると、駆動用、すなわち制
御用フリップフロップかイ]勢されトランジスタQ2及
びQ3のどちらかかオンになる。Qlのエミッタはオフ
であるQ5のベースに結合されているので、QlはQ3
まっ先にオンになり、Qlかオンであるかきり、交差結
合によりQ3かオフ状態に保持されることになる。もし
、Qlかオンであると、Q5もオンになりQ4かオフど
なる。
御用フリップフロップかイ]勢されトランジスタQ2及
びQ3のどちらかかオンになる。Qlのエミッタはオフ
であるQ5のベースに結合されているので、QlはQ3
まっ先にオンになり、Qlかオンであるかきり、交差結
合によりQ3かオフ状態に保持されることになる。もし
、Qlかオンであると、Q5もオンになりQ4かオフど
なる。
続いて入力信号がハイからローへと切り換わる間に、上
述の状態か再ひ繰り返される。
述の状態か再ひ繰り返される。
すなわち、制御用フリップフロ・ノブは非活動状態にな
り、記憶用フリップフロップはその状態を変えない。つ
いで、Q3はそのエミッタがオフであるQ4のベースに
結合されているのでQlより先にオンになり記憶用フリ
ップフロップを転換させることになる。こうして入力信
号の一組の転換があるごとに、記憶用フリップフロップ
はその状態か一度変換され、その出力信号が人力信号の
周波数の半分の周波数になるわけである。
り、記憶用フリップフロップはその状態を変えない。つ
いで、Q3はそのエミッタがオフであるQ4のベースに
結合されているのでQlより先にオンになり記憶用フリ
ップフロップを転換させることになる。こうして入力信
号の一組の転換があるごとに、記憶用フリップフロップ
はその状態か一度変換され、その出力信号が人力信号の
周波数の半分の周波数になるわけである。
[実 施 例]
以下、この発明のより詳細な説明を望ましい実施例につ
いて図面を用いて行う。ただし説明の中で図示されない
ものもある。
いて図面を用いて行う。ただし説明の中で図示されない
ものもある。
第2図は本発明のによるマスター・スlノーブ・フリッ
プフロップ・セルの回路図を示す。
プフロップ・セルの回路図を示す。
このセルも、1組のマスタートランジスタQ2及びQ3
を有しており、そのエミッタかスレーブ[・ランシスタ
Q4及びQ5のベースに結合さねている。しかしこの場
合には、電源装置A1.D4.R,9が両方のトランジ
スタ対に給電しているのでマスタートランジスタ対の脚
部を流れる電流を制限し5セルの電力消費を大きく減少
させる。その士7、エミッタが接地されているトランジ
スタQ1のコレクタは、ダイオ−トD1及びD2を通し
てQl及びQ3のコレクタに結合されており、Dl及び
D2は、Qlがオフのときに!li!J御用トランジス
タ対の24の脚部に電圧デカップリングを与えており、
Qlが]ンのときに制御用トランジスタ対をオフにさゼ
る。
を有しており、そのエミッタかスレーブ[・ランシスタ
Q4及びQ5のベースに結合さねている。しかしこの場
合には、電源装置A1.D4.R,9が両方のトランジ
スタ対に給電しているのでマスタートランジスタ対の脚
部を流れる電流を制限し5セルの電力消費を大きく減少
させる。その士7、エミッタが接地されているトランジ
スタQ1のコレクタは、ダイオ−トD1及びD2を通し
てQl及びQ3のコレクタに結合されており、Dl及び
D2は、Qlがオフのときに!li!J御用トランジス
タ対の24の脚部に電圧デカップリングを与えており、
Qlが]ンのときに制御用トランジスタ対をオフにさゼ
る。
[発明の効果]
図示された回路は、在来技術の回路に類似した作動をす
るが、構成部品の数がより少なく電力消費もより少ない
ことに注目1へきである。
るが、構成部品の数がより少なく電力消費もより少ない
ことに注目1へきである。
実際に、Qlを制御するためには在来技術と異な1)V
boに対応し・た電圧を必要とし、出力信号をQ5のコ
レクタから直接とることができるので出力レベルシフタ
段の必要がなくなり、第1図におりる構成要素Q、6.
R7,R,8か省略できる。
boに対応し・た電圧を必要とし、出力信号をQ5のコ
レクタから直接とることができるので出力レベルシフタ
段の必要がなくなり、第1図におりる構成要素Q、6.
R7,R,8か省略できる。
本発明による回路がセルの構成要素の数を減少させ、従
って消費電流たりでなくシリコンの専有面積をも減少さ
せる可能性を与えるものである。
って消費電流たりでなくシリコンの専有面積をも減少さ
せる可能性を与えるものである。
本発明は望ましい実施例について解説されたが、本発明
の特許請求の範囲にいくつかの変更か可能であることは
明白である。
の特許請求の範囲にいくつかの変更か可能であることは
明白である。
第1図は、在来技術におけるマスター・スレーブ・フリ
ップフロップ・セルの回路図を示す。 第2図は、本発明によるマスター・スレーブフリップフ
ロップ・セルの望ましい実施例の回路図を示す。 A】、D4及びR9・・・電源装置 Di、D2・・・コレクタ結合用ダイオードQ1・・・
コマンドトランジスタ Ql及びQ3・・・制御用トランジスタQ4&ひQ5・
・・記憶用トランシスタR3−R6・・・結合抵抗 他3名
ップフロップ・セルの回路図を示す。 第2図は、本発明によるマスター・スレーブフリップフ
ロップ・セルの望ましい実施例の回路図を示す。 A】、D4及びR9・・・電源装置 Di、D2・・・コレクタ結合用ダイオードQ1・・・
コマンドトランジスタ Ql及びQ3・・・制御用トランジスタQ4&ひQ5・
・・記憶用トランシスタR3−R6・・・結合抵抗 他3名
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 電源装置(A1、D4、R9)と、 それぞれがコレクタ、エミッタ及びベース を有し、すべてのコレクタが上記の電源装置と結合して
いるトランジスタからなり、コレクタとベースを相互に
交差接続した制御用トランジスタ対(Q2、Q3)と、
コレクタとベースを相互に交差接続し、ベースに制御用
トランジスタのエミッタを接続したエミッタ接地の記憶
用トランジスタ対(Q4、Q5)と、制御用トランジス
タ対の各エミッタと記憶 用トランジスタ対の各コレクタのそれぞれを結合する抵
抗(R5、R6)と、 制御用トランジスタ対の各コレクタ間に直 列に背面結合される2個のダイオード(D1、D2)と
、 エミッタが接地され、コレクタが2個のダ イオードの共通結合点に結合されており、ベースが周波
数分割セルの入力ピンとしての働きをするコマンド・ト
ランジスタ(Q1)とを具備する事を特徴とする集積回
路用の小面積で少電流の周波数分割セル。 2 上記第1及び第2のダイオードのそれぞれがエミッ
タ、コレクタ及びそのコレクタに結合されたベースを備
えるトランジスタから成っており、各エミッタが制御用
トランジスタ対の一方のコレクタに結合されることを特
徴とする請求項1に記載の周波数分割セル。 3 制御用トランジスタと記憶用トランジスタの間の交
差結合が短絡結合であることを特徴とする請求項1又は
2に記載の周波数分割セル。 4 上記セルがさらに、接地されたエミッタ及び制御用
ピンとして働くベース並びにコレクタを備えるリセット
用トランジスタ(Q7)を有するほか、上記のリセット
用トランジスタのコレクタと、制御用トランジスタのう
ちの一方のトランジスタのベースとの間に結合された第
3のダイオード(D3)を具備することを特徴とする請
求項1ないし3のいずれか1つに記載の周波数分割セル
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT8821791A IT1226630B (it) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | Cella di divisione di frequenza per circuiti integrati, di piccola area e basso consumo. |
| IT21791A/88 | 1988-08-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02113618A true JPH02113618A (ja) | 1990-04-25 |
Family
ID=11186900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1226375A Pending JPH02113618A (ja) | 1988-08-31 | 1989-08-31 | 集積回路用の小面積で少電流の周波数分割セル |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5012130A (ja) |
| EP (1) | EP0356909B1 (ja) |
| JP (1) | JPH02113618A (ja) |
| DE (1) | DE68922449T2 (ja) |
| IT (1) | IT1226630B (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3767943A (en) * | 1972-11-03 | 1973-10-23 | Rca Corp | Direct-coupled triggered flip-flop |
| US4277698A (en) * | 1979-06-01 | 1981-07-07 | Motorola, Inc. | Delay type flip-flop |
| NL7908412A (nl) * | 1979-11-19 | 1981-06-16 | Philips Nv | Geintegreerde deelschakeling. |
| SU1275738A1 (ru) * | 1985-07-18 | 1986-12-07 | Таганрогский радиотехнический институт им.В.Д.Калмыкова | Тактируемый @ -триггер @ -типа |
-
1988
- 1988-08-31 IT IT8821791A patent/IT1226630B/it active
-
1989
- 1989-08-15 US US07/394,226 patent/US5012130A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-24 EP EP89115605A patent/EP0356909B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-24 DE DE68922449T patent/DE68922449T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-08-31 JP JP1226375A patent/JPH02113618A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5012130A (en) | 1991-04-30 |
| EP0356909A3 (en) | 1991-04-10 |
| IT8821791A0 (it) | 1988-08-31 |
| EP0356909A2 (en) | 1990-03-07 |
| EP0356909B1 (en) | 1995-05-03 |
| IT1226630B (it) | 1991-01-25 |
| DE68922449T2 (de) | 1996-02-22 |
| DE68922449D1 (de) | 1995-06-08 |
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