JPH02113680A - Solid state image pickup device - Google Patents

Solid state image pickup device

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JPH02113680A
JPH02113680A JP63265349A JP26534988A JPH02113680A JP H02113680 A JPH02113680 A JP H02113680A JP 63265349 A JP63265349 A JP 63265349A JP 26534988 A JP26534988 A JP 26534988A JP H02113680 A JPH02113680 A JP H02113680A
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JP
Japan
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temperature
solid
signal
pulse
state image
Prior art date
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Pending
Application number
JP63265349A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Junichi Ando
淳一 安藤
Yukio Endo
幸雄 遠藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP63265349A priority Critical patent/JPH02113680A/en
Publication of JPH02113680A publication Critical patent/JPH02113680A/en
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  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce energy consumption by switching the turned on/off condition of a pulse signal in the vertical blanking period or horizontal blanking period of a solid state image pickup element by means of a pulse width modulating circuit. CONSTITUTION:The detecting signal of a temperature detector 4 is supplied to a temperature regulator 14, the temperature regulator 14 compares the inputted detecting signal with a set temperature, their difference is outputted as a control signal, and the control signal is supplied to a pulse width modulating circuit 15. The output signal of the pulse width modulating circuit 15 is supplied to a pulse driving circuit 16, and the output pulse of the pulse driving circuit 16 is supplied to a Peltier element 2, and the Peltier element 2 is driven. The pulse width modulating circuit 15 variably changes the pulse width according to the inputted control signal, and the turning on/off switching timing of the pulse signal is synchronized with the synchronizing signal from a synchronizing signal generating circuit 11. Thus, the energy consumption in the driving circuit of the temperature control element can be reduced, and the energy consumption can be reduced as a whole.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、CCD等の固体撮像素子を用いた固体撮像装
置に係わり、特に固体撮像素子の温度制御手段の改良を
はかった固体撮像装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a solid-state imaging device using a solid-state imaging device such as a CCD, and particularly aims to improve a temperature control means for the solid-state imaging device. The present invention relates to a solid-state imaging device.

(従来の技術) 従来、固体撮像素子を冷却するには、−・般にベルチェ
素子か用いられている。このベルチェ素子を駆動するに
は、通常、直流電流を制御して駆動する。このとき、一
般にはエミッタホロワが用いられており、中間レベルを
制御しようとすると、エミッタホロワを形成している出
力トランジスタに電圧降下か4I−シ、駆動回路に電力
損失が発生する。
(Prior Art) Conventionally, a Vertier element is generally used to cool a solid-state image sensor. To drive this Vertier element, direct current is usually controlled and driven. At this time, an emitter follower is generally used, and when an attempt is made to control the intermediate level, a voltage drop occurs in the output transistor forming the emitter follower, and a power loss occurs in the drive circuit.

第7図はこのような駆動回路の一例であり、図中71は
エミッタホロワの出力トランジスタ、72は直流電源、
73は負荷抵抗であるベルチェ素子、74は入力端子を
示している。いま、入力端′T−74に入力電圧Ein
なる入力を加えると、出力には、トランジスタ7]のベ
ース・エミッタ間の電圧降下分か降下したVot+tの
電圧が出力され、l・ランジスタフ1とベルチェ素子に
■なる電流が流れる。このとき、トランジスタ71にお
いては、E o−V outの電圧降下が発生し、I 
 (Eo−Vout )の損失が発生している。
FIG. 7 shows an example of such a drive circuit, in which 71 is an emitter follower output transistor, 72 is a DC power supply,
Reference numeral 73 indicates a Vertier element serving as a load resistance, and reference numeral 74 indicates an input terminal. Now, the input voltage Ein is applied to the input terminal 'T-74.
When an input is applied, a voltage of Vot+t, which is equal to the voltage drop between the base and emitter of the transistor 7], is outputted, and a current of 2 flows through the l•rangestaff 1 and the Bertier element. At this time, a voltage drop of E o -V out occurs in the transistor 71, and I
A loss of (Eo-Vout) has occurred.

また、多板式撮像装置の場合は、上記冷却用の駆動回路
が撮像素子の数だけ必要となり、例えば3板式の場合は
、3倍の電力が必要になる。さらに、上記出力トランジ
スタにおける電力損失も3倍となる。そして、このよう
な電力損失は、バッテリー容量等の増大を招き、携帯用
のビデオカメラ等には大きな問題となる。
Furthermore, in the case of a multi-plate type imaging device, the number of cooling drive circuits required is equal to the number of image pickup elements, and for example, in the case of a three-plate type, three times as much power is required. Furthermore, the power loss in the output transistor is also tripled. Such power loss leads to an increase in battery capacity, which poses a big problem for portable video cameras and the like.

(発明か解決しようとする課題) このように従来、エミッタホロワでベルチェ素子等の温
度制御素子を駆動するためには、該素子の駆動回路にお
ける電力損失が大きくなるという問題があった。
(Problems to be Solved by the Invention) As described above, conventionally, in order to drive a temperature control element such as a Beltier element using an emitter follower, there has been a problem in that the power loss in the driving circuit of the element becomes large.

本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、温度制御素子の駆動回路における電
力損失を低減することができ、消費電力の低減をはかり
得る固体撮像装置を提供することにある。
The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and its purpose is to provide a solid-state imaging device that can reduce power loss in a drive circuit for a temperature control element and reduce power consumption. It's about doing.

[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明の切工は、固体撮像素子を冷却又は加熱するベル
チェ素子等の温度制御素子をパルス信号で駆動し、且つ
そのパルス信号のオン・オフ切替えタイミングを固体撮
像素rチツプの水平又は垂直ブランキング期間に同期さ
せることにある。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The cutting method of the present invention is to drive a temperature control element such as a Beltier element that cools or heats a solid-state image sensor with a pulse signal, and to turn on/off the pulse signal. The objective is to synchronize the off-switching timing with the horizontal or vertical blanking period of the solid-state image sensor R chip.

即ち本発明は、固体撮像素子を冷却又は加熱するベルチ
ェ素子等の温度制御素子を備えた固体撮像装置において
、前記固体撮像素子の温度を検出する温度検出器と、前
記温度検出器による検出温度と設定温度とを比較し、こ
れらの差分を制御信号として出力する手段と、前記制御
信号に応じてパルス幅を可変し、前記温度制御素子を駆
動するためのパルス信号を出力するパルス幅変調回路と
を設け、前記パルス幅変調回路を、前記固体撮像素子の
垂直ブランキング期間又は水平ブランキング期間に、前
記パルス信号のオン・オフの切替えを行うようにしたも
のである。
That is, the present invention provides a solid-state imaging device including a temperature control element such as a Bertier element that cools or heats a solid-state imaging device, which includes a temperature detector that detects the temperature of the solid-state imaging device, and a temperature detected by the temperature detector. means for comparing the temperature with a set temperature and outputting the difference as a control signal; and a pulse width modulation circuit that varies the pulse width according to the control signal and outputs a pulse signal for driving the temperature control element. The pulse width modulation circuit is configured to switch the pulse signal on and off during a vertical blanking period or a horizontal blanking period of the solid-state image sensor.

また本発明は、複数個の固体撮像素子をそれそれ冷却又
は加熱する温度制御素子を備えた多板式の固体撮像装置
において、前記温度制御素子を選択的に駆動する手段と
、前記固体撮像素子の温度をそれぞれ検出する温度検出
器と、前記温度検出器による各検出温度と設定温度とを
比較し、これらの差分を制御信号として出力する手段と
、前記制御信号に応じてパルス幅を11J変し、前記温
度制御素子を駆動するためのパルス信号を出力スルパル
ス幅変調回路とを設け、前記パルス幅変調回路を、前記
固体撮像素子の垂直ブランキング期間又は水平ブランキ
ング期間に、前記パルス仏号のオン・オフの切替えを行
い、水平ブランキング又は垂直ブランキング期間内に同
期[7た11.lj分割−C前記固体撮像素子の温度制
御を行うようにしたものである。
The present invention also provides a multi-chip solid-state imaging device equipped with a temperature control element that cools or heats a plurality of solid-state imaging elements, including a means for selectively driving the temperature control element, and a means for selectively driving the temperature control element; A temperature detector for detecting each temperature, a means for comparing each detected temperature by the temperature detector with a set temperature and outputting the difference as a control signal, and a means for changing the pulse width by 11 J according to the control signal. , a pulse width modulation circuit is provided to output a pulse signal for driving the temperature control element, and the pulse width modulation circuit is configured to output a pulse signal for driving the temperature control element during the vertical blanking period or the horizontal blanking period of the solid-state image sensor. Perform on/off switching and synchronize within the horizontal blanking or vertical blanking period [7 and 11. lj division-C The temperature of the solid-state image sensor is controlled.

(作 用) 本発明によれば、ベルチェ素子等の温度制御素子をパル
ス駆動することにより、駆動回路における電力損失を低
減することができ、これにより消費電力の低減をはかり
得る。また、パルスのオン・オフj7J替えタイミング
を固体撮像素子の水平又は垂直ブランキングに同期させ
ているので、パルス信号のオン・オフ切替え時に多少の
電圧変動か発生しても、固体撮像素子の撮像信号に同等
悪影響をりえることはない。また、多数式の場合は、各
々の温度制御素子を時分割で駆動することにより、固体
撮像素子の冷却又は加熱を釘効に行うことかてき、最大
消費電力の低減をはかることがriJ能となる。
(Function) According to the present invention, power loss in the drive circuit can be reduced by pulse-driving a temperature control element such as a Bertier element, thereby reducing power consumption. In addition, since the pulse on/off switching timing is synchronized with the horizontal or vertical blanking of the solid-state image sensor, even if some voltage fluctuation occurs when the pulse signal is switched on/off, the solid-state image sensor will still be able to capture the image. It will not have an equally negative effect on the signal. In addition, in the case of multiple types, by driving each temperature control element in time division, cooling or heating of the solid-state image sensor can be performed efficiently, and the maximum power consumption can be reduced with the riJ function. Become.

(実施例) 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。(Example) Hereinafter, details of the present invention will be explained with reference to illustrated embodiments.

第1図は請求項1記載の発明の実施例に係わる固体撮像
装置を示す概略構成図である。図中1は固体撮像素子で
あり、この固体撮像素子1の裏面には該素子1を冷却す
るためのベルチェ素子2の冷却面か取むされている。ベ
ルチェ素子2の放熱面には、放熱器3か数行されている
。また、固体撮像素子1には該素子1の温度を検出する
温度検出器4か取イ・jけられている。なお、固体撮像
素子]には、CCDイメージセンザ)が用いられている
。また、温度検出器4には、白金411温体、ザーミス
タ或いは熱電対等が用いられている。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a solid-state imaging device according to an embodiment of the invention. In the figure, reference numeral 1 denotes a solid-state image sensor, and a cooling surface of a Vertier element 2 for cooling the element 1 is provided on the back surface of the solid-state image sensor 1. Several rows of heat radiators 3 are arranged on the heat radiating surface of the Bertier element 2. Further, the solid-state imaging device 1 is provided with a temperature detector 4 for detecting the temperature of the device 1. Note that a CCD image sensor) is used as the solid-state image sensor. Further, the temperature detector 4 uses a platinum 411 hot body, a thermistor, a thermocouple, or the like.

固体撮像素子1には、同期信号発生回路11からの同期
信号に基づきCCD駆動信号を発生ずるCCD駆動回路
]−2から駆動信号が入力され、この駆動信号により固
体撮像素子1は駆動される。
A drive signal is input to the solid-state image sensor 1 from a CCD drive circuit]-2 which generates a CCD drive signal based on a synchronization signal from a synchronization signal generation circuit 11, and the solid-state image sensor 1 is driven by this drive signal.

そして、固体撮像素子1の撮像信号は信号処理回路13
に供給され、図示しない外部回路に出力されるものとな
っている。
The image signal of the solid-state image sensor 1 is then processed by a signal processing circuit 13.
and is output to an external circuit (not shown).

前記温度検出器4の検出信号は温度調節器]4に供給さ
れる。この温度調節器14は、上記入力した検出信号と
設定温度とを比較し、これらの差分を制御信号として出
力するものであり、制御信号はパルス幅変調回路15に
供給される。パルス幅変調回路15の出力信号はパルス
駆動回路16に供給され、このパルス駆動回路]6の出
力パルスが前記ベルチェ素子2に供給されて、ペルチェ
索子2か駆動されるものとなっている。
The detection signal of the temperature detector 4 is supplied to a temperature controller]4. The temperature regulator 14 compares the input detection signal with the set temperature and outputs the difference between them as a control signal, and the control signal is supplied to the pulse width modulation circuit 15. The output signal of the pulse width modulation circuit 15 is supplied to a pulse drive circuit 16, and the output pulse of this pulse drive circuit 6 is supplied to the Vertier element 2 to drive the Peltier cord 2.

パルス幅変調回路15は、」1記入力した制御信号に応
じてパルス幅を可変するものであるか、パルス信号のオ
ン・オフ切替えタイミングは同期信号発生回路11から
の同期信号に同期している。
The pulse width modulation circuit 15 is configured to vary the pulse width according to the input control signal, or the on/off switching timing of the pulse signal is synchronized with the synchronization signal from the synchronization signal generation circuit 11. .

具体的には、パルス信号のオン・オフ切替えは、固体撮
像素子1の水平又は垂直ブランキング期間に行うものと
なっている。
Specifically, the pulse signal is switched on and off during the horizontal or vertical blanking period of the solid-state image sensor 1.

第β図はパルス幅変調回路15の一構成例てあり、この
回路15は随時比較型A−D変換器2コ入力端子22.
23及び出力端子24等から構成されている。入力端子
22には前記温度調節器]4からの制御(6号か入力さ
れ、入力端子2Bには前記同期信号発生回路11からの
同期信号、より詳しくは水平又は垂直のブランキング伝
号が入力される。随時比較型のA、−D変換器2]は、
同期信号をクロックパルスとして入力の制御信号をA−
D変換する。これにより、制御信号の大ささに応じてA
D変換に要する時間が変わり出力のパルス幅が変調され
るものとな−)でいる。
FIG. .beta. shows an example of the configuration of a pulse width modulation circuit 15, and this circuit 15 is connected to two input terminals 22 and 22 of a comparison type A-D converter.
23, an output terminal 24, etc. The input terminal 22 receives the control signal (No. 6) from the temperature controller 4, and the input terminal 2B receives the synchronization signal from the synchronization signal generation circuit 11, more specifically, the horizontal or vertical blanking signal. The A, -D converter 2 of the occasional comparison type is
The input control signal is A- using the synchronization signal as a clock pulse.
D-convert. This allows A to be adjusted according to the magnitude of the control signal.
The time required for D conversion changes and the output pulse width is modulated.

第3図はパルス幅変調回路]5における入出力波形を示
し、31は同期信号、32は制御信号、33は出力信号
である。ある一定期間、例えば4クロック期間毎に制御
信号のサンプリングを行い、入力の大きさに応じた期間
出力を同期信号に同期させてハイレベルにする。
FIG. 3 shows input and output waveforms in the pulse width modulation circuit 5, where 31 is a synchronization signal, 32 is a control signal, and 33 is an output signal. The control signal is sampled every certain period, for example, every four clock periods, and the output is synchronized with the synchronization signal and set to a high level for a period corresponding to the magnitude of the input.

第4図はパルス駆動回路16の原理を示す図であり、4
1は直流電源、42はベルチェ素子の抵抗、4’:l、
44はスイッチ素子を示している。
FIG. 4 is a diagram showing the principle of the pulse drive circuit 16.
1 is a DC power supply, 42 is a resistance of a Beltier element, 4': l,
44 indicates a switch element.

般に、スイッチ素子にはスイッチングトランジスタが使
用される。ここで、スイッチングトランジスタ4B、4
4は交−h、に駆動され、また電圧降下のない状態で使
用されるので、駆動回路]6における電力消費は殆とな
くなる。
Generally, a switching transistor is used as the switch element. Here, switching transistors 4B, 4
4 is driven at AC-h, and is used without voltage drop, the power consumption in the drive circuit 6 is almost eliminated.

ベルチェ素子2は電流の向きを変えることにより冷却と
加熱両方に使用することかできる。例えば、+側のトラ
ンジスタ43をオンにすることにより冷却、−側のトラ
ンジスタ44をオンすることにより加熱するようになっ
ていたとすると、各々のトランジスタ4344のオンに
なっている期間を制御することにより温度調節をするこ
とかできる。このとき、駆動回路16のトランジスタ4
3.44は完全にオン又はオフするので入力し7た電力
は全てベルチェ素子2に印加され、冷却又は加熱のエネ
ルギーとなる。
The Vertier element 2 can be used for both cooling and heating by changing the direction of the current. For example, if cooling is achieved by turning on the + side transistor 43, and heating is achieved by turning on the - side transistor 44, then by controlling the period during which each transistor 4344 is turned on, You can adjust the temperature. At this time, transistor 4 of drive circuit 16
3.44 is completely turned on or off, so all input power is applied to the Bertier element 2 and becomes energy for cooling or heating.

かくして本実施例によれば、ベルチェ素子2をパルス電
圧で駆動し、固体撮像索子]を冷却することかできる。
Thus, according to this embodiment, it is possible to drive the Bertier element 2 with a pulse voltage and cool the solid-state imaging probe.

このため、駆動回路16の出力トランジスタ43,44
は完全にオン又はオフとなり、人力した′電力を全てベ
ルチェ素子2で消費させることかでき、これにより無駄
な消費電力をなくすことかできる。また、パルスのオン
 オフを固体撮像素子]の水・1尺又は垂直ブランキン
グ期間に行っているので、パルスの急峻jよ入γ上り及
び立下りで固体撮像素子1の駆動電圧か変化しても、撮
像信号にノイズか発生する易の悪影響を未然に防+lす
ることができる。
Therefore, the output transistors 43 and 44 of the drive circuit 16
can be completely turned on or off, and all of the manually powered power can be consumed by the Beltier element 2, thereby eliminating unnecessary power consumption. In addition, since the pulse is turned on and off during the vertical blanking period of the solid-state image sensor, the driving voltage of the solid-state image sensor 1 changes due to the steep rise and fall of the pulse. Also, it is possible to prevent the adverse effects of noise on the imaging signal.

第5図は請求項2記載の発明の実施例に係イっる固体撮
像装置の概略構成を示すブロック図であり、この実施例
は多板式固体撮像装置における撮像素子を冷却する(1
4成を示し、ている。固体撮像索子は撮像すべき色の異
なる3枚のチップ5 コ、 a1コ− 51b、51.cから構成され、それぞれの撮像床T−
51a、−,51−cにベルチェ素子52a52b、5
2c及び温度検出器54a、54b54cか接続されて
いる。なお、図)J< 1.ていないか、ベルチェ素子
52a、〜、52Cの放熱面には放熱器が取付けられて
いる。
FIG. 5 is a block diagram showing a schematic configuration of a solid-state imaging device according to an embodiment of the invention as claimed in claim 2, and this embodiment cools an imaging element in a multi-plate solid-state imaging device.
It shows and has four characteristics. The solid-state imaging probe has three chips of different colors to be imaged: 5, a1, 51b, 51. c, each imaging floor T-
51a, -, 51-c have Bertier elements 52a, 52b, 5
2c and temperature detectors 54a, 54b and 54c are connected. In addition, figure) J<1. A heat radiator is attached to the heat radiating surface of the Bertier elements 52a to 52C.

冷却制御回路55は、先の実施例で説明した温度調節器
14.パルス幅変調回路15及びパルス駆動回路16等
からなるもので、この冷却制御回路55には切替えスイ
ッチ57を介(7て温度検出器54a、〜、54Cのい
ずれかの検出信号か選択的に供給され、またl9却制御
回路55からの駆動パルス信号は切替えスイッチ58を
介してベルチェ素子52a、〜、52cのいずれかに選
択的に供給されるものとなっている。また、これらのス
イッチ57.58は、切替えタイミング回路56により
切替え駆動される。切替えタイミンク回路56は、前記
同期信号から切替えタイミングを作り出すものである。
The cooling control circuit 55 includes the temperature regulator 14. described in the previous embodiment. It consists of a pulse width modulation circuit 15, a pulse drive circuit 16, etc., and the cooling control circuit 55 is selectively supplied with a detection signal from one of the temperature detectors 54a, 54C through a changeover switch 57. Further, the drive pulse signal from the l9 control circuit 55 is selectively supplied to any of the Bertier elements 52a, 52c, 52a to 52c via the changeover switch 58. 58 is switched and driven by a switching timing circuit 56. The switching timing circuit 56 creates switching timing from the synchronization signal.

また、図には示さないか先の実施例と同様に、固体撮像
索子51a1〜51cの駆動回路及び信号処理回路等か
各々の固体撮像素子に設けられている。
Further, although not shown in the drawings, as in the previous embodiment, drive circuits, signal processing circuits, etc. for the solid-state imaging cables 51a1 to 51c are provided in each solid-state imaging device.

前述の通り固体撮像索子にはccDvが使イつれる。第
6図は、各々の撮像床r51a  〜51cの冷却を制
御するタイミンクを示し、61は垂直同期信号(VD)
 、62,63.64は固体撮像索子5]a1〜51 
cの冷却を制御している期間(図中X印部)である。こ
のように各々のv1j体撮像素子5]a、〜、5]cは
、垂直同期信号から次の垂直同期信号までの間(1フィ
ールド=16.6m5)約]/3の期間たけ冷却される
ことになる。さらに、パルス信号のオン・オフ切替えは
先の実施例と同様に水平又は垂直ブランキング期間に行
われる。この場合、各々の固体撮像素子51a、〜、5
]cは間欠的にしか冷却されないか、繰返(7周期か撮
像素子の熱容量により速く温度が、平均化されるので、
特に課題を発生しない。
As mentioned above, ccDv is used as the solid-state imaging probe. FIG. 6 shows the timing for controlling the cooling of each imaging floor r51a to 51c, and 61 is a vertical synchronization signal (VD).
, 62, 63. 64 are solid-state imaging probes 5] a1 to 51
This is the period (marked with X in the figure) during which the cooling of c is controlled. In this way, each v1j body image sensor 5]a, to 5]c is cooled for a period of approximately ]/3 from one vertical synchronizing signal to the next vertical synchronizing signal (1 field = 16.6 m5). It turns out. Furthermore, the pulse signal is switched on and off during the horizontal or vertical blanking period, as in the previous embodiment. In this case, each of the solid-state image sensors 51a to 5
]c is cooled only intermittently or repeatedly (7 cycles or the temperature is averaged quickly due to the heat capacity of the image sensor, so
No particular issues arise.

ここでは、1周期を1フイールドとしたが同期信号を単
位としたものであれば長くしても、短<シ2てもよい。
Here, one period is defined as one field, but it may be longer or shorter as long as the unit is a synchronizing signal.

かくして本実施例によれば、先の実施例と同様にベルチ
ェ素子52a1〜52cをパルス電圧で駆動し、固体撮
像素子51a、〜、51cを冷却することができる。こ
のため、冷却制御回路55における無駄な電力消費をな
くすことかでき、消費電力の低減化をはかり得る。また
、パルスのオン、オフを固体撮像索子5 ]−a 、〜
、5]cの水平又は垂直ブランキング期間に行っている
ので、先の実施例と同様にパルスのオン・オフに起因す
る撮像信号へのノイズ混入を防11.シ得る利点がある
Thus, according to this embodiment, as in the previous embodiment, the Bertier elements 52a1 to 52c can be driven with a pulse voltage, and the solid-state image sensors 51a to 51c can be cooled. Therefore, unnecessary power consumption in the cooling control circuit 55 can be eliminated, and power consumption can be reduced. In addition, the solid-state imaging probe 5 ]-a, ~
, 5]c during the horizontal or vertical blanking period, so as in the previous embodiment, noise mixing into the imaging signal due to pulse on/off is prevented.11. There are benefits to be gained.

なお、本発明は」一連した各実施例に限定されるもので
はない。例えば、前記温度制御素子はベルチェ素子に限
るものではなく、通電により冷却又は加熱される素子で
あればよい。また、パルス幅変調回路は前記第2図に示
す構成にriiJ等限定されるものではなく、前記制御
信号の大きさによりパルス幅を可変し、且つパルスのオ
ン・オフ切替えを固体撮像索子の水平又は垂直ブランキ
ング期間に行うような構成であればよい。その他、本発
明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施するこ
とかできる。
Note that the present invention is not limited to each series of embodiments. For example, the temperature control element is not limited to a Beltier element, but may be any element that can be cooled or heated by energization. Furthermore, the pulse width modulation circuit is not limited to the configuration shown in FIG. Any configuration may be used as long as it is performed during the horizontal or vertical blanking period. In addition, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

[発明の効果] 以上詳述したように本発明によれば、ベルチェ素子等の
温度制御素子を駆動するのに、該素子ヲパルス信号で駆
動し且つパルス信号のオン・オフ切替えを固体撮像素子
の水・1′又は垂直ブランキング期間に行っているので
、温度制御素子の駆動回路における電力消費を低減させ
ることができ、全体としての消費′電力の低減をはかる
ことが可能となる。
[Effects of the Invention] As described in detail above, according to the present invention, when driving a temperature control element such as a Bertier element, the element is driven by a pulse signal and the on/off switching of the pulse signal is performed by the solid-state image sensor. Since this is carried out during the water 1' or vertical blanking period, the power consumption in the drive circuit of the temperature control element can be reduced, and the overall power consumption can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は請求項1記載の発明の実施例に係わる固体撮像
装置を示す概略構成図、第2図は第1図の装置における
パルス幅変調回路の一構成例を示す図、第3図は上記パ
ルス幅変1週回路における入出力波形を示す図、第4図
は第1図の装置におけるパルス駆動回路の原理を示す図
、第5図は請求項2記載の発明の一実施例に係わる固体
撮像装置を示す概略構成図、第6図は第5図の装置にお
ける各々の撮像素子の冷却を制御するタイミンクを示す
図、第7図は従来のベルチェ素子駆動回路の、−例を示
す図である。 1.5]、a、〜、5]−c・・固体撮像素子、252
a、〜、52c・・・ベルチェ素子(温度制御素子) 
3・・・放熱器、4.54a  〜 54c・温度検出
器、11・・同期信号発生回路、12・・・CCD駆動
回路、13・・・信号処理回路、14・・・温度調節器
、15・・・パルス幅変調回路、16・・・パルス駆動
回路、55・・冷却制御回路、56・・切替えタイミン
グ回路、57.58・・−スイッチ素子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ’Cp5 2  図 6134図 51a 2a t、35図
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a solid-state imaging device according to an embodiment of the invention as claimed in claim 1, FIG. 2 is a diagram showing an example of the configuration of a pulse width modulation circuit in the device shown in FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is a diagram showing the principle of the pulse drive circuit in the apparatus of FIG. 1, and FIG. 5 is a diagram showing an embodiment of the invention as claimed in claim 2. A schematic configuration diagram showing a solid-state imaging device; FIG. 6 is a diagram showing timing for controlling cooling of each imaging element in the device shown in FIG. 5; FIG. 7 is a diagram showing an example of a conventional Vertier element drive circuit. It is. 1.5], a, ~, 5]-c...Solid-state image sensor, 252
a, ~, 52c...Bertier element (temperature control element)
3... Heat sink, 4.54a to 54c - Temperature detector, 11... Synchronization signal generation circuit, 12... CCD drive circuit, 13... Signal processing circuit, 14... Temperature controller, 15 . . . Pulse width modulation circuit, 16 . . . Pulse drive circuit, 55 . . Cooling control circuit, 56 . . . Switching timing circuit, 57. 58 . . . Switch element. Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue'Cp5 2 Figure 6134Figure 51a 2a t, Figure 35

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)固体撮像素子と、この固体撮像素子に接触して設
けられ、該固体撮像素子の温度を制御する温度制御素子
と、前記固体撮像素子の温度を検出する温度検出器と、
前記温度検出器による検出温度と設定温度とを比較し、
これらの差分を制御信号として出力する手段と、前記制
御信号に応じてパルス幅を可変し、前記温度制御素子を
駆動するためのパルス信号を出力するパルス幅変調回路
とを具備し、 前記パルス幅変調回路は、前記固体撮像素子の垂直ブラ
ンキング期間又は水平ブランキング期間に、前記パルス
信号のオン・オフの切替えを行うものであることを特徴
とする固体撮像装置。
(1) a solid-state image sensor, a temperature control element provided in contact with the solid-state image sensor to control the temperature of the solid-state image sensor, and a temperature detector that detects the temperature of the solid-state image sensor;
Comparing the temperature detected by the temperature detector and the set temperature,
comprising means for outputting these differences as a control signal, and a pulse width modulation circuit that varies the pulse width according to the control signal and outputs a pulse signal for driving the temperature control element, A solid-state imaging device, wherein the modulation circuit switches the pulse signal on and off during a vertical blanking period or a horizontal blanking period of the solid-state imaging device.
(2)複数個の固体撮像素子と、これらの固体撮像素子
にそれぞれ接触して設けられ、該固体撮像素子の温度を
それぞれ制御する温度制御素子と、これらの温度制御素
子を選択的に駆動する手段と、前記固体撮像素子の温度
をそれぞれ検出する温度検出器と、前記温度検出器によ
る各検出温度と設定温度とを比較し、これらの差分を制
御信号として出力する手段と、前記制御信号に応じてパ
ルス幅を可変し、前記温度制御素子を駆動するためのパ
ルス信号を出力するパルス幅変調回路とを具備し、 前記パルス幅変調回路は、前記固体撮像素子の垂直ブラ
ンキング期間又は水平ブランキング期間に、前記パルス
信号のオン・オフの切替えを行い、水平ブランキング又
は垂直ブランキング期間内に同期した時分割で前記固体
撮像素子の温度制御を行うものであることを特徴とする
固体撮像装置。
(2) A plurality of solid-state image sensors, a temperature control element that is provided in contact with each of these solid-state image sensors and controls the temperature of each of the solid-state image sensors, and selectively drives these temperature control elements. means, a temperature detector for respectively detecting the temperature of the solid-state image sensor, means for comparing each detected temperature by the temperature detector with a set temperature and outputting the difference as a control signal; a pulse width modulation circuit that outputs a pulse signal for driving the temperature control element by varying the pulse width accordingly; The solid-state imaging device is characterized in that the pulse signal is switched on and off during the ranking period, and the temperature of the solid-state imaging device is controlled in a time-sharing manner synchronized with the horizontal blanking period or the vertical blanking period. Device.
(3)前記温度制御素子は、ペルチェ素子であることを
特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像装置。
(3) The solid-state imaging device according to claim 1 or 2, wherein the temperature control element is a Peltier element.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2506564A1 (en) 2011-03-28 2012-10-03 FUJIFILM Corporation Imaging device, imaging method, imaging program and computer readable storage medium

Cited By (2)

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EP2506564A1 (en) 2011-03-28 2012-10-03 FUJIFILM Corporation Imaging device, imaging method, imaging program and computer readable storage medium
JP2012205194A (en) * 2011-03-28 2012-10-22 Fujifilm Corp Photographing device, photographing program, and photographing method

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