JPH02114575A - 超電導積層膜磁気抵抗素子 - Google Patents
超電導積層膜磁気抵抗素子Info
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- JPH02114575A JPH02114575A JP63268586A JP26858688A JPH02114575A JP H02114575 A JPH02114575 A JP H02114575A JP 63268586 A JP63268586 A JP 63268586A JP 26858688 A JP26858688 A JP 26858688A JP H02114575 A JPH02114575 A JP H02114575A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、粒界の作用で微弱な磁界も測定できるセラミ
ック超電導膜を積層構成にした超電導磁気抵抗素子に関
するものである。
ック超電導膜を積層構成にした超電導磁気抵抗素子に関
するものである。
〈従来の技術〉
従来、磁界の検出・測定には、半導体、又は、磁性体の
磁気抵抗効果を用いる素子がよく使用されている。この
効果のなかで高電子移動度の牛導体ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓ
等の形状効果、強磁性体Ｆｅ −Ｎｉ（パーマロイ）、
Ｃｏ−Ｎｉ等の配向効果を用いた素子が実用化されてい
る。なお、特に高感度な磁気センサとしは５ＱＵＩＤ
（超電導量子干渉デバイス）があり、更に、セラミック
超電導体などの粒界の効果による磁気抵抗効果を利用し
た磁気センサが提案されている。
磁気抵抗効果を用いる素子がよく使用されている。この
効果のなかで高電子移動度の牛導体ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓ
等の形状効果、強磁性体Ｆｅ −Ｎｉ（パーマロイ）、
Ｃｏ−Ｎｉ等の配向効果を用いた素子が実用化されてい
る。なお、特に高感度な磁気センサとしは５ＱＵＩＤ
（超電導量子干渉デバイス）があり、更に、セラミック
超電導体などの粒界の効果による磁気抵抗効果を利用し
た磁気センサが提案されている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
従来の磁気抵抗効果を用いた素子は、素子に一定電流工
を流して、測定する磁界Ｈの強さを変えたとき素子の抵
抗Ｒの変化が、第４図のように磁界Ｈの増加の２次曲線
に沿って増加した。従って、測定する磁界が弱いときは
、磁界の変化に対する素子の抵抗Ｒの変化率が小さいた
め、弱い磁界の測定精度が悪くなっていた。
を流して、測定する磁界Ｈの強さを変えたとき素子の抵
抗Ｒの変化が、第４図のように磁界Ｈの増加の２次曲線
に沿って増加した。従って、測定する磁界が弱いときは
、磁界の変化に対する素子の抵抗Ｒの変化率が小さいた
め、弱い磁界の測定精度が悪くなっていた。
一方、ＳＱＵ Ｉ Ｄは、１０ ガウスの弱磁界も測
定できる極めて高い感度をもっているが、超電導体に極
薄絶縁膜を介在させたジョセフソン素子を組み込んだ構
成であり、ジョセフソン素子の作製に高度な技術を要す
ることから作製が難しく、かつ、５ＱＵＩＤの出力レベ
ルが低いことから、その使用も簡便ではなかったつ セラミック超電導体の粒界の特性を利用する磁気センナ
は、超電導体粒子の粒界が極く薄い絶縁膜、又は、常電
導膜を介在した接合か、粒界がポイント状の弱結合など
で結合した粒子の集合体を用いるもので、このようなセ
ラミック超電導体は、弱い磁界の印加によっても、その
粒界部分から超電導状態が壊れて常電導状態になり突発
的に電気抵抗をもつようになる特徴がある。
定できる極めて高い感度をもっているが、超電導体に極
薄絶縁膜を介在させたジョセフソン素子を組み込んだ構
成であり、ジョセフソン素子の作製に高度な技術を要す
ることから作製が難しく、かつ、５ＱＵＩＤの出力レベ
ルが低いことから、その使用も簡便ではなかったつ セラミック超電導体の粒界の特性を利用する磁気センナ
は、超電導体粒子の粒界が極く薄い絶縁膜、又は、常電
導膜を介在した接合か、粒界がポイント状の弱結合など
で結合した粒子の集合体を用いるもので、このようなセ
ラミック超電導体は、弱い磁界の印加によっても、その
粒界部分から超電導状態が壊れて常電導状態になり突発
的に電気抵抗をもつようになる特徴がある。
セラミック超電導体磁気センサを、従来の粉末焼結法で
作製し、特性を示したのが、第５図である。この図に示
したように弱い磁界で、その粒界の超電導状態が壊れ出
すと、磁界の強さの増加に対して素子の抵抗が急速に大
きくなっている。これは、このセンサか弱い磁界でも感
度は高いことを示すものである。
作製し、特性を示したのが、第５図である。この図に示
したように弱い磁界で、その粒界の超電導状態が壊れ出
すと、磁界の強さの増加に対して素子の抵抗が急速に大
きくなっている。これは、このセンサか弱い磁界でも感
度は高いことを示すものである。
このセラミック超電導体磁気センナの感度は粒界から発
生する抵抗で決まるので、その実効的な直列粒界の数に
よって高くできる。従って、その粒径を小さくし、粒界
を増加することで、磁気センサを高感度にすることがで
きる。
生する抵抗で決まるので、その実効的な直列粒界の数に
よって高くできる。従って、その粒径を小さくし、粒界
を増加することで、磁気センサを高感度にすることがで
きる。
本発明の超電導体積層膜磁気センサは、直列の粒界を増
加させる素子構造により、上記の問題点を解決するもの
で、特性の良いセンサの構成が容易な工程で得られるも
のである。
加させる素子構造により、上記の問題点を解決するもの
で、特性の良いセンサの構成が容易な工程で得られるも
のである。
く問題点を解決するための手段〉
本発明は、セラミック超電導体積層膜構造にして磁気セ
ンサの高感度化を計るものである。
ンサの高感度化を計るものである。
本発明の基本構造は図１のように、セラミック超電導体
膜６と電気的絶縁膜７が交互に積み重なっており、各超
電導体層６は図１のように折り返し構成で電気的に直列
接続されているものである。
膜６と電気的絶縁膜７が交互に積み重なっており、各超
電導体層６は図１のように折り返し構成で電気的に直列
接続されているものである。
セラミック超電導体膜の各層は最適成膜条件により作製
されており、結晶粒子が小さく、粒界の制御性がよくほ
ぼ均一な、高感度のセラミック超電導体膜磁気センサと
しての特性を有しており、外部からの磁界の印加により
、そのセンサの抵抗は急速に大きくなり、センサに電流
を流しているときには、この磁界を印加された超電導体
膜には上記抵抗に比例した電圧が発生する。上記特性を
有するセラミック超電導体膜を図１のように折シ返しの
電気的直列接続を形成するように積層することにより、
直列粒界の数が増加、又は、磁界を印加したときにセラ
ミック超電導体の各層に発生する電圧は加算により大き
な出力電圧となるため、より微弱な磁界を高感度で検知
することが可能となる。さらに、セラミック超電導体と
して、酸化物高温超電導体を使用する場合は、その酸化
物高温超電導体を元素置換や化学量論組成からずらすこ
とにより、その結晶格子定数はほとんど変化しないで、
その超伝導特性が低下し電気的に絶縁物の物性を有する
ことから、第１図に示されているセラミック超電導体膜
間に介在する絶縁膜として利用することができ、上記超
電導体膜と絶縁膜との格子定数の不整合が極めて小さい
ため剥離などの生じない良質の多層膜構造を作製するこ
とができる。
されており、結晶粒子が小さく、粒界の制御性がよくほ
ぼ均一な、高感度のセラミック超電導体膜磁気センサと
しての特性を有しており、外部からの磁界の印加により
、そのセンサの抵抗は急速に大きくなり、センサに電流
を流しているときには、この磁界を印加された超電導体
膜には上記抵抗に比例した電圧が発生する。上記特性を
有するセラミック超電導体膜を図１のように折シ返しの
電気的直列接続を形成するように積層することにより、
直列粒界の数が増加、又は、磁界を印加したときにセラ
ミック超電導体の各層に発生する電圧は加算により大き
な出力電圧となるため、より微弱な磁界を高感度で検知
することが可能となる。さらに、セラミック超電導体と
して、酸化物高温超電導体を使用する場合は、その酸化
物高温超電導体を元素置換や化学量論組成からずらすこ
とにより、その結晶格子定数はほとんど変化しないで、
その超伝導特性が低下し電気的に絶縁物の物性を有する
ことから、第１図に示されているセラミック超電導体膜
間に介在する絶縁膜として利用することができ、上記超
電導体膜と絶縁膜との格子定数の不整合が極めて小さい
ため剥離などの生じない良質の多層膜構造を作製するこ
とができる。
く作 用〉
粒界の弱結合によシ、弱い磁界によっても超電導状態が
壊れて電気抵抗をもつセラミック超電導体膜を、絶縁膜
と交互に積層構成にした上、電気的に直列接続して使用
することにより、積層数に比例して実質のセラミック超
電導体膜の長さが長くなり、同一の基板の大きさで、測
定磁界に対して大きい発生抵抗をもつ磁気センサを構成
することができる。
壊れて電気抵抗をもつセラミック超電導体膜を、絶縁膜
と交互に積層構成にした上、電気的に直列接続して使用
することにより、積層数に比例して実質のセラミック超
電導体膜の長さが長くなり、同一の基板の大きさで、測
定磁界に対して大きい発生抵抗をもつ磁気センサを構成
することができる。
〈実施例〉
以下、本発明を実施例を図面によって詳細に説明する。
本実施例においては、本発明の特徴であるセラミック超
電導体積層膜構造を実現するために、特願昭６２−３３
３５９２に詳細に述べられているスプレーパイロリシス
法を用いる。しかし、積層膜構造の作製方法は以下に述
べるスプレーパイロリシス法に限定するものではなく、
他の、スパタリング法、ＣＶＤ法などの薄膜作製法によ
っても可能である。
電導体積層膜構造を実現するために、特願昭６２−３３
３５９２に詳細に述べられているスプレーパイロリシス
法を用いる。しかし、積層膜構造の作製方法は以下に述
べるスプレーパイロリシス法に限定するものではなく、
他の、スパタリング法、ＣＶＤ法などの薄膜作製法によ
っても可能である。
本実施例で用いた原料は、Ｙ（ＮＯ３）３・６Ｈ２０、
Ｂａ（ＮＯ３）ｚ、Ｃｕ （ＮＯ３） ２ ・３Ｈ２０
及び、Ｚｎ（ＮＯ３）・６Ｈ２０である。これらを目的
の組成になるよう秤量し、各成分が充分溶解する量の純
水で溶解した上、第２図で示されている１気圧の空気中
でのスプレーパイロリシス法で、本発明のセラミック超
電導体積層膜を作製した。
Ｂａ（ＮＯ３）ｚ、Ｃｕ （ＮＯ３） ２ ・３Ｈ２０
及び、Ｚｎ（ＮＯ３）・６Ｈ２０である。これらを目的
の組成になるよう秤量し、各成分が充分溶解する量の純
水で溶解した上、第２図で示されている１気圧の空気中
でのスプレーパイロリシス法で、本発明のセラミック超
電導体積層膜を作製した。
上記のようにして作った硝酸塩溶液４をスプレー装置の
容器３に入れ充分に攪拌しながら、少量ずつ、スプレー
ガン２から圧縮空気５によって、加熱用ランプ２３によ
り加熱された基板１に噴き付けることによりスプレー成
分の分解と酸化でセラミックを成膜する。本発明の積層
膜構造の作製プロセスは第３図の（ａ）から（ｅ）に示
されている。最初に、第３図の（ａ）のように、Ｙ、Ｂ
ａ及びＣｕの硝酸塩を所定の組成比（Ｙ＋Ｂａ２Ｃｕａ
）になるように秤量し純水に溶解した液を上記のスプレ
ー法により、３００℃から６００℃の間に加熱された安
定化ジルコニアの結晶基板１今（幅５ ｍ 、長さ２０
、、）に噴き付け、その後、空気中で９００℃から１０
００℃の間で加熱し、Ｙ＋ＢａｚＣｕ３０ｙのセラミッ
ク超電導体膜２０を作製する。次に、第３図の（ｂ）の
ように、上記工程で作製したセラミック超電導体膜の右
側の一端と、以下の工程で常にマスクする左側の一部を
マスク２１で覆った状態で、ＹＮ Ｂａ ％ Ｃｕ及び
Ｚｎの硝酸塩を、液体窒素温度での電気抵抗が数ＭＱ以
上の大きさを持つような膜の組成比（Ｙ＋ Ｂ ａ ２
Ｃｕ ２Ｊ Ｚ ｎ Ｏ，５）になるように秤量し純
水に溶解した液を上記のスプレー法により噴き付けるこ
とにより絶縁膜２２を作製する。次に、第３図の（ｃ）
のように、マスクを取り除き、第３図の（ａ）で示され
ている工程と同様にしてセラミック超電導体膜を作製す
る。次に、第３図の（ｄ）のように、上記工程で作製し
たセラミック超電導体膜の同図の（ｂ）と反対側の一端
をマスクで覆った状態で、第３図の（ｂ）の場合と同様
にしＹ＋Ｂａ２Ｃｕ２．５Ｚｎｏ、ｓＯｙての絶縁膜を
作製する。次に、第３図の（ｅ）のように、図示したマ
スクを取り除き、第３図の（ａ）で示されている工程と
同様にしてセラミック超電導体膜を作製する。以下、上
記の工程（ｂ）から（ｅ）及び（ａ）で示した工程を繰
り返し行うことにより、セラミック超電導体積層膜構造
を作製した。上記の工程により作製された各セラミック
超電導体膜は互いに電気的に直列接続されており、上記
超電導体膜と絶縁膜の格子定数、及び、その熱膨張係数
はほぼ同じであり、格子不整合による歪みがなく、層間
の剥離などが生じない良質の積層膜構造ができた。
容器３に入れ充分に攪拌しながら、少量ずつ、スプレー
ガン２から圧縮空気５によって、加熱用ランプ２３によ
り加熱された基板１に噴き付けることによりスプレー成
分の分解と酸化でセラミックを成膜する。本発明の積層
膜構造の作製プロセスは第３図の（ａ）から（ｅ）に示
されている。最初に、第３図の（ａ）のように、Ｙ、Ｂ
ａ及びＣｕの硝酸塩を所定の組成比（Ｙ＋Ｂａ２Ｃｕａ
）になるように秤量し純水に溶解した液を上記のスプレ
ー法により、３００℃から６００℃の間に加熱された安
定化ジルコニアの結晶基板１今（幅５ ｍ 、長さ２０
、、）に噴き付け、その後、空気中で９００℃から１０
００℃の間で加熱し、Ｙ＋ＢａｚＣｕ３０ｙのセラミッ
ク超電導体膜２０を作製する。次に、第３図の（ｂ）の
ように、上記工程で作製したセラミック超電導体膜の右
側の一端と、以下の工程で常にマスクする左側の一部を
マスク２１で覆った状態で、ＹＮ Ｂａ ％ Ｃｕ及び
Ｚｎの硝酸塩を、液体窒素温度での電気抵抗が数ＭＱ以
上の大きさを持つような膜の組成比（Ｙ＋ Ｂ ａ ２
Ｃｕ ２Ｊ Ｚ ｎ Ｏ，５）になるように秤量し純
水に溶解した液を上記のスプレー法により噴き付けるこ
とにより絶縁膜２２を作製する。次に、第３図の（ｃ）
のように、マスクを取り除き、第３図の（ａ）で示され
ている工程と同様にしてセラミック超電導体膜を作製す
る。次に、第３図の（ｄ）のように、上記工程で作製し
たセラミック超電導体膜の同図の（ｂ）と反対側の一端
をマスクで覆った状態で、第３図の（ｂ）の場合と同様
にしＹ＋Ｂａ２Ｃｕ２．５Ｚｎｏ、ｓＯｙての絶縁膜を
作製する。次に、第３図の（ｅ）のように、図示したマ
スクを取り除き、第３図の（ａ）で示されている工程と
同様にしてセラミック超電導体膜を作製する。以下、上
記の工程（ｂ）から（ｅ）及び（ａ）で示した工程を繰
り返し行うことにより、セラミック超電導体積層膜構造
を作製した。上記の工程により作製された各セラミック
超電導体膜は互いに電気的に直列接続されており、上記
超電導体膜と絶縁膜の格子定数、及び、その熱膨張係数
はほぼ同じであり、格子不整合による歪みがなく、層間
の剥離などが生じない良質の積層膜構造ができた。
以上のようにして作製された積層構造を有するセラミッ
ク超電導体膜に第１図で概要を示しであるように、電流
電極８と１２、及び、電圧電極９と１３ｉチタン（Ｔｉ
）によって作製し、そこに銀ペーストで電流リード１１
１！１０．１５、電圧リード線１１．１４を接続して、
それぞれの電流型圧電極を定電流源１６と出力電圧測定
装置１含と接続した。
ク超電導体膜に第１図で概要を示しであるように、電流
電極８と１２、及び、電圧電極９と１３ｉチタン（Ｔｉ
）によって作製し、そこに銀ペーストで電流リード１１
１！１０．１５、電圧リード線１１．１４を接続して、
それぞれの電流型圧電極を定電流源１６と出力電圧測定
装置１含と接続した。
以上のように測定用の接続したセラミック超電導体膜を
、液体窒素（７７Ｋ）温度に冷却した上、測定した結果
を示したのが第６図である。
、液体窒素（７７Ｋ）温度に冷却した上、測定した結果
を示したのが第６図である。
第６図は、第３゛図で説明した工程により電気的絶縁体
を介してセラミック超電導体膜が１０層積み重ねられて
いる場合の本発明の特性を示している。セラミック超電
導体膜の１層の膜厚は１０μｍであり、印加した測定電
流は１ｍＡである。第７図には、第３図（ａ）と同様の
工程で本発明との比較のために作製された１層だけのセ
ラミック超電導体膜の特性が示されている０膜厚は１０
Ａｍで測定電流は１ｍＡである。第６図と第７図を比
較すると分かるように、セラミック超電導膜に水平に印
加した磁界が１００エルステツドのとき、本発明の磁気
センサは測定電流１ｍＡで検出電圧が約１４ｍＶにな）
、その抵抗値は、１４Ωであった。
を介してセラミック超電導体膜が１０層積み重ねられて
いる場合の本発明の特性を示している。セラミック超電
導体膜の１層の膜厚は１０μｍであり、印加した測定電
流は１ｍＡである。第７図には、第３図（ａ）と同様の
工程で本発明との比較のために作製された１層だけのセ
ラミック超電導体膜の特性が示されている０膜厚は１０
Ａｍで測定電流は１ｍＡである。第６図と第７図を比
較すると分かるように、セラミック超電導膜に水平に印
加した磁界が１００エルステツドのとき、本発明の磁気
センサは測定電流１ｍＡで検出電圧が約１４ｍＶにな）
、その抵抗値は、１４Ωであった。
一方、第７図に示されているように、１層のセラミック
超電導体膜の特性は、測定電流１ｍＡで検出電圧が１．
４ｍＶになり、その抵抗値は１．４０である。以上で説
明したように本発明の実施例による磁気センサは、従来
の１層だけのセラミック超電導体膜による磁気センサの
１０倍の出力を示し、高感度化がはかれたことが分かる
。
超電導体膜の特性は、測定電流１ｍＡで検出電圧が１．
４ｍＶになり、その抵抗値は１．４０である。以上で説
明したように本発明の実施例による磁気センサは、従来
の１層だけのセラミック超電導体膜による磁気センサの
１０倍の出力を示し、高感度化がはかれたことが分かる
。
以上は、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系のセラミックスによる超
電導体の磁気センサについて説明したが、これはＹ−Ｂ
ａ−Ｃｕ−０系に限られるものでなく、粒界を構成する
セラミック超電導体であれば、Ｂｉ −８ｒ−Ｃａ
Ｃｕ−０系、 Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０系などにも
この本発明を適用することができる。
電導体の磁気センサについて説明したが、これはＹ−Ｂ
ａ−Ｃｕ−０系に限られるものでなく、粒界を構成する
セラミック超電導体であれば、Ｂｉ −８ｒ−Ｃａ
Ｃｕ−０系、 Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０系などにも
この本発明を適用することができる。
作製したセラミック超電導体膜は、薄くするほど感度は
高くなるが、その厚さを０．１μｍ以下にしたときは成
膜後の熱処理による粒子の不規則な成長のためか、セラ
ミック超電導膜の特性が一定にならなかった０また、セ
ラミック超電導膜２５０μｍ以上にすると、粒子の成長
で、表面の平滑性が悪くなり、又、感度も悪くなった０
更に、本発明の積層構造の磁気センサに使用する絶縁膜
も実施例のようにセラミック超電導体の構成元素を置換
したＹ＋ＢａｚＣｕ２．５Ｚｎｏ、ｓＯｙのような構成
に限られるのでなく、セラミック超電導体を構成する元
素の組成比を変えることによっても本発明の積層構成に
適した絶縁性のセラミック超電導膜を作製することがで
きる。
高くなるが、その厚さを０．１μｍ以下にしたときは成
膜後の熱処理による粒子の不規則な成長のためか、セラ
ミック超電導膜の特性が一定にならなかった０また、セ
ラミック超電導膜２５０μｍ以上にすると、粒子の成長
で、表面の平滑性が悪くなり、又、感度も悪くなった０
更に、本発明の積層構造の磁気センサに使用する絶縁膜
も実施例のようにセラミック超電導体の構成元素を置換
したＹ＋ＢａｚＣｕ２．５Ｚｎｏ、ｓＯｙのような構成
に限られるのでなく、セラミック超電導体を構成する元
素の組成比を変えることによっても本発明の積層構成に
適した絶縁性のセラミック超電導膜を作製することがで
きる。
本発明の超電導体膜の形状は、第１図、又は第３図で示
した実施例の形状に限定されることなく、例えば更に、
ホトリソグラフ法などと、エツチング技術、又は、マス
クの利用などにより、超電導体膜の各層を第８図に示さ
れているようなジグザグ形状に加工することにより、直
列の粒界の数をさらに増加させることができ、よりいっ
そうの高感度化が図ることもできる。
した実施例の形状に限定されることなく、例えば更に、
ホトリソグラフ法などと、エツチング技術、又は、マス
クの利用などにより、超電導体膜の各層を第８図に示さ
れているようなジグザグ形状に加工することにより、直
列の粒界の数をさらに増加させることができ、よりいっ
そうの高感度化が図ることもできる。
以上から、本発明による積層構造を有するセラミック超
電導体膜の磁気抵抗素子により弱い磁界に対しても優れ
た感度特性を有し、かつ、極めて低い消費電力で動作す
る磁気センサを得ることができた。
電導体膜の磁気抵抗素子により弱い磁界に対しても優れ
た感度特性を有し、かつ、極めて低い消費電力で動作す
る磁気センサを得ることができた。
〈発明の効果〉
本発明は、高感度のセラミック超電導体の磁気抵抗素子
による磁気センサにするため、セラミック超電導体膜の
積層構造にし、各層を電気的に直列接続することにより
、直列の粒界の数を増加させて、磁界を印加により発生
する抵抗を大きくしている。この発明により、膜状に構
成することで高感度になったセラミック超電導体磁気抵
抗素子の磁気センサを、更に、高感度化すること、又は
、その磁気センナの小型化を計ることが可能になった。
による磁気センサにするため、セラミック超電導体膜の
積層構造にし、各層を電気的に直列接続することにより
、直列の粒界の数を増加させて、磁界を印加により発生
する抵抗を大きくしている。この発明により、膜状に構
成することで高感度になったセラミック超電導体磁気抵
抗素子の磁気センサを、更に、高感度化すること、又は
、その磁気センナの小型化を計ることが可能になった。
第１図は本発明の超電導体積層膜磁気センサの一実施例
を示した斜視図、第２図はスプレーノくイロリシスによ
る成膜装置の概要構成図、第３図は本発明の超電導体積
層膜磁気抵抗素子の製作工程の一例を示した図、第４図
は半導体、磁性体の磁気抵抗素子の磁気検出特性を示し
た概要図、第５図は粉末焼成法による超電導体磁気抵抗
素子の磁気検出特性の一例を示した図、第６図は、本発
明のセラミック超電導体積層膜磁気センサの磁気検出特
性の一例を示した図。第７図は、セラミック超電導体膜
の一層のみの場合の磁気検出特性の一例を示した図。第
８図は、セラミック超電導体膜をジグザグ形状に加工し
たときの１例を示した図である。 １は基板、２はスプレーガン、３はスプレー液容器、４
は原料の水溶液、５は圧縮空気のホース、６はセラミッ
ク超伝導体膜、７は電気的絶縁膜、８と１２は電流電極
、９と１３は電圧電極、１０と１５は電流リード線、１
１と１４は電圧リード線、１６は定電流源、１７は出力
電圧測定器、１８と１９は基板、２０はセラミック超電
導体膜、２１はマスク、２２は絶縁体膜、２３は加熱用
ランプ、２４は測定する磁界である。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）（Ｃ） （ｄ） 第８図 １０ｅ
を示した斜視図、第２図はスプレーノくイロリシスによ
る成膜装置の概要構成図、第３図は本発明の超電導体積
層膜磁気抵抗素子の製作工程の一例を示した図、第４図
は半導体、磁性体の磁気抵抗素子の磁気検出特性を示し
た概要図、第５図は粉末焼成法による超電導体磁気抵抗
素子の磁気検出特性の一例を示した図、第６図は、本発
明のセラミック超電導体積層膜磁気センサの磁気検出特
性の一例を示した図。第７図は、セラミック超電導体膜
の一層のみの場合の磁気検出特性の一例を示した図。第
８図は、セラミック超電導体膜をジグザグ形状に加工し
たときの１例を示した図である。 １は基板、２はスプレーガン、３はスプレー液容器、４
は原料の水溶液、５は圧縮空気のホース、６はセラミッ
ク超伝導体膜、７は電気的絶縁膜、８と１２は電流電極
、９と１３は電圧電極、１０と１５は電流リード線、１
１と１４は電圧リード線、１６は定電流源、１７は出力
電圧測定器、１８と１９は基板、２０はセラミック超電
導体膜、２１はマスク、２２は絶縁体膜、２３は加熱用
ランプ、２４は測定する磁界である。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）（Ｃ） （ｄ） 第８図 １０ｅ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、粒界をもち、印加電流の強さにより測定する磁界に
対応する発生抵抗の大きさが変わる、磁気抵抗効果をも
つセラミック超電導体膜と、電気的に絶縁性の膜とを、
交互に積層し、前記積層したセラミック超電導体膜を電
気的に直列接続して、その両端に電極を設けたことを特
徴とする超電導積層膜磁気抵抗素子。 ２、前記セラミック超電導体膜は、膜厚が０．１μｍ乃
至５０μｍであることを特徴とする請求項１記載の超電
導積層膜磁気抵抗素子。 ３、前記電気的絶縁膜が、積層する前記セラミック超電
導体膜の組成元素の置換又は、元素の組成比を変えるこ
とにより動作状態で、絶縁性の特性をもつ膜にしたこと
を特徴とする請求項１又は２記載の超電導積層膜磁気抵
抗素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63268586A JPH02114575A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 超電導積層膜磁気抵抗素子 |
| EP89310918A EP0366396B1 (en) | 1988-10-24 | 1989-10-24 | Superconductive magneto-resistive device comprising laminated superconductive ceramic films |
| DE68916170T DE68916170T2 (de) | 1988-10-24 | 1989-10-24 | Supraleitende magneto-resistive Einrichtung mit laminierten supraleitenden keramischen Filmen. |
| US07/742,284 US5140300A (en) | 1988-10-24 | 1991-08-08 | Superconductive magneto-resistive device comprising laminated superconductive ceramic films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63268586A JPH02114575A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 超電導積層膜磁気抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02114575A true JPH02114575A (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=17460588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63268586A Pending JPH02114575A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 超電導積層膜磁気抵抗素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0366396B1 (ja) |
| JP (1) | JPH02114575A (ja) |
| DE (1) | DE68916170T2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2709600B1 (fr) * | 1993-09-02 | 1995-09-29 | Commissariat Energie Atomique | Composant et capteur magnétorésistifs à motif géométrique répété. |
| US6011981A (en) * | 1996-03-12 | 2000-01-04 | International Superconductivity Technology Center | Oxide superconductor multilayered film and oxide superconductor josephson device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3739412A1 (de) * | 1987-11-20 | 1989-06-29 | Heidelberg Motor Gmbh | Hochstromschalter |
-
1988
- 1988-10-24 JP JP63268586A patent/JPH02114575A/ja active Pending
-
1989
- 1989-10-24 DE DE68916170T patent/DE68916170T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-10-24 EP EP89310918A patent/EP0366396B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0366396A3 (en) | 1990-07-25 |
| EP0366396A2 (en) | 1990-05-02 |
| DE68916170D1 (de) | 1994-07-21 |
| DE68916170T2 (de) | 1995-01-05 |
| EP0366396B1 (en) | 1994-06-15 |
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