JPH02114590A - 半導体レーザチップのボンディング位置決め方法 - Google Patents
半導体レーザチップのボンディング位置決め方法Info
- Publication number
- JPH02114590A JPH02114590A JP63269054A JP26905488A JPH02114590A JP H02114590 A JPH02114590 A JP H02114590A JP 63269054 A JP63269054 A JP 63269054A JP 26905488 A JP26905488 A JP 26905488A JP H02114590 A JPH02114590 A JP H02114590A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser chip
- optical axis
- base
- bonding
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザの組立工程における半導体レ
ーザチップのボンディング位置決め方法に関するもので
ある。
ーザチップのボンディング位置決め方法に関するもので
ある。
近年、半導体レーザは、多種多様な分野において利用さ
れるようになり、半導体レーザ装置が増産されている。
れるようになり、半導体レーザ装置が増産されている。
一方、半導体レーザ装置から発光するレーザ光の光軸の
ずれ量により、半導体レーザ装置の利用分野が制限され
るようになり、特に光通信の分野においては、光軸のず
れ量が１度以内というきびしい要求があがってきている
。
ずれ量により、半導体レーザ装置の利用分野が制限され
るようになり、特に光通信の分野においては、光軸のず
れ量が１度以内というきびしい要求があがってきている
。
従来のこの種の半導体レーザ装置を第３図に基づいて説
明する。
明する。
この半導体レーザ装置は、第３図に示すように、ベース
２を予め位置規制しておき、このベース２の接続部２ａ
に半導体レーザチップＩをボンディングし、キャップ３
で封止している。
２を予め位置規制しておき、このベース２の接続部２ａ
に半導体レーザチップＩをボンディングし、キャップ３
で封止している。
この半導体レーザ装置は、ベース２の接続部２ａに半導
体レーザチップｌをボンディングする際に、半導体レー
ザチップｌの外形または表面の形状から半導体レーザチ
ップ１の発光面を判断し、この発光面により半導体レー
ザチップ１のボンディング位置決めを行っている。
体レーザチップｌをボンディングする際に、半導体レー
ザチップｌの外形または表面の形状から半導体レーザチ
ップ１の発光面を判断し、この発光面により半導体レー
ザチップ１のボンディング位置決めを行っている。
しかし、従来の半導体レーザ装置は、半導体レーザチッ
プ１の発光面から発光されるレーザ光が全てその発光面
に対して一定角度で射出されるのではなく、ばらつきが
ある。このため、半導体レーザチップ１の外形等からポ
ンディング位置決めしても、半導体レーザ装置から発光
されるレーザ光の光軸が安定しない。この結果、半導体
レーザ装置の光軸にばらつきが発生し、製品の歩留が悪
いという問題があった。
プ１の発光面から発光されるレーザ光が全てその発光面
に対して一定角度で射出されるのではなく、ばらつきが
ある。このため、半導体レーザチップ１の外形等からポ
ンディング位置決めしても、半導体レーザ装置から発光
されるレーザ光の光軸が安定しない。この結果、半導体
レーザ装置の光軸にばらつきが発生し、製品の歩留が悪
いという問題があった。
したがって、この発明の目的は、光軸のばらつきを少な
くし、製品の歩留を向上することができる半導体レーザ
チップのボンディング位置決め方法を提供することであ
る。
くし、製品の歩留を向上することができる半導体レーザ
チップのボンディング位置決め方法を提供することであ
る。
この発明の半導体レーザチップのポンディング位置決め
方法は、半導体レーザチップをベースの接続部に仮置き
して発光させ、この仮置状態で光軸を測定しここの光軸
と基準軸とのｒれ鼠を求め、前記ずれ量に応じて位置を
補正した後にボンディングすることを特徴としている。
方法は、半導体レーザチップをベースの接続部に仮置き
して発光させ、この仮置状態で光軸を測定しここの光軸
と基準軸とのｒれ鼠を求め、前記ずれ量に応じて位置を
補正した後にボンディングすることを特徴としている。
〔作 用〕
この発明の方法によれば、ベースの接続部に仮置きした
半導体レーザチップを発光させて、このときの光軸と基
準軸とのずれ量を求め、このずれ量に応じて半導体レー
ザチップの位置を補正してから半導体レーザチップをベ
ースとボンディングする。
半導体レーザチップを発光させて、このときの光軸と基
準軸とのずれ量を求め、このずれ量に応じて半導体レー
ザチップの位置を補正してから半導体レーザチップをベ
ースとボンディングする。
この発明の半導体レーザチップのボンディング位置決め
方法の一実施例を第１図および第２図に基づいて説明す
る。
方法の一実施例を第１図および第２図に基づいて説明す
る。
まず、第２図（ａ）に示すように、半導体レーザチップ
１を真空ピンセット４により吸着し、この状態で撮像装
置１２で半導体レーザチップ１の外形を認識する。そし
て、認識した外形に基づいて半導体レーザチップ１を真
空ピンセット４により移動させ、第２図（ｂ）に示すよ
うに、ベース２の接続部２ａに半導体レーザチップ１を
位置補正して仮置きする。このとき、ベース２は予め位
置規制されており、第１図に示すように、このベース２
の基準軸６上に半導体レーザチップ１が仮置きされる。
１を真空ピンセット４により吸着し、この状態で撮像装
置１２で半導体レーザチップ１の外形を認識する。そし
て、認識した外形に基づいて半導体レーザチップ１を真
空ピンセット４により移動させ、第２図（ｂ）に示すよ
うに、ベース２の接続部２ａに半導体レーザチップ１を
位置補正して仮置きする。このとき、ベース２は予め位
置規制されており、第１図に示すように、このベース２
の基準軸６上に半導体レーザチップ１が仮置きされる。
ベース２の基準軸６の延長上には、受光装置（図示せず
）の受光部５が配置されている。また、半導体レーザチ
ップ１とベース２間には定電流電′ａ１１が接続されて
いる。そして、定電流電源１１により、ベース２の接続
部２ａに仮置きされた半導体レーザチップ１を定電流発
光させ、受光装置の受光部５に照射する。このときのレ
ーザ光７の光軸８の位置を受光装置５により測定し、こ
の測定した光軸８の位置と基準軸６との距離、すなわち
ずれｆｆ１Ｌを求める。そして、この光軸８のずれ量り
を回転制御装置１３にフィードバンクする。
）の受光部５が配置されている。また、半導体レーザチ
ップ１とベース２間には定電流電′ａ１１が接続されて
いる。そして、定電流電源１１により、ベース２の接続
部２ａに仮置きされた半導体レーザチップ１を定電流発
光させ、受光装置の受光部５に照射する。このときのレ
ーザ光７の光軸８の位置を受光装置５により測定し、こ
の測定した光軸８の位置と基準軸６との距離、すなわち
ずれｆｆ１Ｌを求める。そして、この光軸８のずれ量り
を回転制御装置１３にフィードバンクする。
回転制御装置１３は、受光装置からのずれ量りを入力し
、ずれＩＬに応じて真空ピンセット４の駆動部９を動作
させて、真空ピンセット４をずれ量りを補正する方向に
矢印１０のように回転させる。
、ずれＩＬに応じて真空ピンセット４の駆動部９を動作
させて、真空ピンセット４をずれ量りを補正する方向に
矢印１０のように回転させる。
これにより、半導体レーザチップ１の光軸８が基準軸６
の接着精度の範囲ｄ内に入るように補正される。その後
半導体レーザチップ１とベース２とのボンディングを行
う、そして、半導体レーザチップｌとベース２とをボン
ディングした後、第３図に示す従来の半導体レーザ装置
と同様に、キャンプを封止して組立を完了する。この場
合、半導体レーザ装置の光軸のばらつきは、受光装置５
および駆動部９の分解能の範囲内となる。この結果、光
軸のばらつきの少ない半導体レーザ装置を組み立てるこ
とができ、製品の歩留を向上させることができる。
の接着精度の範囲ｄ内に入るように補正される。その後
半導体レーザチップ１とベース２とのボンディングを行
う、そして、半導体レーザチップｌとベース２とをボン
ディングした後、第３図に示す従来の半導体レーザ装置
と同様に、キャンプを封止して組立を完了する。この場
合、半導体レーザ装置の光軸のばらつきは、受光装置５
および駆動部９の分解能の範囲内となる。この結果、光
軸のばらつきの少ない半導体レーザ装置を組み立てるこ
とができ、製品の歩留を向上させることができる。
なお、受光装置５および真空ピンセット４の駆動部９の
分解能を向上させることにより、さらに半導体レーザ装
置の光軸のばらつきを少なくすることができる。
分解能を向上させることにより、さらに半導体レーザ装
置の光軸のばらつきを少なくすることができる。
また、この実施例の半導体レーザチップのポンディング
位置決めの方法においては、基準軸６と光軸８とのずれ
ＩＬとして基準軸６から半導体レーザチップ１の光軸８
の位置までの距離を測定したが、光軸８と基準軸６との
ずれ角を測定してこのずれ角から半導体レーザチップ１
の光軸８を補正するようにしてもよい。
位置決めの方法においては、基準軸６と光軸８とのずれ
ＩＬとして基準軸６から半導体レーザチップ１の光軸８
の位置までの距離を測定したが、光軸８と基準軸６との
ずれ角を測定してこのずれ角から半導体レーザチップ１
の光軸８を補正するようにしてもよい。
この発明の半導体レーザチップのボンディング位置決め
方法によれば、ベースの接続部に仮置した半導体レーザ
チップを発光させて、このときの丸軸と基準軸と（１）
ずれ量を求め、このずれ量に応ｊ−て′４を導体レーデ
チップの位置を補正しζからｔ導体レーザチップをベー
スとボンディングするので、光軸のばらつきの少ない半
導体１／−ザ装置を組み立てることができ、製品の歩留
を向上ｒることができる。
方法によれば、ベースの接続部に仮置した半導体レーザ
チップを発光させて、このときの丸軸と基準軸と（１）
ずれ量を求め、このずれ量に応ｊ−て′４を導体レーデ
チップの位置を補正しζからｔ導体レーザチップをベー
スとボンディングするので、光軸のばらつきの少ない半
導体１／−ザ装置を組み立てることができ、製品の歩留
を向上ｒることができる。
第１図は、−の発明の一実施例の概略図、第２い１（＝
＋）。（ト））１、プ、動作＝１明図、第３図はｆｉｔ
ｆｌ＝ ｔＤ、 、’ｔ’−Ｉ体１−・ザ装”（ｆ（
の分解も！Ｗ ｉｊｊ図であＳ。
＋）。（ト））１、プ、動作＝１明図、第３図はｆｉｔ
ｆｌ＝ ｔＤ、 、’ｔ’−Ｉ体１−・ザ装”（ｆ（
の分解も！Ｗ ｉｊｊ図であＳ。
Claims (1)
- 半導体レーザチップをベースの接続部に仮置きして発光
させ、この仮置状態で光軸を測定してこの光軸と基準軸
とのずれ量を求め、前記ずれ量に応じて位置を補正した
後にボンディングすることを特徴とする半導体レーザチ
ップのボンディング位置決め方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63269054A JPH02114590A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 半導体レーザチップのボンディング位置決め方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63269054A JPH02114590A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 半導体レーザチップのボンディング位置決め方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02114590A true JPH02114590A (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=17467027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63269054A Pending JPH02114590A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 半導体レーザチップのボンディング位置決め方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02114590A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5386253A (en) * | 1990-04-09 | 1995-01-31 | Rank Brimar Limited | Projection video display systems |
| JP2002009380A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Toshiba Corp | 発光素子のボンディング装置及びその方法 |
| JP2003023203A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子搭載用基台の半田付け装置および半導体レーザモジュールの製造方法 |
-
1988
- 1988-10-24 JP JP63269054A patent/JPH02114590A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5386253A (en) * | 1990-04-09 | 1995-01-31 | Rank Brimar Limited | Projection video display systems |
| JP2002009380A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Toshiba Corp | 発光素子のボンディング装置及びその方法 |
| JP2003023203A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子搭載用基台の半田付け装置および半導体レーザモジュールの製造方法 |
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