JPH02116145A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体装置の製造方法に関するもので、さら
には詳しくは、ダイシングによって半導体ウェハから個
片の半導体チップを取得する場合に適用して有効な技術
に関するものである。

［従来の技術］ 従来、ダイシングによって半導体ウェハから個片の半導
体チップを取得する場合１例えば、目視等によって半導
体ウェハの位置合せを行い１回転ブレード等によって予
め定められた間隔で上記半導体ウェハをダイシングする
ことによって個片の半導体チップを取得していた。そし
て、従来においては、取得ルた半導体チップはそのまま
次の工程に送られていた。

ところで、ワイヤボンディングによって外囲器と半導体
チップのボンディングパッドとを接続する半導体装置で
は、パッケージングにあたって半導体チップのみならず
ワイヤと外囲器との接続部分まで封止されることから、
半導体チップに対してパッケージが比較的大きくなって
いる。

したがって、半導体ウェハから個片の半導体チップを取
得する際多少のダイシング誤差が生じたとしてもさほど
問題はなかった。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、例えば、マイクロチップキャリアを用い
る半導体装置の分野ではダイシング誤差による問題が現
在多々生じている。

つまり、このマイクロチップキャリヤを用いる半導体装
置の分野では、第４図に示すように、チップキャリヤベ
ース１１上に形成された電極と半導体チップ１２のバン
ブ電極１２ａとを合致させるようにして半導体チップ１
２をキャリヤに対して固着するが１例えば半導体チップ
１２の冷却用にチップキャリヤキャップを半導体チップ
１２の上に被せるものでは、ダイシング誤差があり、し
かもその誤差が大きい場合には、上記チップキャリヤキ
ャップ１３を半導体チップ１２上に被せられなくなって
しまうという問題があった。その場合、当該半導体チッ
プ１２のみならず半導体チップ１２を固着したチップキ
ャリヤベース１１の廃棄を伴うことになるのでその損失
はコスト的にも時間的にも極めて大きかった。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、コスト低
減およびスループットの向上に資する半導体装置の製造
方法を提供することを目的としている。

この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴に
ついては、本明細書の記述および添附図面から明らかに
なるであろう。

［課題を解決するための手段］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、下記のとおりである。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの
位置を合せるための位置合せ用マークとダイシングの位
置ずれ誤差を指示する誤差指示マークとを予め上記半導
体ウェハに形成しておくようにし、上記位置合せ用マー
・りによって上記半導体ウェハの位置合せを行い、その
状態でダイシングを行い、ダイシング後、上記誤差指示
マークによってダイシング誤差を検出するようにしたも
のである。

［作用］ 上記した手段によれば、上記位置合せ用マークの自動！
！識等を通じて上記半導体ウェハの位置合せを行い、そ
の状態でダイシングを行うようにしたので、ダイシング
誤差自体が小さくなると共に。

ダイシング後、上記誤差指示マークによってダイシング
誤差を検出するようにしたので、ダイシング誤差の検出
が早期にかつ迅速に行えることとなる。このような作用
によって、歩留りが向上すると共に、ダイシング誤差の
検出結果が直ちに次のダイシング作業へフィードバック
がかけられることとなり、その結果、コストの低減およ
びスループットの向上という上記目的が達成されること
になる。

［実施例］ 以下１本発明に係る半導体装置の製造方法の実施例を図
面に基づいて説明する。

第１図には本発明に係る半導体装置の製造方法の実施例
に使用される半導体ウェハに形成されたマーク群の部分
平面図が示されている。

実施例に使用される半導体ウェハには、縦横方向のダイ
シング位置をそれぞれ確認するため、２組のマーク群が
設けられている。このうち第１図には縦方向のダイシン
グ位置を確認するためのマーク群のみが示されている。

なお、横方向のダイシング位置を確認するためのマーク
群（図示せず）は第１図に示すマーク群と同様な構成と
なっており、第１図に示すマーク群を９０度だけ時計方
向もしくは反時計方向に傾けた状態で半導体ウェハ上に
形成されている。

次に、各マーク群の構成を具体的に説明する。

各マーク群は、ダイシング時半導体ウェハの位置合せを
行うために用いられる１個の位置合せ用マーク１と、正
規のダイシング幅を指示する２個のダイシング幅指示マ
ーク２と、ダイシングの位置ずれ誤差を指示する各２個
の誤差指示マーク３゜４とから構成されており、これら
マーク１，２゜３．４はそれぞれ二等辺三角形を呈する
ような形状となっている。

このうち位置合せ用マーク１は、その底辺の垂直２等分
線（頂角の２等分線）が正規のダイシングラインの中心
線に合致するような位置および向きに形成されている。

また、ダイシング幅指示マーク２，２は正規のダイシン
グラインの中心線Ｌｓを挟んで互いに対向するように配
設されている。このダイシング幅指示マーク２，２にお
いては、その頂角が正規のダイシングラインＬの中心線
Ｌｓを指示しており、その底辺が正規のダイシングライ
ンＬの各側縁に合致するようになっている。したがって
、ダイシングが誤差なく行われた場合、ダイシング幅指
示マーク２，２が第２図に示すように完全に削り取られ
て消失されるようになっている。

誤差指示マーク３，３は正規のダイシングラインＬを挟
んで互いに対向するように配設されている。この誤差指
示マーク３，３においてもその頂角は正規のダイシング
ラインＬの中心線Ｌｓを指示している。一方、誤差指示
マーク３，３の底辺と正規のダイシングラインの各側縁
との距離は例えば５μｍに設定されている。

また、他方の誤差指示マーク４，４も上記誤差指示マー
ク３，３と略同様な構成となっているが、この誤差指示
マーク４，４の底辺と正規のダイシングラインの各側縁
との距離が、例えば１０μｍと上記誤差指示マーク３，
３よりも大きくなっている点で上記誤差指示マーク３，
３におけるとは異なっている。

なお、このようなマーク１，２，３．４を形成するにあ
たっては、例えば、半導体集積回路のボンディングパッ
ドを形成する際に該ボンディングパッドと同一材料（例
えばＡＮ）によって同時に形成するようにする。このよ
うにすれば工程数を増すことなく上記半導体ウェハを得
ることができることになる。

次に、上記のように構成された半導体ウェハから半導体
チップを取得する場合について説明する。

先ず、上記位置合せ用マーク１を自動認識する。

次に、その結果から回転ブレード等の始点位置を定め、
所定間隔で半導体ウェハをダイシングする。

そして、このダイシングの後、上記ダイシングライン幅
指示マーク２でもって正規のダイシングラインに沿って
切断がされているか否かを確認する。この確認はダイシ
ング誤差を全く許さない半導体装置以外では必ずしも必
要とはいえない。また１位置ずれがある場合には誤差指
示マーク３゜４でもって位置ずれがどの程度生じている
のかを目視確認する。

そして、実際のダイシングラインが正規のダイシングラ
インＬとはずれているときにはその位置ずれ量を誤差指
示マーク３，４を基準として目視によって読んで次のダ
イシング作業にフィードバックして１回転ブレードの始
点位置制御などに役立てる。なお、第２図および第３図
において符号５は半導体チップの縁を表わしている。

上記のように構成された半導体装置の製造方法によれば
次のような効果を得ることができる。

即ち、上記実施例の製造方法によれば１位置合せ用マー
ク１によって半導体ウェハの位置合せを行い、その状態
でダイシングを行っているので、ダイシング誤差自体が
小さくなると共に、ダイシング後、誤差指示マーク３，
４によってダイシング誤差を検出するようにしたので、
ダイシング誤差が少なく、シかもダイシング誤差の検出
が早期かつ迅速に行える。このように作用によって９歩
留りが向上すると共に１次のダイシング工程へ直ちにフ
ィードバックがかけられることとなり、その結果、コス
トの低減およびスループットの向上が図れることになる
。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが１本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

上記実施例では、誤差指示マークとは別個にダイシング
幅指示マーク２および位置合せ用マーク１を設けている
が、ダイシング幅指示マーク２および位置合せ用マーク
１は必ずしも必要はない。

なぜなら、誤差指示マークをそのまま位置合せ用マーク
として利用することもできるし、実際上、誤差指示マー
クでもって許容誤差範囲内にあるか否かを確認すれば正
規のダイシングラインに沿ってダイシングされているか
どうかを問題にする必要がないからである。なお、上記
実施例では誤差指示マーク３，４と２対の誤差マークを
設けているが１対のみでも良く、さらには１個の誤差指
示マークのみであっても良い、さらに、誤差指示マーク
を許容誤差を指示するような位置に設け、該マークの欠
けによってダイシングの良・不良を判別するようにして
も良い。

また、上記実施例では三角マークを形成したが。

その形状はいかなるものであっても良い。

［発明の効果］ 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの
位置を合せるための位置合せ用マークとダイシングの位
置ずれ誤差を指示する誤差指示マークとを予め上記半導
体ウェハ上に形成しておくようにし、上記位置合せ用マ
ークによって上記半導体ウェハの位置合せを行い、その
状態でダイシングを行い、ダイシングの後、上記誤差指
示マークによってダイシング誤差を検出するようにした
ので、半導体装置の製造ラインにおけるスループットの
向上が図れ、しかも材料の無駄が回避でき、ひいては安
価な半導体装置の実現が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る半導体装置の製造方法の実施例で
使用される半導体ウェハ上に形成されたマーク群の平面
図。 第２図は正規のダイシングが行われた場合のマーク群の
平面図、 第３図は正規のダイシングがなされなかった場合のマー
ク群の平面図、 第４図はマイクロチップキャリヤを用いる半導体装置の
概略縦断面図である。 １・・・・位置合わせ用マーク、３，４・・・・誤差指
示マーク。 第　　１　図 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ダイシングによって半導体ウェハから個片の半導体
   チップを取得するにあたり、半導体ウェハの位置を合せ
   るための位置合せ用マークとダイシングの位置ずれ誤差
   を指示する誤差指示マークとを予め上記半導体ウェハ上
   に形成しておくようにし、上記位置合せ用マークによっ
   て上記半導体ウェハの位置合せを行い、その状態でダイ
   シングを行い、ダイシングの後、上記誤差指示マークに
   よってダイシング誤差を検出するようにしたことを特徴
   とする半導体装置の製造方法。 ２、半導体集積回路におけるボンディングパッドを形成
   する際に上記両マークを同時に形成するようにしたこと
   を特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 ３、上記誤差指示マークは上記位置合せ用マークをも兼
   ねていることを特徴とする請求項１または請求項２記載
   の半導体装置の製造方法。